【課題】設計データと実際のパターン間の位置あわせするための確たる基準がなく、設計データが示す理想パターンに対し、測定対象パターンがどの程度ずれて形成されているのか等、何らかの基準に基づいて、測定することができなかった。
【解決手段】上述のような問題を解決するため、測定個所から離間した位置に形成され、走査電子顕微鏡等によって得られる画像上の基準パターンの位置情報と、設計データに基づいて検出される基準パターンと測定個所の位置関係の情報に基づいて、走査電子顕微鏡等による測定個所の基準位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】欠陥箇所のフレームが特定可能な、又は保存画像の圧縮率が高い、或いはシステマティックな欠陥を抽出可能な高精度で低ダメージの走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡において、パターンの検査・測長のための合成画像を構成する個々のフレーム画像やサブフレーム画像に対してパターンの有無を判定するパターン有無判定部１０１２や倍率補正部１０１４、歪曲補正部１０１８、画像合成部１０１５及びそれら画像を動画形式で圧縮保存する記憶部１１１１を備える。 （もっと読む）

【課題】より迅速にチップの反りを測定できる手法を提供する。
【解決手段】単結晶基板の反り測定方法であって、角度広がりを持つＸ線を発生させる発生ステップと、前記角度広がりを持つＸ線を単結晶基板に照射する照射ステップと、前記単結晶基板からの回折Ｘ線を検出して、前記単結晶基板の反りを測定する検出・測定ステップと、を含むようにする。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】デバイス試料の傾斜ズレによる測長誤差を最小化する。
【解決手段】測長前に、試料の単結晶部分から回折パターンを取得し、取得された回折パターンに基づいて荷電粒子線に対する試料の傾斜角を補正する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動に依らず、高精度な測定，検査条件の設定を可能とする測定，検査条件設定方法、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 （もっと読む）

パターン化された構造の少なくとも１つのパラメータの測定で使用するための方法およびシステムが提供される。方法は：構造の異なる位置上の測定に対応する複数の測定された信号を含む測定されたデータと、理論的信号と測定された信号との間の関係は、構造の少なくとも１つのパラメータを示す理論的信号を示すデータとを含む入力データを提供する過程と；構造の少なくとも１つの性質を特徴付ける少なくとも１つの選択されたグローバルパラメータに基づきペナルティ関数を提供する過程と；フィッティングプロシージャの前記実行は、理論的信号と測定された信号との間の最適化された関係を決定するために前記ペナルティ関数を使用することと、構造の前記少なくとも１つのパラメータを決定するために最適化された関係を使用することとを含む、理論的信号と測定された信号との間のフィッティングプロシージャを実行する過程と；からなる。
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【目的】本発明は、測定領域検出方法および測定領域検出プログラムに関し、画像上である測定領域を指定すると当該測定領域と幅、長さが同じパターンの複数の測定領域を併せて抽出して測定し測定結果を出力することを目的とする。
【構成】ＣＡＤ画像上で測定場所を指定するステップと、内接する矩形の測定領域（指定）を検出して表示するステップと、検出した測定領域（指定）と幅あるいは長さあるいは両者が同じあるいは所定範囲内で同じ他の測定領域を抽出して測定領域（予測）を生成するステップと、被測定試料からＳＥＭ画像を取得するステップと、測定結果を取得するステップと、取得した測定結果をＳＥＭ画像上の対応する測定領域（指定）および測定領域（予測）にそれぞれ表示するステップとを有する． （もっと読む）

【課題】評価対象パターンの画像を高速で処理するとともに、コンピュータ資源の効率を向上させる。
【解決手段】ＣＤ−ＳＥＭ３００により撮像された評価対象パターンの一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎを一枚当たりＴｉの時間で取り込む画像取込装置１０と、一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎを一枚当たりＴｐの時間で処理して評価対象パターンの評価結果を出力するクラスタノードＣＮ１〜ＣＮＭと、クラスタノードＣＮ１〜ＣＮＭが接続されてこれらを制御するメインノードＭＮを備える分散コンピューティングシステム１において、時間ＴｉおよびＴｐを測定して一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎの取得時間とその処理時間とが一致するように、クラスタノードＣＮ１〜ＣＮｍ（ｍ≦Ｍ）を推定して一連の画像処理に割り当てる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークが複数のショットに跨って形成されている場合、完成形であるアライメントマークをＣＡＤデータから作成するためにはユーザ自身の手作業が求められる。
【解決手段】１つのアライメントマークが複数のショットに跨って作成される場合に、各アライメントマークに関連する複数のショットのＣＡＤデータを相互の位置関係に応じて合成し、アライメントマークの完成形を含む合成ＣＡＤデータを自動的に作成する。 （もっと読む）

【課題】従来の技術においては、設計データを用いることにより、ウェーハ上の配線等の構成物との相対関係を考慮し、欠陥の重要度の判定は可能であるが、設計データが無い場合は、判定ができなかったので、設計データが入手できない場合についても欠陥検出の実施を可能とする方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスにおいて、製造するための設計データの代わりに、実際のウェーハ上の画像を取得することにより、半導体デバイス上の構成物との相対位置を検出し、欠陥の重要度を判定することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

あるシステム及び方法が、再構築により、基板上のオブジェクトの概略構造を決定する。これは、例えば、リソグラフィ装置のクリティカルディメンション（ＣＤ）又はオーバレイ性能を評価するための微細構造のモデルベースのメトロロジーなどに適用できる。基板上のスタック上の格子などのオブジェクトの概略構造を決定するためにスキャトロメータが使用される。ウェーハ基板は上層と下地層とを有する。基板はスタックオブジェクト上の格子を含む第１のスキャトロメトリターゲット領域を有する。スタック上の格子は上層と下地層とからなる。上層は周期格子のパターンを備える。基板はさらに、上層がない、隣接する第２のスキャトロメトリターゲット領域を有する。第２の領域は、パターン形成されていない下地層のみを有する。 （もっと読む）

【課題】
計測対象パターンのＳＥＭ信号波形と，シミュレーションにて算出した断面形状と信号波形を関連づけるライブラリとのマッチングにより計測対象パターン断面形状を推定する手法において、対象パターンの近傍のパターン密度／配置の影響が考慮されるようにする。
【解決手段】
入射電子線の内部拡散長に基づいて周囲パターンの有無を考慮すべき領域のサイズを決定し，設計レイアウトデータを用いて，前記領域サイズ内のパターンの三次元情報を作成，この三次元情報を用いて，ＳＥＭ信号波形と断面形状とを関連づけるライブラリを作成する。従来，計測対象パターン近傍のパターン密度／配置の違いが断面形状計測の誤差要因となっていたが，この方法によれば，必要十分な領域範囲内でのパターン密度／配置の情報がライブラリに反映されるため，計測精度が向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実波形とライブラリとの比較に基づいて、形状を推定するに際し、適正な形状推定を行うことができるパターン形状選択方法、及び装置の提案を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、取得された波形をライブラリに参照することによって、パターンの形状を選択する方法、及び装置であって、試料に対する荷電粒子線の照射に基づいて、複数の波形取得条件にて波形情報を取得し、当該複数の波形情報を、複数のパターン形状毎に、異なる波形取得条件で取得された波形情報が記憶されたライブラリに参照することによって、前記ライブラリに記憶されたパターン形状を選択する方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】従来の荷電粒子線装置では、格子状に反復して配列された複数の素子を観察又は測定することを前提とする。このため、回転軸対称に配置されたパターンに対しては、それらが規則的に反復するパターンであったとしても、観察点又は測定点毎にテンプレートを登録する必要がある。
【解決手段】試料上に回転軸対称に配置されたパターンを、予め定めた手順に従って自動的に観察又は計測する際、テンプレート画像、観察点若しくは計測点の画像又は荷電粒子線の走査範囲である視野領域を、試料上の座標から算出した角度だけ自動的に回転させる。 （もっと読む）

【課題】
半導体パターンの広範囲の撮像領域（ＥＰ）を複数の撮像領域（ＳＥＰ）に分割し，ＳＥＰをＳＥＭを用いて撮像した画像群を画像処理により繋ぎ合せるパノラマ画像合成技術において，繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが少なくても全画像が繋がるＳＥＰを決定すること，およびそのようなＳＥＰを決定できなくてもユーザの要求項目をなるべく満たすＳＥＰを決定することである。
【解決手段】
一部のＳＥＰ間の重複領域に繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが含まれなくても全画像が繋がるケースがあることに着目し，ＳＥＰ配置の最適化により前記ケースを抽出することで全画像が繋がるＳＥＰを決定できるケースが増える。また，そのようなＳＥＰを決定できなくても，複数のＳＥＰ配置の候補とユーザの要求項目を可視化した情報を表示・ＳＥＰを選択させることでユーザの要求項目をなるべく満たすＳＥＰを容易に決定できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、観察対象である試料の伸縮の変化を抑えることにより、観察対象の位置ずれを解消し、大幅なスループット向上を図った荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】本発明は、試料を保持する試料保持手段と、前記試料の温度の調整が可能な温度調節手段と、各種条件に基づき前記温度調節手段の制御が可能な温度調整手段制御手段を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】正確かつ高速なパターンの形状評価を実現できるパターン形状評価方法および装置を提供する。
【解決手段】ダブルパターンニング用の設計パターンを用いて製造した回路パターンの接合部の画像を読み出し、その上に、目標境界線と評価領域とを設定する。評価領域において、目標境界線の方向に沿って画像処理を行ない、更に、二値化処理を行なう。こうして、得られた画像に基づいてパターンの欠陥の有無を判定する。 （もっと読む）