ソルヴィーアス アクチェンゲゼルシャフトにより出願された特許
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キラルな配位子
光学的に純粋又は光学的に非常に富化された、式(1)[ここで、R0は、C1−C12−アルキル(非置換であるか、又は1〜2個のC1−C4−アルコキシで置換されている);シクロペンチル又はシクロヘキシル(非置換であるか、又は1〜3個のC1−C4−アルキルもしくはC1−C4−アルコキシで置換されている);あるいはベンジル、フェニル又はナフチル(非置換であるか、又は1〜3個のC1−C4−アルキル、C1−C4−アルコキシ、C1−C4−フルオロアルキルもしくはC1−C4−フルオロアルコキシ、F又はClで置換されている)であるか、あるいは、R0は、−CR5R6OH又は−CR5R6OSi(C1−C8−アルキル)3(ここで、R5及びR6は、H、非置換C1−C12アルキル、置換C1−C12アルキル、非置換C4−C8シクロアルキル、置換C4−C8シクロアルキル、非置換アリール、置換アリールからなる群より独立して選択されるか、又はR5及びR6は、非置換5〜6員脂肪族炭素環又は置換5〜6員脂肪族炭素環を形成することができる)であり、各々R1及びR’1は、独立して、水素であるか、又はR0の意味を有し、R1、R’1及びR0は、同じであるか異なっていることができ、R2及びR3は、独立して、C−結合炭化水素基又はヘテロ炭化水素基であり、そして各々両方のR4は、C1−C6−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、メチルフェニル、メチルベンジル又はベンジルであるか、あるいは両方のR4は一緒になって脂肪族C4−C6炭素環を形成する]のキラルな化合物。これらの配位子の金属錯体は、不斉付加反応、特に水素化のための、均一系触媒である。
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キラル配位子
式(1):[式中、R1は、C1−C8−アルキル、非置換のシクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボルニルもしくはアダマンチル、又は1〜3個のC1−C4−アルキルもしくはC1−C4−アルコキシによって置換されているシクロペンチルもしくはシクロヘキシル、又は非置換であるか、1〜3個のC1−C4−アルキル、C1−C4−アルコキシ、C1−C4−フルオロアルキル又はC1−C4−フルオロアルコキシ、F及びClによって置換されているベンジル、フェニル、ナフチル及びアントリルであり、R2及びR3は、各々独立して、C−結合炭化水素基又はヘテロ炭化水素基であり、R4は、C1−C4−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、メチルフェニル、メチルベンジル又はベンジルである]の配位子を調製する方法であって、(a)式(A):(式中、R4は上記定義のとおりである)の化合物を、アミン側鎖のオルト位で立体選択的にメタル化し、式R1−PX2(ここで、R1は上記定義のとおりであり、Xは、Cl又はBrである)のジハライドと反応させ、立体選択的加水分解により、SPO基を含む化合物を得て、式H−PR2R3(ここで、R2及びR3は、上記定義のとおりである)の第二級ホスフィンとの反応により、式(1)の化合物を得ること、を含む方法。本方法によって得られた新規な配位子及びそれらの金属錯体。
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不斉付加反応に使用する二座第二級ホスフィンオキシドキラル配位子
主に1つのエナンチオマーを含む混合物の形態であるか、又は純粋なエナンチオマーの形態である式I、第二級ホスフィン−Q−P*(=O)HR1(I)[式中、第二級ホスフィンは、C−結合した第二級ホスフィン基−P(R)2であり;ここで、Rは、各々、独立して、炭化水素基又はヘテロ炭化水素基であり;Qは、二価アキラル芳香族基本骨格、二価アキラルフェロセン基本骨格、場合により置換されている二価シクロアルカン又はヘテロシクロアルカン骨格、あるいはC1−C4−アルキレン骨格であり、そして、基本骨格において、第二級ホスフィン基は、炭素原子に直接結合するか、あるいは環状基本骨格の場合、炭素原子に直接か、又はC1−C4−アルキレン基を介して結合して、そして、基本骨格において、P−キラル基−P*(=O)HR1は、炭素原子に直接結合するか、あるいは環状基本骨格の場合、炭素原子に直接か、又はC1−C4−アルキレン基を介して結合し(これら複数のリン原子は、O、S、N、Fe又はSiの群からのヘテロ原子により場合により中断された1〜7個の原子の炭素鎖を介して連結するように結合する);P*は、キラルリン原子であり;そして、R1は、炭化水素基、C−結合ヘテロ炭化水素基又はフェロセニル基である(ただし、Qがアキラルフェロセニル基本骨格である場合、R1は、アキラルフェロセニル基である)]で示される化合物。配位子と金属のモル比が約1.3:1〜0.9:1である、これらの配位子の金属錯体は、不斉付加反応、特に水素化のための均一系触媒である。 (もっと読む)
触媒的不斉付加反応に使用する二座キラル配位子
主に1つのジアステレオマーを含む混合物の形態であるか、又は純粋なジアステレオマーの形態である、式(I):Z1−Q−P*R0R1(I)[式中、Z1は、C−結合した第二級ホスフィン基−P(R)2であり;ここで、Rは、各々、独立して、炭化水素基又はヘテロ炭化水素基であるか、又はZ1は−P*R0R1基であり;Qは、二価のアキラル芳香族基本骨格、二価のアキラルフェロセン基本骨格、場合により置換されている二価のシクロアルカン又はヘテロシクロアルカン骨格、あるいはC1−C4−アルキレン骨格であり、そして、これらの基本骨格において、第二級ホスフィン基Z1は、炭素原子に直接、あるいは環状基本骨格の場合、炭素原子に直接か、又はC1−C4−アルキレン基を介して結合し、そして、これらの基本骨格において、P−キラル基−P*R0R1は、これらのリン原子が、O、S、N、Fe又はSiの群からのヘテロ原子により場合により中断された炭素鎖の1〜7個の原子を介して連結するように、炭素原子に直接、あるいは環状基本骨格の場合、炭素原子に直接か、又はC1−C4−アルキレン基を介して結合し;P*は、キラルリン原子であり; R0は、メチル又はヒドロキシルであり、Z1が−P*R0R1基である場合、R0は、メチルであり、;R1は、C−結合した、光学的に富化されているか又は光学的に純粋な、キラルな単−又多環の非芳香属性炭化水素基又はヘテロ炭化水素基であり、3〜12個の環原子及び1〜4個の環を有し、P−C結合の少なくともα位に一つの立体中心炭素を有している]で示される化合物;これらの配位子の金属錯体は、不斉付加反応、特に水素化のための均一系触媒である。 (もっと読む)
不斉水素化反応で使用されるビス(フェロセニルホスフィノ)フェロセン配位子
ラセミ化合物、鏡像異性的に純粋なジアステレオ異性体又はジアステレオ異性体の混合物の形態の式I(式中、基R1は、同一又は異なり、それぞれがC1〜C4アルキルであり、mは、0又は1〜4の整数であり、nは、0又は1〜3の整数であり、pは、0又は1〜5の整数であり、R2は、芳香族炭化水素基又はC結合芳香族ヘテロ炭化水素基であり、そして、R3は、脂肪族又はヘテロ脂肪族炭化水素基であり、R2及びR3は、同一又は異なり、それぞれが脂肪族又はC結合へテロ脂肪族炭化水素基であり、R4は、非置換又はC1〜C6アルキル、C1〜C6アルコキシもしくはハロゲン置換炭化水素基であり、Aは、第二級アミノ基である)の化合物は、均一系触媒として好適な金属錯体のための配位子である。
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ジホスフィン配位子
ジアステレオマーの混合物又は純粋なジアステレオマーの形態の式I及びIaの化合物、(I)、(Ia)、[式中、R1は水素原子又はC1−C4−アルキルであり、そしてR’1はC1−C4−アルキルであり;X1及びX2は、各々、互いに独立して、sec−ホスフィノ基であり;Tは、C6−C20−アリーレン、又はO、S、−N=及びN(C1−C4−アルキル)からなる群より選択されるヘテロ原子を有するC4−C18−ヘテロアリーレンであり;vは、0又は1〜4の整数であり;X1は、T−C*結合に対してオルト位に結合されており;Qは、ビニル、メチル、エチル、−CH2−OR、−CH2−N(C1−C4−アルキル)2、又は金属化試薬の金属をオルト位へ配向させるC−若しくはS−結合されたキラル基であり;Rは、水素、シリル基、或いは、1〜18個の炭素原子を有し、かつ、非置換であるか又はC1−C4−アルキル、C1−C4−アルコキシ、F若しくはCF3によって置換されている脂肪族、脂環式、芳香族又は芳香族−脂肪族炭化水素基である]は、不斉合成における均一系触媒としての金属錯体についての配位子である。
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不斉付加反応、特に水素化における遷移金属触媒に使用されるキラルリガンド
ジアステレオマー又は純粋なジアステレオマーの混合物の形態での、式(I):第二級ホスフィン−Q−P(=O)HR1(I)〔式中、第二級ホスフィンは、置換基として炭化水素基又はヘテロ炭化水素基を有する第二級ホスフィン基であり;Qは、ビスアリール又はビスへテロアリール架橋結合に対して2個のリン原子がオルト位に結合している、軸性キラル中心を有する二価ビスアリール又はビスへテロアリール基であるか、或いはQは、第二級ホスフィンのリン酸原子がシクロペンタジエニル環に直接又はC1〜C4炭素結合を介して結合している、面性キラル中心を有する又は面性キラル中心を有さない二価フェロセニル基であり、−P*(=O)HR1基は、同じシクロペンタジエニル環でそこに結合した第二級ホスフィンに対してオルト位に結合しているか又は他のシクロペンタジエニル環に結合しており;P*は、キラルなリン原子であり、そしてR1は、炭化水素基、ヘテロ炭化水素基又はフェロセニル基であり、ここでR1は、Qが面性キラル中心を有さない二価フェロセニル基である場合、面性キラル中心を有するフェロセニル基である〕で示されるリガンド。これらのリガンドの金属錯体は、不斉付加反応、特に水素化における均一触媒である。 (もっと読む)
フェロセンジホスフィン
鏡像異性的に純粋なジアステレオマーの形態又はジアステレオマーの混合物の形態の式Iの化合物であって、式中、ラジカルR1は、同一又は異なっており、それぞれ、C1〜C4アルキルであり;mは、0又は1〜3の整数であり、nは、0又は1〜4の整数であり;R2は、炭化水素ラジカル又はC結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり;Cpは、非置換又はC1〜C4アルキル置換シクロペンタジエニルであり;Yは、メタレーション試薬の金属をオルト位置へ向かわせる、C結合キラル基であり;そしてPhosは、P結合P(III)置換基である。この化合物は、不斉合成において均一触媒として使用される遷移金属の錯体のためのキラルリガンドである。
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プロキラルケトン及びアルデヒドの不斉接触水素化
塩基の存在下、並びに配位P及びN原子を有する二座リガンド、モノホスフィンリガンド及びアニオン性及び/又は非荷電リガンドを含有するルテニウム錯体の均一触媒としての存在下で、非荷電リガンドが存在する場合、電荷を1若しくは2個の一価酸アニオン又は二価酸アニオンにより平衡にさせて、C(O)基に対する位置でステレオジエン原子を有し、構造要素−(O)C−C−CH−を含有するラセミアルデヒド又はラセミケトンを、水素により反応させることによる立体選択的水素化の方法。 (もっと読む)
フェロセンジホスフィン配位子
ラセミ体、立体異性体の混合物、または光学的に純粋な立体異性体の形態の式I(式中、X1およびX2は、それぞれ互いに独立して、第二級ホスフィノ基であり;R1は、C原子、N原子、S原子、Si原子、P(O)基またはP(S)基を介してシクロペンタジエニル環に結合したハロゲン原子または置換基であり;R2は、C1〜C4−アルキルまたはフェニルであり;mは、1〜3であり;nは、0または1〜5である)で示される化合物は、鏡像異性選択性のある均一触媒としての遷移金属の錯体のための配位子である。置換の結果として、転化率、立体選択性および/または形成される付加物の配置に影響を与えることができ、そしてこの方法で触媒の最適化が可能になる。
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