【課題】半導体ウェーハに自重により応力が発生するのを抑制し、半導体ウェーハに欠陥が生じない縦型ウェーハボートを提供する。
【解決手段】本縦型ウェーハボートは、支柱３に設けた支持部４ａが半導体ウェーハＷの半径の０．６〜０．８倍の半径を有するドーナツ状領域内で該ドーナツ状領域を均等に４分割する位置に配され、かつ支持部４ａの平面度は５０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】平均気孔径、気孔間の連通部分の平均直径が傾斜的に変化し、緻密領域と気孔領域を同時かつ一体に作成されるリン酸カルシウム系セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】本リン酸カルシウム系多孔質焼結体の製造方法は、リン酸カルシウム系粉末および架橋重合により硬化し得る有機物質を溶媒に分散または溶解させたスラリーを調整する工程と、このスラリーに起泡剤を添加し、撹拌および気体導入の少なくとも一方により起泡し、泡沫状態のスラリーとする工程と、泡沫状態のスラリーに架橋剤および架橋開始剤の少なくとも一方を添加して混合し、成形型内に導入し、この導入されたスラリーに消泡剤を含有させた後、架橋重合により硬化して、気孔率が６０％未満１０％以上の領域及び、この率領域に連なり気孔率が連続して傾斜的に増加して分布する領域が一体に作成された成形体とする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】熱膨張による亀裂が生じ難く、また支持柱を天板及び底板に確実に固定できる縦型ウエハボートを提供する。
【解決手段】本発明にかかる縦型ウエハボート１は、半導体ウエハＷを搭載するウエハ支持部を有する複数本の支持柱２と、前記支持柱２の上下端部に取付けられる天板４及び底板３とを具備する縦型ウエハボート１において、前記支持柱２の下端部には、支持柱の横断面積より大きな底面積を有する足部２ｂが形成され、前記足部２ｂがボルト５，６で底板３に固定されると共に、前記天板４には径方向に延設された複数個の貫通部４ｂが形成され、前記支持柱２の上端部２ｆが前記貫通部４ｂの内周側側壁と隙間Ｓを形成して、天板４に係止されている。 （もっと読む）

【課題】大型化に適し腐食がなく長寿命のガス導入装置を提供する。
【解決手段】本ガス導入装置は、周囲に通気口が設けられた中空状の通気パイプと、この通気パイプの一端に取付けられたスペーサと、このスペーサにデュロメータ硬さＨＤＡが１００以下である軟質ガスケットを介して一端が押圧され、通気パイプの外周側に空隙が形成されるように外嵌されたフィルタエレメントと、通気パイプに嵌合され、デュロメータ硬さＨＤＡが１００以下である軟質ガスケットを介してフィルタエレメントを押圧するスペーサと、このスペーサを押圧固定し、通気パイプに設けられた螺子部に螺合する締付けナットとを有する。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上げ時の熱履歴を制御し、単結晶中の微小欠陥を有効に制御することによって、品質の安定した単結晶を製造する単結晶引上げ方法を提供する。
【解決手段】チョコラルスキー法（ＣＺ法）による単結晶引上げ方法であって、ルツボ２中の融液４表面と、このルツボ２の上方に、引上げ単結晶１０を囲むように設けられた熱遮蔽体１１下端との距離を、予め設定した目標値±０．５ｍｍの範囲で制御しながら単結晶１０を育成することによって、融液４表面と熱遮蔽体１１の隙間からシリコン単結晶１０に放射される輻射熱を制御する単結晶引上げ方法。 （もっと読む）

【課題】 水分や酸素量を管理することなく、大気環境下に放置した場合でも、自然酸化膜の成長を抑制する半導体装置の製造方法、半導体基板の製造方法、および、大気環境下に放置した場合でも、自然酸化膜の成長が抑制される半導体基板を提供する。
【解決手段】 単結晶、多結晶または非晶質のシリコンを少なくとも表面の一部に有する半導体基板を、半導体基板に対する静電気除電効果のない環境でウェット処理する際に、処理液と半導体基板を相対的に運動させることによりウェット処理するステップと、ウェット処理後に、半導体基板をこの半導体基板と同程度に帯電した治具または非導電性治具によって保持するステップを有することを特徴とする半導体装置および半導体基板の製造方法。また、＋１００Ｖ〜＋１２ＫＶに帯電していることを特徴とする半導体基板。 （もっと読む）

【課題】焼結体の割れ及び未接合部分がなく、確実に炭化珪素焼結体の接合を行うことができる炭化珪素焼結体の接合方法を提供する。
【解決手段】本炭化珪素焼結体の接合方法は、第１の炭化珪素焼結体１の遊嵌凹部１ａに第２の炭化珪素焼結体２を遊嵌して形成される空隙ｇに介在する溶融Ｓｉを凝固させて、両炭化珪素焼結体１、２を接合するとともに、空隙ｇに水平方向空隙ｇ_ｈと垂直方向空隙ｇ_ｖを形成し、この垂直方向空隙ｇ_ｖを０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下にし、第１及び第２の炭化珪素焼結体１、２を水平方向と垂直方向を同時に接合する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面における酸素析出物（ＢＭＤ）のサイズおよび密度を規定することにより、表面と裏面とで温度差が生じるような熱処理による割れや変形が防止された高強度のシリコンウェハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】水素またはアルゴンの少なくともいずれかを含むガス雰囲気下、１０００℃以上１２００℃以下で熱処理することにより得られる、表面から深さ５０μｍまでの領域において、直径１０ｎｍ以上のＢＭＤ密度が１×１０^８／ｃｍ^３以下であるシリコンウェハを用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、極薄ディスクをレーザ媒質とした場合でも簡便な調整で安定かつ高効率な励起がなしえる薄ディスクレーザ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】厚さが０．１ｍｍ以下のＹＡＧ透明セラミックス接合体１１と、このＹＡＧ透明セラミックス接合体１１と光学的に接合されたＹＡＧ透明セラミックス接合体１２を具備することを特徴とする薄ディスクレーザ装置。 （もっと読む）

【課題】実用的な分岐効率を確保しながら、製造が容易であるＹ分岐光導波路を提供する。
【解決手段】Ｙ分岐光導波路１０は、１本の入力導波路１１を伝搬する光を２本の分岐導波路１２ａ，１２ｂにより２方向に分岐する。２本の分岐導波路１２ａ，１２ｂによって挟まれた分岐先端部１３は、入力導波路１１の長手方向に垂直な先端面１３ａと、先端面１３ａと直交する側面１３ｂと、側面１３ｂと直交する底面１３ｃとを備えた階段状の構造を有し、この先端面１３ａの幅ｄ_１を入力導波路１１の幅Ｄよりも広くする。 （もっと読む）