【課題】画素データの一部収集を行なう際、Ｘ線検出信号の取り出しや画素データの選択に必要なコントローラが簡単となるのに加え、Ｘ線検出素子の検出動作が不安定になるのを防止する。
【解決手段】この発明は、２次元Ｘ線検出器２が、画素データの一部収集を行なう際も、全検出信号取り出し機構により全てのＸ線検出素子８からＸ線検出信号を取り出すのに加え、ＦＩＦＯ型記憶機構１９からコントローラ２０により全ての画素データを読み出して収集対象の画素データだけを画素データ選択出力部２３で選別するので、Ｘ線検出信号の取り出しや画素データの選択出力に必要なコントローラの構成が簡単となる。また、全てのＸ線検出素子８からＸ線検出信号が取り出される結果、画素データの収集対象でないＸ線検出素子８の存在が、画素データの収集対象のＸ線検出素子８の検出動作の不安定要因となる心配もない。 （もっと読む）

【課題】放射線平面検出器において、寄生容量やトランジスタのフィードスルーの影響を排除し、その検出精度を高める。
【解決手段】複数の信号線および複数のデータ線の交差部近傍にマトリクス状に配された複数の画素を備え、各画素がスイッチング素子および電荷を蓄える容量を有するとともに、該スイッチング素子の制御端子が上記信号線に接続され、かつ該容量がスイッチング素子を介して上記データ線に接続された電荷検出器において、同一信号線に接続された複数のスイッチング素子それぞれに繋がるデータ線を１本あるいは複数本づつ選択していくことで、各スイッチング素子に繋がる容量に蓄えられていた電荷をデータ線に読み出していく。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子上に変換素子を積層した光電変換装置において、画素ピッチが小さい場合でも、高感度化と高歩留まり化を共に実現する。
【解決手段】絶縁基板上に少なくとも光を電気信号に変換する変換素子と、変換素子に接続されたスイッチ素子とから成る画素が２次元状に配列され、スイッチ素子上に変換素子を積層した光電変換装置において、変換素子を形成する層が画素毎に分離された領域が有り、領域の下層に光の反射層が配置されている。反射層は、金属膜、無機膜、又は有機膜である。 （もっと読む）

【課題】トランスミッションデータがエミッションデータへ混入することを抑止することにより、定量性が良好で高画質の診断画像を短時間に撮像可能な陽電子放出断層撮影装置を提供する。
【解決手段】陽電子放出断層撮影装置１は、被検体１７に投与した放射性薬剤を標識する陽電子放出核種に起因する５１１ｋｅＶの消滅ガンマ線を計測しエミッションデータを収集するとともに、被検体１７を減弱補正用線源２１で照射して透過ガンマ線を計測しトランスミッションデータを収集し、エミッションデータに対しトランスミッションデータを用いて減弱補正を行う。減弱補正用線源２１内の放射性物質４１は、消滅ガンマ線に係るコンプトン端５２のエネルギー以下のエネルギーを有する照射ガンマ線を放射する、ガドリニウム１５３（^１５３Ｇｄ）などの放射性同位元素を含有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フラットパネル型センサの駆動の高速化の実現を課題とする。
【解決手段】 放射線撮影装置は、変換素子Ｓ１１〜Ｓ６３に接続された第１のスイッチ素子ＴＴ１１〜ＴＴ６３を駆動する第１の駆動回路部１０３と、変換素子Ｓ１１〜Ｓ６３に接続された第２のスイッチ素子ＴＲ１１〜ＴＲ６３を駆動する第２の駆動回路部１０４と、第１、第２の駆動回路部１０３、１０４をそれぞれ異なるタイミングで独立して制御する制御部１０５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を効率的に冷却しながら、放射線検出器の防湿及び防塵効果を高めることにより、時間分解能及びエネルギー分解能を向上させて、診断精度を向上できる核医学診断装置を提供する。
【解決手段】収納部材５内には、断熱部材７を介して放射線検出器２１が収容される第１の領域Ａと、信号処理装置が収容される第２の領域Ｂが設けられている。また、収納部材５には、第１の領域Ａに連通するようにして、防塵フィルタ９を備えた通気口８が設けられ、第２の領域Ｂに連通するようにして、冷却空気の入口となる通気孔３４と出口となるユニットファン３３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を効率的に冷却しながら、放射線検出器の防湿及び防塵効果を高めることにより、時間分解能及びエネルギー分解能を向上させて、診断精度を向上できる核医学診断装置を提供する。
【解決手段】収納部材５内には、断熱部材７を介して放射線検出器２１が収容される第１の領域Ａと、信号処理装置が収容される第２の領域Ｂが設けられている。また、収納部材５には、第１の領域Ａに連通するようにして、防塵フィルタ９を備えた通気口８が設けられ、第２の領域Ｂに連通するようにして、冷却空気の入口となる通気孔３４と出口となるユニットファン３３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】放射線画像を担持した放射線の照射を受けて電荷を発生し、その電荷を蓄積することにより放射線画像を記録するとともに、読取光の照射を受けて上記電荷の量に応じた画像信号を出力する放射線画像検出器と、放射線画像検出器に向けて読取光を発する面状光源と、放射線画像検出器と面状光源との間に設けられた結像光学系とを備えた放射線画像記録読取装置において、上記読取光の広がりによって発生する再生画像におけるボケを抑制する。
【解決手段】面状光源２０から発せられた読取光Ｌを放射線画像検出器１０に正立等倍に結像する結像光学系３０を利用し、面状光源２０から発せられた読取光Ｌを放射線画像検出器１０における所望の画素の範囲に照射するようにする。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射を受けて電荷を発生して蓄積することにより放射線画像を記録し、読取光の照射により放射線画像の読取りが行われる放射線画像検出器であって、読取光を透過する透明線状電極および読取光を遮光する遮光線状電極とが交互に配列された放射線画像検出器において、読取効率の向上を図る。
【解決手段】第２の線状電極５ｂと線状遮光絶縁体５ｃとにより遮光線状電極を構成し、上記線状遮光絶縁体５ｃの幅Ｗｃを、その線状遮光絶縁体５ｃの長さ方向に延びる側端部５ｄが第１の線状電極５ａの長さ方向に延びる側端部５ｅと第２の線状電極５ｂの長さ方向に延びる側端部５ｆとの間に位置するような大きさとし、第１の線状電極５ａのエッジ近傍の読取用光導電層４において十分に放電させるとともに、第２の線状電極５ｂのエッジ近傍の読取用光導電層４における放電を防止する。 （もっと読む）

【課題】体動があることを検出すると撮影を中止し、体動が無い画像を合成して静止画を得る。
【解決手段】Ｓ１０１で被検体Ｐを位置決めしてからＳ２０７で撮影枚数の初期化を行う。Ｓ１０２で撮影されたＸ線画像は、複数画像保存手段に保存される。Ｓ２０８で撮影されたＸ線画像を複数画像保存手段から読み出して解析を行い、Ｓ２０９において体動有無の判定を行う。体動有りと判定された場合はＳ２１０でＸ線照射を停止する。体動が無い場合は、Ｓ２１１を経てＳ２１２で撮影画像が設定された所定の枚数になるまで、撮影を繰り返す。得られた画像はＳ２１３で画像合成され、Ｓ１０３で画像のプレビュー表示を行い、Ｓ１０４で目視により再撮影の必要性が判定される。Ｓ１０５において、実際に診断に用いるための診断用画像が出力される。得られた画像はＳ１０６で再撮影の必要性を最終的に判定され、必要がないと撮影は終了する。 （もっと読む）

【課題】 放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生し、その電荷をトラップすることによって放射線画像の記録を行う放射線画像検出器において、放射線画像を読み取った後の残留電荷を減少させる。
【解決手段】 放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生する記録用光導電層２と、記録用光導電層１において発生した電荷をトラップする、半導体からなる電荷輸送層３とが積層された放射線画像検出器において、電荷輸送層３を、所望の電荷トラップ領域に対応させてパターニングする。 （もっと読む）

【課題】 放射線像検出パネルに対して消去光を照射する消去光照射パネルにおいて、消去光の利用効率を高める。
【解決手段】 消去光を発する消去光発生領域３１０と、結像手段４００を通して結像せしめられる各読取用線状光Ｌｒを通す読取光通過領域３２０とを備えた消去光照射パネルを、結像手段４００と放射線像検出パネル１００との間に配置する。 （もっと読む）

【課題】検査対象物を固定したターンテーブルの回転中心と画像中心とのずれを正確に精度よく補正し、アーチファクトの発生しない再構成像を効率的に取得する。
【解決手段】ＳＰＥＣＴ装置１０ａは、前処理手段３１に設ける回転中心補正処理手段３７に、投影データを整理して、この投影データを回転角度の順に並べたサイノグラムデータを作成するサイノグラムデータ作成手段４１と、サイノグラムデータ４１の回転角度毎に画像の重心を演算する重心演算手段４２と、この重心演算手段４２で演算した回転角度毎の重心から、全ての回転角度で統一された基準重心を演算する基準重心演算手段４３と、基準重心から画像中心への移動量に合わせて投影データをシフトさせる投影データ画像シフト処理手段４４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出用の変換装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線を光に変換する蛍光体６０３０と、光を電荷に変換する光電変換素子と電荷に基づく電気信号を転送するスイッチ素子とを有する画素が絶縁基板上に二次元に複数配置されたセンサ基板６０１１と、スイッチ素子を駆動するためのシフトレジスタＳＲ１が実装され、センサ基板に接続された第１フレキシブル回路基板と、画素からの信号を検出するための集積回路（ＩＣ群）が実装され、センサ基板に接続された第２フレキシブル回路基板と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 信号配線やゲート配線の、変換素子の電極との間に形成する容量を安定化させるとともに、製造工程を容易化する。
【解決手段】 絶縁基板上に配置されたスイッチ素子と該スイッチ素子上に配置された変換素子とを備えた画素の複数と、一方向に配された複数の前記スイッチ素子に接続される信号配線の複数と、を有する放射線検出装置であって、前記変換素子は、前記画素毎に分離された電極を有し、前記スイッチ素子は前記画素毎に前記電極と接続されており、前記信号配線の幅方向の両端と、前記制御配線の幅方向の両端とが、前記変換素子の上から見た前記電極の領域の内側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 動画撮影時において、センサに起因する画像濃度の変化を補正できるようにして、良好な動画画像を出力可能とする。
【解決手段】 被写体５０７に対して連続したｎフレームの放射線像の撮像を行った際に得られた各画像データについて、画像濃度が異なる少なくとも２つ以上の画像領域を選択し（ステップＳ１０１）、選択した各画像データの各画像領域における平均出力値を算出し（ステップＳ１０２）、第１フレームの画像データにおける各画像領域の平均出力値を基準として、第２〜第ｎフレームの画像データにおける各画像領域の平均出力値の変化量を算出して（ステップＳ１０３）、当該算出結果に基づいて、前記他の画像データにおける画像濃度を補正するようにする。 （もっと読む）

【課題】改善された製造容易性及び経費を提供し、コリメータ作用の散乱コリメーション及びＸ線遮蔽への分離を可能にし、検出器性能を高める。
【解決手段】第一の層（１０）を第二の層（２０）に付着させ、付着した第一の層（１０）及び第二の層（２０）に通路（２２）を形成する。第一（１０）及び第二の層（２０）を付着させる前に、開口（１２、１３）が第一（１０）及び第二の層（２０）に配設される。第一（１０）及び第二の層（２０）の開口（１２、１３）は、通路（２２）を形成する前に位置揃えされる。通路（２２）を形成する際には、第一の層（１０）、第二の層（２０）又は両方の層の材料を除去する。第一（１０）及び第二の層（２０）の付着は、コリメータ・アセンブリ（１００）の全厚を画定する。第一の層（１０）の厚みは全厚の約５％〜約１０％にわたる。 （もっと読む）

【課題】 ２種類の発光部を用いることなく、読取光と、該読取光とは波長帯域の異なる消去光とを放射線画像検出器へ照射する。
【解決手段】 読取時には、制御手段６０は光シャッタ層２９を制御して、４００nm〜５００nmの波長帯域の光を透過する読取光透過状態とし、ライン状の各微小ＥＬ発光体２１が順次発光するように面状光源２０を制御する。各微小ＥＬ発光体２１から発せられた白色光は、光シャッタ層２９を透過する際に４００nm〜５００nmの波長帯域の光以外は遮光されるため、青色光である読取光Ｌ２となり、放射線画像検出器１０の補助線状電極１５ａに入射する。消去時には、制御手段６０は光シャッタ層２９を制御して、可視光の波長帯域の光をほぼ透過する消去光透過状態とし、さらに面状光源２０を制御し、全ての微少ＥＬ発光体２１を同時に発光させ、白色光である消去光Ｌ３を射出させる。 （もっと読む）

【課題】 外部からの水分及び不純物による端子部の腐食を抑制し、隣接する端子間でのショートの発生を抑制し、変換装置及び放射線検出装置の信頼性及び製造工程における歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】 本発明の変換装置は、絶縁性の基板上に設けられたスイッチング素子と、スイッチング素子上に設けられスイッチング素子に接続された変換素子と、を含む画素と、画素に接続された配線と、を有し、端子部の表面を被覆する透明導電層と、端子部の端部を被覆し、開口を有する保護層と、を含み、端子部が、変換装置の最も上層の金属層によってのみ構成されている。 （もっと読む）

【課題】 積層型のＦＰＤを有する変換装置において、信号配線とバイアス配線との交差部における寄生容量の増大及びリークの発生を抑制する。
【解決手段】 本発明の変換装置は、絶縁基板上に形成されたスイッチング素子が行方向及び列方向に複数配されたスイッチング素子領域と、スイッチング素子領域上に形成された変換素子が行方向及び列方向に複数配された変換素子領域と、を有し、スイッチング素子とスイッチング素子上に配置され接続された変換素子とからなる画素を複数有する画素領域と、を有し、複数の信号配線は第２の金属層により形成され、複数の信号配線は列方向の複数のスイッチング素子に接続され、バイアス配線は第４の金属層により形成され、バイアス配線は複数の変換素子に接続され、外部信号配線は第１の金属層により画素領域外に形成され、外部信号配線は信号配線と接続され、外部信号配線部とバイアス配線と、は交差する。 （もっと読む）