【課題】ヒータＯＦＦ後においてもガス検出素子周りの結露を防止することができるガスセンサを提供することにある。
【解決手段】ガスセンサ１は、ガスを検出するガス検出素子２と、ガスが取り込まれるガス検出室１０と、ガス検出室を過熱するヒータ１１とを有する。ガス検出室１０は、筒状構造で、ヒータ１１を保持するヒータホルダ９と、ヒータホルダの底部を封止する位置に設けられたプレート７とから構成される。ヒータホルダ９及びプレート７は、低熱伝導率ＰＰＳにより構成される。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子を測定対象となる気体または液体中に直接暴露することなく測定可能で、液相中・気相中を問わず安定してセンシング可能なセンシング装置を提供する。
【解決手段】所定の周波数で励振される圧電振動子１０と、圧電振動子１０を電気的に発振させる発振回路２０と、抵抗４０とインダクタンス素子５０とが並列接続または直列接続され、発振回路２０の一部を形成する外部容量検出ユニット３０と、を備え、発振回路２０が、圧電振動子１０と外部容量検出ユニット３０を介して接地され、液体または気体中の静電容量の変化を、位相または周波数の変化として出力する。このような構成により、圧電振動子１０を測定対象となる気体または液体中に直接暴露することなくセンシングを行うことができる。この特徴は種々のセンサに対し大きな効果を与える。 （もっと読む）

【課題】当該抵抗式湿度センサ内部への水滴の浸入に起因する検出精度の低下を抑制することができ、ひいては、車室外であってもこれを搭載することのできる抵抗式湿度センサを提供する。
【解決手段】ケース開口部３１が支持基板４２の表面に近接して対向した状態で、ケース３０を支持部材４３によって支持する。また、ケース３０内部において、実装基板１０上に形成された一対の電極２１及び２２並びに感湿膜２３がケース開口部３１に面した状態で、実装基板１０を支持する。さらに、感湿膜２３に対してケース開口部３１が重力方向下方を向いた状態で、当該抵抗式湿度センサ１を設置している。 （もっと読む）

【課題】 液体が侵入する恐れのある膜を用いることなしに気液分離フィルタ部を形成する。
【解決手段】気液分離チップの気液分離フィルタ部３はシリコン基板１に異方性ドライエッチングにより形成された多数の針状突起物を有するブラックシリコンと称されるものである。シリコン基板１上には接着性フッ素樹脂５によってガラス基板４が接合されて流路６が形成されている。気液分離フィルタ部３と流路６はともに紙面垂直方向に延びている。気液分離フィルタ部３で液相と気相との界面でガス移動が行なわれる。 （もっと読む）

本明細書に開示されるものは、ＮＯｘセンサおよびこれを使用するための方法である。１つの実施形態において、ＮＯｘを感知するための方法は、第１ＮＯｘ電極（１２）をガスに接触させるステップと、第２ＮＯｘ電極（１８）をガスに接触させるステップと、第１ＮＯｘ電極と第１参照電極（１４）との間のＮＯ_２ｅｍｆを決定するステップと、第２ＮＯｘ電極と第２参照電極（２０）との間のＮＯｘｅｍｆを決定するステップと、ＮＯ_２ｅｍｆおよびＮＯｘｅｍｆを使用してＮＯ_２濃度とＮＯ濃度とを決定するステップと、を含む。第１ＮＯｘ電極（１２）は約７００℃以上の第１温度にあることができ、第２ＮＯｘ電極（１８）は約５００℃〜約６５０℃の第２温度にあることができる。 （もっと読む）

本発明は、基板上に堆積された金属含有構造物、特に導電性構造物を腐食攻撃、特に電気的腐食攻撃から保護するための方法に関する。前記方法は、構造物に対して、当該の導電性材料の不動態化範囲内の不動態化電圧を、少なくとも一時的に印加することに基づくものであることを特徴とする。 （もっと読む）

内燃機関の排ガスシステムに用いられるパーティキュレートセンサ（２０）が、第１の電極装置（２４）と第２の電極装置（３２）とを有している。両電極装置（２４，３２）は互いに間隔（Ｄ）を置いて配置されていて、少なくとも所定の範囲でガス流に暴露可能である。両電極装置（２４，３２）が、電気的に絶縁性の材料から成る中間層（３６）により互いに分離されており、さらに両電極装置（２４，３２）が、前記中間層（３６）の厚さ（Ｄ）の分だけ互いに間隔を置いて配置された、ガス流に暴露可能な自由縁部（３８，４０）を有していることが提案される。
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【課題】薄膜の２次電子放出能を複雑な機構を用いることなく、感度よく、さらには成膜装置内でも測定して評価できる表面検査方法および装置を提供する。
【解決手段】検査対象物としての、基板８の表面に形成された薄膜８ａに高周波プラズマ１３を接触させて、高周波プラズマ発生手段の回路に接続させたインピーダンス測定器１４で高周波プラズマ１３のインピーダンスを測定し、そのインピーダンスの測定値より、予め求めたインピーダンスと薄膜からの２次電子の放出数との相関に基づいて、薄膜８ａの２次電子放出能を評価する。従来用いられていたイオンビームに代えて高周波プラズマ１３を使用するので、２次電子の放出量が多くなり、２次電子を高感度に測定できる。イオンビームを用いる従来法に必要であった基板８と電極とを覆うコレコタは不要なので、測定系をシンプルにすることができ、成膜装置内での２次電子の測定が可能となり、成膜工程の安定化を実現できる。 （もっと読む）