【課題】撮像ポイントに対応する撮像領域間が重なった場合、評価ポイントについて撮像される画像の品質が低下する。
【解決手段】荷電粒子線装置における撮像範囲間の重なりの有無を、コンピュータによる演算処理を通じて判定する。この際、重なりの有無の判定は、判定対象に対応する撮像範囲を構成する４つの頂角のうち隣り合う関係にある４組の２つの頂角と、他の１つの撮像範囲を構成する４つの頂角のうちの１つの頂角とによって形成される４つの三角形の面積の総和が、判定対象に対応する撮像範囲の面積と一致する否かによって実行する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、走査電子顕微鏡等の寸法測定装置を用いて、半導体デバイスのパターンのラフネスを評価する際に要する相関距離や分散といったようなパラメータを、正確に決定することが可能な寸法解析プログラム、寸法計測装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、構造物の寸法を所定の方向に沿って複数回測定した結果を元に得られたスペクトルと同測定条件の下で計算により求めたスペクトルとが合致するように寸法の標準偏差もしくは分散もしくは相関距離もしくは基本となるスペクトルからの変形を特徴付ける変数の内の少なくとも一つに対して適切な値を選択することによりその値を決定するプログラム、及び寸法測定装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置には、評価対象である試料の外周縁部の近傍において、等電位分布の対称性が乱れて荷電粒子線が偏向する不具合がある。
【解決手段】静電吸着式の試料保持機構の内部に設置される電極板を、同心円状に配置される内側の電極板と外側の電極板との２つで構成する。外側の電極板の外径は、試料の外径よりも大きい値に形成する。更に、外側の電極板と試料との重なり面積と、内側の電極板の面積とが概略等しい大きさになるように形成する。そして、内側の電極板には、基準電圧に対して正極性の任意の電圧を印加し、外側の電極板には基準電圧に対して負極性の任意の電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】回路動作上要求される仕上がり精度検証のため、電気特性をもつデバイスを包含するＦＯＶ（即ち、評価ポイント（ＥＰ））の配置すべき位置を容易に決定する。
【解決手段】ＣＡＤデータが有しているデバイス形状情報（回路設計データとレイアウト設計データを含む）から、電気特性測定に必要な構成領域を全てＦＯＶ内に収まるように、デバイス形状に沿ってＦＯＶを重ならないように配置するための画像取得条件を決定する。なお、デバイスの配線部分については、配線部分の形状によっては複数の基本構成図形の組み合わせで表わされるので、各構成図形に対してＦＯＶを配置する処理が実行される。セル部分については、セル外形枠と頂点を基準にＦＯＶが配置される。その際、何れかの頂点がＦＯＶ配置処理の開始点となり、別の頂点が同処理の終点となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動等に依らず、高いマッチング精度を安定して確保することが可能なテンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、予め記憶されたテンプレートと、顕微鏡によって取得された画像を比較することによって、所望の位置を特定するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置において、テンプレートマッチングによって、特定された個所の画像を複数取得し、当該複数画像を加算平均することによって、新たなテンプレートを作成するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の露光工程を有する製造プロセスにて形成されたギャップの種類の特定を、高いスループットにて実現することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子ビームの走査に基づいて検出される信号から、複数のパターンが配列されたパターンの一端側に関する特徴量と、当該パターンの他端側に関する特徴量を抽出し、当該２つの特徴量の比較に基づいて、前記複数のパターン間のスペースの種類を判定するパターン測定装置、及びコンピュータープログラムを提案する。 （もっと読む）

【課題】基板のトポグラフィカルフィーチャの測定において有用な方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いてガスが活性化される基板のコーティング方法が開示される。コーティングされた基板は次に、レジストフィーチャを断面方向で明らかにするために、イオンビームを用いてスライスされる。レジストのそれらのフィーチャは、走査電子顕微鏡を用いて測定され、基板のスライスを取って新たな断面を明らかにするために、焦点合わせされたイオンビームが用いられる。この新たな断面は次に、走査電子顕微鏡を用いて測定され、このようにしてフィーチャの３次元マップが作られ得る。 （もっと読む）

【課題】 膜の評価方法及び強誘電体メモリの製造方法に関し、表面に凹凸の多い薄膜の膜厚等をＸ線反射率法により精度良く測定する。
【解決手段】 膜を構成する結晶粒の平均粒径が２００ｎｍ以上、或いは、平均粒径が２００ｎｍ以上の結晶粒同士の一部が融合した融合結晶粒を含む被膜を被測定膜の表面に成膜する工程と、前記被膜及び前記被測定膜にＸ線を照射する工程と、前記被膜及び前記被測定膜から反射したＸ線の強度を測定してＸ線反射率法によって前記被測定膜の少なくとも膜厚を測定する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの高さ（深さ）測定を実現することが可能な試料高さ測定方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料上の第１の部分の高さと、第２の部分の高さの差違に関する情報と、前記第２の部分の輝度に関する情報を関連付けて記憶媒体に記憶させ、前記試料に荷電粒子線を走査したときに検出される荷電粒子に基づいて、前記第２の部分の輝度に関する情報を検出し、当該検出された輝度に関する情報と、前記記憶媒体に記憶された情報に基づいて、前記試料上の第１の部分と第２の部分との差違を求める方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトよって生じるビーム径の増大が引き起こす計測再現性の低下を防止し，機差の発生に対処する機能を有する荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】試料上に収束した一次荷電粒子線を走査して，試料から放出される二次荷電粒子を検出して得られるラインプロファイルを用いて試料上のパターン寸法を計測する荷電粒子線装置において，予めイメージシフト位置とビーム径変化を関連づけるルックアップテーブルを実測あるいは計算により求めて登録しておき，寸法計測時には，ルックアップテーブルを参照してラインプロファイルに対してビーム径変化分を補償するような画像処理を施すことで，イメージシフト位置によらず，実効的にビーム径が等しい状況を作り出す。これによって再現性の優れた荷電粒子線測定を行うことが出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単にビーム走査範囲単位での照射量のコントロールだけでは、抑制することが困難な寸法値変動要因に依らず、高精度な寸法測定を行うことを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、以下に、ビームによるコンタミネーションの付着によって生じる正の堆積と、試料除去によって生ずる負の堆積が相殺される走査範囲内の位置を測定部位として選択、或いは走査領域内において、寸法変動の影響がない、或いは少ない部分を測定部位として選択する方法、及び装置を提案する。当該方法及び装置によれば、走査領域面内で、寸法測定を行うに当たり適正な位置を選択することが可能となる。上記構成によれば、ビーム照射によって生じる寸法値変動要因に依らず、高精度な寸法測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハが大型化した場合における、検査装置における（１）ステージの加速・減速制御の複雑化、（２）スループット低下、（３）ステージ反転動作時のステージ支持台の振動増大（分解能劣化）等の問題を解決する。
【解決手段】ウェハ６を回転させ、回転するウェハ６に対して走査型電子顕微鏡１から電子ビームを照射し、ウェハ６から放出される２次電子９を検出する。検出された２次電子９は画像処理部において、ＡＤ変換１６され、画像データ並べ替部１７において並べかえられ、画像演算１８されて表示される。これによってステージ４をＸ方向、Ｙ方向に大きく移動することなく、ウェハ６の全ダイの画像情報を取得することが出来る。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線の偏向量を抑えて観察像の像質を向上させることができる荷電粒子線装置及びその観察位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】ベース４０上を水平移動可能な粗動機構と、粗動機構上を水平移動可能な微動機構と、微動機構上に設けたトップテーブル４３と、ビーム偏向量に対して観察像の要求画質に応じて設定された許容範囲を記憶した記憶部７３Ｂと、撮像対象が観察領域に入るように粗動機構を制御する粗動機構制御部７２Ａと、撮像対象を含む低倍率の観察像の中心と撮像対象との座標ずれ量を算出するずれ量算出部７３Ｄと、座標ずれ量が許容範囲内か否かを判断する判断部７３Ｅと、座標ずれ量が小さくなるように微動機構を制御する微動機構制御部７２Ｂと、座標ずれ量が許容範囲内の場合に座標ずれ量だけビーム偏向量を補正する偏向補正制御部７０Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】より短時間で欠陥を撮像できる欠陥観察装置および欠陥観察方法を得ること。
【解決手段】この欠陥観察方法は、観察対象物の欠陥および基準マークの位置座標を取得するステップと、欠陥を検出して、この検出された欠陥位置に応じて位置座標を補正する第１の方法で欠陥を撮像するのに必要な第１の時間を算出するステップと、基準マークを検出して、この検出された基準マーク位置に応じて位置座標を補正する第２の方法で欠陥を撮像するのに必要な第２の時間を算出するステップと、第１、第２の時間を比較するステップと、比較結果に応じて、第１または第２の方法で位置座標を補正して欠陥を撮像するステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、荷電粒子線照射による帯電の影響を回避しつつ、視野ずれの抑制を実現するのに好適な試料像形成方法，荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために本発明では、試料上に荷電粒子線を走査し、試料から放出された二次信号に基づいて画像を形成する試料像形成方法において、複数回の走査で得られる複数の画像を合成して合成画像を複数形成し、当該複数の合成画像間の位置ずれを補正して画像を合成し、更なる合成画像を形成することを特徴とする試料像形成方法、及びこの方法を実現するための荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を電子顕微鏡等で詳細に観察する装置において、観察対象の欠陥を確実に電子顕微鏡等の視野内に入れることができ、かつ装置規模を小さくできる装置を提供する。
【解決手段】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡5において、欠陥を再検出する光学顕微鏡14を搭載し、この光学顕微鏡14で暗視野観察する際に瞳面に分布偏光素子及び空間フィルタを挿入する構成とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、ダブルパターニングによって形成される第１パターンと第２パターン間のずれ、重なり領域の評価を適正に行い得る方法，装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、第１パターンに関する情報と、ダブルパターニングの第２の露光によって形成される第２パターンの設計情報とを結合した結合情報と、第１パターンと第２パターンが表示された画像との間で、２段階のマッチングを行い、第２のパターンの設計情報の移動量に基づいて、第１パターンと第２パターンとの間のずれ量を求める方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料表面の粒子の蛍光Ｘ線スペクトルに基づいて粒子径を測定する粒子径測定装置、粒子径測定方法及びコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】Ｘ線源１３からウェハ３表面にＸ線ビームが照射され、ウェハ３表面が走査されてウェハ３表面の各粒子の蛍光Ｘ線スペクトルが測定される。測定された蛍光Ｘ線スペクトル及び標準スペクトルデータベース２８１に格納されている標準スペクトルデータに基づいて粒子に含まれる元素が同定される。測定された蛍光Ｘ線スペクトルから、同定元素の蛍光Ｘ線スペクトルが抽出され、面積分強度が算出される。検量線データベース２８２から同定元素に対応する検量線を読み出して面積分強度と対応する粒子径が特定される。 （もっと読む）

【課題】微細な半導体パターンに対する広視野な撮像領域（ＥＰ）において、コンタミネーション、画像の撮像ずれや歪みに対してロバストなパノラマ画像合成を実現できるようにした走査荷電粒子顕微鏡を用いたパノラマ画像合成技術を提供することにある。
【解決手段】走査荷電粒子顕微鏡を用いた広視野な撮像領域（ＥＰ）におけるパノラマ画像合成技術において、各調整ポイントの配置並びに各局所撮像領域（及び各調整ポイントの撮像順からなる撮像シーケンスを最適化して撮像レシピとして作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検査装置による検査対象物の検査に先立って行う像の明るさと検査対象物の厚さとの関係の評価や空間分解能の評価を、従来に比して容易化すると同時に誤差を少なくすることのできるチャートを提供する。
【解決手段】検査対象物の表面もしくは内部に、当該検査対象物と同じ材質で、Ｘ線検査装置の調整もしくは解像度の評価を行うためのパターン３１，３２を一体に形成することにより、調整・評価のためのチャートと検査対象物とのテーブル等の上への載せ変え等を不要とし、検査対象物と同じ材質によるチャートにより検査装置の調整・評価を行うが故に、例えば明るさと厚さの関係において用いる係数の変換が不要となり、変換に伴う誤差を抑制することができ、更に、チャートの観察時に設定したＸ線条件をそのまま検査対象物のＸ線条件として採用することを可能とする。 （もっと読む）