【課題】高スループットでしかも高い信頼性で試料資料の検査、評価が可能な検査方法、検査装置の提供。
【解決手段】電子線装置は、荷電粒子線を発生する荷電粒子線発生手段７１と、前記一次荷電粒子線を複数本走査させて前記基板に照射する一次光学系７２と、前記荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線が投入される二次光学系７４と、前記二次光学系に投入された二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換する検出器を有する検出系７６と、前記電気信号に基づいて基板の評価を行う処理制御系７７と、を備え、前記パターン形成面を複数の領域に分割して、領域毎にパターンを形成することにより全体のパターン形成が行われるパターン形成面の評価において、上記分割した領域のつなぎの領域を選択して上記評価を行う。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡の撮像画像の画質を向上させる。
【解決手段】１次電子ビーム１０８を試料ウェハ１０６に照射する電子源１０１、加速電極１０２、集束レンズ１０３、偏向器１０４、対物レンズ１０５等と、試料ウェハ１０６から発生する放出電子信号１０９をサンプリングしてデジタル画像を取得する検出器１１０、デジタル化手段１１１等と、取得した前記デジタル画像の記憶、表示もしくは処理を行う画像メモリ１１６、入出力部１１８、画像生成部１１５、画像処理部１１４等とを備えた走査型電子顕微鏡に、前記記憶、表示もしくは処理されるデジタル画像の画素サイズよりも細かい間隔で放出電子信号１０９をサンプリングするサンプリング手段と、サンプリングされた放出電子信号１０９を元に画素サイズを大きくしてデジタル画像を生成する画像生成処理手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】従来困難とされていた凹凸の大きく激しい表面構造や試料内部に埋設された特定構造物と、この特定構造物とは深さの異なる深さに埋設された構造物との距離を測定し得るようにする。
【解決手段】試料２の内部に埋設された特定構造物としての配線パターンに到達し、特定構造物で反射して試料表面から脱出するに足る入射エネルギーで配線パターンを含む領域に荷電粒子としての電子ビームを照射して走査する。特定構造物で反射した反射ビームと試料表面から脱出する際に試料表面で放出させる二次電子ビームを検出し、特定構造物と、その特定構造物の埋設深さとは異なる深さに埋設された構造物との距離を測長する。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームの照射により生じる基板電流を検出する技術をさらに改善し、コンタクトホールの詳細な形状や半導体デバイスの内部状態を非破壊で検査する。
【解決手段】 平行電子ビーム２を試料５に照射して試料５に流れる電流を電流計９により測定する。電子ビーム２の加速電圧を変えて測定を繰り返し、データ処理装置１０において、加速電圧の違いによる試料５への電子ビーム２の透過率の違いに基づく電流値の違いから、試料５の深さ方向の構造に関する情報を求める。 （もっと読む）

【課題】
測長ＳＥＭは、高真空に保たれた試料室にウェーハを搬入して半導体デバイスの線幅や穴径を測長する装置であり、測長ＳＥＭを使用して、真空中の装置状態を容易に把握する。他の真空装置についても適用できるようにする。
【解決手段】
真空中の駆動系の状態、真空バルブ、真空状態や電子光学系の状態を画面化したことにより真空中の装置状態の把握を可能とした。また、各種センサのＯＮ／ＯＦＦタイミング、Ｏｐｅｎ／Ｃｌｏｓｅタイミングおよび真空の状態をタイミングチャート化し時間計測や、リファレンスデータとの比較を可能とした。
この機能を有することにより、装置保守点検や装置修理時に的確な判断を行う
。 （もっと読む）

【課題】 スペクトルの半値幅を用いずに，スペクトルの面積に基づいて被解析層の厚さを解析することにより，解析処理の迅速化，解析処理にかかる時間の短縮化，解析精度の向上を図ること。
【解決手段】 単層或いは複数層からなる試料にイオンビームが照射されることによって上記試料で散乱した散乱粒子のエネルギースペクトルに基づいて，上記試料の深さ方向の組成分布の解析を行うよう構成されており，被解析層に相当するエネルギースペクトルが単独で出現するときの散乱角度（特定散乱角度）へ散乱した散乱粒子のエネルギーを実測し，この実測により得られた実測エネルギースペクトルに単独で出現する上記被解析層の単独エネルギースペクトルを抽出し，そして抽出された上記単独エネルギースペクトルの波形で囲まれたスペクトル面積に基づいて上記被解析層の厚さを算出する。 （もっと読む）

検出されたウェハ欠陥座標値をＣＡＤデータを用いてレチクル座標値に変換する為のシステムと方法が記載される。ウェハ検査画像が得られ、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値が測定される。その後、前記ウェハ検査画像は、所定の画像フォーマットに変換される。試験中のデバイスのＣＡＤデータは、その後第２の画像作成の為に用いられが、その際も前記の所定の画像フォーマットによる。前記ＣＡＤ由来の画像と前記ウェハ由来の画像は、その後整合され、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値は、ＣＡＤ座標値に変換される。その後前記ＣＡＤ座標値は、前記検出されたウェハ欠陥に相当するレチクル欠陥の位置を特定するために、前記ウェハに代わって前記レチクルを介して進路を指示するように使用される。
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精度及び正確度に基づいて全体の測定不確実性（ＴＭＵ）を求めることによって、測定装置を評価し、最適化する方法及び関連したプログラムである。ＴＭＵは、線形回帰分析に基づいて、正味残余誤差から基準測定システムの不確実性（Ｕ_ＲＭＳ）を除去することによって計算される。ＴＭＵは、被試験測定システムが製品の実際のばらつきを検出する能力を有するかどうかについて客観的かつより正確に表示する。
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【課題】走査型顕微鏡を用いた半導体装置検査工程においてパターンのラインエッジ形状を高精度で広範囲に渡って抽出するための各種パラメータを簡便に最適化する。
【解決手段】走査型顕微鏡の制御系ないし隣接する端末から画像処理工程で必要になる各種パラメータのうち操作者に理解しやすいものを入力すると、残りのパラメータが自動的に最適化されるようにする。必要な走査線の本数が装置側の可能な値を超えた場合は複数の画像データに分けて走査し取得した画像を重ね合わせて1枚の画像とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、ウエハ上面からの観察のみで入射電子線に対して影になる部分やウエハ内に埋設された構造の検査および定量評価を行い、三次元構造の表示を行なう検査装置および方法を提供する。
【解決手段】ウエハ表面の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分に到達し得るエネルギーを有する電子ビームを照射して、二次的に発生する信号による走査像を取得し(40)、パターンの立体モデルを生成する工程(41)と、得られた二次信号からパターンのエッジの位置情報を検出する工程(44)と信号強度を検出する工程(45)と、検出した情報から被検査パターンの特徴量を算出する工程(46)と、算出したパターンの特徴量から立体構造を構築し、パターンの三次元構造を表示する(47)工程により三次元構造を評価する。 （もっと読む）

【課題】 表面層を備えたサンプルの検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】 その検査方法はＸ線の平行光線でサンプル２２を照射中に、サンプル２２の第１の反射率スペクトルを取得し、サンプル２２の散漫反射特性を測定するために第１の反射率スペクトルを処理する。Ｘ線の収束光線でサンプル２２を照射中に、サンプル２２の第２の反射率スペクトルが取得される。サンプル２２の表面層の特性を求めるために散漫反射特性を使用して、第２の反射率スペクトルが解析される。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線応用装置及び測長装置などにおける所要の倍率範囲における倍率誤差を小さくする。
【解決手段】試料に対する倍率を実測した第１の画像を記録し、試料に対する倍率が未知の第２画像を記録し、画像解析を用いて第１の画像に対する第２の画像の倍率を解析することによって、試料に対する第２の画像の倍率を実測する。以後、第２の画像を第１の画像として上記倍率解析を繰り返す事により、全倍率範囲において倍率を実測する。全倍率範囲で試料に対する画像の倍率を実測して校正することにより、倍率誤差を一桁小さくすることができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。ある実施の形態において、それは半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥をキャラクタライズする方法を提供する。その方法は以下のようなアクションからなる。半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。
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【課題】微細ラインパターン上のエッジラフネスのうち、デバイスの作成上あるいは材料やプロセスの解析上特に評価が必要となる空間周波数の成分を抽出し、指標で表す。
【解決手段】エッジラフネスのデータは十分長い領域に渡って取得し、パワースペクトル上で操作者が設定した空間周波数領域に対応する成分を積算し、測長SEM上で表示する。または、十分長い領域のエッジラフネスデータを分割し、統計処理と理論計算によるフィッティングを行って、任意の検査領域に対応する長周期ラフネスと短周期ラフネスを算出し測長SEM上で表示する。 （もっと読む）

パターンを走査する為の装置および方法。方法は、（ｉ）第１走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、（ｉｉ）第２走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、を含む。ビームとの相互作用の結果、パターンは、その特性の一つを変える。第１走査路と第２走査路間の距離は、荷電粒子径より大きくてもよい。第１走査路と第２走査路の各々は、複数の連続したサンプルを含み、第１走査路と第２走査路との間の距離は、隣接したサンプル間の距離より大きくてもよい。走査路の位置は、測定間、特に、測定セッション間で変更してもよい。荷電粒子ビームの横断面は、楕円面でもよい。
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【課題】フォトマスク又はウェハのパターンを電子顕微鏡（ＳＥＭ）から撮像し、得られたパターン画像を計測する方法において、そのパターン画像特有のチャージアップやフォーカスのボケによるパターン計測の信頼性の低下を防ぎ、パターン計測結果の信頼性を高めることを目的とする。
【解決手段】計測対象のパターンのＳＥＭ画像を取得し、計測するパターンを輪郭線を抽出処理し、該輪郭線の各点の近傍領域の濃度値から判別分析処理を行い判別分析処理によって算出したη値を統計解析処理し、画質の定量化し、信頼度の判定処理することにより、前記パターン計測の結果の信頼度を向上させるが可能となるパターン画像計測方法。 （もっと読む）

【課題】 回転ステージの回転振れを測定するため、ＳＥＭ等で拡大観察可能な測定円の描画を好適に行って回転同期振れＲＲＯの測定を高精度に行い、描画補償により描画真円度を高める。
【解決手段】 回転ステージ41に載置した基板11に偏向制御したビームEBを照射して所定パターンの露光を行う露光装置40において、回転ステージ41を回転させつつ基板11上の回転中心付近にビームEBを照射し、基板11上に全体がＳＥＭ等で拡大観察可能な小径の測定円５を描画し、該測定円５の計測より回転同期振れＲＲＯを測定し、実描画に反映する。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭの２次電子画像信号量の傾斜角依存性を利用して平坦な面や垂直に近い面についても高精度な立体形状計測を可能にしたＳＥＭによる立体形状計測方法およびその装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、被計測対象パターンにおいて傾斜角変化に対して感度が低い領域（平坦部領域）ａ、ｃ１については、チルト像取得部１５２１で観察方向φ（２）からチルト像（チルト２次電子画像）Ｉ（２）を取得し、形状計測部１５２３，１５２４で取得されるチルト像を用いて勾配（表面傾斜角）を推定し、該推定された勾配推定値（表面傾斜角推定値）を積分することによって立体形状Ｓ２ａ、Ｓ２ｃの計測を行うことで、高精度な３次元プロファイル（立体形状）の計測を可能にすることにある。 （もっと読む）

【課題】 同一寸法校正パターンへの位置決めを可能にする。
【解決手段】 不連続な格子状の寸法校正パターン26とその近傍に特定の位置決め用アライメントパターンを形成する。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェハ（１００）上に堆積または形成された膜（１０４）の光学特性を測定するためのシステム（２０１）および方法を提供する。膜の試験領域（２０６）内にあって、互いに重なり合わない複数の位置（２１６）において、上記膜の化学線照射量よりも低い放射線照射量で光学特性を測定する。この結果、上記測定によって上記膜内に化学変化が引き起こされることはない。従来技術による方法に対して上記測定を較正して、その結果を調整係数または較正係数によって調節してもよい。
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