フェロセンジホスフィン
鏡像異性的に純粋なジアステレオマーの形態又はジアステレオマーの混合物の形態の式Ｉの化合物であって、式中、ラジカルＲ１は、同一又は異なっており、それぞれ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルであり；ｍは、０又は１〜３の整数であり、ｎは、０又は１〜４の整数であり；Ｒ２は、炭化水素ラジカル又はＣ結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり；Ｃｐは、非置換又はＣ１〜Ｃ４アルキル置換シクロペンタジエニルであり；Ｙは、メタレーション試薬の金属をオルト位置へ向かわせる、Ｃ結合キラル基であり；そしてＰｈｏｓは、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基である。この化合物は、不斉合成において均一触媒として使用される遷移金属の錯体のためのキラルリガンドである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フェロセン置換第二級ホスフィノ基を１位に、第二級ホスフィノ基を１′位に含有するフェロセン１，１′−ジホスフィン；それらの製造方法；遷移金属とリガンドとしてのこれらのフェロセンジホスフィンとの錯体；及び有機化合物の立体選択合成における均一触媒としての金属錯体の使用に関する。
【０００２】
キラルリガンドは、均一系の立体選択な接触反応における触媒のための極めて重要な助剤であることが見出されている。それにより十分な触媒活性のみならず高い立体選択性も達成することができる金属錯体が実用化されている。これらの２つ特性なくしては、産業的方法への規模拡大は、経済的な理由で達成することができなかった。
【０００３】
そのような触媒の活性は、特定の基質に対して特異的であることが頻繁に見出されている。したがって、特定の基質のために最適化することができるように、十分な数のキラルリガンドを利用可能にすることが必要である。したがって、製造するのが簡単であり、立体選択接触反応において良好な結果を与える更に効率的なキラルリガンドが、引き続き要求されている。その特性を特定の触媒作用に適合することができ、かつ最適化することができるリガンドが特に興味の的である。組み換えの容易な構成区分的（modular fashion）に構築できるリガンドは当該分野において特に有用である。
【０００４】
フェロセンは、リガンドを製造するのに非常に有用な骨格であり、第二級ホスフィノラジカルによる異なる置換を提供するのに成功裏に使用されてきた。加えて、フェロセン骨格を有し、ステレオジェンＰ原子を含有するジホスフィンリガンドが知られている（例えば、C. Gambs et al., Helvetica Chimica Acta Volume 84 (2001), pages 3105 to 3126又はWO 2005/068477を参照すること）。しかし、純粋なジアステレオマーの製造は複雑であること、また、ジアステレオマーは所望しないエピマー化が頻繁に起こるける傾向があることの理由で、このようなジホスフィンは、実用的には重要性を全く獲得していなかった。
【０００５】
予期しないことに、特に少なくとも１個のステレオジェン炭素原子を含有する置換基により、シクロペンタジエニル環（Ｃｐ環）とＰ原子との間の結合に対してオルト位置で置換されているフェロセニルラジカルをＰ原子が含有する場合、ステレオジェンＰ原子を有するより安定したフェロセン−１，１′−ジホスフィンが得られることがここで見出された。加えて、予期しないことに、これらの極めて基準構成区分的な(modular)ジホスフィンを、簡単な方式で製造することができ、ホスフィノラジカル及びＣｐ環における置換基の変化により所定の触媒問題を最適化できることが見出された。また、予期しないことに、ＴＭ８金属との錯体が、不斉合成のために、特にα，β−不飽和カルボン酸の水素化のために非常に有効な均一触媒であり、非常に高い触媒活性及び立体選択性を示すことが見出された。
【０００６】
本発明は、第１には、式Ｉ：
【０００７】
【化１６】
【０００８】
〔式中、
ラジカルＲ１は、同一又は異なっており、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキルであり；
ｍは、０又は１〜３の整数であり；
ｎは、０又は１〜４の整数であり；
Ｒ２は、炭化水素ラジカル又はＣ結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり；
Ｃｐは、非置換又はＣ１〜Ｃ４アルキル置換シクロペンタジエニルであり；
Ｙは、メタレーション試薬の金属をオルト位置へ向かわせる、Ｃ結合キラル基であり；そして
Ｐｈｏｓは、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基である〕
で示される、鏡像異性的に純粋なジアステレオマーの形態又はジアステレオマーの混合物の形態の化合物を提供する。
【０００９】
特に好ましいＰ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓは、第二級ホスフィノ基である。
【００１０】
アルキル基Ｒ１は、例えば、メチル、エチル、ｎ−又はｉ−プロピル、ｎ−、ｉ−又はｔ−ブチルであることができ、好ましくはメチルであり、ｍ及びｎは、好ましくは０である（したがってＲ１は水素原子である）。
【００１１】
炭化水素ラジカルＲ２は、非置換若しくは置換されていることができ、及び／又はＯ、Ｓ、−Ｎ＝又はＮ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）からなる群より選択されるヘテロ原子を含有することができる。これらは、１〜２２個、好ましくは１〜１８個、特に好ましくは１〜１２個、特に１〜８個の炭素原子、及び１〜４個、好ましくは１又は２個の記述したヘテロ原子を含有することができる。ラジカルＲ２は、直鎖又は分岐鎖Ｃ１〜Ｃ１２アルキル；非置換又はＣ１〜Ｃ６アルキル−若しくはＣ１〜Ｃ６アルコキシ置換のＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル若しくはＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル−ＣＨ２−；Ｃ６〜Ｃ１４アリール；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール；Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキル；又はハロゲン−（フッ素−、塩素−若しくは臭素−）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル−、トリフルオロメチ−、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−、トリフルオロメトキシ−、（Ｃ６Ｈ５）３Ｓｉ−、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）３Ｓｉ−若しくはsec−アミノ置換のＣ６〜Ｃ１４アリール、Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール、Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル若しくはＣ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキルからなる群より選択されるラジカルであることができる。ヘテロアリール及びヘテロアラルキルは、好ましくは、Ｏ、Ｓ及び−Ｎ＝からなる群より選択されるヘテロ原子を含有する。
【００１２】
好ましくは１〜６個の炭素原子を含有するアルキルラジカルＲ２の例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、並びにペンチル及びヘキシルの異性体である。非置換又はアルキル置換シクロアルキルラジカルＲ２の例は、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル及びエチルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、ノルボルニル及びアダマンチルである。非置換又はアルキル−若しくはアルコキシ置換Ｃ５〜Ｃ１２シクロアルキル−ＣＨ２−ラジカルＲ２の例は、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、シクロオクチルメチル、メチルシクロヘキシルメチル及びジメチルシクロヘキシルメチルである。アリール及びアラルキルラジカルＲ２の例は、フェニル、ナフチル、アントラセニル、フルオレニル、ベンジル及びナフチルメチルである。ヘテロアリール及びヘテロアラルキルラジカルＲ２の例は、フリル、チオフェニル、Ｎ−メチルピロリジニル、ピリジル、ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、キノリニル、フリルメチル、チオフェニルメチル及びピリジルメチルである。置換アリール、アラルキル、ヘテロアリール及びヘテロアラルキルラジカルＲ２の例は、フェニル、ナフチル、ベンジル、ナフチルメチル、フェニルエチル、フリル、チオフェニル、ベンゾフリル及びベンゾチオフェニルであり、これらは、メチル、エチル、ｎ−及びｉ−プロピル、ｎ−、ｉ−及びｔ−ブチル、エトキシ、メトキシ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フッ素又は塩素である。幾つかの好ましい例は、２−、３−又は４−メチルフェニル、２，４−又は３，５−ジメチルフェニル、３，４，５−トリメチルフェニル、４−エチルフェニル、２−又は４−メチルベンジル、２−、３−又は４−メトキシフェニル、２，４−又は３，５−ジメトキシフェニル、３，４，５−トリメトキシフェニル、２−、３−又は４−トリフルオロメチルフェニル、２，４−又は３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル、トリストリフルオロメチルフェニル、２−又は４−トリフルオロメトキシフェニル、３，５−ビストリフルオロメトキシフェニル、２−又は４−フルオロフェニル、２−又は４−クロロフェニル、及び３，５−ジメチル−４−メトキシフェニルである。
【００１３】
特に好ましい実施態様において、Ｒ２は、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、Ｃ７〜Ｃ８ビシクロアルキル、ｏ−フリル、フェニル、ナフチル、２−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、３−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、４−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、２−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、３−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、２−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、３−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、４−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、３，５−ビス（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ３、３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２Ｃ６Ｈ３、３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）２Ｃ６Ｈ３及び３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２−４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ２である。
【００１４】
オルトに向けられているキラル基Ｙにおいて、キラル原子は、好ましくは、シクロペンタジエニル−Ｙ結合に対して１、２又は３位に結合している。基Ｙは、開鎖状又は環状のラジカルであることができ、ここで原子は、Ｈ、Ｃ、Ｏ、Ｓ及びＮからなる群より選択される。
【００１５】
基Ｙは、例えば、式：−ＨＣ＊Ｒ５Ｒ６（式中、＊は不斉原子を示す）に対応することができ、ここで、Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル（シクロヘキシル）、Ｃ６〜Ｃ１０アリール（フェニル）、Ｃ７〜Ｃ１２アラルキル（ベンジル）又はＣ７〜Ｃ１２アルカリル（メチルベンジル）であり、Ｒ６は、−ＯＲ７又は−ＮＲ８Ｒ９であり、Ｒ７は、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、フェニル又はベンジルであり、そしてＲ８及びＲ９は、同一又は異なっており、それぞれ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、フェニル又はベンジルであるか、或いはＲ８及びＲ９は、Ｎ原子と一緒になって、５員〜８員環を形成する。Ｒ５は、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル及びフェニルのようなＣ１〜Ｃ４アルキルである。Ｒ７は、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル及びｎ−又はｉ−ブチルのようなＣ１〜Ｃ４アルキルである。Ｒ８及びＲ９は、好ましくは同一のラジカルであり、それぞれ好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル及びｎ−若しくはｉ−ブチルのようなＣ１〜Ｃ４アルキルであるか、又は一緒になってテトラメチレン、ペンタメチレン若しくは３−オキサ−１，５−ペンチレンを形成する。式：−ＨＣＲ５Ｒ６の特に好ましい基は、１−メトキシエタ−１−イル、１−ジメチルアミノエタ−１−イル及び１−（ジメチルアミノ）−１−フェニルメチルである。
【００１６】
Ｙは、特に好ましくは、−ＣＨＲ５−ＮＲ８Ｒ９基であり、ここで、Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ５〜Ｃ６シクロアルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ４アルキルフェニル又はＣ１〜Ｃ４アルキルベンジルであり、そしてＲ８及びＲ９は、同一であって、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキル、好ましくはメチル又はエチルである。
【００１７】
Ｙが、不斉α炭素原子のないラジカルである場合、これは炭素原子を介して、直接又は架橋基を介するのいずれかによりシクロペンタジエニル環に結合している。架橋基は、例えば、メチレン、エチレン又はイミン基であることができる。架橋基に結合している環状ラジカルは、好ましくは飽和しており、特に好ましくは、合計５又は６個の環原子を有する、Ｃ１〜Ｃ４アルキル−、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２ＮＣＨ２−、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２ＮＣＨ２ＣＨ２−、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシメチル−又はＣ１〜Ｃ４アルコキシエチル置換のＮ−、Ｏ−又はＮＯ−ヘテロシクロアルキルである。開鎖状ラジカルは、好ましくは、ＣＨ２基を介してシクロペンタジエニル環に結合しており、このラジカルは、好ましくは、アミノ酸又はエフェドリンから誘導される。幾つかの好ましい例は、以下：
【００１８】
【化１７】
【００１９】
であり、ここでＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２ＮＣＨ２−、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２ＮＣＨ２ＣＨ２−、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシメチル又はＣ１〜Ｃ４アルコキシエチルである。Ｒ１１は、特に好ましくは、メトキシメチル又はジメチルアミノメチルである。
【００２０】
Ｙが−Ｃ＊ＨＲａ−ＯＲｂ基である場合、Ｒａは、好ましくは、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ５〜Ｃ６シクロアルキル（シクロヘキシル）、フェニル、ベンジル又はメチルベンジルである。
【００２１】
Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓは、同一又は異なる炭化水素ラジカルを含有する第二級ホスフィノ基であるか、又は炭化水素ラジカルがＰ原子と一緒になって４員〜８員環を形成する第二級ホスフィノ基であることができる。第二級ホスフィノ基は、好ましくは、同一の炭化水素ラジカルを含有する。炭化水素ラジカルは、非置換若しくは置換されていることができ、及び／又はＯ、Ｓ、−Ｎ＝又はＮ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）からなる群より選択されるヘテロ原子を含有することができる。これらは、１〜２２個、好ましくは１〜１８個、特に好ましくは１〜１２個、とりわけ好ましくは１〜８個の炭素原子、及び１〜４個、好ましくは１又は２個の記述したヘテロ原子を含有することができる。炭化水素ラジカルは、直鎖又は分岐鎖Ｃ１〜Ｃ１２アルキル；非置換又はＣ１〜Ｃ６アルキル−若しくはＣ１〜Ｃ６アルコキシ置換のＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル若しくはＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル−ＣＨ２−；Ｃ６〜Ｃ１４アリール；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール；Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキル；又はハロゲン−（フッ素−、塩素−若しくは臭素−）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル−、トリフルオロメチ−、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−、トリフルオロメトキシ−、（Ｃ６Ｈ５）３Ｓｉ−、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）３Ｓｉ−若しくはsec−アミノ置換のＣ６〜Ｃ１４アリール、Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール、Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル若しくはＣ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキルからなる群より選択されるラジカルであることができる。ヘテロアリール及びヘテロアラルキルは、好ましくは、Ｏ、Ｓ及び−Ｎ＝からなる群より選択されるヘテロ原子を含有する。
【００２２】
好ましくは１〜６個の炭素原子を含有するアルキル炭化水素ラジカルの例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、並びにペンチル及びヘキシルの異性体である。非置換又はアルキル置換シクロアルキル炭化水素ラジカルの例は、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル及びエチルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、ノルボルニル及びアダマンチルである。非置換又はアルキル−若しくはアルコキシ置換Ｃ５〜Ｃ１２シクロアルキル−ＣＨ２−炭化水素ラジカルの例は、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、シクロオクチルメチル、メチルシクロヘキシルメチル及びジメチルシクロヘキシルメチルである。アリール及びアラルキル炭化水素ラジカルの例は、フェニル、ナフチル、アントラセニル、フルオレニル、ベンジル及びナフチルメチルである。ヘテロアリール及びヘテロアラルキル炭化水素ラジカルの例は、フリル、チオフェニル、Ｎ−メチルピロリジニル、ピリジル、ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、キノリニル、フリルメチル、チオフェニルメチル及びピリジルメチルである。置換アリール、アラルキル、ヘテロアリール及びヘテロアラルキル炭化水素ラジカルの例は、フェニル、ナフチル、ベンジル、ナフチルメチル、フェニルエチル、フリル、チオフェニル、ベンゾフリル及びベンゾチオフェニルであり、これらは、メチル、エチル、ｎ−及びｉ−プロピル、ｎ−、ｉ−及びｔ−ブチル、エトキシ、メトキシ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フッ素及び塩素からなる群より選択される１〜３つのラジカルで置換されている。幾つかの好ましい例は、２−、３−又は４−メチルフェニル、２，４−又は３，５−ジメチルフェニル、３，４，５−トリメチルフェニル、４−エチルフェニル、２−又は４−メチルベンジル、２−、３−又は４−メトキシフェニル、２，４−又は３，５−ジメトキシフェニル、３，４，５−トリメトキシフェニル、２−、３−又は４−トリフルオロメチルフェニル、２，４−又は３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル、トリストリフルオロメチルフェニル、２−又は４−トリフルオロメトキシフェニル、３，５−ビストリフルオロメトキシフェニル、２−又は４−フルオロフェニル、２−又は４−クロロフェニル、及び３，５−ジメチル−４−メトキシフェニルである。
【００２３】
特に好ましい実施態様において、Ｒ２は、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、Ｃ７〜Ｃ８ビシクロアルキル、ｏ−フリル、フェニル、ナフチル、２−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、３−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、４−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、２−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、３−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、２−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、３−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、４−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、３，５−ビス（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ３、３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２Ｃ６Ｈ３、３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）２Ｃ６Ｈ３及び３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２−４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ２である。
【００２４】
sec−ホスフィノ基は、好ましくは式：−ＰＲ３Ｒ４に対応し、ここでＲ３及びＲ４は、それぞれ、互いに独立して、１〜１８個の炭素原子を有し、非置換であるか、又はＣ１〜Ｃ６アルキル、トリフルオロメチル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、トリフルオロメトキシ、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２アミノ、（Ｃ６Ｈ５）３Ｓｉ、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）３Ｓｉ、ハロゲン及び／若しくはヘテロ原子Ｏで置換されている炭化水素ラジカルである。
【００２５】
Ｒ３及びＲ４は、好ましくは、直鎖又は分岐鎖Ｃ１〜Ｃ６アルキル、非置換シクロペンチル若しくはシクロヘキシル、又は１〜３つのＣ１〜Ｃ４アルキル若しくはＣ１〜Ｃ４アルコキシラジカルで置換されているシクロペンチル若しくはシクロヘキシル、フリル、非置換ベンジル又は１〜３つのＣ１〜Ｃ４アルキル若しくはＣ１〜Ｃ４アルコキシラジカルで置換されているベンジル、特に非置換フェニル若しくはナフチル、又は１〜３つのＦ、Ｃｌ、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４フルオロアルキル若しくはＣ１〜Ｃ４フルオロアルコキシラジカルで置換されているフェニル若しくはナフチルからなる群より選択されるラジカルである。
【００２６】
Ｒ３及びＲ４は、特に好ましくは、Ｃ３〜Ｃ８アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フリル、ナフチル、並びに非置換フェニル又は１〜３つのＦ、Ｃｌ、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ及び／若しくはＣ１〜Ｃ４フルオロアルキルで置換されているフェニルからなる群より選択されるラジカルである。
【００２７】
第二級ホスフィノ基Ｐｈｏｓは、環状sec−ホスフィノ基、例えば、下記式：
【００２８】
【化１８】
【００２９】
のうちの１つで示される基であり、これは、非置換であるか、又はＣ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ４〜Ｃ８シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ４アルキルフェニル若しくはＣ１〜Ｃ４アルコキシフェニル、ベンジル、Ｃ１〜Ｃ４アルキルベンジル若しくはＣ１〜Ｃ４アルコキシベンジル、ベンジルオキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルベンジルオキシ若しくはＣ１〜Ｃ４アルコキシベンジルオキシ、又はＣ１〜Ｃ４アルキリデンジオキシルで１回以上置換されている。
【００３０】
置換基は、キラルＣ原子を導入するために、Ｐ原子の一方又は両方のα位置に結合することができる。一方又は両方のα位置の置換基は、好ましくは、Ｃ１〜Ｃ４アルキル又はベンジル、例えばメチル、エチル、ｎ−若しくはｉ−プロピル、ベンジル、又は−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ１〜Ｃ４アルキル又は−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６〜Ｃ１０アリールである。
【００３１】
β，γ位置の置換基は、例えば、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、ベンジルオキシ、又は−Ｏ−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）−Ｏ−及び−Ｏ−Ｃ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２−Ｏ−であることができる。幾つかの例は、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、−Ｏ−ＣＨ（メチル）−Ｏ−及び−Ｏ−Ｃ（メチル）２−Ｏ−である。
【００３２】
置換の種類及び置換基の数に応じて、環状ホスフィノラジカルは、Ｃ−キラル、Ｐ−キラル、又はＣ−及びＰ−キラルであることができる。
【００３３】
脂肪族５員若しくは６員環又はベンゼンを、上記式のラジカルにおける２個の隣接炭素原子に縮合することができる。
【００３４】
環状sec−ホスフィノラジカルは、例えば、下記式（可能性のあるジアステレオマーのうちの１しか示されていない）：
【００３５】
【化１９】
【００３６】
〔式中、
ラジカルＲ′及びＲ″は、それぞれ、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−若しくはｉ−プロピル、ベンジル、又は−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ１〜Ｃ４アルキル又は−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６〜Ｃ１０アリールであり、Ｒ′及びＲ″は、同一又は異なっている〕
に対応することができる。
【００３７】
式Ｉの化合物において、sec−ホスフィノラジカルＰｈｏｓは、好ましくは、−Ｐ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２、−Ｐ（Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル）２、−Ｐ（Ｃ７〜Ｃ１２ビシクロアルキル）２、−Ｐ（ｏ−フリル）２、−Ｐ（Ｃ６Ｈ５）２、−Ｐ〔２−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔２−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔２−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ３〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２Ｃ６Ｈ３〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）2Ｃ６Ｈ３〕２及び−Ｐ〔３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２−４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ２〕２からなる群より選択される非環式sec−ホスフィノラジカルであるか、又は下記：
【００３８】
【化２０】
【００３９】
からなる群より選択される環状ホスフィノラジカルであり、これらは、非置換であるか、又はＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ２アルキル、フェニル、ベンジル、ベンジルオキシ若しくはＣ１〜Ｃ４アルキリデンジオキシルで１回以上置換されている。
【００４０】
幾つかの特定の例は、−Ｐ（ＣＨ３）２、−Ｐ（ｉ−Ｃ３Ｈ７）２、−Ｐ（ｎ−Ｃ４Ｈ９）２、−Ｐ（ｉ−Ｃ４Ｈ９）２、−Ｐ（ｔ−Ｃ４Ｈ９）２、−Ｐ（Ｃ５Ｈ９）、−Ｐ（Ｃ６Ｈ１１）２、−Ｐ（ノルボルニル）２、−Ｐ（ｏ−フリル）２、−Ｐ（Ｃ６Ｈ５）２、Ｐ〔２−（メチル）Ｃ６Ｈ４〕２、Ｐ〔３−（メチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（メチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔２−（メトキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（メトキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（メトキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ３〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（メチル）２Ｃ６Ｈ３〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（メトキシ）Ｃ６Ｈ３〕２及び−Ｐ〔３，５−ビス（メチル）２−４−（メトキシ）Ｃ６Ｈ２〕２及、並びに下記式：
【００４１】
【化２１】
【００４２】
〔式中、
Ｒ′は、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル又はベンジルオキシメチルであり、そしてＲ″は、独立してＲ′の意味のうちの１つを有するが、Ｒ′と異なっている〕
で示されるものである。
【００４３】
Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓは、−ＰＨＲ１２であることもできる。Ｒ１２は、選択肢を含む、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基として第二級ホスフィノ基について上記に記述されたものと同じ炭化水素ラジカルのうちの１つであることができる。
【００４４】
Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓは、式：−ＰＲ１３ＯＲ１４のホスフィナイトラジカルであることもでき、ここで、Ｒ１３及びＲ１４は、互いに独立して、選択肢を含む、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基として第二級ホスフィノ基について上記に記述された炭化水素ラジカルであるか、或いはＲ１３及びＲ１４は、一緒になって、３〜８個、好ましくは３〜６個の炭素原子を環に有し、非置換であるか又はＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオ、フェノキシ若しくは（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）３Ｓｉ−で置換されている、二価炭化水素ラジカルを形成する。ベンゼン及びナフタレンのような芳香族基は、二価炭化水素ラジカルに縮合することができる。
【００４５】
Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓは、式：−ＰＲ１５ＯＲ１６のホスホナイトラジカルであることもでき、ここで、Ｒ１５及びＲ１６は、互いに独立して、選択肢を含む、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基として第二級ホスフィノ基について上記に記述された炭化水素ラジカルであるか、或いはＲ１５及びＲ１６は、一緒になって、２〜８個、好ましくは２〜６個の炭素原子を環に有し、非置換であるか又はＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオ、フェノキシ若しくは（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）３Ｓｉ−で置換されている、二価炭化水素ラジカルを形成する。ベンゼン及びナフタレンのような芳香族基は、二価炭化水素ラジカルに縮合することができる。Ｒ１５及びＲ１６が一緒になって二価炭化水素ラジカルを形成する場合、環状ホスホナイト基が存在する。
【００４６】
この環状ホスホナイト基は、５員〜８員環であることができ、ここで−Ｏ−Ｐ−Ｏ−基のＯ原子は、α，ω位置でＣ２〜Ｃ５鎖に結合しており、炭素鎖は、二芳香族又は二複素環の一部であることができる。環状ホスホナイト基の炭素原子は、非置換であることができるか、又は例えばＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ）、ＣＦ３及び−Ｃ（Ｏ）−Ｃ１〜Ｃ４アルキルで置換されていることができる。−Ｏ−Ｐ−Ｏ−基が脂肪族鎖に結合している場合、鎖は、好ましくは、置換又は非置換の１，２−エチレン又は１，３−プロピレンである。
【００４７】
環状ホスホナイト基が、例えば、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ４アルキレンジオール、好ましくはＣ２−ジオールにより形成され、式ＩＩ：
【００４８】
【化２２】
【００４９】
〔式中、Ｔは、直接結合又は非置換若しくは置換の−ＣＨ２−若しくは−ＣＨ２−ＣＨ２−である〕に対応することができる。Ｔは、好ましくは直接結合であり、したがって、式ＩＩａ：
【００５０】
【化２３】
【００５１】
〔式中、Ｒ１００は、水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、フェニル、ベンジル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシであるか、或いは２つのラジカルＲ１００は、非置換又は置換縮合芳香族基を形成する〕
で示されるホスホナイトラジカルを形成する。
【００５２】
他の環状ホスホナイトは、例えば、１，１−ビフェニル−２，２′−ジオールから誘導することができ、式ＩＩＩ又はＩＩＩａ：
【００５３】
【化２４】
【００５４】
〔式中、フェニル環は、それぞれ、非置換であるか又は例えばハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ）ＣＦ３、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ若しくは−Ｃ（Ｏ）−Ｃ１〜Ｃ４アルキルで１〜５回置換されている〕
に対応することができる。
【００５５】
他の環状ホスホナイトは、例えば、１，１−ビナフチル−２，２′−ジオールから誘導することができ、式ＩＶ：
【００５６】
【化２５】
【００５７】
〔式中、ナフチル環は、それぞれ、非置換であるか又は例えばハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ）ＣＦ３、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ若しくは−Ｃ（Ｏ）−Ｃ１〜Ｃ４アルキルで１〜６回置換されている〕
に対応することができる。
【００５８】
他の環状ホスホナイトは、例えば、１，１−ビヘテロアリール−２，２′−ジオールから誘導することができ、式Ｖ：
【００５９】
【化２６】
【００６０】
〔式中、フェニル環は、それぞれ、非置換であるか又は例えばハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ）ＣＦ３、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ若しくは−Ｃ（Ｏ）−Ｃ１〜Ｃ４アルキルで１〜４回置換されており、そしてＡは、−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−、−ＮＨ−又は−ＮＣ１〜Ｃ４アルキルである〕
に対応することができる。
【００６１】
Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓは、式：−ＰＲ１７ＮＲ１８Ｒ１９のアミノホスフィノラジカルであることもでき、ここで、Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９は、それぞれ、互いに独立して、選択肢を含む、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基として第二級ホスフィノ基について上記に記述された開鎖状炭化水素ラジカルであるか、或いはＲ１７はこの意味を有し、Ｒ１８及びＲ１９は、一緒になって、３〜７個、好ましくは４〜６個の炭素原子を有し、非置換であるか又はＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオ、フェニル、ベンジル、フェノキシ若しくは（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）３Ｓｉ−で置換されている、二価炭化水素ラジカルを形成する。
【００６２】
Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓは、式：−Ｐ（ＮＲ１８Ｒ１９）（ＮＲ２０Ｒ２１）のアミノホスフィノラジカルであることもでき、ここで、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ２１は、選択肢を含む、開鎖状炭化水素ラジカルＲ１７の意味を有するか、或いはＲ１８及びＲ１９は、一緒になって、Ｒ２０及びＲ２１は、一緒になって、又はＲ１９及びＲ２０は、一緒になって、３〜７個、好ましくは４〜６個の炭素原子を有し、非置換であるか又はＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオ、フェニル、ベンジル、フェノキシ若しくは（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）３Ｓｉ−で置換されている、二価炭化水素ラジカルを形成する。Ｒ１８及びＲ２１は、Ｒ１９及びＲ２０が一緒になって二価炭化水素ラジカルを形成する場合、上記に提示された意味を有する。
【００６３】
式Ｉの化合物は、簡単なモジュラー方式により、鏡像異性的に純粋なジアステレオマーとしても高収率で製造することができる。中間体も鏡像異性的に純粋なジアステレオマーとして得ることができ、これは、純粋なジアステレオマー最終生成物の製造を容易にする。市販されている１，１′−ジハロフェロセン、例えば１，１′−ジブロモフェロセンから出発することが有利であり、ハロゲンを、アルキルリチウムのようなメタロセン試薬を使用して金属で選択的に置き換えることができる。
【００６４】
第１の変形において、次に基Ｒ２ＨａｌＰ−を、Ｒ２−Ｐ（Ｈａｌ）２との反応により導入する。オルト金属化され、Ｙ置換されているフェロセンとの反応によって、式ＶＩＩＩの中心中間体をもたらし、これは、加熱及び再結晶化により純粋なジアステレオマーとして得ることができる：
【００６５】
【化２７】
【００６６】
式中、Ｈａｌは、ハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ、好ましくはＢｒ）である。式ＶＩＩＩの化合物において、所望のＰｈｏｓ基を、式：Ｐｈｏｓ−Ｈａｌのハロホスフィンとの反応による新たなメタレーション（Ｈａｌの置き換え）の後で導入することができる。
【００６７】
別の変形では、最初にＰｈｏｓ基を、Ｐｈｏｓ−Ｈａｌとの反応により導入し、次にＲ２ＨａｌＰ−基を、メタレーション及び続くＲ２−Ｐ（Ｈａｌ）２との反応により導入する。これによって、式Ｘ：
【００６８】
【化２８】
【００６９】
で示される中間体を得て、これを、オルト金属化され、Ｙ置換されているフェロセンと最終工程において反応させて、式Ｉの化合物を得る。得られたジアステレオマーの混合物を、加熱及び再結晶化により１つの純粋なジアステレオマーに変換することができる。
【００７０】
本発明は、更に、式Ｉの化合物を製造する方法であって、
ａ）１，１′−ジハロフェロセンのメタレーションにより１−メタロ−１′−ハロフェロセンを得て、続く、式：Ｒ２−Ｐ（Ｈａｌ）２〔式中、Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕の化合物との反応により式ＶＩ：
【００７１】
【化２９】
【００７２】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２及びｎは、上記で定義されたとおりであり、そしてＨａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕で示される化合物を形成する工程、
ｂ）式ＶＩの化合物と、式ＶＩＩ：
【００７３】
【化３０】
【００７４】
〔式中、Ｙ、Ｃｐ、Ｒ１及びｍは、上記で定義されたとおりであり、そしてＭは、Ｌｉ又はＭｇＨａｌであり、ここでＨａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕で示される化合物との反応により、式ＶＩＩＩ：
【００７５】
【化３１】
【００７６】
で示される化合物を形成する工程、及び
ｃ）式ＶＩＩの化合物と、アルキルリチウムとの反応、次に式：Ｐｈｏｓ−Ｈａｌ〔式中、Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕のハロホスフィンとの反応により、式Ｉの化合物を得る工程
を含む方法を提供する。
【００７７】
方法の工程ｂ）において、式ＶＩＩＩのＰキラル化合物のジアステレオマーの混合物が得られる。方法の工程ｂ）で得られる式ＶＩＩＩの化合物のジアステレオマーの混合物を、既知の方法、例えばクロマトグラフィーにより多様な立体異性体に分離することができる。
【００７８】
しかし、これらの混合物を、単純な熱処理、そして適切であれば続く再結晶化による、驚くほど簡単な方法によって純粋なジアステレオマーに変換することもできる。熱処理、そして適切であれば再結晶化は、純粋なジアステレオマーを生成するため、方法の工程ｃ）の後でのキラルカラムによる分離のような精製工程を避けるように、方法の工程ｃ）を実施する前であることが望ましい。熱処理は、例えば、反応生成物を不活性溶媒の中に入れること、及び４０〜１５０℃、好ましくは６０〜１２０℃で数分から数時間、例えば１０分間から１０時間加熱することを含むことができる。適した溶媒が下記に記述されている。
【００７９】
方法の工程ａ）で使用されるジハロフェロセン及びジハロホスフィンは、既知であるか、これらのうちの幾つかは市販されているか、又は類似の方法により製造することができる。式ＶＩＩＩの化合物は、既知であるか、又は既知若しくは類似の方法により製造することができる。既知のＹ置換フェロセンが出発材料として使用され、オルト位置で金属化される。アルキルリチウム又はマグネシウムグリニャール化合物を使用するフェロセンのメタレーションは、既知の反応であり、例えば、T. Hayashi et al., Bull. Chem. Soc. Jpn. 53 (1980), pages 1138 to 1151又はJonathan Clayden Organolithiums: Selectivity for Synthesis (Tetrahedron Organic Chemistry Series), Pergamon Press (2002)に記載されている。アルキルリチウム中のアルキルは、例えば、１〜６個の炭素原子、好ましくは１〜４個の炭素原子を含有することができる。メチルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム及びｔ−ブチルリチウムが頻繁に使用される。マグネシウムグリニャール化合物は、好ましくは、式：（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）ＭｇＸ０の化合物であり、ここでＸ０は、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである。
【００８０】
方法の工程ａ）、ｂ）及びｃ）における反応は、低温、例えば２０〜−１００℃、好ましくは０〜−８０℃で有利に実施される。試薬を加えた後、温度を例えば室温に上げることもできる。反応は、不活性保護ガス、例えば窒素ガス下又はヘリウム若しくはアルゴンのような希ガス下で有利に実施される。
【００８１】
反応は、不活性溶媒の存在下で有利に実施される。そのような溶媒は、単独で又は少なくとも２つの溶媒の組み合わせとして使用することができる。溶媒の例は、脂肪族、脂環式及び芳香族炭化水素、また開鎖状又は環状エーテルである。特定の例は、石油エーテル、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、tert−ブチルメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル又はエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン及びジオキサンである。
【００８２】
方法の工程ａ）、ｂ）及びｃ）における反応では、少なくとも当量の反応体又は１つの反応体の１．５当量までの過剰量が使用される。
【００８３】
本発明は、また、式ＶＩＩＩ：
【００８４】
【化３２】
【００８５】
〔式中、
ラジカルＲ１は、同一又は異なっており、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキルであり；
ｍは、０又は１〜３の整数であり；
ｎは、０又は１〜４の整数であり；
Ｒ２は、炭化水素ラジカル又はＣ結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり；
Ｃｐは、非置換又はＣ１〜Ｃ４アルキル置換シクロペンタジエニルであり；
Ｙは、メタレーション試薬の金属をオルト位置へ向かわせる、Ｃ結合キラル基であり；そして
Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕
で示される、鏡像異性的に純粋なジアステレオマーの形態又はジアステレオマーの混合物の形態の化合物を提供する。
【００８６】
本発明は、更に、式Ｉの化合物を製造する方法であって、
ａ）１，１′−ジハロフェロセンのメタレーションにより１−メタロ−１′−ハロフェロセンを形成して、続けて式：Ｐｈｏｓ−Ｈａｌ〔ここで、ハロ及びＨａｌは、それぞれ塩素、臭素又はヨウ素である〕の化合物との反応により式ＩＸ：
【００８７】
【化３３】
【００８８】
〔式中、Ｒ１、Ｐｈｏｓ及びｎは、上記で定義されたとおりであり、そしてＨａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕で示される化合物を形成する工程、
ｂ）式ＩＸの化合物のメタレーション、続く式：Ｒ２−Ｐ（Ｈａｌ）２の化合物との反応により、式Ｘ：
【００８９】
【化３４】
【００９０】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｐｈｏｓ、Ｈａｌ及びｎは、上記で定義されたとおりである〕で示される化合物を形成する工程、
ｃ）式Ｘの化合物と、式ＶＩＩ：
【００９１】
【化３５】
【００９２】
で示される化合物との反応により、式Ｉの化合物を得る工程
を含む方法を提供する。
【００９３】
方法の工程ｃ）において、式ＶＩＩのＰキラル化合物のジアステレオマーの混合物が得られる。方法の工程ｃ）で得られる式ＶＩＩの化合物のジアステレオマーの混合物を、既知の方法、例えばクロマトグラフィーにより多様な立体異性体に分離することができる。
【００９４】
方法の工程ｃ）において、式ＩのＰキラル化合物のジアステレオマーの混合物が得られる。これらの混合物を、単純な熱処理、そして適切であれば続く再結晶化による、驚くほど簡単な方法により純粋なジアステレオマーに変換することもできる。熱処理、そして適切であれば再結晶化が、純粋なジアステレオマーを製造するために望ましい。熱処理は、例えば、反応生成物を不活性溶媒の中に入れること、及び４０〜１５０℃、好ましくは６０〜１２０℃で数分から数時間、例えば１０分間から１０時間加熱することを含むことができる。適した溶媒が下記に記述されている。
【００９５】
この方法を、最初に記載された方法と類似の条件下で実施することができる。
【００９６】
本発明は、更に式Ｘａ：
【００９７】
【化３６】
【００９８】
〔式中、
ラジカルＲ１は、同一又は異なっており、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキルであり；
ｎは、０又は１〜４の整数であり；
Ｒ２は、炭化水素ラジカル又はＣ結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり；
Ｒ２２は、Ｐｈｏｓ又はＨａｌ基であり；
Ｐｈｏｓは、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基であり；そして
Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕
で示される化合物を提供する。
【００９９】
式Ｘａの化合物は、式ＶＩ及び式Ｘの化合物を包含する。
【０１００】
式Ｉの新規化合物は、不斉合成、例えばプロキラル不飽和有機化合物の不斉水素化のための優れた触媒又は触媒前駆体である遷移金属の錯体のためのリガンドである。プロキラル不飽和有機化合物が使用される場合、非常に高過剰量の光学異性体を、有機化合物の合成において誘導することができ、高い化学変換を短い反応時間で達成することができる。達成することができるエナンチオ選択性及び触媒活性は、優れている。更に、そのようなリガンドを、他の不斉付加又は結晶化反応において使用することもできる。
【０１０１】
本発明は、更に、遷移金属の群から選択される金属、例えばＴＭ８金属と、リガンドとしての式Ｉの化合物のうちの１つとの錯体を提供する。本発明の目的において、遷移金属は、元素の周期表の遷移族の金属である。
【０１０２】
可能な金属は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ及びＰｔである。好ましい金属は、ロジウム及びイリジウム、また、ルテニウム、白金及びパラジウムである、
【０１０３】
特に好ましい金属は、ルテニウムロジウム及びイリジウムである。
【０１０４】
金属錯体は、金属原子の酸化数及び配位数に応じて、更なるリガンド及び／又はアニオンを含有することができる。カチオン性金属錯体も可能である。そのような類似の金属錯体及びそれらの製造物は、文献において広く記載されている。
【０１０５】
金属錯体は、例えば、一般式ＸＩ及びＸＩＩ：
【０１０６】
【化３７】
【０１０７】
〔式中、Ａ１は、式Ｉの化合物のうちの１つであり、
Ｌは、同一若しくは異なっている単座のアニオン性若しくは非イオン性リガンドを表すか、又はＬは、同一若しくは異なっている二座のアニオン性若しくは非イオン性リガンドを表し；
ｒは、Ｌが単座リガンドである場合、２、３若しくは４であるか、又はＬが二座リガンドである場合、１若しくは２であり；
ｚは、１、２又は３であり；
Ｍｅは、Ｒｈ、Ｉｒ及びＲｕからなる群より選択される金属であり、ここで金属は０、１、２、３又は４の酸化状態を有し；
Ｅ−は、オキソ酸又は錯体酸のアニオンであり、そして
アニオンリガンドは、酸化状態１、２、３又は４の金属の電荷を平衡にする〕
に対応することができる。
【０１０８】
上記に記載された選択肢及び実施態様は、式Ｉの化合物に当てはまる。
【０１０９】
単座非イオン性リガンドは、例えば、オレフィン（例えば、エチレン、プロピレン）、溶媒和溶媒（ニトリル、直鎖又は環状エーテル、非アルキル化又はＮ−アルキル化アミド及びラクタム、アミン、ホスフィン、アルコール、カルボン酸エステル、スルホン酸エステル）、一酸化窒素及び一酸化炭素からなる群より選択することができる。
【０１１０】
適した多座アニオン性リガンドは、例えば、アリル（アリル、２−メタリル）であるか、又はアセチルアセトネートのような脱プロトン化１，３−ジケト化合物である。
【０１１１】
単座アニオン性リガンドは、例えば、ハロゲン化物（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、擬ハロゲン化物（シアニド、シアネート、イソシアネート）、並びにカルボン酸、スルホン酸及びホスホン酸のアニオン（炭酸塩、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、メチルスルホン酸塩、トリフルオロメチルスルホン酸塩、フェニルスルホン酸塩、トシラート）からなる群より選択することができる。
【０１１２】
二座非イオン性リガンドは、例えば、直鎖又は環状ジオレフィン（例えば、ヘキサジエン、シクロオクタジエン、ノルボルナジエン）、ジニトリル（マロノニトリル）、非アルキル化又はＮ−アルキル化カルボン酸ジアミド、ジアミン、ジホスフィン、ジオール、ジカルボン酸のジエステル、及びジスルホン酸のジエステルからなる群より選択することができる。
【０１１３】
二座アニオン性リガンドは、例えば、ジカルボン酸、ジスルホン酸及びジホスホン酸の（例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、メチレンジスルホン酸及びメチレンジホスホン酸）のアニオンからなる群より選択することができる。
【０１１４】
好ましい金属錯体には、Ｅが、−Ｃｌ−、−Ｂｒ−、−Ｉ−、ＣｌＯ４−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＨ３ＳＯ３−、ＨＳＯ４−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、テトラアリールボレート、例えばＢ（フェニル）４−、Ｂ〔ビス（３，５−トリフルオロメチル）フェニル〕４−、Ｂ〔ビス（３，５−ジメチル）フェニル〕４−、Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４−及びＢ（４−メチルフェニル）４−、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＳｂＣｌ６−、ＡｓＦ６−又はＳｂＦ６−であるものも含まれる。
【０１１５】
水素化に特に適している特に好ましい金属錯体は、式ＸＩＩＩ及びＸＩＶ：
【０１１６】
【化３８】
【０１１７】
〔式中、
Ａ１は、式Ｉの化合物のうちの１つであり；
Ｍｅ２は、ロジウム又はイリジウムであり；
Ｙ１は、２つのオレフィンか又はジエンであり；
Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；そして
Ｅ１−は、オキソ酸又は錯体酸のアニオンである〕
に対応する。
【０１１８】
上記に記載された実施態様及び選択肢は、式Ｉの化合物に当てはまる。
【０１１９】
オレフィンリガンドＹ１は、Ｃ２〜Ｃ１２−、好ましくはＣ２〜Ｃ６−、特に好ましくはＣ２〜Ｃ４−オレフィンであることができる。例は、プロペン、１−ブテン、特にエチレンである。ジエンは、５〜１２個、好ましくは５〜８個の炭素原子を含有することができ、開鎖状、環状又は多環式ジエンであることができる。ジエンの２つのオレフィン基は、好ましくは、１又は２つのＣＨ２基により連結している。例は、１，４−ペンタジエン、シクロペンタジエン、１，５−ヘキサジエン、１，４−シクロヘキサジエン、１，４−又は１，５−ヘプタジエン、１，４−又は１，５−シクロヘプタジエン、１，４−又は１，５−オクタジエン、１，４−又は１，５−シクロオクタジエン及びノルボルナジエンである。Ｙは、好ましくは２つのエチレンであるか、又は１，５−ヘキサジエン、１，５−シクロオクタジエン若しくはノルボルナジエンである。
【０１２０】
式ＸＩＩＩにおいて、Ｚは、好ましくはＣｌ又はＢｒである。Ｅ１の例は、ＢＦ４−、ＣｌＯ４−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＨ３ＳＯ３−、ＨＳＯ４−、Ｂ（フェニル）４−、Ｂ〔ビス（３，５−トリフルオロメチル）フェニル〕４−、ＰＦ６−、ＳｂＣｌ６−、ＡｓＦ６−又はＳｂＦ６−である。
【０１２１】
本発明の金属錯体は、文献により既知の方法により製造される（US-A-5,371,256、US-A-5,446,844、US-A-5,583,241、並びにE. Jacobsen, A. Pfaltz, H. Yamamoto (Eds.), Comprehensive Asymmetric Catalysis I to III, Springer Verlag, Berlin, 1999及びこれらに引用されている参考文献も参照すること）。
【０１２２】
本発明の金属錯体は、反応条件下で活性化されうる均一触媒又は触媒前駆体であり、これをプロキラル不飽和有機化合物の不斉付加反応に使用することができる。
【０１２３】
金属錯体を、例えば、炭素／炭素又は炭素／ヘテロ原子二重結合を有するプロキラル化合物の不斉水素化（水素の付加）に使用することができる。可溶性均一金属錯体を使用するそのような水素化は、例えば、Pure and Appl. Chem., Vol. 68, No. 1, pages 131-138, (1996)に記載されている。水素化される好ましい不飽和化合物は、基Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｎ及び／又はＣ＝Ｏを含有する。本発明によると、ルテニウム、ロジウム及びイリジウムの金属錯体が水素化において好ましく使用される。
【０１２４】
本発明は、キラル有機化合物の製造における、好ましくはプロキラル有機化合物内の炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合に水素を不斉付加するキラル有機化合物の製造における、本発明の金属錯体の均一触媒としての使用を更に提供する。
【０１２５】
本発明は、キラル有機化合物の製造における、好ましくは酸の存在下でプロキラル有機化合物内における炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合に水素を不斉付加するキラル有機化合物の製造における、本発明の金属錯体の均一触媒としての使用を更に提供する。
【０１２６】
本発明の更なる態様は、触媒の存在下で、プロキラル有機化合物内の炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合に水素を不斉付加することにより、キラル有機化合物を製造する方法であり、これは、付加反応が、本発明の少なくとも１つの金属錯体の触媒量の存在下で実施されることを特徴とする。
【０１２７】
本発明の更なる態様は、酸の存在下での金属錯体の使用であるか、又は金属錯体の存在下、中性から好ましくは酸の添加による酸性の条件下での方法であり、ここで、金属錯体は、ＷＯ２００６／０７５１６６又はＷＯ０２／０２５７８のものに対応し、そして上記及びそうでなければ下記に記載されている実施態様及び選択肢が同様に当てはまる。特に好ましいものは、対応するＲｈ錯体である。更なる特に好ましいものは、ＷＯ２００６／０７５１６６の４ｆｆ頁により詳細に記載されている一般式の化合物と、ＷＯ２００６／０７５１６６にリガンドとして好ましいと記載されている更なるリガンド化合物とを有する金属錯体であり、とりわけ好ましくは、化合物１，１′−ビス〔（ＳＰ，ＲＣ，ＳＦｅ）（１−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチルフェロセニル）フェニルホスフィノ〕フェロセンである。更なる特に好ましいものは、ＷＯ０２／０２５７８の２ｆｆ頁により詳細に記載されている一般式（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物と、ＷＯ０２／０２５７８にリガンドとして好ましいとして記載されている更なるリガンド化合物とを有する金属錯体であり、とりわけ好ましくは化合物（ＲＣ，ＲＰ）−１−｛１−〔ビス（ビス−３，５−トリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ〕エチル｝−２−（２−ジフェニルホスフィノフェニル）フェロセンである。
【０１２８】
水素化される好ましいプロキラル不飽和化合物は、１つ以上の同一又は異なっているＣ＝Ｃ、Ｃ＝Ｎ及び／又はＣ＝Ｏ基を開鎖状又は環状有機化合物に含有することができ、ここで、Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｎ及び／又はＣ＝Ｏ基は、環系又は環外基の一部であることができる。プロキラル不飽和化合物は、アルケン、シクロアルケン、ヘテロシクロアルケン、また開鎖状又は環状ケトン、α，β−ジケトン、α−又はβ−ケトカルボン酸、またそれらのエステル及びアミド、α，β−ケトアセタール又は−ケトケタール、ケチミン、ケチドラゾン、α−ケト−β−オキシム、不飽和α，β−アミノカルボン酸、置換α，β−不飽和カルボン酸、並びに置換エノールエーテルであることができる。
【０１２９】
不飽和有機化合物の幾つかの例は、アセトフェノン、４−メトキシアセトフェノン、４−トリフルオロメチルアセトフェノン、４−ニトロアセトフェノン、２−クロロアセトフェノン、対応する非置換又はＮ置換アセトフェノンベンジルイミン、非置換又は置換のベンゾシクロヘキサノン又はベンゾシクロペンタノン及び対応するイミン、非置換又は置換のテトラヒドロキノリン、テトラヒドロピリジン及びジヒドロピロールよりなる群からのイミン、並びに非置換カルボン酸、エステル、アミド及び塩、例えばα−及び適切であればβ−置換アクリル酸又はクロトン酸である。カルボン酸は、下記式：
【０１３０】
【化３９】
【０１３１】
で示される酸、またその塩、エステル及びアミドであることができ、ここで、Ｒ０１は、炭素原子を介して結合している置換又は非置換炭化水素ラジカルであり、そしてＲ０２は、直鎖若しくは分岐鎖Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、直鎖若しくは分岐鎖Ｃ３〜Ｃ１２シクロアルキル、直鎖若しくは分岐鎖Ｃ６〜Ｃ１４アリールオキシ、直鎖若しくは分岐鎖Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ１８ヒドロキシアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６アルキル、又は保護アミノ（例えば、アセチルアミノ）である。
【０１３２】
ラジカルＲ０１及びＲ０２は、同一又は異なっている置換基により、例えば、非保護又は保護ヒドロキシ、チオール若しくはアミノ、ＣＮ、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ６〜Ｃ１０アリール（好ましくは、フェニル）、ヘテロアリール、エステル基、又はアミド基で１回以上置換されていることができる。
【０１３３】
炭化水素ラジカルＲ０１は、非置換若しくは置換されていることができ、及び／又はＯ、Ｓ、−Ｎ＝、−ＮＨ−又はＮ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）からなる群より選択されるヘテロ原子を含有することができる。脂肪族炭化水素ラジカルは、１〜３０個、好ましくは１〜２２個、特に好ましくは１〜１８個、とりわけ好ましくは１〜１２個の炭素原子、及び０〜４個、好ましくは０、１又は２個の記述したヘテロ原子を含有することができる。芳香族及び芳香族複素環式炭化水素ラジカルは、３〜２２個、好ましくは３〜１８個、特に好ましくは４〜１４個、とりわけ好ましくは４〜１０個の炭素原子、及び１〜４個、好ましくは１又は２個の記述したヘテロ原子を含有することができる。
【０１３４】
炭化水素ラジカルの例及び好ましい実施態様が、ラジカルＲ２及びＲ３について上記に提示されており、Ｒ０１及びＲ０２にも当てはまる。
【０１３５】
Ｒ０１は、好ましくは、単核若しくは多核（例えば、２〜４つの環）Ｃ６〜Ｃ１４アリールであるか、又はＯ、Ｓ、−Ｎ＝、−ＮＨ−若しくはＮ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）からなる群より選択されるヘテロ原子を有するＣ３〜Ｃ１４ヘテロアリールであり、例えば非保護又は保護ヒドロキシ、チオール若しくはアミノ、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、エステル基又はアミド基で置換されていることができる。アリール及びヘテロアリールは、例えば、ベンゼン、ナフタレン、インダン、アントラセン、フェナントレン、フルオレン、チオフェン、フラン、ピロール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、インドール、イソインドール及びキノリンから誘導することができる。
【０１３６】
不飽和有機化合物の幾つかの例は、アセトフェノン、４−メトキシアセトフェノン、４−トリフルオロメチルアセトフェノン、４−ニトロアセトフェノン、２−クロロアセトフェノン、対応する非置換又はＮ置換アセトフェノンベンジルイミン、非置換又は置換のベンゾシクロヘキサノン又はベンゾシクロペンタノン及び対応するイミン、非置換又は置換のテトラヒドロキノリン、テトラヒドロピリジン及びジヒドロピロールよりなる群からのイミン、並びに非置換カルボン酸、エステル、アミド及び塩、例えばα−及び適切であればβ−置換アクリル酸又はクロトン酸である。好ましいルボン酸は、下記式：
【０１３７】
【化４０】
【０１３８】
で示される酸、またそれらの塩、エステル及びアミドであり、ここで、Ｒ０１は、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、非置換Ｃ３〜８シクロアルキル、又は１〜４つのＣ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルコキシラジカルで置換されているＣ３〜Ｃ８シクロアルキルか、又は非置換Ｃ６〜Ｃ１０アリール（好ましくは、フェニル）若しくはヘテロアリール、又は１〜４つのＣ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルコキシラジカルで置換されているＣ６〜Ｃ１０アリール（好ましくは、フェニル）若しくはヘテロアリールであり、そしてＲ０２は、直鎖若しくは分岐鎖Ｃ１〜Ｃ６アルキル（例えば、イソプロピル）、非置換シクロペンチル、シクロヘキシル若しくはフェニル、又は上記に定義されているように置換されているシクロペンチル、シクロヘキシル若しくフェニルか、又は保護アミノ（例えば、アセチルアミノ）である。
【０１３９】
予期しないことに、ロジウム錯体及び式Ｉのリガンドを触媒として使用する式ＸＶのカルボン酸の水素化において、９７％ｅｅ（ｅｅは、鏡像体過剰率と等しい）を超える極めて際立った光学収率と、加えて、基質と触媒の５０００以上の高い比率であっても、完全な変換とを短い反応時間内で達成することができること、すなわち高い触媒活性が観察されることが見出されている。キラル二座リガンドの金属錯体を使用する式ＸＶのカルボン酸の水素化は、ＷＯ２００２／０２５００Ａ１に記載されている。
【０１４０】
本発明の方法の特に好ましい実施態様は、式ＸＶ：
【０１４１】
【化４１】
【０１４２】
〔式中、
Ｒ０３及びＲ０４は、それぞれ、互いに独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６アルキル又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６アルキルオキシであり、そしてＲ０５は、Ｃ１〜Ｃ６アルキルである〕で示される化合物を、式Ｉのリガンドを有するロジウム錯体の触媒としての存在下で、水素により水素化して、式ＸＶＩ：
【０１４３】
【化４２】
【０１４４】
で示される化合物を得ることを特徴とする。
【０１４５】
Ｒ０３は、好ましくはメトキシプロピルオキシであり、Ｒ０４は、好ましくはメトキシであり、そしてＲ０５は、好ましくはイソプロピルである。
【０１４６】
本発明の方法は、低温又は高温、例えば、−２０〜１５０℃、好ましくは−１０〜１００℃、特に好ましくは１０〜８０℃の温度で実施することができる。光学収率は、一般に高い温度よりも比較的低い温度において良好である。
【０１４７】
本発明の方法は、大気圧又は過圧で実施することができる。圧力は、例えば、１０５〜２×１０７Pa（パスカル）であることができる。水素化は、大気圧又は過圧で実施することができる。
【０１４８】
触媒は、水素化される化合物に基づいて、好ましくは０．０００１〜１０mol％、特に好ましくは０．０１〜１０mol％、とりわけ好ましくは０．０１〜５mol％の量で使用される。
【０１４９】
リガンド及び触媒の製造、また水素化は、溶媒なし又は不活性溶媒の存在下で実施することができ、１つの溶媒又は溶媒の混合物を使用することが可能である。適した溶媒は、例えば、脂肪族、脂環式及び芳香族炭化水素（ペンタン、ヘキサン、石油エーテル、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、）、脂肪族ハロゲン化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン及びテトラクロロエタン）、ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル）、エーテル（ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールモノメチル又はモノエチルエーテル）、ケトン（アセトン、メチルイソブチルケトン）、カルボン酸エステル及びラクトン（酢酸エチル又はメチル、バレロラクトン）、Ｎ置換ラクタム（Ｎ−メチルピロリドン）、カルボキサミド（ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド）、非環式尿素（ジメチルイミダゾリン）、スルホキシド及びスルホン（ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホキシド、テトラメチレンスルホン）、アルコール（メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル）、並びに水である。溶媒は、単独で又は少なくとも２つの溶媒の混合物として使用することができる。
【０１５０】
反応は、助触媒、例えば第四級ハロゲン化アンモニウム（ヨウ化テトラブチルアンモニウム）の存在下、及び／又はプロトン酸、例えば鉱酸の存在下で実施することができる（例えば、ＵＳ−Ａ−５，５８３，２４１及びＥＰ−Ａ−０６９１９４９を参照すること）１，１，１−トルフルオロエタノールのようなフッ素化アルコール又は塩基（アミン、アルカリ金属水酸化物、炭酸塩及び炭酸水素塩）の存在も、同じ様に接触反応を促進することができる。
【０１５１】
本発明の更なる態様は、触媒の存在下で、プロキラル有機化合物内の炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合に水素を不斉付加することにより、キラル有機化合物を製造する方法であり、これは、付加反応が、本発明の少なくとも１つの金属錯体の触媒量の存在下、中性から酸性の条件下で実施されることを特徴とする。本発明の目的において、中性から酸性の条件とは、塩基成分の不在、特に好ましくは酸の添加を意味する。
【０１５２】
適した酸は、例えば下記である：
ａ）有機酸：好ましくは１〜２０個の炭素原子、特に好ましくは１〜１２個の炭素原子を有する、脂肪族（直鎖、分岐鎖若しくは環状）又は芳香族、非ハロゲン化又はハロゲン化（フッ素化若しくは塩素化）カルボン酸、スルホン酸及びリン（Ｖ）酸、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ｎ−、ｉ−酪酸、安息香酸、フェニル酢酸、シクロヘキサンカルボン酸、クロロ酢酸、フルオロ酢酸、ジクロロ酢酸及びジフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸及びトリフルオロ酢酸、ペルフルオロ酪酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、クロロベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ホスホン酸及び亜リン酸；並びに
ｂ）無機酸、例えばＨＣｌ（水性）、硫酸、リン酸、ＨＦ、ＨＢＦ４、ＨＩ、ＨＢｒ、固体酸、例えばイオン交換樹脂。
【０１５３】
酸は、好ましくは、触媒の１当量あたり１〜１００００００当量の酸、好ましくは１〜１００００当量、特に好ましくは１０〜１０００当量の量で添加される。
【０１５４】
中性から酸性条件下で実施される方法において、好ましくは、酸の添加に起因して、光学収率の増加が驚くほど観察される。
【０１５５】
触媒として使用される金属錯体を、別個に製造、単離した化合物として添加することができるか、そうでなければ、反応の前にその場で形成して、次に、水素化される基質と混合することができる。単離金属錯体を使用して追加のリガンドを反応に加えること、又はその場で製造した過剰量のリガンドを使用することが、有益でありうる。過剰量は、製造に使用した金属化合物に基づいて、例えば６モルまで、好ましくは２モルまでであることができる。
【０１５６】
本発明の方法は、一般に、触媒を反応容器の中に入れ、次に基質、適切であれば反応助剤及び添加される化合物を加え、続いて反応を始めることによって実施される。添加される気体化合物、例えば水素又はアンモニアは、有利には圧力下で導入される。方法は、多様な種類の反応器により連続的又はバッチ的に実施することができる。
【０１５７】
本発明のキラル有機化合物は、特に風味剤（flavour）及び芳香剤(fragrance)、医薬及び農薬の製造における活性物質又はそのような物質を製造する中間体である。
【０１５８】
上記又は下記に提示されている値の範囲に関する指示、例えば「１〜２０個の炭素原子」は、それぞれの場合において、記述される極値、すなわち１個の炭素原子及び２０個の炭素原子を含む。
【０１５９】
以下の実施例は本発明を詳述する。
【０１６０】
Ａ）中間体調製
全ての操作を、不活性ガス（アルゴン）下で実施した。
略語：ＴＨＦ＝テトラヒドロフラン；ＴＢＭＥ＝tert−ブチルエーテル；ｎ−ＢｕＬｉ：ブチルリチウム；ｓ−ＢｕＬｉ＝sec−ブチルリチウム；ｔ−ＢｕＬｉ＝tert−ブチルリチウム；ＤＥ＝ジエチルエーテル；Ｈｅｐ＝ヘプタン；ＥＡ＝酢酸エチル；ＭｅＯＨ＝メタノール；ＴＭＥＤＡ＝Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルエチレンジアミン；ＮＥｔ３＝トリエチルアミン。
【０１６１】
実施例Ａ１：式（Ａ１）〔Ｐｈ＝フェニル；Ｍｅ＝メチル〕の（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ブロモフェロセンの調製
【０１６２】
【化４３】
【０１６３】
ａ）１−フェニルクロロホスフィン−１′−ブロモフェロセン（Ｘ１）の調製
ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中１．６M）１４．５ml（２３．２mmol）を、ＴＨＦ ３０ml中の１，１′−ジブロモフェロセン８ｇ（２３．３mmol）の溶液に−３０℃未満の温度で滴加した。混合物をこの温度で更に３０分間撹拌した。次に−７８℃に冷却し、フェニルジクロロホスフィン３．１５ml（２３．３mmol）を、温度が−６０℃を超えない速度で滴加した。混合物を−７８℃で更に１０分間撹拌した後、温度を室温に上げて、混合物を更に１時間撹拌した。これによりモノクロロホスフィンＸ１の懸濁液を得た。
【０１６４】
ｂ）Ａ１（ジアステレオマーの混合物）の調製
ｔ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中１．５M）１５．５ml（２３．２mmol）を、ジエチルエーテル（ＤＥ）４０ml中の（Ｒ）−１−ジメチルアミノ−１−フェロセニルエタン５．９８ｇ（２３．２mmol）の溶液に−１０℃未満で滴加した。混合物を同じ温度で１０分間撹拌した後、温度を室温に上げて、混合物を更に１．５時間撹拌した。これにより化合物Ｘ２の溶液を得て、それを、モノクロロホスフィンＸ１の冷却懸濁液に、温度が−３０℃を超えない速度で、カニューレを介して加えた。混合物を−３０℃で更に１０分間撹拌した後、温度を０℃に上げて、混合物を更に２時間撹拌した。反応混合物を水２０mlと混合した。有機相を分離し、硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒をロータリーエバポレーターにより減圧下で留去した。クロマトグラフ精製（シリカゲル６０；溶離剤＝ヘプタン／酢酸エチル（ＥＡ）／ＮＥｔｈｙｌ３（Ｎｅｔ３）８５：１０：５）により、目的生成物１１．３９ｇを２つのジアステレオマーの混合物として得た。
【０１６５】
ｃ）Ａ１（１つのジアステレオマー）の調製
方法の工程ｂ）に記載されたようにして得られた生成物を、トルエン５０mlに溶解し、４時間環流した。トルエンを留去した後、残渣をエタノールから結晶化した。これにより化合物Ａ１を、黄色の結晶の形態の純粋なジアステレオマーとして、理論値５９％の収率で得た。
【０１６６】
【表１】
【０１６７】
実施例Ａ２：式（Ａ２）の１−ジシクロヘキシルホスフィノ−１′−ブロモフェロセンの調製
【０１６８】
【化４４】
【０１６９】
ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５M）１２０ml（０．３mol）を、ＴＨＦ ３００ml中の１，１′−ジブロモフェロセン１０３ｇ（０．３mol）の溶液に−３０℃未満の温度で滴加した。混合物をこの温度で更に１．５時間撹拌した。次に−５０℃に冷却し、ジシクロヘキシルホスフィノクロリド６６．２ml（０．３mol）を、温度が−４５℃を超えない速度で滴加した。混合物を更に１０分間撹拌した後、温度を室温に上げて、混合物を更に１時間撹拌した。水１５０mlを加えた後、反応混合物をヘキサンと共に振とうした。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒をロータリーエバポレーターにより減圧下で留去した。残渣をエタノール中で結晶化した。生成物Ａ２を収率８４％（黄色の固体）で得た。
【０１７０】
【表２】
【０１７１】
実施例Ａ３：式（Ａ３）の１，１′−（フェロセンジイル）フェニルホスフィンの調製
【０１７２】
【化４５】
【０１７３】
ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５M）８８ml（０．２２mol）を、ヘキサン５００ml中のフェロセン１８．３ｇ（０．１mol）及びＴＭＥＤＡ ３０．２ml（０．２mol）の懸濁液に加えた。続いて反応混合物を５０℃で２時間撹拌した。次に−７８℃に冷却し、フェニルジクロロホスフィン１４．９ml（０．１１mmol）を、温度が−６０℃を超えない速度で加えた。添加の後、温度を室温に上げて、混合物を更に１時間撹拌した。次に水５mlを加え、混合物を濾過した。濾液を水で洗浄し、有機相を硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相の容量を、ロータリーエバポレーターにより減圧下で溶媒を留去することによって、約１００mlに低減した。−３０℃に冷却すると、生成物Ａ３を赤色の結晶（収率５５％）として得た。
【０１７４】
【表３】
【０１７５】
Ｂ）ジホスフィンの調製
実施例Ｂ１〜Ｂ１４：式（Ａ１）の（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ブロモフェロセンからの式Ｂ１〜Ｂ１４のジホスフィン化合物の調製
【０１７６】
【化４６】
【０１７７】
化合物Ｂ１〜Ｂ１４の調製のための一般的合成方法。それぞれの実施例に関する特定の詳細は、以下の表にまとめた。
ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中１．６M）又はｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．３M）１．１mmolを、tert−ブチルメチルエーテル（ＴＢＭＥ）３〜５ml中の化合物Ａ１ １mmolの溶液に、−５℃〜０℃の温度で滴加した。温度を０℃に維持し、混合物を更に１時間撹拌し、次にクロロホスフィンＣｌＰＲ２ １．１mmolを加えた。温度を室温に上げ、反応混合物を更に１時間撹拌し、次に飽和ＮａＨＣＯ３水溶液５mlと混合した。有機相を分離し、硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒をロータリーエバポレーターにより減圧下で留去した。クロマトグラフ精製（シリカゲル６０；溶離剤＝表を参照すること）及び、必要であればメタノール中での結晶化によって、化合物Ｂ１〜Ｂ１４を純粋なジアステレオマーとして得た。
【０１７８】
【表４】
（ａ）ジ−ｔ−ブチルホスフィンクロリドの添加の後、反応混合物を５０℃で１時間更に撹拌してから、ＮａＨＣＯ３溶液５mlを添加した。
（ｂ）ビス（２−ボルニル）ホスフィンクロリドを、多様なジアステレオマーの混合物として使用した。
【０１７９】
化合物Ｂ１〜Ｂ１４のＮＭＲデータ：
化合物Ｂ１：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセン（Ｂ１）：
【０１８０】
【表５】
【０１８１】
化合物Ｂ２：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジ−tert−ブチルホスフィノフェロセン（Ｂ２）：
【０１８２】
【表６】
【０１８３】
化合物Ｂ３：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジフェニルホスフィノフェロセン（Ｂ３）：
【０１８４】
【表７】
【０１８５】
化合物Ｂ４：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ビス−〔３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル〕ホスフィノフェロセン（Ｂ４）：
【０１８６】
【表８】
【０１８７】
化合物Ｂ５：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ビス−（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノフェロセン（Ｂ５）：
【０１８８】
【表９】
【０１８９】
化合物Ｂ６：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ビス−（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノフェロセン（Ｂ６）：
【０１９０】
【表１０】
【０１９１】
化合物Ｂ７：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジ（１−ナフチル）ホスフィノフェロセン（Ｂ７）：
【０１９２】
【表１１】
【０１９３】
実施例Ｂ８：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジ（２−ボルニル）ホスフィノフェロセン（Ｂ８）：
この生成物は４つのジアステレオマーの混合物として得た。
【０１９４】
【表１２】
【０１９５】
実施例Ｂ９：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジ（４−フルオロフェニル）ホスフィノフェロセン（Ｂ９）：
【０１９６】
【表１３】
【０１９７】
実施例Ｂ１０：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジ（２−メトキシフェニル）ホスフィノフェロセン（Ｂ１０）：
【０１９８】
【表１４】
【０１９９】
実施例Ｂ１１：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジ（４−フルオロメチルフェニル）ホスフィノフェロセン（Ｂ１１）：
【０２００】
【表１５】
【０２０１】
実施例Ｂ１２：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジ（２−フリル）ホスフィノフェロセン（Ｂ１２）：
【０２０２】
【表１６】
【０２０３】
実施例Ｂ１３：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジエチルホスフィノフェロセン（Ｂ１３）：
【０２０４】
【表１７】
【０２０５】
実施例Ｂ１４：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジイソプロピルホスフィノフェロセン（Ｂ１４）：
【０２０６】
【表１８】
【０２０７】
実施例Ｂ１５〜１６：式（Ａ）の１−ジシクロヘキシルホスフィノ−１′−ブロモフェロセンからの式Ｂ１５及びＢ１６のジホスフィノ化合物の調製
【０２０８】
【化４７】
【０２０９】
実施例Ｂ１５：式（Ｂ１５ａ）の（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）−フェロセン−１−イル〕イソプロピルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセンと式（Ｂ１５ｂ）の（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕イソプロピルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセンの２つのジアステレオマーの調製
ａ）クロロホスフィン（Ｘ３）の調製
ｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．３M）３．８５ml（５mmol）を、ＴＢＭＥ ５ml中の（Ｒ）−１−ジメチルアミノ−１−フェロセニルエタン１．２９ｇ（５mmol）の溶液に−２０℃未満で滴加した。混合物を同じ温度で１０分間撹拌した後、温度を室温に上げて、混合物を更に１．５時間撹拌した。次に反応混合物を−７８℃に冷却し、ジクロロイソプロピルホスフィン０．６２ml（５mmol）を、温度が−６０℃を超えない速度で滴加した。−７８℃で３０分間、続いて室温で１時間、更に撹拌すると、クロロホスフィンＸ３を含有する懸濁液を得た。
【０２１０】
ｂ）化合物１５ａ及びＢ１５ｂ（２つのジアステレオマー）の調製
別の反応容器において、ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中１．６M）３．３１ml（５mmol）を、ＴＢＭＥ １０ml中の化合物Ａ２ ２．３１ｇ（５mmol）に−６０℃未満で滴加した。添加の後、温度を０℃に上げて、混合物をこの温度で更に３０分間撹拌した。次に、得られた反応混合物を、温度が−５０℃を超えないように注意しながら、クロロホスフィンＸ３の冷却懸濁液に加えた。添加の後、温度を室温に上げて、混合物を更に１．５時間撹拌した。飽和ＮａＨＣＯ３水溶液５mlを加えた後、反応混合物を抽出した。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒をロータリーエバポレーターにより減圧下で留去した。（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−Ｂ１５ａ／（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−Ｂ１５ｂの比率が約９：１の２つのジアステレオマーの混合物を得て、これを、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル６０；溶離剤＝最初はヘキサン／ＥＡ ８：１、次に追加的に１％のトリエチルアミン）により分離することができた。第１画分からは、ジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−Ｂ１５ｂ（０．３５ｇ；収率９．８％、橙色の固体）を得て、第２画分からはジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−Ｂ１５ａ（２．７８ｇ；収率７８％、橙色の固体）を得た。
【０２１１】
【表１９】
【０２１２】
ｃ）ジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−Ｂ１５ａの熱エピマー化：
ジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−Ｂ１５ａ １ｇを、溶媒又は希釈剤を添加することなく１５０℃で２時間加熱した。冷却し、クロマトグラフ精製（セクションｂと同じ条件）した後、ジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−Ｂ１５ｂ ０．６５ｇ及びジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−Ｂ１５ａ ０．１５ｇを単離した。
【０２１３】
実施例Ｂ１６：式（Ｂ１６ａ）の（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕シクロヘキシルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセンと式（Ｂ１６ｂ）の（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕シクロヘキシルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセンの２つのジアステレオマーの調製
２つのジアステレオマーＢ１６ａ及びＢ１６ｂの調製は、実施例Ｂ１５と類似した方法で実施したが、クロロホスフィンＸ４を、ジクロロイソプロピルホスフィンの代わりにジクロロヘキシルホスフィンを使用して調製し、このクロロホスフィンＸ４を更に反応させた点が異なっていた。
【０２１４】
この反応により（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−Ｂ１６ａ／（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−Ｂ１６ｂの比率が約１：１の２つのジアステレオマーの混合物を得た。この粗生成物を、１５０℃で１．５時間加熱することによりエピマー化し、続いてカラムクロマトグラフィー（シリカゲル６０；溶離剤＝最初はヘキサン／ＥＡ １０：１、次に追加的に１％のトリエチルアミン）により精製した。第１画分からは、ジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−Ｂ１６ｂ（収率＝４０％、橙色の固体）を得て、第２画分からはジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−Ｂ１６ａ（収率＝１０％、橙色の固体）を得た。
【０２１５】
【表２０】
【０２１６】
実施例Ｂ１７：化合物（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕シクロヘキシルホスフィノ−１′−ビス−〔３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル〕ホスフィノフェロセン（Ｂ１７）の調製：
【０２１７】
【化４８】
【０２１８】
ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５M）４ml（１０mmol）を、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１０ml中の１，１′−ジブロモフェロセン３．４４ｇ（１０mmol）の溶液に−３０℃未満の温度で滴加した。混合物をこの温度で更に１．５時間撹拌して、１−ブロモ−１′−リチオフェロセンＸ５の懸濁液を得た。
【０２１９】
第２の反応容器において、ｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．３M）７．７ml（１０mmol）を、ＴＢＭＥ １５ml中の（Ｒ）−１−ジメチルアミノ−１−フェロセニルエタン２．５７ｇ（１０mmol）の溶液に−１０℃未満で滴加した。混合物を同じ温度で１０分間撹拌した後、温度を０℃に上げて、混合物を更に１．５時間撹拌した。次に反応混合物を−７８℃に冷却し、ジクロロシクロヘキシルホスフィン１．５１ml（１０mmol）を加えた。−７８℃で３０分間更に撹拌し、冷却器を取り外した後、室温で更に１時間撹拌して、クロロホスフィンＸ４の懸濁液を得て、続いてそれを、１−ブロモ−１′−リチオフェロセンＸ５の懸濁液に−１０℃未満の温度で加えた。次に冷却器を取り外し、混合物を室温で更に１．５時間撹拌した。−５０℃未満に再び冷却した後、ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５M）４ml（１０mmol）を滴加した。添加の後、温度を０℃に上げて、混合物を更に３０分間撹拌した。次に−２０℃に冷却し、ビス〔３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル〕クロロホスフィン４．６３ｇ（１０mmol）を加えた。続いて冷却器を取り外し、混合物を室温で更に１．５時間撹拌した。反応混合物を１N ＮａＯＨと混合し、抽出した。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒をロータリーエバポレーターにより減圧下で留去した。続いて残渣を１５０℃で１時間加熱した。クロマトグラフ精製（シリカゲル６０；溶離剤＝ヘキサン／酢酸エチル ８：１）により、化合物Ｂ１７を黄色の固体（収率：６６％）として得た。
【０２２０】
【表２１】
【０２２１】
実施例Ｂ１８〜Ｂ２０：式（Ｂ１）の化合物（ＲＣ，ＳＦｃ，Ｓｐ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセンの例としてジホスフィンリガンドを調製する代替的方法の記載
実施例Ｂ１８：
反応スキーム
【０２２２】
【化４９】
【０２２３】
ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５M）４ml（１０mmol）を、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１０ml中の１，１′−ジブロモフェロセン３．４４ｇ（１０mmol）の溶液に−３０℃未満の温度で滴加した。混合物をこの温度で更に１．５時間撹拌した。次にジシクロヘキシシルホスフィンクロリド２．２１ml（１０mmol）を、温度が−２０℃を超えない速度で滴加した。混合物を更に１０分間撹拌した後、温度を室温に上げて、混合物を更に１時間撹拌した。これを冷却して３０℃まで戻し、ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５M）４．４ml（１１mmol）を滴加した。続いて反応混合物を−１０℃で３０分間撹拌した。次に反応混合物を−７８℃に冷却し、ジクロロフェニルホスフィン１．４９ml（１１mmol）を加えた。混合物を−７８℃で２０分間、次に室温で更に１時間撹拌した。これによりモノクロロジホスフィンＸ６を含む反応混合物を得た。
【０２２４】
第２の反応容器において、ｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．３M）８．５ml（１１mmol）を、ジエチルエーテル１５ml中の（Ｒ）−１−ジメチルアミノ−１−フェロセニルエタン２．５７ｇ（１０mmol）の溶液に−１０℃未満で滴加した。混合物を同じ温度で１０分間撹拌した後、温度を０℃に上げて、混合物を更に１．５時間撹拌した。続いてこの反応溶液を、−１０℃に冷却したモノクロロジホスフィンＸ６を含む反応混合物にカニューレを介して加えた。添加の後、混合物を室温で更に２時間撹拌した。水１０mlを加えた後、反応混合物を抽出し、有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒をロータリーエバポレーターにより減圧下で留去した。残渣を１４０℃で１時間加熱した。クロマトグラフ精製（シリカゲル６０；溶離剤：ヘキサン／酢酸エチル ４：１）により、式（Ｂ１）の化合物を収率４７％で得た。生成物の３１Ｐ−及び１Ｈ−ＮＭＲは、実施例Ｂ１と同一であった。
【０２２５】
実施例Ｂ１９：
反応スキーム
【０２２６】
【化５０】
【０２２７】
反応混合物１：ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５M）４ml（１０mmol）を、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１０ml中の１，１′−ジブロモフェロセン３．４４ｇ（１０mmol）の溶液に−３０℃未満の温度で滴加した。混合物をこの温度で更に３０分間撹拌した。次に−７８℃に冷却し、フェニルジクロロホスフィン１．３６ml（１０mmol）を加えた。混合物を更に１０分間撹拌した後、温度を室温に上げて、混合物を更に１時間撹拌した。
【０２２８】
反応混合物２：第２の反応容器において、ｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．３M）８．０ml（１０．４mmol）を、ジエチルエーテル１５ml中の（Ｒ）−１−ジメチルアミノ−１−フェロセニルエタン２．５７ｇ（１０mmol）の溶液に−１０℃未満で滴加した。混合物を同じ温度で１０分間撹拌した後、温度を０℃に上げて、混合物を更に１．５時間撹拌した。
【０２２９】
反応混合物１を反応混合物２に−１０℃未満の温度でゆっくりと加えた。続いて混合物を室温で１．５時間撹拌した。次に、−７８℃から−５０℃の範囲の温度で、ｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．３M）８ml（１０．４mmol）を滴加した。混合物を−７８℃で更に２０分間撹拌した後、温度を０℃に上げて、混合物を更に３０分間撹拌してから、クロロジシクロヘキシルホスフィン２．２１ml（１０mmol）を−２０℃で加えた。混合物を−２０℃で更に２０分間、最後に室温で更に１．５時間撹拌した。処理及び熱エピマー化は、実施例Ｂ１８に記載されたものと同様の方法により実施した。式（Ｂ１）の化合物を収率３１％で得た。生成物の３１Ｐ−及び１Ｈ−ＮＭＲは、実施例Ｂ１と同一であった。
【０２３０】
実施例Ｂ２０：
【０２３１】
【化５１】
【０２３２】
ｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．３M）８．５ml（１１mmol）を、ジエチルエーテル１５ml中の（Ｒ）−１−ジメチルアミノ−１−フェロセニルエタン２．８３ｇ（１１mmol）の溶液に−１０℃未満で滴加した。次に冷却器を取り外し、混合物を室温で更に２時間撹拌した。−１０℃に冷却した後、化合物Ａ３ ２．９２ｇ（１０mmol）を加え、混合物をこの温度で更に３０分間撹拌した。温度を室温に上げて、混合物を更に１時間撹拌した。１N ＮａＯＨ １０mlを加えた後、反応混合物を抽出し、有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒をロータリーエバポレーターにより減圧下で留去した。残渣の１Ｈ−ＮＭＲは、反応が非常に立体選択的であり、ほぼ所望のジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセンだけを与えたことを示した。クロマトグラフィー（シリカゲル６０；溶離剤＝ヘキサン／酢酸エチル ４：１）に付した後、この生成物を収率３７％で得た。生成物の３１Ｐ−及び１Ｈ−ＮＭＲは、実施例Ｂ１と同一であった。
【０２３３】
実施例Ｂ２１：式（Ｂ２１）の化合物（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−メトキシエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセンの調製：
この調製は、（Ｒ）−１−ジメチルアミノ−１−フェロセニルエタンの代わりに（Ｒ）−１−メトキシ−１−フェロセニルエタンを使用する以外は、実施例Ｂ１８に記載されたものと同様の方法で実施した。生成物Ｂ２１を、クロマトグラフィー（シリカゲル６０；溶離剤＝ヘキサン／酢酸エチル ４：１）により精製して、橙色の泡状物として得た。
【０２３４】
【表２２】
【０２３５】
Ｃ）金属錯体の調製
実施例Ｃ１：ロジウム錯体の調製（ｎｂｄはノルボルナジエンである）
リガンドＢ１ １１mg（０．０１４８mmol）及び〔Ｒｈ（ｎｂｄ）２〕ＢＦ４ ５．４mg（０．０１４４mmol）を、ＣＤ３ＯＤ ０．８mlに溶解し、１０分間撹拌した。溶液を測定のためにＮＭＲ管に移した３１Ｐ ＮＭＲ（１２１．５MHz、ＣＤ３ＯＤ）：２つの重なり合った二重項。可能な割当て：δ２６．６０（ｄ、ＪＲｈ−Ｐ＝１６３Hz）、２６．３０（ｄ，ＪＲｈ−Ｐ＝１５７Hz）。
【０２３６】
Ｄ）使用実施例（水素化）
実施例Ｄ１〜Ｄ２９：下記の水素化
【０２３７】
【化５２】
【０２３８】
実施例Ｄ１：基質／触媒（Ｓ／Ｃ）比の２０００を使用する水素化。
リガンドＢ１ ３．０４mg（０．００４１mmol）及び〔Ｒｈ（ｎｂｄ）２〕ＢＦ４ １．４７mg（０．００３９mmol）を計量して、磁気撹拌機及びゴム製隔膜を備えた２５mlのシュレンク容器に入れ、メタノール２mlで溶解した。溶液を約１０分間撹拌した。次にメタノール８ml中の基質Ｓ１ ２．４ｇ（７．７８３mmol）の溶液を加えた。得られた溶液を、加熱機を備え、予めアルゴンで満たした５０mlのスチールオートクレーブに、カニューレを介して圧力下で移した。オートクレーブは、減圧弁を介して水素レザバーに連結していた。オートクレーブを密閉し、水素の加圧（６０bar）及び減圧の２サイクルによりアルゴンを水素に置き換えた。次にオートクレーブを６０barの水素により再び加圧し、水素化を、撹拌機のスイッチを入れて２５℃で開始した。１９．５時間後、撹拌機のスイッチを切り、オートクレーブを減圧し、水素化溶液を取り出した。変換及び鏡像体過剰率（ｅｅ）を、ＨＰＬＣ（Chirapak AD；０．４６×２５０mm；ヘキサン／ＥｔＯＨ／ＡｃＯＨ ９５０：５０：１；流量＝０．７ml／分；２０℃）により決定した。変換は定量的であり、ｅｅは、９７．４％であった（Ｓ配置）。
【０２３９】
Ｄ２〜Ｄ２５及び比較例の化合物１〜化合物４の水素化は、表２に示された温度及び水素圧と同様に実施した。比較的高いＳ／Ｃを有する水素化の場合、より少ない触媒（〔Ｒｈ（ｎｂｄ）２〕ＢＦ４ ０．８５mg（０．００２３mmol）及びリガンド０．００２４mmol）及びより多い基質を使用した。全ての水素化において、基質濃度は０．７８モルであった。比較のため、リガンドＢ２〜Ｂ１８及びＢ１９では同様の手順を使用した。結果を表２に示す。
【０２４０】
【表２３】
＊Ｓ／Ｃ＝基質／触媒比；°ＴＦＡ＝トリフルオロ酢酸；リガンドＢ１９は、１，１′−ビス〔（ＳＰ，ＲＣ，ＳＦｅ）（１−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチルフェロセニル）フェニルホスフィノ〕フェロセンである。ＷＯ２００６／０７５１６６、１０頁、実施例１に記載されているように調製することができる。
【０２４１】
実施例Ｄ２６〜Ｄ２７：下記の水素化
【０２４２】
【化５３】
【０２４３】
〔Ｒｈ（ｎｂｄ）２〕ＢＦ４ １．８７mg（０．００５mmol）及びリガンド０．００５mmolを計量して、磁気撹拌機及びゴム製隔膜を備えた１０mlのシュレンク容器に入れ、メタノール１mlで溶解した。溶液を１０分間撹拌し、次に、メタノール４ml中の基質Ｓ２ １４３mg（０．５mmol）（Ｓ／Ｃ＝１００）又は９ml中の２８５mg（１mmol）（Ｓ／Ｃ＝２００）を加えた。得られた溶液を、５０mlのスチールオートクレーブにカニューレを介して圧力下で移し、実施例Ｄ１に記載されたものと同様の方法で水素化した。変換及び鏡像体過剰率（ｅｅ）を、ＨＰＬＣ（Chirapak AD；０．４６×２５０mm）により決定した。結果を表３に示す。
【０２４４】
【表２４】
【０２４５】
実施例Ｄ２８〜３６：基質Ｓ３、Ｓ４及びＳ５の水素化
【０２４６】
【化５４】
【０２４７】
水素化は、１．２mlのアンプルで実施した。撹拌する代わりに、激しい振とうを実施した。グローブボックスにおいて、０．５mlの容量を有し、表４に示されている組成を有する溶液を、窒素雰囲気下、１．２mlのアンプル中で調製した。触媒を、１当量の〔Ｒｈ（ｎｂｄ）２〕ＢＦ４と１．３当量のリガンドとをジクロロエタン中で混合し、続いて減圧下でジクロロエタンを留去することによって、その場で調製した。基質を水素化溶液に溶解し、触媒に溶液として加えた。アンプルを、加圧律速・加熱容器の中の所定の場所に固定し、容器を密閉し、所望の温度を設定し、容器中の窒素雰囲気を、所望の圧力で水素雰囲気に置き換えて、水素化を、振とう機のスイッチを入れて開始した。基質Ｓ３及びＳ４の変換及び鏡像体過剰率（ｅｅ）を、ＧＣ（Chrasil-L-val）により決定した。基質Ｓ４の水素化試料を、ＴＭＳ−ジアゾメタンにより前もって誘導体化しておいた。基質Ｓ５の変換及びｅｅを、ＧＣ（Lipodex-E）により決定した。結果を表４にまとめた。
【０２４８】
【表２５】
＊この水素化では、〔Ｒｈ（ｎｂｄ）２〕ＢＦ４の代わりに〔Ｒｕｌ２（ｐ−シメン）〕２を使用した。
【０２４９】
実施例Ｄ３７：基質Ｓ６の水素化
【０２５０】
【化５５】
【０２５１】
リガンドＢ３ ４．８９mg（０．００６７mmol）及び〔Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ〕２ ２．１２mg（０．００３２mmol）を計量して、磁気撹拌機及びゴム製隔膜を備えた２５mlのシュレンク容器に入れ、トルエン２mlで溶解した。溶液を約１０分間撹拌した。次に、トルエン３ml中の基質Ｓ６ ２６０mg（１．２７mmol）、ヨウ化テトラブチルアンモニウム４．７mg及び酢酸３０mgの溶液を加えた。得られた溶液を、加熱機を備えた５０mlのスチールオートクレーブにカニューレを介して圧力下で移した。水素化を、実施例Ｄ１と同様な方法で実施した（水素化時間＝１９時間；室温；水素圧＝８０bar）。変換及び鏡像体過剰率（ｅｅ）を、ＨＰＬＣ（Chiracel OD-H）により決定した。変換は定量的であり、ｅｅは、３１％であった（Ｒ配置）。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フェロセン置換第二級ホスフィノ基を１位に、第二級ホスフィノ基を１′位に含有するフェロセン１，１′−ジホスフィン；それらの製造方法；遷移金属とリガンドとしてのこれらのフェロセンジホスフィンとの錯体；及び有機化合物の立体選択合成における均一触媒としての金属錯体の使用に関する。
【０００２】
キラルリガンドは、均一系の立体選択な接触反応における触媒のための極めて重要な助剤であることが見出されている。それにより十分な触媒活性のみならず高い立体選択性も達成することができる金属錯体が実用化されている。これらの２つ特性なくしては、産業的方法への規模拡大は、経済的な理由で達成することができなかった。
【０００３】
そのような触媒の活性は、特定の基質に対して特異的であることが頻繁に見出されている。したがって、特定の基質のために最適化することができるように、十分な数のキラルリガンドを利用可能にすることが必要である。したがって、製造するのが簡単であり、立体選択接触反応において良好な結果を与える更に効率的なキラルリガンドが、引き続き要求されている。その特性を特定の触媒作用に適合することができ、かつ最適化することができるリガンドが特に興味の的である。組み換えの容易な構成区分的（modular fashion）に構築できるリガンドは当該分野において特に有用である。
【０００４】
フェロセンは、リガンドを製造するのに非常に有用な骨格であり、第二級ホスフィノラジカルによる異なる置換を提供するのに成功裏に使用されてきた。加えて、フェロセン骨格を有し、ステレオジェンＰ原子を含有するジホスフィンリガンドが知られている（例えば、C. Gambs et al., Helvetica Chimica Acta Volume 84 (2001), pages 3105 to 3126又はWO 2005/068477を参照すること）。しかし、純粋なジアステレオマーの製造は複雑であること、また、ジアステレオマーは所望しないエピマー化が頻繁に起こるける傾向があることの理由で、このようなジホスフィンは、実用的には重要性を全く獲得していなかった。
【０００５】
予期しないことに、特に少なくとも１個のステレオジェン炭素原子を含有する置換基により、シクロペンタジエニル環（Ｃｐ環）とＰ原子との間の結合に対してオルト位置で置換されているフェロセニルラジカルをＰ原子が含有する場合、ステレオジェンＰ原子を有するより安定したフェロセン−１，１′−ジホスフィンが得られることがここで見出された。加えて、予期しないことに、これらの極めて基準構成区分的な(modular)ジホスフィンを、簡単な方式で製造することができ、ホスフィノラジカル及びＣｐ環における置換基の変化により所定の触媒問題を最適化できることが見出された。また、予期しないことに、ＴＭ８金属との錯体が、不斉合成のために、特にα，β−不飽和カルボン酸の水素化のために非常に有効な均一触媒であり、非常に高い触媒活性及び立体選択性を示すことが見出された。
【０００６】
本発明は、第１には、式Ｉ：
【０００７】
【化１６】
【０００８】
〔式中、
ラジカルＲ１は、同一又は異なっており、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキルであり；
ｍは、０又は１〜３の整数であり；
ｎは、０又は１〜４の整数であり；
Ｒ２は、炭化水素ラジカル又はＣ結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり；
Ｃｐは、非置換又はＣ１〜Ｃ４アルキル置換シクロペンタジエニルであり；
Ｙは、メタレーション試薬の金属をオルト位置へ向かわせる、Ｃ結合キラル基であり；そして
Ｐｈｏｓは、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基である〕
で示される、鏡像異性的に純粋なジアステレオマーの形態又はジアステレオマーの混合物の形態の化合物を提供する。
【０００９】
特に好ましいＰ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓは、第二級ホスフィノ基である。
【００１０】
アルキル基Ｒ１は、例えば、メチル、エチル、ｎ−又はｉ−プロピル、ｎ−、ｉ−又はｔ−ブチルであることができ、好ましくはメチルであり、ｍ及びｎは、好ましくは０である（したがってＲ１は水素原子である）。
【００１１】
炭化水素ラジカルＲ２は、非置換若しくは置換されていることができ、及び／又はＯ、Ｓ、−Ｎ＝又はＮ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）からなる群より選択されるヘテロ原子を含有することができる。これらは、１〜２２個、好ましくは１〜１８個、特に好ましくは１〜１２個、特に１〜８個の炭素原子、及び１〜４個、好ましくは１又は２個の記述したヘテロ原子を含有することができる。ラジカルＲ２は、直鎖又は分岐鎖Ｃ１〜Ｃ１２アルキル；非置換又はＣ１〜Ｃ６アルキル−若しくはＣ１〜Ｃ６アルコキシ置換のＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル若しくはＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル−ＣＨ２−；Ｃ６〜Ｃ１４アリール；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール；Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキル；又はハロゲン−（フッ素−、塩素−若しくは臭素−）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル−、トリフルオロメチ−、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−、トリフルオロメトキシ−、（Ｃ６Ｈ５）３Ｓｉ−、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）３Ｓｉ−若しくはsec−アミノ置換のＣ６〜Ｃ１４アリール、Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール、Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル若しくはＣ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキルからなる群より選択されるラジカルであることができる。ヘテロアリール及びヘテロアラルキルは、好ましくは、Ｏ、Ｓ及び−Ｎ＝からなる群より選択されるヘテロ原子を含有する。
【００１２】
好ましくは１〜６個の炭素原子を含有するアルキルラジカルＲ２の例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、並びにペンチル及びヘキシルの異性体である。非置換又はアルキル置換シクロアルキルラジカルＲ２の例は、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル及びエチルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、ノルボルニル及びアダマンチルである。非置換又はアルキル−若しくはアルコキシ置換Ｃ５〜Ｃ１２シクロアルキル−ＣＨ２−ラジカルＲ２の例は、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、シクロオクチルメチル、メチルシクロヘキシルメチル及びジメチルシクロヘキシルメチルである。アリール及びアラルキルラジカルＲ２の例は、フェニル、ナフチル、アントラセニル、フルオレニル、ベンジル及びナフチルメチルである。ヘテロアリール及びヘテロアラルキルラジカルＲ２の例は、フリル、チオフェニル、Ｎ−メチルピロリジニル、ピリジル、ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、キノリニル、フリルメチル、チオフェニルメチル及びピリジルメチルである。置換アリール、アラルキル、ヘテロアリール及びヘテロアラルキルラジカルＲ２の例は、フェニル、ナフチル、ベンジル、ナフチルメチル、フェニルエチル、フリル、チオフェニル、ベンゾフリル及びベンゾチオフェニルであり、これらは、メチル、エチル、ｎ−及びｉ−プロピル、ｎ−、ｉ−及びｔ−ブチル、エトキシ、メトキシ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フッ素又は塩素である。幾つかの好ましい例は、２−、３−又は４−メチルフェニル、２，４−又は３，５−ジメチルフェニル、３，４，５−トリメチルフェニル、４−エチルフェニル、２−又は４−メチルベンジル、２−、３−又は４−メトキシフェニル、２，４−又は３，５−ジメトキシフェニル、３，４，５−トリメトキシフェニル、２−、３−又は４−トリフルオロメチルフェニル、２，４−又は３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル、トリストリフルオロメチルフェニル、２−又は４−トリフルオロメトキシフェニル、３，５−ビストリフルオロメトキシフェニル、２−又は４−フルオロフェニル、２−又は４−クロロフェニル、及び３，５−ジメチル−４−メトキシフェニルである。
【００１３】
特に好ましい実施態様において、Ｒ２は、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、Ｃ７〜Ｃ８ビシクロアルキル、ｏ−フリル、フェニル、ナフチル、２−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、３−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、４−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、２−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、３−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、２−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、３−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、４−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、３，５−ビス（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ３、３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２Ｃ６Ｈ３、３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）２Ｃ６Ｈ３及び３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２−４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ２である。
【００１４】
オルトに向けられているキラル基Ｙにおいて、キラル原子は、好ましくは、シクロペンタジエニル−Ｙ結合に対して１、２又は３位に結合している。基Ｙは、開鎖状又は環状のラジカルであることができ、ここで原子は、Ｈ、Ｃ、Ｏ、Ｓ及びＮからなる群より選択される。
【００１５】
基Ｙは、例えば、式：−ＨＣ＊Ｒ５Ｒ６（式中、＊は不斉原子を示す）に対応することができ、ここで、Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル（シクロヘキシル）、Ｃ６〜Ｃ１０アリール（フェニル）、Ｃ７〜Ｃ１２アラルキル（ベンジル）又はＣ７〜Ｃ１２アルカリル（メチルベンジル）であり、Ｒ６は、−ＯＲ７又は−ＮＲ８Ｒ９であり、Ｒ７は、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、フェニル又はベンジルであり、そしてＲ８及びＲ９は、同一又は異なっており、それぞれ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、フェニル又はベンジルであるか、或いはＲ８及びＲ９は、Ｎ原子と一緒になって、５員〜８員環を形成する。Ｒ５は、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル及びフェニルのようなＣ１〜Ｃ４アルキルである。Ｒ７は、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル及びｎ−又はｉ−ブチルのようなＣ１〜Ｃ４アルキルである。Ｒ８及びＲ９は、好ましくは同一のラジカルであり、それぞれ好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル及びｎ−若しくはｉ−ブチルのようなＣ１〜Ｃ４アルキルであるか、又は一緒になってテトラメチレン、ペンタメチレン若しくは３−オキサ−１，５−ペンチレンを形成する。式：−ＨＣＲ５Ｒ６の特に好ましい基は、１−メトキシエタ−１−イル、１−ジメチルアミノエタ−１−イル及び１−（ジメチルアミノ）−１−フェニルメチルである。
【００１６】
Ｙは、特に好ましくは、−ＣＨＲ５−ＮＲ８Ｒ９基であり、ここで、Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ５〜Ｃ６シクロアルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ４アルキルフェニル又はＣ１〜Ｃ４アルキルベンジルであり、そしてＲ８及びＲ９は、同一であって、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキル、好ましくはメチル又はエチルである。
【００１７】
Ｙが、不斉α炭素原子のないラジカルである場合、これは炭素原子を介して、直接又は架橋基を介するのいずれかによりシクロペンタジエニル環に結合している。架橋基は、例えば、メチレン、エチレン又はイミン基であることができる。架橋基に結合している環状ラジカルは、好ましくは飽和しており、特に好ましくは、合計５又は６個の環原子を有する、Ｃ１〜Ｃ４アルキル−、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２ＮＣＨ２−、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２ＮＣＨ２ＣＨ２−、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシメチル−又はＣ１〜Ｃ４アルコキシエチル置換のＮ−、Ｏ−又はＮＯ−ヘテロシクロアルキルである。開鎖状ラジカルは、好ましくは、ＣＨ２基を介してシクロペンタジエニル環に結合しており、このラジカルは、好ましくは、アミノ酸又はエフェドリンから誘導される。幾つかの好ましい例は、以下：
【００１８】
【化１７】
【００１９】
であり、ここでＲ１１は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２ＮＣＨ２−、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２ＮＣＨ２ＣＨ２−、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシメチル又はＣ１〜Ｃ４アルコキシエチルである。Ｒ１１は、特に好ましくは、メトキシメチル又はジメチルアミノメチルである。
【００２０】
Ｙが−Ｃ＊ＨＲａ−ＯＲｂ基である場合、Ｒａは、好ましくは、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ５〜Ｃ６シクロアルキル（シクロヘキシル）、フェニル、ベンジル又はメチルベンジルである。
【００２１】
Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓは、同一又は異なる炭化水素ラジカルを含有する第二級ホスフィノ基であるか、又は炭化水素ラジカルがＰ原子と一緒になって４員〜８員環を形成する第二級ホスフィノ基であることができる。第二級ホスフィノ基は、好ましくは、同一の炭化水素ラジカルを含有する。炭化水素ラジカルは、非置換若しくは置換されていることができ、及び／又はＯ、Ｓ、−Ｎ＝又はＮ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）からなる群より選択されるヘテロ原子を含有することができる。これらは、１〜２２個、好ましくは１〜１８個、特に好ましくは１〜１２個、とりわけ好ましくは１〜８個の炭素原子、及び１〜４個、好ましくは１又は２個の記述したヘテロ原子を含有することができる。炭化水素ラジカルは、直鎖又は分岐鎖Ｃ１〜Ｃ１２アルキル；非置換又はＣ１〜Ｃ６アルキル−若しくはＣ１〜Ｃ６アルコキシ置換のＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル若しくはＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル−ＣＨ２−；Ｃ６〜Ｃ１４アリール；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール；Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキル；又はハロゲン−（フッ素−、塩素−若しくは臭素−）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル−、トリフルオロメチ−、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−、トリフルオロメトキシ−、（Ｃ６Ｈ５）３Ｓｉ−、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）３Ｓｉ−若しくはsec−アミノ置換のＣ６〜Ｃ１４アリール、Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール、Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル若しくはＣ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキルからなる群より選択されるラジカルであることができる。ヘテロアリール及びヘテロアラルキルは、好ましくは、Ｏ、Ｓ及び−Ｎ＝からなる群より選択されるヘテロ原子を含有する。
【００２２】
好ましくは１〜６個の炭素原子を含有するアルキル炭化水素ラジカルの例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、並びにペンチル及びヘキシルの異性体である。非置換又はアルキル置換シクロアルキル炭化水素ラジカルの例は、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル及びエチルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、ノルボルニル及びアダマンチルである。非置換又はアルキル−若しくはアルコキシ置換Ｃ５〜Ｃ１２シクロアルキル−ＣＨ２−炭化水素ラジカルの例は、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、シクロオクチルメチル、メチルシクロヘキシルメチル及びジメチルシクロヘキシルメチルである。アリール及びアラルキル炭化水素ラジカルの例は、フェニル、ナフチル、アントラセニル、フルオレニル、ベンジル及びナフチルメチルである。ヘテロアリール及びヘテロアラルキル炭化水素ラジカルの例は、フリル、チオフェニル、Ｎ−メチルピロリジニル、ピリジル、ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、キノリニル、フリルメチル、チオフェニルメチル及びピリジルメチルである。置換アリール、アラルキル、ヘテロアリール及びヘテロアラルキル炭化水素ラジカルの例は、フェニル、ナフチル、ベンジル、ナフチルメチル、フェニルエチル、フリル、チオフェニル、ベンゾフリル及びベンゾチオフェニルであり、これらは、メチル、エチル、ｎ−及びｉ−プロピル、ｎ−、ｉ−及びｔ−ブチル、エトキシ、メトキシ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フッ素及び塩素からなる群より選択される１〜３つのラジカルで置換されている。幾つかの好ましい例は、２−、３−又は４−メチルフェニル、２，４−又は３，５−ジメチルフェニル、３，４，５−トリメチルフェニル、４−エチルフェニル、２−又は４−メチルベンジル、２−、３−又は４−メトキシフェニル、２，４−又は３，５−ジメトキシフェニル、３，４，５−トリメトキシフェニル、２−、３−又は４−トリフルオロメチルフェニル、２，４−又は３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル、トリストリフルオロメチルフェニル、２−又は４−トリフルオロメトキシフェニル、３，５−ビストリフルオロメトキシフェニル、２−又は４−フルオロフェニル、２−又は４−クロロフェニル、及び３，５−ジメチル−４−メトキシフェニルである。
【００２３】
特に好ましい実施態様において、Ｒ２は、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、Ｃ７〜Ｃ８ビシクロアルキル、ｏ−フリル、フェニル、ナフチル、２−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、３−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、４−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、２−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、３−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、２−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、３−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、４−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、３，５−ビス（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ３、３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２Ｃ６Ｈ３、３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）２Ｃ６Ｈ３及び３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２−４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ２である。
【００２４】
sec−ホスフィノ基は、好ましくは式：−ＰＲ３Ｒ４に対応し、ここでＲ３及びＲ４は、それぞれ、互いに独立して、１〜１８個の炭素原子を有し、非置換であるか、又はＣ１〜Ｃ６アルキル、トリフルオロメチル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、トリフルオロメトキシ、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２アミノ、（Ｃ６Ｈ５）３Ｓｉ、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）３Ｓｉ、ハロゲン及び／若しくはヘテロ原子Ｏで置換されている炭化水素ラジカルである。
【００２５】
Ｒ３及びＲ４は、好ましくは、直鎖又は分岐鎖Ｃ１〜Ｃ６アルキル、非置換シクロペンチル若しくはシクロヘキシル、又は１〜３つのＣ１〜Ｃ４アルキル若しくはＣ１〜Ｃ４アルコキシラジカルで置換されているシクロペンチル若しくはシクロヘキシル、フリル、非置換ベンジル又は１〜３つのＣ１〜Ｃ４アルキル若しくはＣ１〜Ｃ４アルコキシラジカルで置換されているベンジル、特に非置換フェニル若しくはナフチル、又は１〜３つのＦ、Ｃｌ、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４フルオロアルキル若しくはＣ１〜Ｃ４フルオロアルコキシラジカルで置換されているフェニル若しくはナフチルからなる群より選択されるラジカルである。
【００２６】
Ｒ３及びＲ４は、特に好ましくは、Ｃ３〜Ｃ８アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フリル、ナフチル、並びに非置換フェニル又は１〜３つのＦ、Ｃｌ、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ及び／若しくはＣ１〜Ｃ４フルオロアルキルで置換されているフェニルからなる群より選択されるラジカルである。
【００２７】
第二級ホスフィノ基Ｐｈｏｓは、環状sec−ホスフィノ基、例えば、下記式：
【００２８】
【化１８】
【００２９】
のうちの１つで示される基であり、これは、非置換であるか、又はＣ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ４〜Ｃ８シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ４アルキルフェニル若しくはＣ１〜Ｃ４アルコキシフェニル、ベンジル、Ｃ１〜Ｃ４アルキルベンジル若しくはＣ１〜Ｃ４アルコキシベンジル、ベンジルオキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルベンジルオキシ若しくはＣ１〜Ｃ４アルコキシベンジルオキシ、又はＣ１〜Ｃ４アルキリデンジオキシルで１回以上置換されている。
【００３０】
置換基は、キラルＣ原子を導入するために、Ｐ原子の一方又は両方のα位置に結合することができる。一方又は両方のα位置の置換基は、好ましくは、Ｃ１〜Ｃ４アルキル又はベンジル、例えばメチル、エチル、ｎ−若しくはｉ−プロピル、ベンジル、又は−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ１〜Ｃ４アルキル又は−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６〜Ｃ１０アリールである。
【００３１】
β，γ位置の置換基は、例えば、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、ベンジルオキシ、又は−Ｏ−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）−Ｏ−及び−Ｏ−Ｃ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２−Ｏ−であることができる。幾つかの例は、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、−Ｏ−ＣＨ（メチル）−Ｏ−及び−Ｏ−Ｃ（メチル）２−Ｏ−である。
【００３２】
置換の種類及び置換基の数に応じて、環状ホスフィノラジカルは、Ｃ−キラル、Ｐ−キラル、又はＣ−及びＰ−キラルであることができる。
【００３３】
脂肪族５員若しくは６員環又はベンゼンを、上記式のラジカルにおける２個の隣接炭素原子に縮合することができる。
【００３４】
環状sec−ホスフィノラジカルは、例えば、下記式（可能性のあるジアステレオマーのうちの１しか示されていない）：
【００３５】
【化１９】
【００３６】
〔式中、
ラジカルＲ′及びＲ″は、それぞれ、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−若しくはｉ−プロピル、ベンジル、又は−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ１〜Ｃ４アルキル又は−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６〜Ｃ１０アリールであり、Ｒ′及びＲ″は、同一又は異なっている〕
に対応することができる。
【００３７】
式Ｉの化合物において、sec−ホスフィノラジカルＰｈｏｓは、好ましくは、−Ｐ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２、−Ｐ（Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル）２、−Ｐ（Ｃ７〜Ｃ１２ビシクロアルキル）２、−Ｐ（ｏ−フリル）２、−Ｐ（Ｃ６Ｈ５）２、−Ｐ〔２−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔２−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔２−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ３〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２Ｃ６Ｈ３〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）2Ｃ６Ｈ３〕２及び−Ｐ〔３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２−４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ２〕２からなる群より選択される非環式sec−ホスフィノラジカルであるか、又は下記：
【００３８】
【化２０】
【００３９】
からなる群より選択される環状ホスフィノラジカルであり、これらは、非置換であるか、又はＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ２アルキル、フェニル、ベンジル、ベンジルオキシ若しくはＣ１〜Ｃ４アルキリデンジオキシルで１回以上置換されている。
【００４０】
幾つかの特定の例は、−Ｐ（ＣＨ３）２、−Ｐ（ｉ−Ｃ３Ｈ７）２、−Ｐ（ｎ−Ｃ４Ｈ９）２、−Ｐ（ｉ−Ｃ４Ｈ９）２、−Ｐ（ｔ−Ｃ４Ｈ９）２、−Ｐ（Ｃ５Ｈ９）、−Ｐ（Ｃ６Ｈ１１）２、−Ｐ（ノルボルニル）２、−Ｐ（ｏ−フリル）２、−Ｐ（Ｃ６Ｈ５）２、Ｐ〔２−（メチル）Ｃ６Ｈ４〕２、Ｐ〔３−（メチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（メチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔２−（メトキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（メトキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（メトキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ３〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（メチル）２Ｃ６Ｈ３〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（メトキシ）Ｃ６Ｈ３〕２及び−Ｐ〔３，５−ビス（メチル）２−４−（メトキシ）Ｃ６Ｈ２〕２及、並びに下記式：
【００４１】
【化２１】
【００４２】
〔式中、
Ｒ′は、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル又はベンジルオキシメチルであり、そしてＲ″は、独立してＲ′の意味のうちの１つを有するが、Ｒ′と異なっている〕
で示されるものである。
【００４３】
Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓは、−ＰＨＲ１２であることもできる。Ｒ１２は、選択肢を含む、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基として第二級ホスフィノ基について上記に記述されたものと同じ炭化水素ラジカルのうちの１つであることができる。
【００４４】
Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓは、式：−ＰＲ１３ＯＲ１４のホスフィナイトラジカルであることもでき、ここで、Ｒ１３及びＲ１４は、互いに独立して、選択肢を含む、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基として第二級ホスフィノ基について上記に記述された炭化水素ラジカルであるか、或いはＲ１３及びＲ１４は、一緒になって、３〜８個、好ましくは３〜６個の炭素原子を環に有し、非置換であるか又はＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオ、フェノキシ若しくは（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）３Ｓｉ−で置換されている、二価炭化水素ラジカルを形成する。ベンゼン及びナフタレンのような芳香族基は、二価炭化水素ラジカルに縮合することができる。
【００４５】
Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓは、式：−ＰＲ１５ＯＲ１６のホスホナイトラジカルであることもでき、ここで、Ｒ１５及びＲ１６は、互いに独立して、選択肢を含む、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基として第二級ホスフィノ基について上記に記述された炭化水素ラジカルであるか、或いはＲ１５及びＲ１６は、一緒になって、２〜８個、好ましくは２〜６個の炭素原子を環に有し、非置換であるか又はＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオ、フェノキシ若しくは（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）３Ｓｉ−で置換されている、二価炭化水素ラジカルを形成する。ベンゼン及びナフタレンのような芳香族基は、二価炭化水素ラジカルに縮合することができる。Ｒ１５及びＲ１６が一緒になって二価炭化水素ラジカルを形成する場合、環状ホスホナイト基が存在する。
【００４６】
この環状ホスホナイト基は、５員〜８員環であることができ、ここで−Ｏ−Ｐ−Ｏ−基のＯ原子は、α，ω位置でＣ２〜Ｃ５鎖に結合しており、炭素鎖は、二芳香族又は二複素環の一部であることができる。環状ホスホナイト基の炭素原子は、非置換であることができるか、又は例えばＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ）、ＣＦ３及び−Ｃ（Ｏ）−Ｃ１〜Ｃ４アルキルで置換されていることができる。−Ｏ−Ｐ−Ｏ−基が脂肪族鎖に結合している場合、鎖は、好ましくは、置換又は非置換の１，２−エチレン又は１，３−プロピレンである。
【００４７】
環状ホスホナイト基が、例えば、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ４アルキレンジオール、好ましくはＣ２−ジオールにより形成され、式ＩＩ：
【００４８】
【化２２】
【００４９】
〔式中、Ｔは、直接結合又は非置換若しくは置換の−ＣＨ２−若しくは−ＣＨ２−ＣＨ２−である〕に対応することができる。Ｔは、好ましくは直接結合であり、したがって、式ＩＩａ：
【００５０】
【化２３】
【００５１】
〔式中、Ｒ１００は、水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、フェニル、ベンジル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシであるか、或いは２つのラジカルＲ１００は、非置換又は置換縮合芳香族基を形成する〕
で示されるホスホナイトラジカルを形成する。
【００５２】
他の環状ホスホナイトは、例えば、１，１−ビフェニル−２，２′−ジオールから誘導することができ、式ＩＩＩ又はＩＩＩａ：
【００５３】
【化２４】
【００５４】
〔式中、フェニル環は、それぞれ、非置換であるか又は例えばハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ）ＣＦ３、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ若しくは−Ｃ（Ｏ）−Ｃ１〜Ｃ４アルキルで１〜５回置換されている〕
に対応することができる。
【００５５】
他の環状ホスホナイトは、例えば、１，１−ビナフチル−２，２′−ジオールから誘導することができ、式ＩＶ：
【００５６】
【化２５】
【００５７】
〔式中、ナフチル環は、それぞれ、非置換であるか又は例えばハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ）ＣＦ３、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ若しくは−Ｃ（Ｏ）−Ｃ１〜Ｃ４アルキルで１〜６回置換されている〕
に対応することができる。
【００５８】
他の環状ホスホナイトは、例えば、１，１−ビヘテロアリール−２，２′−ジオールから誘導することができ、式Ｖ：
【００５９】
【化２６】
【００６０】
〔式中、フェニル環は、それぞれ、非置換であるか又は例えばハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ）ＣＦ３、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ若しくは−Ｃ（Ｏ）−Ｃ１〜Ｃ４アルキルで１〜４回置換されており、そしてＡは、−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−、−ＮＨ−又は−ＮＣ１〜Ｃ４アルキルである〕
に対応することができる。
【００６１】
Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓは、式：−ＰＲ１７ＮＲ１８Ｒ１９のアミノホスフィノラジカルであることもでき、ここで、Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９は、それぞれ、互いに独立して、選択肢を含む、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基として第二級ホスフィノ基について上記に記述された開鎖状炭化水素ラジカルであるか、或いはＲ１７はこの意味を有し、Ｒ１８及びＲ１９は、一緒になって、３〜７個、好ましくは４〜６個の炭素原子を有し、非置換であるか又はＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオ、フェニル、ベンジル、フェノキシ若しくは（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）３Ｓｉ−で置換されている、二価炭化水素ラジカルを形成する。
【００６２】
Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓは、式：−Ｐ（ＮＲ１８Ｒ１９）（ＮＲ２０Ｒ２１）のアミノホスフィノラジカルであることもでき、ここで、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ２１は、選択肢を含む、開鎖状炭化水素ラジカルＲ１７の意味を有するか、或いはＲ１８及びＲ１９は、一緒になって、Ｒ２０及びＲ２１は、一緒になって、又はＲ１９及びＲ２０は、一緒になって、３〜７個、好ましくは４〜６個の炭素原子を有し、非置換であるか又はＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオ、フェニル、ベンジル、フェノキシ若しくは（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）３Ｓｉ−で置換されている、二価炭化水素ラジカルを形成する。Ｒ１８及びＲ２１は、Ｒ１９及びＲ２０が一緒になって二価炭化水素ラジカルを形成する場合、上記に提示された意味を有する。
【００６３】
式Ｉの化合物は、簡単なモジュラー方式により、鏡像異性的に純粋なジアステレオマーとしても高収率で製造することができる。中間体も鏡像異性的に純粋なジアステレオマーとして得ることができ、これは、純粋なジアステレオマー最終生成物の製造を容易にする。市販されている１，１′−ジハロフェロセン、例えば１，１′−ジブロモフェロセンから出発することが有利であり、ハロゲンを、アルキルリチウムのようなメタロセン試薬を使用して金属で選択的に置き換えることができる。
【００６４】
第１の変形において、次に基Ｒ２ＨａｌＰ−を、Ｒ２−Ｐ（Ｈａｌ）２との反応により導入する。オルト金属化され、Ｙ置換されているフェロセンとの反応によって、式ＶＩＩＩの中心中間体をもたらし、これは、加熱及び再結晶化により純粋なジアステレオマーとして得ることができる：
【００６５】
【化２７】
【００６６】
式中、Ｈａｌは、ハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ、好ましくはＢｒ）である。式ＶＩＩＩの化合物において、所望のＰｈｏｓ基を、式：Ｐｈｏｓ−Ｈａｌのハロホスフィンとの反応による新たなメタレーション（Ｈａｌの置き換え）の後で導入することができる。
【００６７】
別の変形では、最初にＰｈｏｓ基を、Ｐｈｏｓ−Ｈａｌとの反応により導入し、次にＲ２ＨａｌＰ−基を、メタレーション及び続くＲ２−Ｐ（Ｈａｌ）２との反応により導入する。これによって、式Ｘ：
【００６８】
【化２８】
【００６９】
で示される中間体を得て、これを、オルト金属化され、Ｙ置換されているフェロセンと最終工程において反応させて、式Ｉの化合物を得る。得られたジアステレオマーの混合物を、加熱及び再結晶化により１つの純粋なジアステレオマーに変換することができる。
【００７０】
本発明は、更に、式Ｉの化合物を製造する方法であって、
ａ）１，１′−ジハロフェロセンのメタレーションにより１−メタロ−１′−ハロフェロセンを得て、続く、式：Ｒ２−Ｐ（Ｈａｌ）２〔式中、Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕の化合物との反応により式ＶＩ：
【００７１】
【化２９】
【００７２】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２及びｎは、上記で定義されたとおりであり、そしてＨａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕で示される化合物を形成する工程、
ｂ）式ＶＩの化合物と、式ＶＩＩ：
【００７３】
【化３０】
【００７４】
〔式中、Ｙ、Ｃｐ、Ｒ１及びｍは、上記で定義されたとおりであり、そしてＭは、Ｌｉ又はＭｇＨａｌであり、ここでＨａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕で示される化合物との反応により、式ＶＩＩＩ：
【００７５】
【化３１】
【００７６】
で示される化合物を形成する工程、及び
ｃ）式ＶＩＩの化合物と、アルキルリチウムとの反応、次に式：Ｐｈｏｓ−Ｈａｌ〔式中、Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕のハロホスフィンとの反応により、式Ｉの化合物を得る工程
を含む方法を提供する。
【００７７】
方法の工程ｂ）において、式ＶＩＩＩのＰキラル化合物のジアステレオマーの混合物が得られる。方法の工程ｂ）で得られる式ＶＩＩＩの化合物のジアステレオマーの混合物を、既知の方法、例えばクロマトグラフィーにより多様な立体異性体に分離することができる。
【００７８】
しかし、これらの混合物を、単純な熱処理、そして適切であれば続く再結晶化による、驚くほど簡単な方法によって純粋なジアステレオマーに変換することもできる。熱処理、そして適切であれば再結晶化は、純粋なジアステレオマーを生成するため、方法の工程ｃ）の後でのキラルカラムによる分離のような精製工程を避けるように、方法の工程ｃ）を実施する前であることが望ましい。熱処理は、例えば、反応生成物を不活性溶媒の中に入れること、及び４０〜１５０℃、好ましくは６０〜１２０℃で数分から数時間、例えば１０分間から１０時間加熱することを含むことができる。適した溶媒が下記に記述されている。
【００７９】
方法の工程ａ）で使用されるジハロフェロセン及びジハロホスフィンは、既知であるか、これらのうちの幾つかは市販されているか、又は類似の方法により製造することができる。式ＶＩＩＩの化合物は、既知であるか、又は既知若しくは類似の方法により製造することができる。既知のＹ置換フェロセンが出発材料として使用され、オルト位置で金属化される。アルキルリチウム又はマグネシウムグリニャール化合物を使用するフェロセンのメタレーションは、既知の反応であり、例えば、T. Hayashi et al., Bull. Chem. Soc. Jpn. 53 (1980), pages 1138 to 1151又はJonathan Clayden Organolithiums: Selectivity for Synthesis (Tetrahedron Organic Chemistry Series), Pergamon Press (2002)に記載されている。アルキルリチウム中のアルキルは、例えば、１〜６個の炭素原子、好ましくは１〜４個の炭素原子を含有することができる。メチルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム及びｔ−ブチルリチウムが頻繁に使用される。マグネシウムグリニャール化合物は、好ましくは、式：（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）ＭｇＸ０の化合物であり、ここでＸ０は、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩである。
【００８０】
方法の工程ａ）、ｂ）及びｃ）における反応は、低温、例えば２０〜−１００℃、好ましくは０〜−８０℃で有利に実施される。試薬を加えた後、温度を例えば室温に上げることもできる。反応は、不活性保護ガス、例えば窒素ガス下又はヘリウム若しくはアルゴンのような希ガス下で有利に実施される。
【００８１】
反応は、不活性溶媒の存在下で有利に実施される。そのような溶媒は、単独で又は少なくとも２つの溶媒の組み合わせとして使用することができる。溶媒の例は、脂肪族、脂環式及び芳香族炭化水素、また開鎖状又は環状エーテルである。特定の例は、石油エーテル、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、tert−ブチルメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル又はエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン及びジオキサンである。
【００８２】
方法の工程ａ）、ｂ）及びｃ）における反応では、少なくとも当量の反応体又は１つの反応体の１．５当量までの過剰量が使用される。
【００８３】
本発明は、また、式ＶＩＩＩ：
【００８４】
【化３２】
【００８５】
〔式中、
ラジカルＲ１は、同一又は異なっており、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキルであり；
ｍは、０又は１〜３の整数であり；
ｎは、０又は１〜４の整数であり；
Ｒ２は、炭化水素ラジカル又はＣ結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり；
Ｃｐは、非置換又はＣ１〜Ｃ４アルキル置換シクロペンタジエニルであり；
Ｙは、メタレーション試薬の金属をオルト位置へ向かわせる、Ｃ結合キラル基であり；そして
Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕
で示される、鏡像異性的に純粋なジアステレオマーの形態又はジアステレオマーの混合物の形態の化合物を提供する。
【００８６】
本発明は、更に、式Ｉの化合物を製造する方法であって、
ａ）１，１′−ジハロフェロセンのメタレーションにより１−メタロ−１′−ハロフェロセンを形成して、続けて式：Ｐｈｏｓ−Ｈａｌ〔ここで、ハロ及びＨａｌは、それぞれ塩素、臭素又はヨウ素である〕の化合物との反応により式ＩＸ：
【００８７】
【化３３】
【００８８】
〔式中、Ｒ１、Ｐｈｏｓ及びｎは、上記で定義されたとおりであり、そしてＨａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕で示される化合物を形成する工程、
ｂ）式ＩＸの化合物のメタレーション、続く式：Ｒ２−Ｐ（Ｈａｌ）２の化合物との反応により、式Ｘ：
【００８９】
【化３４】
【００９０】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｐｈｏｓ、Ｈａｌ及びｎは、上記で定義されたとおりである〕で示される化合物を形成する工程、
ｃ）式Ｘの化合物と、式ＶＩＩ：
【００９１】
【化３５】
【００９２】
で示される化合物との反応により、式Ｉの化合物を得る工程
を含む方法を提供する。
【００９３】
方法の工程ｃ）において、式ＶＩＩのＰキラル化合物のジアステレオマーの混合物が得られる。方法の工程ｃ）で得られる式ＶＩＩの化合物のジアステレオマーの混合物を、既知の方法、例えばクロマトグラフィーにより多様な立体異性体に分離することができる。
【００９４】
方法の工程ｃ）において、式ＩのＰキラル化合物のジアステレオマーの混合物が得られる。これらの混合物を、単純な熱処理、そして適切であれば続く再結晶化による、驚くほど簡単な方法により純粋なジアステレオマーに変換することもできる。熱処理、そして適切であれば再結晶化が、純粋なジアステレオマーを製造するために望ましい。熱処理は、例えば、反応生成物を不活性溶媒の中に入れること、及び４０〜１５０℃、好ましくは６０〜１２０℃で数分から数時間、例えば１０分間から１０時間加熱することを含むことができる。適した溶媒が下記に記述されている。
【００９５】
この方法を、最初に記載された方法と類似の条件下で実施することができる。
【００９６】
本発明は、更に式Ｘａ：
【００９７】
【化３６】
【００９８】
〔式中、
ラジカルＲ１は、同一又は異なっており、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキルであり；
ｎは、０又は１〜４の整数であり；
Ｒ２は、炭化水素ラジカル又はＣ結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり；
Ｒ２２は、Ｐｈｏｓ又はＨａｌ基であり；
Ｐｈｏｓは、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基であり；そして
Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕
で示される化合物を提供する。
【００９９】
式Ｘａの化合物は、式ＶＩ及び式Ｘの化合物を包含する。
【０１００】
式Ｉの新規化合物は、不斉合成、例えばプロキラル不飽和有機化合物の不斉水素化のための優れた触媒又は触媒前駆体である遷移金属の錯体のためのリガンドである。プロキラル不飽和有機化合物が使用される場合、非常に高過剰量の光学異性体を、有機化合物の合成において誘導することができ、高い化学変換を短い反応時間で達成することができる。達成することができるエナンチオ選択性及び触媒活性は、優れている。更に、そのようなリガンドを、他の不斉付加又は結晶化反応において使用することもできる。
【０１０１】
本発明は、更に、遷移金属の群から選択される金属、例えばＴＭ８金属と、リガンドとしての式Ｉの化合物のうちの１つとの錯体を提供する。本発明の目的において、遷移金属は、元素の周期表の遷移族の金属である。
【０１０２】
可能な金属は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ及びＰｔである。好ましい金属は、ロジウム及びイリジウム、また、ルテニウム、白金及びパラジウムである、
【０１０３】
特に好ましい金属は、ルテニウムロジウム及びイリジウムである。
【０１０４】
金属錯体は、金属原子の酸化数及び配位数に応じて、更なるリガンド及び／又はアニオンを含有することができる。カチオン性金属錯体も可能である。そのような類似の金属錯体及びそれらの製造物は、文献において広く記載されている。
【０１０５】
金属錯体は、例えば、一般式ＸＩ及びＸＩＩ：
【０１０６】
【化３７】
【０１０７】
〔式中、Ａ１は、式Ｉの化合物のうちの１つであり、
Ｌは、同一若しくは異なっている単座のアニオン性若しくは非イオン性リガンドを表すか、又はＬは、同一若しくは異なっている二座のアニオン性若しくは非イオン性リガンドを表し；
ｒは、Ｌが単座リガンドである場合、２、３若しくは４であるか、又はＬが二座リガンドである場合、１若しくは２であり；
ｚは、１、２又は３であり；
Ｍｅは、Ｒｈ、Ｉｒ及びＲｕからなる群より選択される金属であり、ここで金属は０、１、２、３又は４の酸化状態を有し；
Ｅ−は、オキソ酸又は錯体酸のアニオンであり、そして
アニオンリガンドは、酸化状態１、２、３又は４の金属の電荷を平衡にする〕
に対応することができる。
【０１０８】
上記に記載された選択肢及び実施態様は、式Ｉの化合物に当てはまる。
【０１０９】
単座非イオン性リガンドは、例えば、オレフィン（例えば、エチレン、プロピレン）、溶媒和溶媒（ニトリル、直鎖又は環状エーテル、非アルキル化又はＮ−アルキル化アミド及びラクタム、アミン、ホスフィン、アルコール、カルボン酸エステル、スルホン酸エステル）、一酸化窒素及び一酸化炭素からなる群より選択することができる。
【０１１０】
適した多座アニオン性リガンドは、例えば、アリル（アリル、２−メタリル）であるか、又はアセチルアセトネートのような脱プロトン化１，３−ジケト化合物である。
【０１１１】
単座アニオン性リガンドは、例えば、ハロゲン化物（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、擬ハロゲン化物（シアニド、シアネート、イソシアネート）、並びにカルボン酸、スルホン酸及びホスホン酸のアニオン（炭酸塩、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、メチルスルホン酸塩、トリフルオロメチルスルホン酸塩、フェニルスルホン酸塩、トシラート）からなる群より選択することができる。
【０１１２】
二座非イオン性リガンドは、例えば、直鎖又は環状ジオレフィン（例えば、ヘキサジエン、シクロオクタジエン、ノルボルナジエン）、ジニトリル（マロノニトリル）、非アルキル化又はＮ−アルキル化カルボン酸ジアミド、ジアミン、ジホスフィン、ジオール、ジカルボン酸のジエステル、及びジスルホン酸のジエステルからなる群より選択することができる。
【０１１３】
二座アニオン性リガンドは、例えば、ジカルボン酸、ジスルホン酸及びジホスホン酸の（例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、メチレンジスルホン酸及びメチレンジホスホン酸）のアニオンからなる群より選択することができる。
【０１１４】
好ましい金属錯体には、Ｅが、−Ｃｌ−、−Ｂｒ−、−Ｉ−、ＣｌＯ４−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＨ３ＳＯ３−、ＨＳＯ４−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、テトラアリールボレート、例えばＢ（フェニル）４−、Ｂ〔ビス（３，５−トリフルオロメチル）フェニル〕４−、Ｂ〔ビス（３，５−ジメチル）フェニル〕４−、Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４−及びＢ（４−メチルフェニル）４−、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＳｂＣｌ６−、ＡｓＦ６−又はＳｂＦ６−であるものも含まれる。
【０１１５】
水素化に特に適している特に好ましい金属錯体は、式ＸＩＩＩ及びＸＩＶ：
【０１１６】
【化３８】
【０１１７】
〔式中、
Ａ１は、式Ｉの化合物のうちの１つであり；
Ｍｅ２は、ロジウム又はイリジウムであり；
Ｙ１は、２つのオレフィンか又はジエンであり；
Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；そして
Ｅ１−は、オキソ酸又は錯体酸のアニオンである〕
に対応する。
【０１１８】
上記に記載された実施態様及び選択肢は、式Ｉの化合物に当てはまる。
【０１１９】
オレフィンリガンドＹ１は、Ｃ２〜Ｃ１２−、好ましくはＣ２〜Ｃ６−、特に好ましくはＣ２〜Ｃ４−オレフィンであることができる。例は、プロペン、１−ブテン、特にエチレンである。ジエンは、５〜１２個、好ましくは５〜８個の炭素原子を含有することができ、開鎖状、環状又は多環式ジエンであることができる。ジエンの２つのオレフィン基は、好ましくは、１又は２つのＣＨ２基により連結している。例は、１，４−ペンタジエン、シクロペンタジエン、１，５−ヘキサジエン、１，４−シクロヘキサジエン、１，４−又は１，５−ヘプタジエン、１，４−又は１，５−シクロヘプタジエン、１，４−又は１，５−オクタジエン、１，４−又は１，５−シクロオクタジエン及びノルボルナジエンである。Ｙは、好ましくは２つのエチレンであるか、又は１，５−ヘキサジエン、１，５−シクロオクタジエン若しくはノルボルナジエンである。
【０１２０】
式ＸＩＩＩにおいて、Ｚは、好ましくはＣｌ又はＢｒである。Ｅ１の例は、ＢＦ４−、ＣｌＯ４−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＨ３ＳＯ３−、ＨＳＯ４−、Ｂ（フェニル）４−、Ｂ〔ビス（３，５−トリフルオロメチル）フェニル〕４−、ＰＦ６−、ＳｂＣｌ６−、ＡｓＦ６−又はＳｂＦ６−である。
【０１２１】
本発明の金属錯体は、文献により既知の方法により製造される（US-A-5,371,256、US-A-5,446,844、US-A-5,583,241、並びにE. Jacobsen, A. Pfaltz, H. Yamamoto (Eds.), Comprehensive Asymmetric Catalysis I to III, Springer Verlag, Berlin, 1999及びこれらに引用されている参考文献も参照すること）。
【０１２２】
本発明の金属錯体は、反応条件下で活性化されうる均一触媒又は触媒前駆体であり、これをプロキラル不飽和有機化合物の不斉付加反応に使用することができる。
【０１２３】
金属錯体を、例えば、炭素／炭素又は炭素／ヘテロ原子二重結合を有するプロキラル化合物の不斉水素化（水素の付加）に使用することができる。可溶性均一金属錯体を使用するそのような水素化は、例えば、Pure and Appl. Chem., Vol. 68, No. 1, pages 131-138, (1996)に記載されている。水素化される好ましい不飽和化合物は、基Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｎ及び／又はＣ＝Ｏを含有する。本発明によると、ルテニウム、ロジウム及びイリジウムの金属錯体が水素化において好ましく使用される。
【０１２４】
本発明は、キラル有機化合物の製造における、好ましくはプロキラル有機化合物内の炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合に水素を不斉付加するキラル有機化合物の製造における、本発明の金属錯体の均一触媒としての使用を更に提供する。
【０１２５】
本発明は、キラル有機化合物の製造における、好ましくは酸の存在下でプロキラル有機化合物内における炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合に水素を不斉付加するキラル有機化合物の製造における、本発明の金属錯体の均一触媒としての使用を更に提供する。
【０１２６】
本発明の更なる態様は、触媒の存在下で、プロキラル有機化合物内の炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合に水素を不斉付加することにより、キラル有機化合物を製造する方法であり、これは、付加反応が、本発明の少なくとも１つの金属錯体の触媒量の存在下で実施されることを特徴とする。
【０１２７】
本発明の更なる態様は、酸の存在下での金属錯体の使用であるか、又は金属錯体の存在下、中性から好ましくは酸の添加による酸性の条件下での方法であり、ここで、金属錯体は、ＷＯ２００６／０７５１６６又はＷＯ０２／０２５７８のものに対応し、そして上記及びそうでなければ下記に記載されている実施態様及び選択肢が同様に当てはまる。特に好ましいものは、対応するＲｈ錯体である。更なる特に好ましいものは、ＷＯ２００６／０７５１６６の４ｆｆ頁により詳細に記載されている一般式の化合物と、ＷＯ２００６／０７５１６６にリガンドとして好ましいと記載されている更なるリガンド化合物とを有する金属錯体であり、とりわけ好ましくは、化合物１，１′−ビス〔（ＳＰ，ＲＣ，ＳＦｅ）（１−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチルフェロセニル）フェニルホスフィノ〕フェロセンである。更なる特に好ましいものは、ＷＯ０２／０２５７８の２ｆｆ頁により詳細に記載されている一般式（Ｉｂ）又は（Ｉｃ）の化合物と、ＷＯ０２／０２５７８にリガンドとして好ましいとして記載されている更なるリガンド化合物とを有する金属錯体であり、とりわけ好ましくは化合物（ＲＣ，ＲＰ）−１−｛１−〔ビス（ビス−３，５−トリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ〕エチル｝−２−（２−ジフェニルホスフィノフェニル）フェロセンである。
【０１２８】
水素化される好ましいプロキラル不飽和化合物は、１つ以上の同一又は異なっているＣ＝Ｃ、Ｃ＝Ｎ及び／又はＣ＝Ｏ基を開鎖状又は環状有機化合物に含有することができ、ここで、Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｎ及び／又はＣ＝Ｏ基は、環系又は環外基の一部であることができる。プロキラル不飽和化合物は、アルケン、シクロアルケン、ヘテロシクロアルケン、また開鎖状又は環状ケトン、α，β−ジケトン、α−又はβ−ケトカルボン酸、またそれらのエステル及びアミド、α，β−ケトアセタール又は−ケトケタール、ケチミン、ケチドラゾン、α−ケト−β−オキシム、不飽和α，β−アミノカルボン酸、置換α，β−不飽和カルボン酸、並びに置換エノールエーテルであることができる。
【０１２９】
不飽和有機化合物の幾つかの例は、アセトフェノン、４−メトキシアセトフェノン、４−トリフルオロメチルアセトフェノン、４−ニトロアセトフェノン、２−クロロアセトフェノン、対応する非置換又はＮ置換アセトフェノンベンジルイミン、非置換又は置換のベンゾシクロヘキサノン又はベンゾシクロペンタノン及び対応するイミン、非置換又は置換のテトラヒドロキノリン、テトラヒドロピリジン及びジヒドロピロールよりなる群からのイミン、並びに非置換カルボン酸、エステル、アミド及び塩、例えばα−及び適切であればβ−置換アクリル酸又はクロトン酸である。カルボン酸は、下記式：
【０１３０】
【化３９】
【０１３１】
で示される酸、またその塩、エステル及びアミドであることができ、ここで、Ｒ０１は、炭素原子を介して結合している置換又は非置換炭化水素ラジカルであり、そしてＲ０２は、直鎖若しくは分岐鎖Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、直鎖若しくは分岐鎖Ｃ３〜Ｃ１２シクロアルキル、直鎖若しくは分岐鎖Ｃ６〜Ｃ１４アリールオキシ、直鎖若しくは分岐鎖Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ１８ヒドロキシアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６アルキル、又は保護アミノ（例えば、アセチルアミノ）である。
【０１３２】
ラジカルＲ０１及びＲ０２は、同一又は異なっている置換基により、例えば、非保護又は保護ヒドロキシ、チオール若しくはアミノ、ＣＮ、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ６〜Ｃ１０アリール（好ましくは、フェニル）、ヘテロアリール、エステル基、又はアミド基で１回以上置換されていることができる。
【０１３３】
炭化水素ラジカルＲ０１は、非置換若しくは置換されていることができ、及び／又はＯ、Ｓ、−Ｎ＝、−ＮＨ−又はＮ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）からなる群より選択されるヘテロ原子を含有することができる。脂肪族炭化水素ラジカルは、１〜３０個、好ましくは１〜２２個、特に好ましくは１〜１８個、とりわけ好ましくは１〜１２個の炭素原子、及び０〜４個、好ましくは０、１又は２個の記述したヘテロ原子を含有することができる。芳香族及び芳香族複素環式炭化水素ラジカルは、３〜２２個、好ましくは３〜１８個、特に好ましくは４〜１４個、とりわけ好ましくは４〜１０個の炭素原子、及び１〜４個、好ましくは１又は２個の記述したヘテロ原子を含有することができる。
【０１３４】
炭化水素ラジカルの例及び好ましい実施態様が、ラジカルＲ２及びＲ３について上記に提示されており、Ｒ０１及びＲ０２にも当てはまる。
【０１３５】
Ｒ０１は、好ましくは、単核若しくは多核（例えば、２〜４つの環）Ｃ６〜Ｃ１４アリールであるか、又はＯ、Ｓ、−Ｎ＝、−ＮＨ−若しくはＮ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）からなる群より選択されるヘテロ原子を有するＣ３〜Ｃ１４ヘテロアリールであり、例えば非保護又は保護ヒドロキシ、チオール若しくはアミノ、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、エステル基又はアミド基で置換されていることができる。アリール及びヘテロアリールは、例えば、ベンゼン、ナフタレン、インダン、アントラセン、フェナントレン、フルオレン、チオフェン、フラン、ピロール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、インドール、イソインドール及びキノリンから誘導することができる。
【０１３６】
不飽和有機化合物の幾つかの例は、アセトフェノン、４−メトキシアセトフェノン、４−トリフルオロメチルアセトフェノン、４−ニトロアセトフェノン、２−クロロアセトフェノン、対応する非置換又はＮ置換アセトフェノンベンジルイミン、非置換又は置換のベンゾシクロヘキサノン又はベンゾシクロペンタノン及び対応するイミン、非置換又は置換のテトラヒドロキノリン、テトラヒドロピリジン及びジヒドロピロールよりなる群からのイミン、並びに非置換カルボン酸、エステル、アミド及び塩、例えばα−及び適切であればβ−置換アクリル酸又はクロトン酸である。好ましいルボン酸は、下記式：
【０１３７】
【化４０】
【０１３８】
で示される酸、またそれらの塩、エステル及びアミドであり、ここで、Ｒ０１は、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、非置換Ｃ３〜８シクロアルキル、又は１〜４つのＣ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルコキシラジカルで置換されているＣ３〜Ｃ８シクロアルキルか、又は非置換Ｃ６〜Ｃ１０アリール（好ましくは、フェニル）若しくはヘテロアリール、又は１〜４つのＣ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルコキシラジカルで置換されているＣ６〜Ｃ１０アリール（好ましくは、フェニル）若しくはヘテロアリールであり、そしてＲ０２は、直鎖若しくは分岐鎖Ｃ１〜Ｃ６アルキル（例えば、イソプロピル）、非置換シクロペンチル、シクロヘキシル若しくはフェニル、又は上記に定義されているように置換されているシクロペンチル、シクロヘキシル若しくフェニルか、又は保護アミノ（例えば、アセチルアミノ）である。
【０１３９】
予期しないことに、ロジウム錯体及び式Ｉのリガンドを触媒として使用する式ＸＶのカルボン酸の水素化において、９７％ｅｅ（ｅｅは、鏡像体過剰率と等しい）を超える極めて際立った光学収率と、加えて、基質と触媒の５０００以上の高い比率であっても、完全な変換とを短い反応時間内で達成することができること、すなわち高い触媒活性が観察されることが見出されている。キラル二座リガンドの金属錯体を使用する式ＸＶのカルボン酸の水素化は、ＷＯ２００２／０２５００Ａ１に記載されている。
【０１４０】
本発明の方法の特に好ましい実施態様は、式ＸＶ：
【０１４１】
【化４１】
【０１４２】
〔式中、
Ｒ０３及びＲ０４は、それぞれ、互いに独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６アルキル又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６アルキルオキシであり、そしてＲ０５は、Ｃ１〜Ｃ６アルキルである〕で示される化合物を、式Ｉのリガンドを有するロジウム錯体の触媒としての存在下で、水素により水素化して、式ＸＶＩ：
【０１４３】
【化４２】
【０１４４】
で示される化合物を得ることを特徴とする。
【０１４５】
Ｒ０３は、好ましくはメトキシプロピルオキシであり、Ｒ０４は、好ましくはメトキシであり、そしてＲ０５は、好ましくはイソプロピルである。
【０１４６】
本発明の方法は、低温又は高温、例えば、−２０〜１５０℃、好ましくは−１０〜１００℃、特に好ましくは１０〜８０℃の温度で実施することができる。光学収率は、一般に高い温度よりも比較的低い温度において良好である。
【０１４７】
本発明の方法は、大気圧又は過圧で実施することができる。圧力は、例えば、１０５〜２×１０７Pa（パスカル）であることができる。水素化は、大気圧又は過圧で実施することができる。
【０１４８】
触媒は、水素化される化合物に基づいて、好ましくは０．０００１〜１０mol％、特に好ましくは０．０１〜１０mol％、とりわけ好ましくは０．０１〜５mol％の量で使用される。
【０１４９】
リガンド及び触媒の製造、また水素化は、溶媒なし又は不活性溶媒の存在下で実施することができ、１つの溶媒又は溶媒の混合物を使用することが可能である。適した溶媒は、例えば、脂肪族、脂環式及び芳香族炭化水素（ペンタン、ヘキサン、石油エーテル、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、）、脂肪族ハロゲン化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン及びテトラクロロエタン）、ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル）、エーテル（ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールモノメチル又はモノエチルエーテル）、ケトン（アセトン、メチルイソブチルケトン）、カルボン酸エステル及びラクトン（酢酸エチル又はメチル、バレロラクトン）、Ｎ置換ラクタム（Ｎ−メチルピロリドン）、カルボキサミド（ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド）、非環式尿素（ジメチルイミダゾリン）、スルホキシド及びスルホン（ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホキシド、テトラメチレンスルホン）、アルコール（メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル）、並びに水である。溶媒は、単独で又は少なくとも２つの溶媒の混合物として使用することができる。
【０１５０】
反応は、助触媒、例えば第四級ハロゲン化アンモニウム（ヨウ化テトラブチルアンモニウム）の存在下、及び／又はプロトン酸、例えば鉱酸の存在下で実施することができる（例えば、ＵＳ−Ａ−５，５８３，２４１及びＥＰ−Ａ−０６９１９４９を参照すること）１，１，１−トルフルオロエタノールのようなフッ素化アルコール又は塩基（アミン、アルカリ金属水酸化物、炭酸塩及び炭酸水素塩）の存在も、同じ様に接触反応を促進することができる。
【０１５１】
本発明の更なる態様は、触媒の存在下で、プロキラル有機化合物内の炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合に水素を不斉付加することにより、キラル有機化合物を製造する方法であり、これは、付加反応が、本発明の少なくとも１つの金属錯体の触媒量の存在下、中性から酸性の条件下で実施されることを特徴とする。本発明の目的において、中性から酸性の条件とは、塩基成分の不在、特に好ましくは酸の添加を意味する。
【０１５２】
適した酸は、例えば下記である：
ａ）有機酸：好ましくは１〜２０個の炭素原子、特に好ましくは１〜１２個の炭素原子を有する、脂肪族（直鎖、分岐鎖若しくは環状）又は芳香族、非ハロゲン化又はハロゲン化（フッ素化若しくは塩素化）カルボン酸、スルホン酸及びリン（Ｖ）酸、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ｎ−、ｉ−酪酸、安息香酸、フェニル酢酸、シクロヘキサンカルボン酸、クロロ酢酸、フルオロ酢酸、ジクロロ酢酸及びジフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸及びトリフルオロ酢酸、ペルフルオロ酪酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、クロロベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ホスホン酸及び亜リン酸；並びに
ｂ）無機酸、例えばＨＣｌ（水性）、硫酸、リン酸、ＨＦ、ＨＢＦ４、ＨＩ、ＨＢｒ、固体酸、例えばイオン交換樹脂。
【０１５３】
酸は、好ましくは、触媒の１当量あたり１〜１００００００当量の酸、好ましくは１〜１００００当量、特に好ましくは１０〜１０００当量の量で添加される。
【０１５４】
中性から酸性条件下で実施される方法において、好ましくは、酸の添加に起因して、光学収率の増加が驚くほど観察される。
【０１５５】
触媒として使用される金属錯体を、別個に製造、単離した化合物として添加することができるか、そうでなければ、反応の前にその場で形成して、次に、水素化される基質と混合することができる。単離金属錯体を使用して追加のリガンドを反応に加えること、又はその場で製造した過剰量のリガンドを使用することが、有益でありうる。過剰量は、製造に使用した金属化合物に基づいて、例えば６モルまで、好ましくは２モルまでであることができる。
【０１５６】
本発明の方法は、一般に、触媒を反応容器の中に入れ、次に基質、適切であれば反応助剤及び添加される化合物を加え、続いて反応を始めることによって実施される。添加される気体化合物、例えば水素又はアンモニアは、有利には圧力下で導入される。方法は、多様な種類の反応器により連続的又はバッチ的に実施することができる。
【０１５７】
本発明のキラル有機化合物は、特に風味剤（flavour）及び芳香剤(fragrance)、医薬及び農薬の製造における活性物質又はそのような物質を製造する中間体である。
【０１５８】
上記又は下記に提示されている値の範囲に関する指示、例えば「１〜２０個の炭素原子」は、それぞれの場合において、記述される極値、すなわち１個の炭素原子及び２０個の炭素原子を含む。
【０１５９】
以下の実施例は本発明を詳述する。
【０１６０】
Ａ）中間体調製
全ての操作を、不活性ガス（アルゴン）下で実施した。
略語：ＴＨＦ＝テトラヒドロフラン；ＴＢＭＥ＝tert−ブチルエーテル；ｎ−ＢｕＬｉ：ブチルリチウム；ｓ−ＢｕＬｉ＝sec−ブチルリチウム；ｔ−ＢｕＬｉ＝tert−ブチルリチウム；ＤＥ＝ジエチルエーテル；Ｈｅｐ＝ヘプタン；ＥＡ＝酢酸エチル；ＭｅＯＨ＝メタノール；ＴＭＥＤＡ＝Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルエチレンジアミン；ＮＥｔ３＝トリエチルアミン。
【０１６１】
実施例Ａ１：式（Ａ１）〔Ｐｈ＝フェニル；Ｍｅ＝メチル〕の（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ブロモフェロセンの調製
【０１６２】
【化４３】
【０１６３】
ａ）１−フェニルクロロホスフィン−１′−ブロモフェロセン（Ｘ１）の調製
ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中１．６M）１４．５ml（２３．２mmol）を、ＴＨＦ ３０ml中の１，１′−ジブロモフェロセン８ｇ（２３．３mmol）の溶液に−３０℃未満の温度で滴加した。混合物をこの温度で更に３０分間撹拌した。次に−７８℃に冷却し、フェニルジクロロホスフィン３．１５ml（２３．３mmol）を、温度が−６０℃を超えない速度で滴加した。混合物を−７８℃で更に１０分間撹拌した後、温度を室温に上げて、混合物を更に１時間撹拌した。これによりモノクロロホスフィンＸ１の懸濁液を得た。
【０１６４】
ｂ）Ａ１（ジアステレオマーの混合物）の調製
ｔ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中１．５M）１５．５ml（２３．２mmol）を、ジエチルエーテル（ＤＥ）４０ml中の（Ｒ）−１−ジメチルアミノ−１−フェロセニルエタン５．９８ｇ（２３．２mmol）の溶液に−１０℃未満で滴加した。混合物を同じ温度で１０分間撹拌した後、温度を室温に上げて、混合物を更に１．５時間撹拌した。これにより化合物Ｘ２の溶液を得て、それを、モノクロロホスフィンＸ１の冷却懸濁液に、温度が−３０℃を超えない速度で、カニューレを介して加えた。混合物を−３０℃で更に１０分間撹拌した後、温度を０℃に上げて、混合物を更に２時間撹拌した。反応混合物を水２０mlと混合した。有機相を分離し、硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒をロータリーエバポレーターにより減圧下で留去した。クロマトグラフ精製（シリカゲル６０；溶離剤＝ヘプタン／酢酸エチル（ＥＡ）／ＮＥｔｈｙｌ３（Ｎｅｔ３）８５：１０：５）により、目的生成物１１．３９ｇを２つのジアステレオマーの混合物として得た。
【０１６５】
ｃ）Ａ１（１つのジアステレオマー）の調製
方法の工程ｂ）に記載されたようにして得られた生成物を、トルエン５０mlに溶解し、４時間環流した。トルエンを留去した後、残渣をエタノールから結晶化した。これにより化合物Ａ１を、黄色の結晶の形態の純粋なジアステレオマーとして、理論値５９％の収率で得た。
【０１６６】
【表１】
【０１６７】
実施例Ａ２：式（Ａ２）の１−ジシクロヘキシルホスフィノ−１′−ブロモフェロセンの調製
【０１６８】
【化４４】
【０１６９】
ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５M）１２０ml（０．３mol）を、ＴＨＦ ３００ml中の１，１′−ジブロモフェロセン１０３ｇ（０．３mol）の溶液に−３０℃未満の温度で滴加した。混合物をこの温度で更に１．５時間撹拌した。次に−５０℃に冷却し、ジシクロヘキシルホスフィノクロリド６６．２ml（０．３mol）を、温度が−４５℃を超えない速度で滴加した。混合物を更に１０分間撹拌した後、温度を室温に上げて、混合物を更に１時間撹拌した。水１５０mlを加えた後、反応混合物をヘキサンと共に振とうした。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒をロータリーエバポレーターにより減圧下で留去した。残渣をエタノール中で結晶化した。生成物Ａ２を収率８４％（黄色の固体）で得た。
【０１７０】
【表２】
【０１７１】
実施例Ａ３：式（Ａ３）の１，１′−（フェロセンジイル）フェニルホスフィンの調製
【０１７２】
【化４５】
【０１７３】
ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５M）８８ml（０．２２mol）を、ヘキサン５００ml中のフェロセン１８．３ｇ（０．１mol）及びＴＭＥＤＡ ３０．２ml（０．２mol）の懸濁液に加えた。続いて反応混合物を５０℃で２時間撹拌した。次に−７８℃に冷却し、フェニルジクロロホスフィン１４．９ml（０．１１mmol）を、温度が−６０℃を超えない速度で加えた。添加の後、温度を室温に上げて、混合物を更に１時間撹拌した。次に水５mlを加え、混合物を濾過した。濾液を水で洗浄し、有機相を硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相の容量を、ロータリーエバポレーターにより減圧下で溶媒を留去することによって、約１００mlに低減した。−３０℃に冷却すると、生成物Ａ３を赤色の結晶（収率５５％）として得た。
【０１７４】
【表３】
【０１７５】
Ｂ）ジホスフィンの調製
実施例Ｂ１〜Ｂ１４：式（Ａ１）の（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ブロモフェロセンからの式Ｂ１〜Ｂ１４のジホスフィン化合物の調製
【０１７６】
【化４６】
【０１７７】
化合物Ｂ１〜Ｂ１４の調製のための一般的合成方法。それぞれの実施例に関する特定の詳細は、以下の表にまとめた。
ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中１．６M）又はｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．３M）１．１mmolを、tert−ブチルメチルエーテル（ＴＢＭＥ）３〜５ml中の化合物Ａ１ １mmolの溶液に、−５℃〜０℃の温度で滴加した。温度を０℃に維持し、混合物を更に１時間撹拌し、次にクロロホスフィンＣｌＰＲ２ １．１mmolを加えた。温度を室温に上げ、反応混合物を更に１時間撹拌し、次に飽和ＮａＨＣＯ３水溶液５mlと混合した。有機相を分離し、硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒をロータリーエバポレーターにより減圧下で留去した。クロマトグラフ精製（シリカゲル６０；溶離剤＝表を参照すること）及び、必要であればメタノール中での結晶化によって、化合物Ｂ１〜Ｂ１４を純粋なジアステレオマーとして得た。
【０１７８】
【表４】
（ａ）ジ−ｔ−ブチルホスフィンクロリドの添加の後、反応混合物を５０℃で１時間更に撹拌してから、ＮａＨＣＯ３溶液５mlを添加した。
（ｂ）ビス（２−ボルニル）ホスフィンクロリドを、多様なジアステレオマーの混合物として使用した。
【０１７９】
化合物Ｂ１〜Ｂ１４のＮＭＲデータ：
化合物Ｂ１：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセン（Ｂ１）：
【０１８０】
【表５】
【０１８１】
化合物Ｂ２：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジ−tert−ブチルホスフィノフェロセン（Ｂ２）：
【０１８２】
【表６】
【０１８３】
化合物Ｂ３：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジフェニルホスフィノフェロセン（Ｂ３）：
【０１８４】
【表７】
【０１８５】
化合物Ｂ４：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ビス−〔３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル〕ホスフィノフェロセン（Ｂ４）：
【０１８６】
【表８】
【０１８７】
化合物Ｂ５：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ビス−（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノフェロセン（Ｂ５）：
【０１８８】
【表９】
【０１８９】
化合物Ｂ６：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ビス−（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノフェロセン（Ｂ６）：
【０１９０】
【表１０】
【０１９１】
化合物Ｂ７：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジ（１−ナフチル）ホスフィノフェロセン（Ｂ７）：
【０１９２】
【表１１】
【０１９３】
実施例Ｂ８：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジ（２−ボルニル）ホスフィノフェロセン（Ｂ８）：
この生成物は４つのジアステレオマーの混合物として得た。
【０１９４】
【表１２】
【０１９５】
実施例Ｂ９：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジ（４−フルオロフェニル）ホスフィノフェロセン（Ｂ９）：
【０１９６】
【表１３】
【０１９７】
実施例Ｂ１０：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジ（２−メトキシフェニル）ホスフィノフェロセン（Ｂ１０）：
【０１９８】
【表１４】
【０１９９】
実施例Ｂ１１：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジ（４−フルオロメチルフェニル）ホスフィノフェロセン（Ｂ１１）：
【０２００】
【表１５】
【０２０１】
実施例Ｂ１２：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジ（２−フリル）ホスフィノフェロセン（Ｂ１２）：
【０２０２】
【表１６】
【０２０３】
実施例Ｂ１３：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジエチルホスフィノフェロセン（Ｂ１３）：
【０２０４】
【表１７】
【０２０５】
実施例Ｂ１４：（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジイソプロピルホスフィノフェロセン（Ｂ１４）：
【０２０６】
【表１８】
【０２０７】
実施例Ｂ１５〜１６：式（Ａ）の１−ジシクロヘキシルホスフィノ−１′−ブロモフェロセンからの式Ｂ１５及びＢ１６のジホスフィノ化合物の調製
【０２０８】
【化４７】
【０２０９】
実施例Ｂ１５：式（Ｂ１５ａ）の（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）−フェロセン−１−イル〕イソプロピルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセンと式（Ｂ１５ｂ）の（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕イソプロピルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセンの２つのジアステレオマーの調製
ａ）クロロホスフィン（Ｘ３）の調製
ｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．３M）３．８５ml（５mmol）を、ＴＢＭＥ ５ml中の（Ｒ）−１−ジメチルアミノ−１−フェロセニルエタン１．２９ｇ（５mmol）の溶液に−２０℃未満で滴加した。混合物を同じ温度で１０分間撹拌した後、温度を室温に上げて、混合物を更に１．５時間撹拌した。次に反応混合物を−７８℃に冷却し、ジクロロイソプロピルホスフィン０．６２ml（５mmol）を、温度が−６０℃を超えない速度で滴加した。−７８℃で３０分間、続いて室温で１時間、更に撹拌すると、クロロホスフィンＸ３を含有する懸濁液を得た。
【０２１０】
ｂ）化合物１５ａ及びＢ１５ｂ（２つのジアステレオマー）の調製
別の反応容器において、ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中１．６M）３．３１ml（５mmol）を、ＴＢＭＥ １０ml中の化合物Ａ２ ２．３１ｇ（５mmol）に−６０℃未満で滴加した。添加の後、温度を０℃に上げて、混合物をこの温度で更に３０分間撹拌した。次に、得られた反応混合物を、温度が−５０℃を超えないように注意しながら、クロロホスフィンＸ３の冷却懸濁液に加えた。添加の後、温度を室温に上げて、混合物を更に１．５時間撹拌した。飽和ＮａＨＣＯ３水溶液５mlを加えた後、反応混合物を抽出した。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒をロータリーエバポレーターにより減圧下で留去した。（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−Ｂ１５ａ／（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−Ｂ１５ｂの比率が約９：１の２つのジアステレオマーの混合物を得て、これを、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル６０；溶離剤＝最初はヘキサン／ＥＡ ８：１、次に追加的に１％のトリエチルアミン）により分離することができた。第１画分からは、ジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−Ｂ１５ｂ（０．３５ｇ；収率９．８％、橙色の固体）を得て、第２画分からはジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−Ｂ１５ａ（２．７８ｇ；収率７８％、橙色の固体）を得た。
【０２１１】
【表１９】
【０２１２】
ｃ）ジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−Ｂ１５ａの熱エピマー化：
ジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−Ｂ１５ａ １ｇを、溶媒又は希釈剤を添加することなく１５０℃で２時間加熱した。冷却し、クロマトグラフ精製（セクションｂと同じ条件）した後、ジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−Ｂ１５ｂ ０．６５ｇ及びジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−Ｂ１５ａ ０．１５ｇを単離した。
【０２１３】
実施例Ｂ１６：式（Ｂ１６ａ）の（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕シクロヘキシルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセンと式（Ｂ１６ｂ）の（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕シクロヘキシルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセンの２つのジアステレオマーの調製
２つのジアステレオマーＢ１６ａ及びＢ１６ｂの調製は、実施例Ｂ１５と類似した方法で実施したが、クロロホスフィンＸ４を、ジクロロイソプロピルホスフィンの代わりにジクロロヘキシルホスフィンを使用して調製し、このクロロホスフィンＸ４を更に反応させた点が異なっていた。
【０２１４】
この反応により（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−Ｂ１６ａ／（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−Ｂ１６ｂの比率が約１：１の２つのジアステレオマーの混合物を得た。この粗生成物を、１５０℃で１．５時間加熱することによりエピマー化し、続いてカラムクロマトグラフィー（シリカゲル６０；溶離剤＝最初はヘキサン／ＥＡ １０：１、次に追加的に１％のトリエチルアミン）により精製した。第１画分からは、ジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−Ｂ１６ｂ（収率＝４０％、橙色の固体）を得て、第２画分からはジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＲＰ）−Ｂ１６ａ（収率＝１０％、橙色の固体）を得た。
【０２１５】
【表２０】
【０２１６】
実施例Ｂ１７：化合物（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕シクロヘキシルホスフィノ−１′−ビス−〔３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル〕ホスフィノフェロセン（Ｂ１７）の調製：
【０２１７】
【化４８】
【０２１８】
ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５M）４ml（１０mmol）を、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１０ml中の１，１′−ジブロモフェロセン３．４４ｇ（１０mmol）の溶液に−３０℃未満の温度で滴加した。混合物をこの温度で更に１．５時間撹拌して、１−ブロモ−１′−リチオフェロセンＸ５の懸濁液を得た。
【０２１９】
第２の反応容器において、ｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．３M）７．７ml（１０mmol）を、ＴＢＭＥ １５ml中の（Ｒ）−１−ジメチルアミノ−１−フェロセニルエタン２．５７ｇ（１０mmol）の溶液に−１０℃未満で滴加した。混合物を同じ温度で１０分間撹拌した後、温度を０℃に上げて、混合物を更に１．５時間撹拌した。次に反応混合物を−７８℃に冷却し、ジクロロシクロヘキシルホスフィン１．５１ml（１０mmol）を加えた。−７８℃で３０分間更に撹拌し、冷却器を取り外した後、室温で更に１時間撹拌して、クロロホスフィンＸ４の懸濁液を得て、続いてそれを、１−ブロモ−１′−リチオフェロセンＸ５の懸濁液に−１０℃未満の温度で加えた。次に冷却器を取り外し、混合物を室温で更に１．５時間撹拌した。−５０℃未満に再び冷却した後、ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５M）４ml（１０mmol）を滴加した。添加の後、温度を０℃に上げて、混合物を更に３０分間撹拌した。次に−２０℃に冷却し、ビス〔３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル〕クロロホスフィン４．６３ｇ（１０mmol）を加えた。続いて冷却器を取り外し、混合物を室温で更に１．５時間撹拌した。反応混合物を１N ＮａＯＨと混合し、抽出した。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒をロータリーエバポレーターにより減圧下で留去した。続いて残渣を１５０℃で１時間加熱した。クロマトグラフ精製（シリカゲル６０；溶離剤＝ヘキサン／酢酸エチル ８：１）により、化合物Ｂ１７を黄色の固体（収率：６６％）として得た。
【０２２０】
【表２１】
【０２２１】
実施例Ｂ１８〜Ｂ２０：式（Ｂ１）の化合物（ＲＣ，ＳＦｃ，Ｓｐ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセンの例としてジホスフィンリガンドを調製する代替的方法の記載
実施例Ｂ１８：
反応スキーム
【０２２２】
【化４９】
【０２２３】
ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５M）４ml（１０mmol）を、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１０ml中の１，１′−ジブロモフェロセン３．４４ｇ（１０mmol）の溶液に−３０℃未満の温度で滴加した。混合物をこの温度で更に１．５時間撹拌した。次にジシクロヘキシシルホスフィンクロリド２．２１ml（１０mmol）を、温度が−２０℃を超えない速度で滴加した。混合物を更に１０分間撹拌した後、温度を室温に上げて、混合物を更に１時間撹拌した。これを冷却して３０℃まで戻し、ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５M）４．４ml（１１mmol）を滴加した。続いて反応混合物を−１０℃で３０分間撹拌した。次に反応混合物を−７８℃に冷却し、ジクロロフェニルホスフィン１．４９ml（１１mmol）を加えた。混合物を−７８℃で２０分間、次に室温で更に１時間撹拌した。これによりモノクロロジホスフィンＸ６を含む反応混合物を得た。
【０２２４】
第２の反応容器において、ｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．３M）８．５ml（１１mmol）を、ジエチルエーテル１５ml中の（Ｒ）−１−ジメチルアミノ−１−フェロセニルエタン２．５７ｇ（１０mmol）の溶液に−１０℃未満で滴加した。混合物を同じ温度で１０分間撹拌した後、温度を０℃に上げて、混合物を更に１．５時間撹拌した。続いてこの反応溶液を、−１０℃に冷却したモノクロロジホスフィンＸ６を含む反応混合物にカニューレを介して加えた。添加の後、混合物を室温で更に２時間撹拌した。水１０mlを加えた後、反応混合物を抽出し、有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒をロータリーエバポレーターにより減圧下で留去した。残渣を１４０℃で１時間加熱した。クロマトグラフ精製（シリカゲル６０；溶離剤：ヘキサン／酢酸エチル ４：１）により、式（Ｂ１）の化合物を収率４７％で得た。生成物の３１Ｐ−及び１Ｈ−ＮＭＲは、実施例Ｂ１と同一であった。
【０２２５】
実施例Ｂ１９：
反応スキーム
【０２２６】
【化５０】
【０２２７】
反応混合物１：ｎ−ＢｕＬｉ（ヘキサン中２．５M）４ml（１０mmol）を、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１０ml中の１，１′−ジブロモフェロセン３．４４ｇ（１０mmol）の溶液に−３０℃未満の温度で滴加した。混合物をこの温度で更に３０分間撹拌した。次に−７８℃に冷却し、フェニルジクロロホスフィン１．３６ml（１０mmol）を加えた。混合物を更に１０分間撹拌した後、温度を室温に上げて、混合物を更に１時間撹拌した。
【０２２８】
反応混合物２：第２の反応容器において、ｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．３M）８．０ml（１０．４mmol）を、ジエチルエーテル１５ml中の（Ｒ）−１−ジメチルアミノ−１−フェロセニルエタン２．５７ｇ（１０mmol）の溶液に−１０℃未満で滴加した。混合物を同じ温度で１０分間撹拌した後、温度を０℃に上げて、混合物を更に１．５時間撹拌した。
【０２２９】
反応混合物１を反応混合物２に−１０℃未満の温度でゆっくりと加えた。続いて混合物を室温で１．５時間撹拌した。次に、−７８℃から−５０℃の範囲の温度で、ｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．３M）８ml（１０．４mmol）を滴加した。混合物を−７８℃で更に２０分間撹拌した後、温度を０℃に上げて、混合物を更に３０分間撹拌してから、クロロジシクロヘキシルホスフィン２．２１ml（１０mmol）を−２０℃で加えた。混合物を−２０℃で更に２０分間、最後に室温で更に１．５時間撹拌した。処理及び熱エピマー化は、実施例Ｂ１８に記載されたものと同様の方法により実施した。式（Ｂ１）の化合物を収率３１％で得た。生成物の３１Ｐ−及び１Ｈ−ＮＭＲは、実施例Ｂ１と同一であった。
【０２３０】
実施例Ｂ２０：
【０２３１】
【化５１】
【０２３２】
ｓ−ＢｕＬｉ（シクロヘキサン中１．３M）８．５ml（１１mmol）を、ジエチルエーテル１５ml中の（Ｒ）−１−ジメチルアミノ−１−フェロセニルエタン２．８３ｇ（１１mmol）の溶液に−１０℃未満で滴加した。次に冷却器を取り外し、混合物を室温で更に２時間撹拌した。−１０℃に冷却した後、化合物Ａ３ ２．９２ｇ（１０mmol）を加え、混合物をこの温度で更に３０分間撹拌した。温度を室温に上げて、混合物を更に１時間撹拌した。１N ＮａＯＨ １０mlを加えた後、反応混合物を抽出し、有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒をロータリーエバポレーターにより減圧下で留去した。残渣の１Ｈ−ＮＭＲは、反応が非常に立体選択的であり、ほぼ所望のジアステレオマー（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−ジメチルアミノエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセンだけを与えたことを示した。クロマトグラフィー（シリカゲル６０；溶離剤＝ヘキサン／酢酸エチル ４：１）に付した後、この生成物を収率３７％で得た。生成物の３１Ｐ−及び１Ｈ−ＮＭＲは、実施例Ｂ１と同一であった。
【０２３３】
実施例Ｂ２１：式（Ｂ２１）の化合物（ＲＣ，ＳＦｃ，ＳＰ）−１−〔２−（１−メトキシエチル）フェロセン−１−イル〕フェニルホスフィノ−１′−ジシクロヘキシルホスフィノフェロセンの調製：
この調製は、（Ｒ）−１−ジメチルアミノ−１−フェロセニルエタンの代わりに（Ｒ）−１−メトキシ−１−フェロセニルエタンを使用する以外は、実施例Ｂ１８に記載されたものと同様の方法で実施した。生成物Ｂ２１を、クロマトグラフィー（シリカゲル６０；溶離剤＝ヘキサン／酢酸エチル ４：１）により精製して、橙色の泡状物として得た。
【０２３４】
【表２２】
【０２３５】
Ｃ）金属錯体の調製
実施例Ｃ１：ロジウム錯体の調製（ｎｂｄはノルボルナジエンである）
リガンドＢ１ １１mg（０．０１４８mmol）及び〔Ｒｈ（ｎｂｄ）２〕ＢＦ４ ５．４mg（０．０１４４mmol）を、ＣＤ３ＯＤ ０．８mlに溶解し、１０分間撹拌した。溶液を測定のためにＮＭＲ管に移した３１Ｐ ＮＭＲ（１２１．５MHz、ＣＤ３ＯＤ）：２つの重なり合った二重項。可能な割当て：δ２６．６０（ｄ、ＪＲｈ−Ｐ＝１６３Hz）、２６．３０（ｄ，ＪＲｈ−Ｐ＝１５７Hz）。
【０２３６】
Ｄ）使用実施例（水素化）
実施例Ｄ１〜Ｄ２９：下記の水素化
【０２３７】
【化５２】
【０２３８】
実施例Ｄ１：基質／触媒（Ｓ／Ｃ）比の２０００を使用する水素化。
リガンドＢ１ ３．０４mg（０．００４１mmol）及び〔Ｒｈ（ｎｂｄ）２〕ＢＦ４ １．４７mg（０．００３９mmol）を計量して、磁気撹拌機及びゴム製隔膜を備えた２５mlのシュレンク容器に入れ、メタノール２mlで溶解した。溶液を約１０分間撹拌した。次にメタノール８ml中の基質Ｓ１ ２．４ｇ（７．７８３mmol）の溶液を加えた。得られた溶液を、加熱機を備え、予めアルゴンで満たした５０mlのスチールオートクレーブに、カニューレを介して圧力下で移した。オートクレーブは、減圧弁を介して水素レザバーに連結していた。オートクレーブを密閉し、水素の加圧（６０bar）及び減圧の２サイクルによりアルゴンを水素に置き換えた。次にオートクレーブを６０barの水素により再び加圧し、水素化を、撹拌機のスイッチを入れて２５℃で開始した。１９．５時間後、撹拌機のスイッチを切り、オートクレーブを減圧し、水素化溶液を取り出した。変換及び鏡像体過剰率（ｅｅ）を、ＨＰＬＣ（Chirapak AD；０．４６×２５０mm；ヘキサン／ＥｔＯＨ／ＡｃＯＨ ９５０：５０：１；流量＝０．７ml／分；２０℃）により決定した。変換は定量的であり、ｅｅは、９７．４％であった（Ｓ配置）。
【０２３９】
Ｄ２〜Ｄ２５及び比較例の化合物１〜化合物４の水素化は、表２に示された温度及び水素圧と同様に実施した。比較的高いＳ／Ｃを有する水素化の場合、より少ない触媒（〔Ｒｈ（ｎｂｄ）２〕ＢＦ４ ０．８５mg（０．００２３mmol）及びリガンド０．００２４mmol）及びより多い基質を使用した。全ての水素化において、基質濃度は０．７８モルであった。比較のため、リガンドＢ２〜Ｂ１８及びＢ１９では同様の手順を使用した。結果を表２に示す。
【０２４０】
【表２３】
＊Ｓ／Ｃ＝基質／触媒比；°ＴＦＡ＝トリフルオロ酢酸；リガンドＢ１９は、１，１′−ビス〔（ＳＰ，ＲＣ，ＳＦｅ）（１−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチルフェロセニル）フェニルホスフィノ〕フェロセンである。ＷＯ２００６／０７５１６６、１０頁、実施例１に記載されているように調製することができる。
【０２４１】
実施例Ｄ２６〜Ｄ２７：下記の水素化
【０２４２】
【化５３】
【０２４３】
〔Ｒｈ（ｎｂｄ）２〕ＢＦ４ １．８７mg（０．００５mmol）及びリガンド０．００５mmolを計量して、磁気撹拌機及びゴム製隔膜を備えた１０mlのシュレンク容器に入れ、メタノール１mlで溶解した。溶液を１０分間撹拌し、次に、メタノール４ml中の基質Ｓ２ １４３mg（０．５mmol）（Ｓ／Ｃ＝１００）又は９ml中の２８５mg（１mmol）（Ｓ／Ｃ＝２００）を加えた。得られた溶液を、５０mlのスチールオートクレーブにカニューレを介して圧力下で移し、実施例Ｄ１に記載されたものと同様の方法で水素化した。変換及び鏡像体過剰率（ｅｅ）を、ＨＰＬＣ（Chirapak AD；０．４６×２５０mm）により決定した。結果を表３に示す。
【０２４４】
【表２４】
【０２４５】
実施例Ｄ２８〜３６：基質Ｓ３、Ｓ４及びＳ５の水素化
【０２４６】
【化５４】
【０２４７】
水素化は、１．２mlのアンプルで実施した。撹拌する代わりに、激しい振とうを実施した。グローブボックスにおいて、０．５mlの容量を有し、表４に示されている組成を有する溶液を、窒素雰囲気下、１．２mlのアンプル中で調製した。触媒を、１当量の〔Ｒｈ（ｎｂｄ）２〕ＢＦ４と１．３当量のリガンドとをジクロロエタン中で混合し、続いて減圧下でジクロロエタンを留去することによって、その場で調製した。基質を水素化溶液に溶解し、触媒に溶液として加えた。アンプルを、加圧律速・加熱容器の中の所定の場所に固定し、容器を密閉し、所望の温度を設定し、容器中の窒素雰囲気を、所望の圧力で水素雰囲気に置き換えて、水素化を、振とう機のスイッチを入れて開始した。基質Ｓ３及びＳ４の変換及び鏡像体過剰率（ｅｅ）を、ＧＣ（Chrasil-L-val）により決定した。基質Ｓ４の水素化試料を、ＴＭＳ−ジアゾメタンにより前もって誘導体化しておいた。基質Ｓ５の変換及びｅｅを、ＧＣ（Lipodex-E）により決定した。結果を表４にまとめた。
【０２４８】
【表２５】
＊この水素化では、〔Ｒｈ（ｎｂｄ）２〕ＢＦ４の代わりに〔Ｒｕｌ２（ｐ−シメン）〕２を使用した。
【０２４９】
実施例Ｄ３７：基質Ｓ６の水素化
【０２５０】
【化５５】
【０２５１】
リガンドＢ３ ４．８９mg（０．００６７mmol）及び〔Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ〕２ ２．１２mg（０．００３２mmol）を計量して、磁気撹拌機及びゴム製隔膜を備えた２５mlのシュレンク容器に入れ、トルエン２mlで溶解した。溶液を約１０分間撹拌した。次に、トルエン３ml中の基質Ｓ６ ２６０mg（１．２７mmol）、ヨウ化テトラブチルアンモニウム４．７mg及び酢酸３０mgの溶液を加えた。得られた溶液を、加熱機を備えた５０mlのスチールオートクレーブにカニューレを介して圧力下で移した。水素化を、実施例Ｄ１と同様な方法で実施した（水素化時間＝１９時間；室温；水素圧＝８０bar）。変換及び鏡像体過剰率（ｅｅ）を、ＨＰＬＣ（Chiracel OD-H）により決定した。変換は定量的であり、ｅｅは、３１％であった（Ｒ配置）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
〔式中、
ラジカルＲ１は、同一又は異なっており、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキルであり；
ｍは、０又は１〜３の整数であり；
ｎは、０又は１〜４の整数であり；
Ｒ２は、炭化水素ラジカル又はＣ結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり；
Ｃｐは、非置換又はＣ１〜Ｃ４アルキル置換シクロペンタジエニルであり；
Ｙは、メタレーション試薬の金属をオルト位置へ向かわせる、Ｃ結合キラル基であり；そして
Ｐｈｏｓは、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基である〕
で示される、鏡像異性的に純粋なジアステレオマーの形態又はジアステレオマーの混合物の形態の化合物。
【請求項２】
ｍ及びｎが、それぞれ０であることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ２が、１〜２２個の炭素原子を有し、Ｏ、Ｓ、−Ｎ＝又はＮ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）からなる群より選択されるヘテロ原子を含有することができる、非置換又は置換炭化水素ラジカルであることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ２が、直鎖又は分岐鎖Ｃ１〜Ｃ１２アルキル；非置換又はＣ１〜Ｃ６アルキル−若しくはＣ１〜Ｃ６アルコキシ置換のＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル若しくはＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル−ＣＨ２−；Ｃ６〜Ｃ１４アリール；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール；Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキル；又はハロゲン−（フッ素−、塩素−若しくは臭素−）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル−、トリフルオロメチル−、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−、トリフルオロメトキシ−、（Ｃ６Ｈ５）３Ｓｉ−、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）３Ｓｉ−若しくはsec−アミノ置換のＣ６〜Ｃ１４アリール、Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール、Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル若しくはＣ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキルからなる群より選択されるラジカルであり、ここでヘテロアリール及びヘテロアラルキルが、Ｏ、Ｓ及び−Ｎ＝からなる群より選択されるヘテロ原子を含有することを特徴とする、請求項３記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ２が、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、Ｃ７〜Ｃ８ビシクロアルキル、ｏ−フリル、フェニル、ナフチル、２−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、３−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、４−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、２−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、３−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、２−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、３−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、４−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、３，５−ビス（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ３、３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２Ｃ６Ｈ３、３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）２Ｃ６Ｈ３及び３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２−４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ２であることを特徴とする、請求項３記載の化合物。
【請求項６】
基Ｙが、式：−ＨＣ＊Ｒ５Ｒ６（式中、＊は不斉原子を示す）に対応し、ここで、Ｒ５が、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、Ｃ７〜Ｃ１２アラルキル又はＣ７〜Ｃ１２アルカリルであり、Ｒ６が、−ＯＲ７又は−ＮＲ８Ｒ９であり、Ｒ７が、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、フェニル又はベンジルであり、そしてＲ８及びＲ９が、同一又は異なっており、それぞれ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、フェニル又はベンジルであるか、或いはＲ８及びＲ９が、Ｎ原子と一緒になって、５員〜８員環を形成することを特徴とする、請求項１記載の化合物。
【請求項７】
Ｙが、不斉α炭素原子のないラジカルであり、下記式：
【化２】
〔式中、Ｒ１１は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２ＮＣＨ２−、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２ＮＣＨ２ＣＨ２−、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシメチル又はＣ１〜Ｃ４アルコキシエチルである〕
のうちの１つに対応することを特徴とする、請求項１記載の化合物。
【請求項８】
Ｙが、−ＣＨＲ５−ＮＲ８Ｒ９基であり、ここで、Ｒ５が、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ５〜Ｃ６シクロアルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ４アルキルフェニル又はＣ１〜Ｃ４アルキルベンジルであり、そしてＲ８及びＲ９が、同一であって、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキルであることを特徴とする、請求項６記載の化合物。
【請求項９】
Ｙが、１−ジメチルアミノエタ−１−イル又は（ジメチルアミノ）フェニル−ＣＨ−であることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
【請求項１０】
Ｐ結合（Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓが第二級ホスフィノ基であることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
【請求項１１】
第二級ホスフィノ基が、直鎖又は分岐鎖Ｃ１〜Ｃ１２アルキル；非置換又はＣ１〜Ｃ６アルキル−若しくはＣ１〜Ｃ６アルコキシ置換のＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル若しくはＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル−ＣＨ２−；Ｃ６〜Ｃ１４アリール；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール；Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキル；又はハロゲン−（フッ素−、塩素−若しくは臭素−）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル−、トリフルオロメチ−、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−、トリフルオロメトキシ−、（Ｃ６Ｈ５）３Ｓｉ−、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）３Ｓｉ−若しくはsec−アミノ置換のＣ６〜Ｃ１４アリール、Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール、Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル若しくはＣ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキルを含有し、ヘテロアリール及びヘテロアラルキルが、Ｏ、Ｓ及び−Ｎ＝からなる群より選択されるヘテロ原子を含有することを特徴とする、請求項１０記載の化合物。
【請求項１２】
第二級ホスフィノ基が、−Ｐ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２、−Ｐ（Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル）２、−Ｐ（Ｃ７〜Ｃ１２ビシクロアルキル）２、−Ｐ（ｏ−フリル）２、−Ｐ（Ｃ６Ｈ５）２、−Ｐ（１−ナフチル）２、−Ｐ〔２−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔２−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔２−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３，５−ビストリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ３〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２Ｃ６Ｈ３〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）2Ｃ６Ｈ３〕2若しくは−Ｐ〔３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２−４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ２〕２であるか、又は下記：
【化３】
からなる群より選択される環状ホスフィノラジカルであり、これらは、非置換であるか、又はＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ２アルキル、フェニル、ベンジル、ベンジルオキシ若しくはＣ１〜Ｃ４アルキリデンジオキシルで１回以上置換されていることを特徴とする、請求項１０記載の化合物。
【請求項１３】
式Ｉの化合物を製造する方法であって、
ａ）１，１′−ジハロフェロセンのメタレーションにより１−メタロ−１′−ハロフェロセンを得て、続けて式：Ｒ２−Ｐ（Ｈａｌ）２〔式中、Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕の化合物との反応により式ＶＩ：
【化４】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２及びｎは、請求項１で定義されたとおりである〕で示される化合物を形成する工程、
ｂ）式ＶＩの化合物と、式ＶＩＩ：
【化５】
〔式中、Ｙ、Ｃｐ、Ｒ１及びｍは、請求項１で定義されたとおりであり、そしてＭは、Ｌｉ又はＭｇＨａｌであり、ここでＨａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕で示される化合物との反応により、式ＶＩＩＩ：
【化６】
で示される化合物を形成する工程、及び
ｃ）式ＶＩＩの化合物と、アルキルリチウムとの反応、次に式：Ｐｈｏｓ−Ｈａｌ〔式中、Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕のハロホスフィンとの反応により、式Ｉの化合物を得る工程
を含む方法。
【請求項１４】
得られた式ＶＩＩＩの化合物を、方法の工程ｃ）の前に熱処理によって実質的に純粋なジアステレオマーに変換することを特徴とする、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
式ＶＩＩＩ：
【化７】
〔式中、
ラジカルＲ１は、同一又は異なっており、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキルであり；
ｍは、０又は１〜３の整数であり；
ｎは、０又は１〜４の整数であり；
Ｒ２は、炭化水素ラジカル又はＣ結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり；
Ｃｐは、非置換又はＣ１〜Ｃ４アルキル置換シクロペンタジエニルであり；
Ｙは、メタレーション試薬の金属をオルト位置へ向かわせる、Ｃ結合キラル基であり；そして
Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕
で示される、鏡像異性的に純粋なジアステレオマーの形態又はジアステレオマーの混合物の形態の化合物。
【請求項１６】
式Ｉの化合物を製造する方法であって、
ａ）１，１′−ジハロフェロセンのメタレーションにより１−メタロ−１′−ハロフェロセンを形成して、続けて式：Ｐｈｏｓ−Ｈａｌ〔ここで、ハロ及びＨａｌは、それぞれ塩素、臭素又はヨウ素である〕の化合物との反応により式ＩＸ：
【化８】
〔式中、Ｒ１、Ｐｈｏｓ及びｎは、請求項１で定義されたとおりであり、そしてＨａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕で示される化合物を形成する工程、
ｂ）式ＩＸの化合物のメタレーション、続く式：Ｒ２−Ｐ（Ｈａｌ）２の化合物との反応により、式Ｘ：
【化９】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｐｈｏｓ及びｎは、請求項１で定義されたとおりであり、そしてＨａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕で示される化合物を形成する工程、及び
ｃ）式Ｘの化合物と、式ＶＩＩ：
【化１０】
〔式中、Ｙ、Ｃｐ、Ｒ１及びｍは、請求項１で定義されたとおりであり、そしてＭは、Ｌｉ又はＭｇＨａｌであり、ここでＨａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕で示される化合物との反応により、式Ｉの化合物を得る工程
を含む方法。
【請求項１７】
方法の工程ｃ）に記載されたようにして得られた式Ｉの化合物を、熱処理によって実質的に純粋なジアステレオマーに変換することを特徴とする、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
式Ｘａ：
【化１１】
〔式中、
ラジカルＲ１は、同一又は異なっており、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキルであり；
ｎは、０又は１〜４の整数であり；
Ｒ２は、炭化水素ラジカル又はＣ結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり；
Ｒ２２は、Ｐｈｏｓ又はＨａｌ基であり；
Ｐｈｏｓは、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基であり；そして
Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕
で示される化合物。
【請求項１９】
遷移金属の群から選択される金属と、リガンドとして式Ｉの化合物のうちの１つとの錯体。
【請求項２０】
遷移金属が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ及びＰｔであることを特徴とする、請求項１９記載の金属錯体。
【請求項２１】
式ＸＩ及びＸＩＩ：
【化１２】
〔式中、Ａ１は、式Ｉの化合物のうちの１つであり、
Ｌは、同一若しくは異なっている単座のアニオン性若しくは非イオン性リガンドを表すか、又はＬは、同一若しくは異なっている二座のアニオン性若しくは非イオン性リガンドを表し；
ｒは、Ｌが単座リガンドである場合、２、３若しくは４であるか、又はＬが二座リガンドである場合、１若しくは２であり；
ｚは、１、２又は３であり；
Ｍｅは、Ｒｈ、Ｉｒ及びＲｕからなる群より選択される金属であり、ここで金属は０、１、２、３又は４の酸化状態を有し；
Ｅ−は、オキソ酸又は錯体酸のアニオンであり、そして
アニオンリガンドは、酸化状態１、２、３又は４の金属の電荷を平衡にする〕
に対応することを特徴とする、請求項１９記載の金属錯体。
【請求項２２】
触媒の存在下で、プロキラル有機化合物内の炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合に水素を不斉付加することにより、キラル有機化合物を製造する方法であって、付加反応が、請求項１９記載の少なくとも１つの金属錯体の触媒量の存在下で実施されることを特徴とする方法。
【請求項２３】
プロキラル有機化合物が、下記式：
【化１３】
で示される不飽和カルボン酸又はその塩、エステル若しくはアミドであり、ここで、Ｒ０１が、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、非置換Ｃ３〜８シクロアルキル、又は１〜４つのＣ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルコキシラジカルで置換されているＣ３〜Ｃ８シクロアルキルか、又は非置換Ｃ６〜Ｃ１０アリール若しくはＣ４〜Ｃ１０ヘテロアリール、又は１〜４つのＣ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルコキシラジカルで置換されているＣ６〜Ｃ１０アリール若しくはＣ４〜Ｃ１０ヘテロアリールであり、そしてＲ０２が、直鎖若しくは分岐鎖Ｃ１〜Ｃ６アルキル、非置換シクロペンチル、シクロヘキシル若しくはフェニル、又は１〜４つのＣ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルコキシラジカルで置換されているシクロペンチル、シクロヘキシル、フェニルか、又は保護アミノであることを特徴とする、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
不飽和カルボン酸が、式ＸＶ：
【化１４】
〔式中、
Ｒ０３及びＲ０４は、それぞれ、互いに独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６アルキル又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６アルキルオキシであり、そしてＲ０５は、Ｃ１〜Ｃ６アルキルである〕に対応し、式Ｉのリガンドを有するロジウム錯体の触媒としての存在下、水素により水素化されて、式ＸＶＩ：
【化１５】
で示される化合物を得ることを特徴とする、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
Ｒ０３がメトキシプロピルオキシであり、Ｒ０４がメトキシであり、そしてＲ０５がイソプロピルである、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
キラル有機化合物の製造における、好ましくはプロキラル有機化合物内の炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合に水素を不斉付加するキラル有機化合物の製造における、請求項１９記載の金属錯体の均一触媒としての使用。
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
〔式中、
ラジカルＲ１は、同一又は異なっており、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキルであり；
ｍは、０又は１〜３の整数であり；
ｎは、０又は１〜４の整数であり；
Ｒ２は、炭化水素ラジカル又はＣ結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり；
Ｃｐは、非置換又はＣ１〜Ｃ４アルキル置換シクロペンタジエニルであり；
Ｙは、メタレーション試薬の金属をオルト位置へ向かわせる、Ｃ結合キラル基であり；そして
Ｐｈｏｓは、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基である〕
で示される、鏡像異性的に純粋なジアステレオマーの形態又はジアステレオマーの混合物の形態の化合物。
【請求項２】
ｍ及びｎが、それぞれ０であることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ２が、１〜２２個の炭素原子を有し、Ｏ、Ｓ、−Ｎ＝又はＮ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）からなる群より選択されるヘテロ原子を含有することができる、非置換又は置換炭化水素ラジカルであることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ２が、直鎖又は分岐鎖Ｃ１〜Ｃ１２アルキル；非置換又はＣ１〜Ｃ６アルキル−若しくはＣ１〜Ｃ６アルコキシ置換のＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル若しくはＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル−ＣＨ２−；Ｃ６〜Ｃ１４アリール；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール；Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキル；又はハロゲン−（フッ素−、塩素−若しくは臭素−）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル−、トリフルオロメチル−、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−、トリフルオロメトキシ−、（Ｃ６Ｈ５）３Ｓｉ−、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）３Ｓｉ−若しくはsec−アミノ置換のＣ６〜Ｃ１４アリール、Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール、Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル若しくはＣ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキルからなる群より選択されるラジカルであり、ここでヘテロアリール及びヘテロアラルキルが、Ｏ、Ｓ及び−Ｎ＝からなる群より選択されるヘテロ原子を含有することを特徴とする、請求項３記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ２が、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、Ｃ７〜Ｃ８ビシクロアルキル、ｏ−フリル、フェニル、ナフチル、２−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、３−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、４−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４、２−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、３−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４、２−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、３−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、４−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４、３，５−ビス（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ３、３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２Ｃ６Ｈ３、３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）２Ｃ６Ｈ３及び３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２−４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ２であることを特徴とする、請求項３記載の化合物。
【請求項６】
基Ｙが、式：−ＨＣ＊Ｒ５Ｒ６（式中、＊は不斉原子を示す）に対応し、ここで、Ｒ５が、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、Ｃ７〜Ｃ１２アラルキル又はＣ７〜Ｃ１２アルカリルであり、Ｒ６が、−ＯＲ７又は−ＮＲ８Ｒ９であり、Ｒ７が、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、フェニル又はベンジルであり、そしてＲ８及びＲ９が、同一又は異なっており、それぞれ、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル、フェニル又はベンジルであるか、或いはＲ８及びＲ９が、Ｎ原子と一緒になって、５員〜８員環を形成することを特徴とする、請求項１記載の化合物。
【請求項７】
Ｙが、不斉α炭素原子のないラジカルであり、下記式：
【化２】
〔式中、Ｒ１１は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２ＮＣＨ２−、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）２ＮＣＨ２ＣＨ２−、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシメチル又はＣ１〜Ｃ４アルコキシエチルである〕
のうちの１つに対応することを特徴とする、請求項１記載の化合物。
【請求項８】
Ｙが、−ＣＨＲ５−ＮＲ８Ｒ９基であり、ここで、Ｒ５が、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ５〜Ｃ６シクロアルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ４アルキルフェニル又はＣ１〜Ｃ４アルキルベンジルであり、そしてＲ８及びＲ９が、同一であって、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキルであることを特徴とする、請求項６記載の化合物。
【請求項９】
Ｙが、１−ジメチルアミノエタ−１−イル又は（ジメチルアミノ）フェニル−ＣＨ−であることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
【請求項１０】
Ｐ結合（Ｐ（ＩＩＩ）置換基Ｐｈｏｓが第二級ホスフィノ基であることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
【請求項１１】
第二級ホスフィノ基が、直鎖又は分岐鎖Ｃ１〜Ｃ１２アルキル；非置換又はＣ１〜Ｃ６アルキル−若しくはＣ１〜Ｃ６アルコキシ置換のＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル若しくはＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル−ＣＨ２−；Ｃ６〜Ｃ１４アリール；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール；Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル；Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキル；又はハロゲン−（フッ素−、塩素−若しくは臭素−）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル−、トリフルオロメチ−、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−、トリフルオロメトキシ−、（Ｃ６Ｈ５）３Ｓｉ−、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）３Ｓｉ−若しくはsec−アミノ置換のＣ６〜Ｃ１４アリール、Ｃ４〜Ｃ１２ヘテロアリール、Ｃ７〜Ｃ１４アラルキル若しくはＣ４〜Ｃ１２ヘテロアラルキルを含有し、ヘテロアリール及びヘテロアラルキルが、Ｏ、Ｓ及び−Ｎ＝からなる群より選択されるヘテロ原子を含有することを特徴とする、請求項１０記載の化合物。
【請求項１２】
第二級ホスフィノ基が、−Ｐ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２、−Ｐ（Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル）２、−Ｐ（Ｃ７〜Ｃ１２ビシクロアルキル）２、−Ｐ（ｏ−フリル）２、−Ｐ（Ｃ６Ｈ５）２、−Ｐ（１−ナフチル）２、−Ｐ〔２−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔２−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔２−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔４−（トリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ４〕２、−Ｐ〔３，５−ビストリフルオロメチル）Ｃ６Ｈ３〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２Ｃ６Ｈ３〕２、−Ｐ〔３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）2Ｃ６Ｈ３〕2若しくは−Ｐ〔３，５−ビス（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）２−４−（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）Ｃ６Ｈ２〕２であるか、又は下記：
【化３】
からなる群より選択される環状ホスフィノラジカルであり、これらは、非置換であるか、又はＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ２アルキル、フェニル、ベンジル、ベンジルオキシ若しくはＣ１〜Ｃ４アルキリデンジオキシルで１回以上置換されていることを特徴とする、請求項１０記載の化合物。
【請求項１３】
式Ｉの化合物を製造する方法であって、
ａ）１，１′−ジハロフェロセンのメタレーションにより１−メタロ−１′−ハロフェロセンを得て、続けて式：Ｒ２−Ｐ（Ｈａｌ）２〔式中、Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕の化合物との反応により式ＶＩ：
【化４】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２及びｎは、請求項１で定義されたとおりである〕で示される化合物を形成する工程、
ｂ）式ＶＩの化合物と、式ＶＩＩ：
【化５】
〔式中、Ｙ、Ｃｐ、Ｒ１及びｍは、請求項１で定義されたとおりであり、そしてＭは、Ｌｉ又はＭｇＨａｌであり、ここでＨａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕で示される化合物との反応により、式ＶＩＩＩ：
【化６】
で示される化合物を形成する工程、及び
ｃ）式ＶＩＩの化合物と、アルキルリチウムとの反応、次に式：Ｐｈｏｓ−Ｈａｌ〔式中、Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕のハロホスフィンとの反応により、式Ｉの化合物を得る工程
を含む方法。
【請求項１４】
得られた式ＶＩＩＩの化合物を、方法の工程ｃ）の前に熱処理によって実質的に純粋なジアステレオマーに変換することを特徴とする、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
式ＶＩＩＩ：
【化７】
〔式中、
ラジカルＲ１は、同一又は異なっており、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキルであり；
ｍは、０又は１〜３の整数であり；
ｎは、０又は１〜４の整数であり；
Ｒ２は、炭化水素ラジカル又はＣ結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり；
Ｃｐは、非置換又はＣ１〜Ｃ４アルキル置換シクロペンタジエニルであり；
Ｙは、メタレーション試薬の金属をオルト位置へ向かわせる、Ｃ結合キラル基であり；そして
Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕
で示される、鏡像異性的に純粋なジアステレオマーの形態又はジアステレオマーの混合物の形態の化合物。
【請求項１６】
式Ｉの化合物を製造する方法であって、
ａ）１，１′−ジハロフェロセンのメタレーションにより１−メタロ−１′−ハロフェロセンを形成して、続けて式：Ｐｈｏｓ−Ｈａｌ〔ここで、ハロ及びＨａｌは、それぞれ塩素、臭素又はヨウ素である〕の化合物との反応により式ＩＸ：
【化８】
〔式中、Ｒ１、Ｐｈｏｓ及びｎは、請求項１で定義されたとおりであり、そしてＨａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕で示される化合物を形成する工程、
ｂ）式ＩＸの化合物のメタレーション、続く式：Ｒ２−Ｐ（Ｈａｌ）２の化合物との反応により、式Ｘ：
【化９】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｐｈｏｓ及びｎは、請求項１で定義されたとおりであり、そしてＨａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕で示される化合物を形成する工程、及び
ｃ）式Ｘの化合物と、式ＶＩＩ：
【化１０】
〔式中、Ｙ、Ｃｐ、Ｒ１及びｍは、請求項１で定義されたとおりであり、そしてＭは、Ｌｉ又はＭｇＨａｌであり、ここでＨａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕で示される化合物との反応により、式Ｉの化合物を得る工程
を含む方法。
【請求項１７】
方法の工程ｃ）に記載されたようにして得られた式Ｉの化合物を、熱処理によって実質的に純粋なジアステレオマーに変換することを特徴とする、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
式Ｘａ：
【化１１】
〔式中、
ラジカルＲ１は、同一又は異なっており、それぞれＣ１〜Ｃ４アルキルであり；
ｎは、０又は１〜４の整数であり；
Ｒ２は、炭化水素ラジカル又はＣ結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり；
Ｒ２２は、Ｐｈｏｓ又はＨａｌ基であり；
Ｐｈｏｓは、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基であり；そして
Ｈａｌは、塩素、臭素又はヨウ素である〕
で示される化合物。
【請求項１９】
遷移金属の群から選択される金属と、リガンドとして式Ｉの化合物のうちの１つとの錯体。
【請求項２０】
遷移金属が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ及びＰｔであることを特徴とする、請求項１９記載の金属錯体。
【請求項２１】
式ＸＩ及びＸＩＩ：
【化１２】
〔式中、Ａ１は、式Ｉの化合物のうちの１つであり、
Ｌは、同一若しくは異なっている単座のアニオン性若しくは非イオン性リガンドを表すか、又はＬは、同一若しくは異なっている二座のアニオン性若しくは非イオン性リガンドを表し；
ｒは、Ｌが単座リガンドである場合、２、３若しくは４であるか、又はＬが二座リガンドである場合、１若しくは２であり；
ｚは、１、２又は３であり；
Ｍｅは、Ｒｈ、Ｉｒ及びＲｕからなる群より選択される金属であり、ここで金属は０、１、２、３又は４の酸化状態を有し；
Ｅ−は、オキソ酸又は錯体酸のアニオンであり、そして
アニオンリガンドは、酸化状態１、２、３又は４の金属の電荷を平衡にする〕
に対応することを特徴とする、請求項１９記載の金属錯体。
【請求項２２】
触媒の存在下で、プロキラル有機化合物内の炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合に水素を不斉付加することにより、キラル有機化合物を製造する方法であって、付加反応が、請求項１９記載の少なくとも１つの金属錯体の触媒量の存在下で実施されることを特徴とする方法。
【請求項２３】
プロキラル有機化合物が、下記式：
【化１３】
で示される不飽和カルボン酸又はその塩、エステル若しくはアミドであり、ここで、Ｒ０１が、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、非置換Ｃ３〜８シクロアルキル、又は１〜４つのＣ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルコキシラジカルで置換されているＣ３〜Ｃ８シクロアルキルか、又は非置換Ｃ６〜Ｃ１０アリール若しくはＣ４〜Ｃ１０ヘテロアリール、又は１〜４つのＣ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルコキシラジカルで置換されているＣ６〜Ｃ１０アリール若しくはＣ４〜Ｃ１０ヘテロアリールであり、そしてＲ０２が、直鎖若しくは分岐鎖Ｃ１〜Ｃ６アルキル、非置換シクロペンチル、シクロヘキシル若しくはフェニル、又は１〜４つのＣ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルコキシラジカルで置換されているシクロペンチル、シクロヘキシル、フェニルか、又は保護アミノであることを特徴とする、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
不飽和カルボン酸が、式ＸＶ：
【化１４】
〔式中、
Ｒ０３及びＲ０４は、それぞれ、互いに独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６アルキル又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６アルキルオキシであり、そしてＲ０５は、Ｃ１〜Ｃ６アルキルである〕に対応し、式Ｉのリガンドを有するロジウム錯体の触媒としての存在下、水素により水素化されて、式ＸＶＩ：
【化１５】
で示される化合物を得ることを特徴とする、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
Ｒ０３がメトキシプロピルオキシであり、Ｒ０４がメトキシであり、そしてＲ０５がイソプロピルである、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
キラル有機化合物の製造における、好ましくはプロキラル有機化合物内の炭素−炭素又は炭素−ヘテロ原子二重結合に水素を不斉付加するキラル有機化合物の製造における、請求項１９記載の金属錯体の均一触媒としての使用。
【公表番号】特表２００９−５３３３９０（Ｐ２００９−５３３３９０Ａ）
【公表日】平成２１年９月１７日（２００９．９．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５０４７３９（Ｐ２００９−５０４７３９）
【出願日】平成１９年４月１１日（２００７．４．１１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００７／０５３５２０
【国際公開番号】ＷＯ２００７／１１６０８１
【国際公開日】平成１９年１０月１８日（２００７．１０．１８）
【出願人】（５９９１６３１５９）ソルヴィーアス アクチェンゲゼルシャフト (22)
【氏名又は名称原語表記】Ｓｏｌｖｉａｓ ＡＧ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２１年９月１７日（２００９．９．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年４月１１日（２００７．４．１１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００７／０５３５２０
【国際公開番号】ＷＯ２００７／１１６０８１
【国際公開日】平成１９年１０月１８日（２００７．１０．１８）
【出願人】（５９９１６３１５９）ソルヴィーアス アクチェンゲゼルシャフト (22)
【氏名又は名称原語表記】Ｓｏｌｖｉａｓ ＡＧ
【Ｆターム（参考）】
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