特徴部を評価する方法であって、前記特徴部の画像を受け取るステップと、前記画像において前記特徴部のエッジ上で、複数の突端の、それぞれの座標を決定するステップからなる前記方法。非円の非線状形状を有する図形は、複数の突端に適合され、その複数の突端と図研との間の、それぞれの距離が決定される。特徴部のための粗さパラメータは、それぞれの距離に応じて計算される。上記方法は、電子走査型顕微鏡（ＳＥＭ）により結像されるように、集積回路の限界寸法（CD）の分析において、更に、特に、これらの特徴部と構成要素の測定において応用を見出す。
（もっと読む）

本発明は、方法および測定システムを提供する。当該方法は：測定画像情報を含む測定モデルを提供するステップと；上記測定画像情報を利用することにより測定領域を突き止めるステップと；測定結果情報を提供する為に少なくとも一つの測定を実施するステップと；を含む。
（もっと読む）

本発明は、半導体ウエハなどの基板の表面に形成された薄膜の厚みなどを測定する測定装置に関するものである。本発明の測定装置は、物質にマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段（４０）と、マイクロ波照射手段（４０）にマイクロ波を供給するマイクロ波源（４５）と、物質から反射した、又は物質を透過したマイクロ波の振幅又は位相を検出する検出手段（４７）と、検出手段（４７）により検出されたマイクロ波の振幅又は位相に基づいて物質の構造を解析する解析手段（４８）とを備える。
（もっと読む）