【課題】走査型電子顕微鏡システムにおける３次元トモグラフィ・イメージ生成のための方法と装置を提供する。
【解決手段】標本の上端表面上に少なくとも２つの縦のマークを備え、それらの間に角度を持たせる。連続するイメージ記録において、それらのマークの位置が決定され、連続するイメージ記録の間において取り出されたスライスの厚さの定量化に使用される。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビーム描画装置のビーム位置補正を精度良く行う方法を実現する。
【解決手段】 メトロロジー測定を複数のマーク位置について正順および逆順でそれぞれ行ってマーク位置ごとの位置誤差とピッチング値またはヨーイング値を互いに垂直な２軸方向において求め（１０１）、位置誤差とピッチング値またはヨーイング値について正順と逆順の差をマーク位置ごとに互いに垂直な２軸方向において求め（１０１）、アッベエラーによるマーク位置ごとのビーム位置補正効果を予め仮定された複数のアッベエラーについてそれぞれシミュレーションして、位置誤差の正順と逆順の差が複数のマーク位置を通じて互いに垂直な２軸方向においてそれぞれ最小となる２種類のアッベエラーを互いに垂直な２軸方向のアッベエラーとしてそれぞれ特定し（１０３）、それらアッベエラーを用いてビーム位置を補正する（１０４）。 （もっと読む）

【課題】 膜厚測定方法及び膜厚測定装置に関し、簡便かつ迅速に薄膜の厚さおよび組成変化を測定する。
【解決手段】 薄膜の表面に加速したイオン４を照射し、その表面から放出される二次電子５に起因する試料電流により薄膜の厚さを測定する。 （もっと読む）

集束イオンビーム３１２のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁に対して平行な方向から電子ビーム３１４の照射を行って走査電子顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。そして、薄片の厚さが所定の厚さになったことを確認して、集束イオンビーム３１２による加工を終了する。
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【課題】 薄膜と薄膜が形成されている基板の材料とが同じ材料を含んでいても、薄膜の微小領域における被覆率の測定を行うことができる薄膜の被覆率評価方法を提供する。
【解決手段】 検量線作成用の、シランカップリング膜２を形成したシリコン基板５をＳ−ＳＩＭＳ測定法で測定し、シランカップリング膜２に含まれる有機系のＰＦＰＥイオン強度値と、シリコンイオン強度値との検量線用イオン強度比（ＰＦＰＥイオン強度値／シリコンイオン強度値）を取得する。検量線用イオン強度比を基にして被覆率を求めるための検量線を作成する。次に、実際のシランカップリング膜２が形成されたシリコン基板５をＳ−ＳＩＭＳ測定法で測定し、シランカップリング膜２に含まれるＰＦＰＥイオンの強度値とシリコンイオン強度値の試料イオン強度比を取得する。作成した検量線を用いて、試料イオン強度比から被覆率を評価する。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。ある実施の形態において、それは半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥をキャラクタライズする方法を提供する。その方法は以下のようなアクションからなる。半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。
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