【構成】
ガスセンサは、半導体チップと、通気性のあるセラミックもしくはガラスのパッケージとから成る。半導体チップは、半導体チップの一面に設けられた絶縁膜と、絶縁膜と半導体チップとを貫通するキャビティと、絶縁膜に設けられた感ガス部と、感ガス部に接続されたパッド、とを備えている。パッケージは、半導体チップのパッドとバンプを介してフリップチップ接続されたパッドと、パッケージのパッドからパッケージの他の面まで引き出された配線、とを備えている。
【効果】 雰囲気は感ガス部側から半導体チップ内を貫通でき、チップをフリップチップ接続するとパッケージに組み付けることができ、パッケージ以外のカバーが不要である。 （もっと読む）

【課題】応力による感応部の変形を低減することができるガスセンサ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】開口部５を有する空洞部７を備えた支持体３の表面３Ａに、ヒータ配線パターン１９を内蔵して支持体３の表面３Ａに固定される固定部１５と開口部上に位置する非固定部１７を有するベース絶縁層９とを設ける。ベース絶縁層９の非固定部１７の中央部２１に電極配線パターン２７と感応膜３１を形成する。非固定部１７が、中央部２１及び中央部２１と固定部１５とを連結する複数本の連結部２３を構成する。４本の連結部２３を基部３３と延伸部３５とから構成する。連結部２３の基部３３は、開口部５の縁部５Ａに沿って延びるように構成する。延伸部３５は、基部３３から中央部２１に向かって延びて中央部２１に連結するように構成する。連結部２３は、基部３３の最大幅寸法Ｗ１が、延伸部３５の最大幅寸法Ｗ２よりも大きくなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ガス検出素子において結露を防止するガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスを検出するガス検出素子３１と、ガスが取り込まれるガス検出室２５を有すると共に、その内壁面に取り付けられたガス検出素子３１を収容する素子収容部と、素子収容部の内外へガスを通流させるガス通流部４３と、ガス検出室２５の内壁面に沿って設けられ、ガス検出室２５内を加熱するヒータ５１と、を備える水素センサ１であって、ガス検出素子３１とガス通流部４３との間にガス検出素子３１へガスを通流させる通流孔６１ａを有し、ガス通流部４３を通過したガスが、ガス検出素子３１に直接当たることを阻止する阻止部材６１を備えることを特徴とする水素センサ１である。 （もっと読む）

【課題】センサ素子と端子とが耐熱性に優れた接続構造によって接続されている、小型化に適したガスセンサを提供する。
【解決手段】本発明によるガスセンサは、所定のガスを検出するためのガス検出層１１を有するセンサ素子１０と、センサ素子１０と外部との間で電気的な入出力を行うためのリード線２０と、センサ素子１０とリード線２０とを電気的に接続する端子３０と、端子３０とセンサ素子１０とを接合する接合部８０とを備える。接合部８０は、ガラス材料と、１０００℃以上の融点を有する金属材料とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】外部からの衝撃に対する耐性に優れ、且つ、小型化に適したガスセンサを提供する。
【解決手段】本発明によるガスセンサは、所定のガスを検出するためのガス検出部１１を先端部に有するセンサ素子１０と、その下端側にガス検出部１１が突出するようにセンサ素子１０が挿通配置されるハウジング２０と、センサ素子１０の後端部に接続された端子４０と、ハウジング２０の上端側に設けられ、端子４０を収容するカバー６０と、センサ素子１０および端子４０の両方が挿入される孔７０ａを有し、端子４０をセンサ素子１０に固定する端子固定部材７０とを備える。センサ素子１０は、センサ素子１０の後端１０Ｅがハウジング２０の上端２０Ｅ以下の高さに位置するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】水素ガスを含む気体の圧力が変化しても正確に水素濃度を検知することができる水素検知素子を提供することを目的とする。
【解決手段】金属合金からなる感応部９と、感応部９の金属合金が水素を溶解することにより生じる電気抵抗変化を検出する電気抵抗検出部１８と、感応部９近傍の気体の圧力を検出する圧力検出部１９と、電気抵抗検出部１８で検出された電気抵抗変化の検出信号を圧力検出部１９で検出された圧力変化の検出信号で補正する補正部１７とを備える。水素ガスを含む気体の圧力が変化して、電気抵抗検出部１８で検出される電気抵抗変化が変動しても、圧力検知部１９による気体の圧力の変化の検出に基づいて、補正部１７で電気抵抗変化の変動を補正することができ、正確に水素濃度を測定することができる。 （もっと読む）

【課題】気体検知にナノチューブを用いる。
【解決手段】バイモルフ構造物上に成長させ、それによって支持されたナノチューブを有するセンサ。ナノチューブは、気体または液体を検知している間、ヒートシンク上に着座し、気体または液体をナノチューブから脱着するために加熱されるとヒートシンクから離れる。ヒートシンクはトランジスタのゲートとして機能し、バイモルフ構造物がその他のトランジスタの端子として機能する。ナノチューブの電流−電圧および電流−ゲート電圧特性を、トランジスタと同様な素子として得ることができる。これら特性は、ナノチューブに吸収された気体または液体についての情報を提供することができる。 （もっと読む）