【課題】Ｘ線ＣＴ装置を用いることなく、Ｘ線透視を行うことにより、アルミダイキャスト部品のボイド等の欠陥をはじめとして、透視対象物内部の特異部位の３次元位置情報を正確に知ることができ、加えて３次元の概略形状を知ることのできるＸ線透視を用いた３次元観測方法と、その方法を用いたＸ線透視装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源１とＸ線検出器２の対と透視対象物Ｗとの相対位置を変化させ張ることにより、透視方向を少なくとも３方向に相違させた透視対象物Ｗの透視像を取得し、その各透視像上で特異部位の像を抽出し、各透視方向の透視像上で抽出された特異部位の像対応付けした後、各透視方向の透視像上の特異部位の像と、これらの各透視像を得たときのＸ線源１とＸ線検出器２の透視対象物Ｗに対する相対的な３次元位置情報を用いて、特異部位の３次元位置および／または３次元形状を算出し、表示する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に使用される寸法は、ますます微細化されている。寸法が微細化され、導電膜配線のエッチング時における下地膜のエッチングにより、導電膜配線パターンの寸法測定が正確に行えないという問題がある。
【解決手段】本発明の寸法測定パターンは、導電膜配線の寸法測定点となる導電膜配線の両端部を含む領域における下地膜を、導電膜配線のエッチングガスに対しエッチングされない材料とする。そのため測長ＳＥＭにて観察した時の２次電子画像のコントラスト波形が配線幅にあたるピークのみを安定して得られ、正確に導電膜配線の寸法測定が実施できる。 （もっと読む）

構造および／またはシステム内の隠れた物体を分析することによって構造および／またはシステムの変更の設計の前段階として構造および／またはシステムの物理的寸法および構成を測定する方法およびシステムが提供される。この方法は、変更の準備のために変更の前に構造および／またはシステムにアクセスするステップと、ｘ線後方散乱ユニットを用いて構造および／またはシステムを走査するステップと、ｘ線後方散乱ユニットからデータを収集し、そのデータを組合せて２Ｄ、２Ｄパノラマおよび／または３Ｄデータセットに再構築するステップと、データセットから、隠れた物体の表面および構造を生成するステップと、隠れた物体の表面および構造を構造および／またはシステムの既存の座標系に結び付けて３Ｄモデルを作成するステップとを含む。
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【課題】 測定範囲の全域にわたって分解能の改善を図った物理量測定装置およびこの装置を用いた物理量測定装置を提供する。
【解決手段】 放射線を含む線源から出射され、シ―ト状の被測定体を透過したエネルギーの減衰量を検出器により検出し、前記被測定体の物理量の測定を行う物理量測定装置において、前記線源と検出器の間の空気層を測定した検出器の出力信号を正規化して検量線を作成する第１検量線作成手段と、前記線源と検出器の間に標準サンプルを挿入した状態の検出器の出力信号を正規化して検量線を作成する第２検量線作成手段を備えている。 （もっと読む）

【課題】 薄膜と薄膜が形成されている基板の材料とが同じ材料を含んでいても、薄膜の微小領域における被覆率の測定を行うことができる薄膜の被覆率評価方法を提供する。
【解決手段】 検量線作成用の、シランカップリング膜２を形成したシリコン基板５をＳ−ＳＩＭＳ測定法で測定し、シランカップリング膜２に含まれる有機系のＰＦＰＥイオン強度値と、シリコンイオン強度値との検量線用イオン強度比（ＰＦＰＥイオン強度値／シリコンイオン強度値）を取得する。検量線用イオン強度比を基にして被覆率を求めるための検量線を作成する。次に、実際のシランカップリング膜２が形成されたシリコン基板５をＳ−ＳＩＭＳ測定法で測定し、シランカップリング膜２に含まれるＰＦＰＥイオンの強度値とシリコンイオン強度値の試料イオン強度比を取得する。作成した検量線を用いて、試料イオン強度比から被覆率を評価する。 （もっと読む）