【課題】安価で安定性に優れかつ異臭を放たない、ＣＫ活性測定試薬、ＣＫを活性化する方法およびＣＫ活性を測定する方法の提供。
【解決手段】無機硫黄化合物を含みかつチオール化合物を含まない、クレアチンキナーゼ活性測定試薬およびそれを用いた方法。 （もっと読む）

【課題】 アンサ−メタロセン誘導体を、高いジアステレオ選択性及び／又は高いエナンチオ選択性で製造することができ、アンサ−メタロセン誘導体を得ることのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の製造方法は、下記一般式（１）で示される、アンサ−メタロセン誘導体の製造方法であって、チタン、ジルコニウム又はハフニウム原子と複合体を形成し得るエーテル類又はアミン類と、チタン、ジルコニウム又はハフニウムのハロゲン化物との複合体を用いることを特徴とする。
【化１】
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【課題】 シリコン基板およびガラス基板をエッチングせずに、アルミナ粒子、シリカ粒子又は窒化ケイ素粒子からなる粒子の除去能力が高く、金属汚染についても除去することができる洗浄液を開発する。
【解決手段】 １分子中にスルホン酸基を少なくとも２以上有する化合物、フィチン酸および縮合リン酸化合物からなる群から選択される１種または２種以上と、無機酸と、水とを含有してなる、半導体基板浄液組成物。
スルホン酸基を有する高分子化合物、フィチン酸および縮合リン酸化合物からなる群から選択される１種または２種以上と、無機酸と、水とを含有してなる半導体基板浄液組成物で半導体基板を洗浄する第一の工程と、第一の工程に引き続いて、純水あるいはオゾンガスを溶解したオゾン水または過酸化水素水にて、当該半導体基板を洗浄する第二の工程とからなる、半導体基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】 ホスホナイト化合物を純度よく安定的に製造し、当該ホスホナイト化合物のアルキル化反応を円滑に行うことによって、ホスフィン酸エステルを工業的に有利に製造する方法を提供する。
【解決手段】 ホスホナイト化合物（２）とアルキル化剤（３）を、溶媒中で反応させることを特徴とするホスフィン酸エステル（１）の製造方法。
【化１】
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【解決すべき課題】 アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属配線を有する半導体基板のドライエッチング後及びアッシング後に残留するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣を除去する組成物、並びにフォトレジスト残渣及びアッシング残渣の除去方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも１種のフッ素化合物（フッ化水素酸を除く）と、少なくとも１種のスルホン酸類と、水とを含有する、フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物、並びに少なくとも１種のフッ素化合物（フッ化水素酸を除く）と、少なくとも１種のスルホン酸類と、水とを含有する組成物を用いる、フォトレジスト残渣及びポリマー残渣の除去方法。 （もっと読む）

【課題】サンプリングの作業を簡素化することができ、菌検査の検査結果にばらつきが生じるのを抑制することができ、正確な検査を行うことができるようにする。
【解決手段】培地部３１及び把持部３２を備えた平板状のトレー部１２と、該トレー部１２を覆うための蓋（ふた）体とを有する。そして、前記培地部３１に、被検体の検査箇所に対応させて培地３９が形成される。この場合、培地部３１に、被検体の検査箇所に対応させて培地３９が形成されるので、一つの培地装置を使用するだけで、包材にあらかじめ設定された複数の検査箇所について菌検査を行うことができる。したがって、サンプリングの作業を簡素化することができるだけでなく、サンプリングを行うたびに検査箇所が異なることがないので、菌検査の検査結果にばらつきが生じるのを抑制することができる。 （もっと読む）

【解決すべき課題】 銅及び銅を主成分とする合金、各種の低誘電率膜を有する半導体装置の製造工程において、ドライエッチング後及びアッシング後に残留するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣を除去するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】 少なくとも１種のフッ素化合物と、少なくとも１種の有機酸と、少なくとも１種の有機アミンと、水とを含有し、前記組成物のｐＨが４〜７であり、水以外の成分の合計含有量が組成物全体に対して０．３〜３０質量％である、フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物。
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【課題】金属を腐食することなく、基板表面の金属不純物を容易に除去することのできる洗浄液であって、環境への負荷、保存性等に問題のない金属配線が施された後の基板を洗浄する洗浄液を提供する。
【解決手段】シュウ酸、シュウ酸アンモニウム、ポリアミノカルボン酸類のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする金属配線が施された後の基板を洗浄する洗浄液。 （もっと読む）