【課題】 バンプ先端が所定の形状で作成することが出来る検査用プローブおよび検査用プローブの製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅張りポリイミドフィルム基材を用いてセミアディティブ法により形成したニッケルバンプのうち被検査電極と接触するバンプ先端形状が所定寸法のものと、フイルム上に所定寸法で形成したニッケルパッドとを、金属接合によって接合したことを特徴とする検査用プローブおよび検査用プローブの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基材の薄膜化を必要な部分のみに施し、薄い基材であっても高い寸法安定性を確保できるとともに接合電子デバイス等との高い適合性を確保でき、全体として優れた屈曲性や柔軟性を確保できるポリイミドフィルム回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅張りポリイミド基材に、セミアデティブ法またはサブトラクティブ法で両面または片面に金属配線回路パターンを形成した後、当該金属配線回路パターン部を耐熱性絶縁樹脂で被覆補強し、さらに、金属配線回路が形成されていないポリイミド基材部分をケミカルエッチングで薄膜化して同一基板内で膜厚みが異なるポリイミド絶縁層を形成することを特徴とするポリイミドフィルム回路基板およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 金属層との密着強度が高く、かつ、絶縁性が高い電子部品用機材及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 ポリイミド基材上にパラジウム化合物を含有するポリイミド樹脂前駆体溶液を塗布・乾燥させてポリイミド樹脂前駆体層を形成し、次いで水素共与体の存在下において紫外線を照射してメッキ下地核を形成した後、無電解メッキ処理によってメッキ下地金属層を形成し、さらに表面メッキ層を形成した後、又は形成する前に前記ポリイミド樹脂前駆体層を加熱イミド化してポリイミド樹脂層にすることにより電子部品用基材を製造する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板上への金属薄膜形成の際に生じるピンホールを効果的に穴埋めできる硫酸銅メッキ浴及びそれを使用したメッキ方法を提供する。
【解決手段】 硫酸銅メッキ浴における組成物の内、硫酸／硫酸銅5水和物の重量比率が０．１以下で、そのメッキ液のＰＨが４．５以下であることを特徴としており、また、その硫酸銅メッキ浴を使用して、絶縁基板上に形成された厚さ１μｍ以下の金属薄膜上又はその金属薄膜上に、感光性樹脂により形成されたパターン状に銅メッキを行うことで前記金属薄膜上に生じるピンホールを効果的に潰す、つまり、穴埋めすることができるメッキ方法である。 （もっと読む）

【課題】液晶ポリマー基材に、エッチング加工によってデバイスホールやビアホールなどを形成する際に用いる好適なエッチング液及びそれを用いるエッチング方法を提供する。
【解決手段】液晶ポリマーのエッチング液は、３０重量％以上３５重量％未満のアルカリ金属水酸化物などの無機アルカリ化合物と、４５〜５０重量％の分子中に少なくとも１個以上のアミノ基と水酸基を有する脂肪族アミノアルコール及び水とからなり、かつ、全アルカリ成分濃度（無機アルカリ化合物とアミノアルコールの合計）が７５重量％〜８０重量％の水溶液であり、その液を用いて６０°C以上９０°C以下の液温で液晶ポリマーに接触させてエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】 特に微細なピッチの半導体や表示装置の検査に好適なフィルムプローブの製造方法を提供する。
【解決手段】 表面に支持基板めっき層を形成した支持基板と一面に導電性金属層を有する絶縁樹脂層とを、該支持基板めっき層が内層側に、また、該導電性金属層が表層側になるように積層した積層体の、該導電性金属層及び該絶縁樹脂層に設けられた金属層開孔及び電極体形成用開孔内に電極体をめっき形成し、その後、該積層体から該支持基板を、ついで該支持基板めっき層を除去した後に、該絶縁樹脂層をハーフエッチングして該絶縁樹脂層の表面に該電極体の一部を突出せしめて、それを接触子となすフィルムプローブの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 特に狭小なピッチの半導体や表示装置の検査に好適な、検査を行う際の押圧力やクリーニングのための払拭等の外力による脱落や破損が生じにくいフィルムプローブ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 接触子２の鍔部２１が接触子上部側の鍔上層部２１ｂと鍔下層部２１ａからなり、かつ、鍔上層部２１ｂの径Ｂは鍔下層部２１ａの径Ａより小さく構成されている。そして、鍔部２１は絶縁樹脂層１に埋設されている。
【図面】 図１ （もっと読む）

【課題】寸法精度が高い配線回路を狭小なピッチであっても浮き上がりや剥離が生じないように可撓性絶縁基材に埋設した回路基板及びそのような回路基板を容易に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】可撓性絶縁基材１に埋設された配線回路２を、線幅及び材質が互いに異なる第１導電性金属層２２と第２導電性金属層２１とを積層して形成すると共に、第１導電性金属層２２の線幅Ａを第２導電性金属層２１の線幅Ｂよりも大きく、かつ第２導電性金属層２１の一面を可撓性絶縁基材１の一面に露出させている。 （もっと読む）