【課題】Ｓｉ基板上に、無極性面である（１０-１０）面の窒化物半導体膜が厚さ１μｍ以上で形成され、発光デバイスにも好適に用いることができる窒化物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（２１１）基板上に、３Ｃ−ＳｉＣ（２１１）またはＢＰ（２１１）のいずれか１種以上からなるバッファー層およびＡｌＮ（１０-１０）バッファー層を介して、ＧａＮ（１０-１０）、ＡｌＮ（１０-１０）またはＩｎＮ（１０-１０）単結晶膜、または、ＧａＮ（１０-１０）およびＡｌＮ（１０-１０）の超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】線熱膨張率が小さく、しかも吸着面の平滑度を高くすることができる材料を用いた静電チャックおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】静電チャック１０は、低熱膨張材料１２に金属１４が埋設された構造を有する。低熱膨張材料１２は１８℃〜３０℃での平均線熱膨張率の絶対値が５×１０^−８／Ｋ以下であり、かつ、低熱膨張材料１２の吸着面側である薄板状部１２ａは非晶質材料からなる。この静電チャック１０は、ともに鏡面研磨された主面を有し、少なくとも一方は非晶質である２枚の低熱膨張材料の間に電極となる金属を挟み込み、所定の温度に加熱すると同時にこの低熱膨張材料の主面に垂直な方向に所定の圧力を加えることにより、これら２枚の低熱膨張材料を熱融着接合させて、製造することができる。 （もっと読む）

【課題】実用的な電波吸収性能を有し、火災発生時等にも有害ガスを発生させない電波吸収材を提供する。
【解決手段】電波吸収材は、平均粒子径が１μｍ〜１００μｍで揮発分が０．５重量％以下であるカーボン粉末が２０重量％〜３０重量％、水硬性セメントが１５重量％〜４０重量％で、残部がシリカ質原料からなり、ＳバンドおよびＣバンドの周波数帯域で２０ｄＢ以上の電波吸収性能を有する。 （もっと読む）

【課題】 リチャージ管や底蓋の破損を防止し、かつ、万一破損した場合でも破片が飛散しないようにすることによって、単結晶の生産性を向上させ、製造コストを低減することを可能とするリチャージ装置およびこれを用いたリチャージ方法を提供する。
【解決手段】 結晶融液を貯留するルツボを有する単結晶製造装置に設けられ、ルツボに固形状原料を充填するための固形状原料のリチャージ装置２００であって、リチャージ装置２００を構成するリチャージ管２０１及びまたはリチャージ装置２００を構成しリチャージ管２０１の下方に設けられた底蓋２０３に、ワイヤ３００が封入されていることを特徴とする固形状原料のリチャージ装置２００およびこれを用いたリチャージ方法。 （もっと読む）

【課題】腐食性流体に対する耐食性や耐プラズマ性に優れ、かつ、密着性の高いアルミナ膜を最表層に有するアルミナ被覆材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミナ被覆材１０Ｂは、シリカガラスからなる基材１２と、基材１２の表面に設けられたダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜１８と、ＤＬＣ膜１８の表面に設けられたＹ−Ｓｉ酸化物層２２およびＹ−Ｓｉ酸化物層２２の表面に設けられたイットリア（Ｙ_２Ｏ_３）層２４およびＹ_２Ｏ_３層２４の表面に設けられたＹＡＧ層２６からなる中間膜１４と、ＹＡＧの表面に設けられたα−コランダム型アルミナ（α−Ａｌ_２Ｏ_３）膜１６を有し、基材１２からα−Ａｌ_２Ｏ_３膜１６へ向かって熱膨張係数が段階的または連続的に変化する構成とした。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガスおよびそのプラズマに対する耐食性に優れており、パーティクルやダストの発生を抑制することができ、半導体・液晶製造装置等、特に、プラズマ処理装置部材として好適に使用することができるイットリアセラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】平均粒径Ｄ₅₀が２μｍ以下のタングステンまたは酸化タングステンがイットリアに対して５重量％以上５０重量％以下分散し、２０〜４００℃での体積抵抗率が１０⁶Ω・ｃｍ以上１０¹³Ω・ｃｍ未満であり、開気孔率が０．２％以下であり、かつ、ハロゲン系腐食性ガスまたはそのプラズマが直に接触する部分の表面粗さＲａが１μｍ以下であり、ハロゲンプラズマ処理による反応生成物が付着堆積する部分の表面粗さＲａが１μｍより大きく３μｍ未満であるイットリアセラミックス焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上装置の湯漏れ受皿において、ルツボ内のシリコン溶融液の全量を収容することができ、且つ外形サイズの拡大とそれに伴うコスト増加を抑制することのできる単結晶引上装置の湯漏れ受皿を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によってルツボ３から単結晶Ｃを引上げる単結晶引上装置１に設けられ、ルツボ３から流出したシリコン溶融液Ｍを収容する湯漏れ受皿１０において、嵩比重が０．１２〜０．１７ｇ／ｃｍ³の炭素繊維により形成され、受皿１０を構成する炭素繊維の体積と、受皿１０としての空間容量との合計が、少なくともルツボ３に収容されたシリコン溶融液Ｍの全容量よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】腐食性流体に対する耐食性や耐プラズマ性に優れ、密着性に優れたイットリウム系セラミックス膜を最表層に有する長寿命なイットリウム系セラミックス被覆材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】イットリウム系セラミックス被覆材を、シリカガラスからなる基材１２の表面にＣＶＤ法によりＤＬＣ膜１４を形成し、形成されたＤＬＣ膜１４の表面にイットリウム系セラミックス膜前駆体を形成してこの前駆体を熱処理することにより第１のイットリウム系セラミックス膜１６を形成し、第１のイットリウム系セラミックス膜１６の表面にＣＶＤ法により第２のイットリウム系セラミックス膜１８を形成することにより、製造する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガスおよびそのプラズマに対する耐食性に優れており、被処理ウェーハ等の不純物汚染を抑制することができ、かつ、耐熱衝撃性にも優れたプラズマ処理装置用イットリアセラミックス部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】純度９９．９％以上のイットリア粉末に、純度９９．９％以上で平均粒径Ｄ₅₀が２μｍ以下のタングステンまたは酸化タングステン粉末を前記イットリア粉末に対して５重量％以上３０重量％以下添加し、成形する工程と、成形体を、還元雰囲気下または不活性ガス雰囲気下、１７００℃以上１９００℃以下で焼成する工程と、イットリアセラミックス焼結体を所定形状に加工し、表面に露出しているタングステンまたは酸化タングステンを酸洗浄またはハロゲン化プラズマ処理により除去する工程とを経ることにより、表面にタングステンまたは酸化タングステンが存在しないイットリアセラミックス部材を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハに自重により応力が発生するのを抑制し、半導体ウェーハに欠陥が生じない縦型ウェーハボートを提供する。
【解決手段】本縦型ウェーハボートは、支柱３に設けた支持部４ａが半導体ウェーハＷの半径の０．６〜０．８倍の半径を有するドーナツ状領域内で該ドーナツ状領域を均等に４分割する位置に配され、かつ支持部４ａの平面度は５０μｍ以下である。 （もっと読む）