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Fターム[2G017AB04]の内容

磁気的変量の測定 (8,145) | 誤差要図 (530) | 妨害電界 (4)

Fターム[2G017AB04]に分類される特許

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【課題】 地磁気センサを搭載した撮影装置において、変位することで地磁気センサに及ぼす磁気的な影響量が変化する部品があっても、この影響を排除して正確な方位の計測を行えるようにすることにある。
【解決手段】 地磁気を検出する地磁気センサと、撮像を行う撮像部と、地磁気センサに磁気的な影響を及ぼす部位を含み、当該部位の位置が可変にされた可動部と、この可動部の変位量と可動部から地磁気センサに及ぼされる磁界との関係を表わす変位量対磁界データが記憶された記憶手段と、変位量対磁界データと前記可動部の変位量とに基づいて可動部から地磁気センサに及ぼされる磁界を求め(S8〜S10)、この磁界を地磁気センサの出力から差し引いて方位を算出する(S11)方位算出手段とを備えている。 (もっと読む)


【課題】信号処理回路のサイズを大きくすることなく、電界ノイズがある環境下でリーク電流が抑制された磁気センサを提供すること。
【解決手段】バイポーラ構造で構成された信号処理回路2は、大別して、npnトランジスタ61と、pnpトランジスタ62と、抵抗63とを備える。たとえばnpnトランジスタ61は、p型分離層35と、n+型埋込層45と、コレクタ用のn+型拡散層41と、ベース用のp型拡散層42と、エミッタ用のn+型拡散層43と、n−型エピタキシャル層44とを備える。コレクタ電極38は、コレクタ用のn+型拡散層41に接続され、ベース電極39は、ベース用のp型拡散層42に接続され、エミッタ電極40は、エミッタ用のn+型拡散層43に接続されている。信号処理回路2は、正または負の電源電圧に接続されたシールド層32を備える。 (もっと読む)


【課題】磁気インピーダンス効果センサにより外部磁界を外部ノイズやオフセット変化の影響をよく排除して正確に検出することを可能にする磁気インピーダンス効果センサ及び磁気インピーダンス効果センサによる外部磁界の検出方法を提供する。
【解決手段】外部磁界作用下での磁気インピーダンス効果素子1の端子電圧を検波器3で復調する。その検波出力を演算増幅器4で増幅する。5は出力端である。 6は負帰還コイル、7は制御コイルである。 70は演算増回路4の出力から特定周波数成分を取り出して、制御コイル7にフィードバックさせるフィルタであり、特定の周波数の外部磁界成分を打ち消す磁界を作用させ、かかる打消しのもとでの検波出力を検出出力とする。 (もっと読む)


部材(26)を有する基板と、前記振動部材(26)に交流(AC)を通過させるための手段とを備えた共振磁力計(20)が記載されている。この磁力計は前記振動部材(26)に磁界から独立した振動力を与えるための駆動手段(46、48)も設けられていることを特徴とする。磁力計のマイクロ電気機械システム(MEMS)の実施例も記載されている。
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