【解決すべき課題】ODSシリカゲル充填剤の製造方法として、従来のものより不活性化がなされているものの製造方法を見出すこと。
【解決手段】下記工程を含むODSシリカゲル充填剤の製造方法：
−アミン化合物を用いた一次エンドキャッピング、
−一次エンドキャッピングに用いられたアミン化合物と異なるアミン化合物を用いた二次エンドキャッピング、および
−二次エンドキャッピングを行ったODSシリカゲル充填剤に、第三級アミンを用いて追加のエンドキャッピングを行う工程。 （もっと読む）

【課題】シアンを含まない金源を用いる無電解金めっき液であって、めっき液の安定性が良好で、かつ金析出が大きく抑制されず、しかも膜物性を損なわないめっき液を提供する。
【解決手段】本発明の無電解金めっき液は、シアンを含まない金源と分解抑制剤とを含有し、分解抑制剤として下記一般式Ｉ：
【化１】


一般式Ｉ中、Ｘは硫酸塩基を示し、ｎは２〜７，０００の整数を示す、で表される構造を含有する重合体を含む。 （もっと読む）

【課題】溶解性に優れ、安定性が高く発光効率の高い、高分子系の有機発光材料の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される成分（ａ）と、これと異なる一般式（２）で表される成分（ｂ）を含有するカルバゾール系ランダム共重合体。


〔式中、Ｒ_1a及びＲ_1bは、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０の芳香族環式基等、Ｒ_2a及びＲ_2bは、それぞれ独立して、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０の芳香族環式基等。〕 （もっと読む）

【課題】長期に安定な異方性エッチング選択比を有するエッチング液およびエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコンの異方性エッチングに用いるエッチング液は、金属化合物を含有し、８０℃における（１１０）面のエッチング速度が１８×１０^３Å／分以上であり、かつ８０℃における（１１０）面面方位と（１００）面面方位のエッチング速度比（１１０）／（１００）が１．７以上であるエッチング液を用いてエッチングする。 （もっと読む）

【課題】半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣及びポリマー残渣を低温、短時間で除去するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物、並びにそれを用いた残渣の除去方法を提供する。
【解決手段】金属配線を有する半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する組成物であって、フッ素化合物を０．５〜３．０質量％および水を３０質量％超えない量含み、ｐＨが４以下である、前記組成物。 （もっと読む）

【課題】
２位に置換基を有する光学活性３−キヌクリジノール類、特に医薬、農薬等に利用される光学活性な生理活性化合物、または液晶材料等の合成中間体として有用な２位に置換基を有する光学活性シス−３−キヌクリジノール類の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の２位に置換基を有する光学活性３−キヌクリジノール類の製造方法は、所定の金属錯体の存在下において、２位に置換基を有する３−キヌクリジノン類と水素を供与する化合物とを反応させる。 （もっと読む）

【課題】
従来、光学分割法でしか得られなかった２位に置換基を有する光学活性キヌクリジノール類の効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の２位に置換基を有する光学活性３−キヌクリジノール類の製造方法は、所定のルテニウム錯体、および塩基の存在下において、２位に置換基を有する３−キヌクリジノン類を水素と反応させる。 （もっと読む）

【課題】
血清、血漿、尿等の体液検体中のカルシウム濃度をクロロホスホナゾ−ＩＩＩを用いて測定する際に、濁りに基づく正誤差を受けずに正確に測定できるカルシウム濃度測定試薬および測定方法を提供する。
【解決手段】
本発明のカルシウム濃度測定試薬は、クロロホスホナゾ−ＩＩＩと、アニオン型界面活性剤およびアミン類からなる群から選ばれた少なくとも１種とを含有する。 （もっと読む）

【課題】 ガラス等の絶縁膜基板、シリコン基板および化合物半導体基板上にスパッタリング法により成膜したチタンまたはチタンを主成分とする合金からなる層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる層とを含む金属積層膜を下地の基板等にダメージを与えることなく、さらに、テーパー角度を３０〜９０度に抑制し、積層膜を一括にエッチング可能なエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】 本発明のエッチング液組成物は、ヘキサフルオロケイ酸、ふっ化水素酸の金属塩またはアンモニウム塩、およびヘキサフルオロケイ酸の金属塩またはアンモニウム塩からなる群から選ばれた少なくとも1種のふっ素化合物と酸化剤とを含有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ等の表面保護膜としてレジストを塗布し、基板の周縁部（ベベル部、エッジ部、ノッチ部等）の研磨を行う製造工程において、ポジ型レジスト表面に親水性を付与することにより研磨屑等の汚染源がポジ型レジスト表面に付着するのを防止するレジスト処理液組成物を提供する。
【解決手段】本発明のポジ型レジスト処理液組成物は、下記の一般式（Ｉ）：


式中、Ｒ_１及びＲ_３はそれぞれメチル基を示し、Ｒ_２は炭素数１２〜１８のアルキル基を示す、で表される水酸化第四級アンモニウムを含有する水溶液からなる。 （もっと読む）