【解決手段】下記一般式（ａ）及び（ｂ）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。


（式中、Ｒ¹はＨ又はＣＨ₃、Ｒ²はヒドロキシ基、酸不安定基で置換されたヒドロキシ基であり、Ｒは炭素数１〜１８のアルキレン基であり、ＲとＲが結合するベンゼン環の２個の炭素原子とで炭素数３〜２０の環を形成するが、該環は芳香族環を含んでいてもよく、Ｒ³は酸不安定基である。ｍは１又は２であり、ａ、ｂは、０＜ａ＜１．０、０＜ｂ≦０．８の範囲である。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料によれば、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さく、また、現像後の残渣が低減されたものである。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜等の塗布膜を被処理基板の凹凸面に追従して均一な状態に成膜することができる塗布膜の成膜方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸を有する被処理基板である半導体ウエハＷに対して塗布液を供給し、ウエハの表面に塗布膜を成膜する成膜装置において、ウエハを外気から遮断して収容する処理室１２と、処理室内に溶剤ガスを供給する溶剤ガス供給手段１と、処理室内に配設されて、ウエハを表面が下向きになるように回転可能に保持するチャック２０と、処理室内に配設されて、ウエハの表面に向けて塗布液３９を帯電した粒子としてミスト状に供給する塗布液供給手段３０と、ウエハに上記粒子と反対の電位を付与する手段３５とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィーによるパターン形成方法において、レジスト膜上に形成されるレジスト保護膜が、非水溶性でアルカリ水溶液（アルカリ現像液）に溶解可能であり、しかも滑水性に優れ、レジスト膜とミキシングしないものであり、良好な液浸リソグラフィーを行うことができ、またアルカリ現像時にレジスト膜の現像と保護膜の除去とを同時に一括して行うことができる保護膜の提供。
【解決手段】フルオロアルキル基とアルキル基の両方を有する繰り返し単位（α−置換アクリレート及びノルボルネン誘導体から選ばれる）からなる高分子化合物を用いることを特徴とする液浸リソグラフィー用レジスト保護膜材料。 （もっと読む）

【課題】密集度の高いホールアレイの作製を可能にする。
【解決手段】 クロスポール照明条件下で所定のパターンが形成されたマスクＲを照明し、該マスクから射出される光ＩＬで投影光学系ＰＬを介してウエハＷを露光し、そのウエハ上にホールアレイを形成する。このため、ホールアレイパターンに対しても、Ｌ／Ｓパターンと同じk₁ファクタの限界解像が適用可能となり、これにより、より密集度の高いホールアレイの作製が可能となる。 （もっと読む）

【課題】良好なネガ化マージンが得られるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有するポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分は、カルボキシ基を有する構成単位と、脂環式基を含むアクリル酸エステルの少なくとも１種の構成単位とを含む高分子化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）で示される繰り返し単位を有する、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００である高分子化合物を含む化学増幅ポジ型レジスト材料。


【効果】特に超ＬＳＩ製造用の微細パターン形成材料として好適な化学増幅ポジ型レジスト材料等のポジ型レジスト材料を与えることが可能である。 （もっと読む）

物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体（１８）から除去する方法であって、硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5：1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。該支持体は、該液状硫酸組成物の投与前、投与中又は投与後の何れかにおいて、好ましくは、少なくとも約90℃の温度に加熱される。該支持体が少なくとも約90℃の温度になった後に、該液状硫酸組成物は、該液状硫酸組成物の温度が水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも上昇するのに効果的な量の水蒸気に暴露される。該支持体は次いで好ましくは洗浄されて該物質を除去する。
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【課題】被処理基板の周縁部に付着する塗布液の除去を確実にすると共に、処理時間の短縮が図れ、かつ、塗布液の被処理基板への再付着の防止を図れるようにした基板処理方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック１０によって回転保持される半導体ウエハＷの表面にレジスト塗布ノズル２０からレジストを滴下してレジストを塗布し、ウエハに塗布されたレジストが乾燥する前に、ベベル洗浄ノズル３０からウエハＷの周縁部におけるベベル部４の近傍に洗浄液を供給してベベル部に付着するレジストを除去し、その後、ウエハ表面のレジスト膜を乾燥する。 （もっと読む）

【課題】透明硬化樹脂パターンにおいて、パターンの剥がれが生じにくいような感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】硬化性を有するアルカリ可溶性樹脂（Ａ）、キノンジアジド化合物（Ｂ）および溶剤（Ｃ）を含有する感放射線性樹脂組成物において、溶剤（Ｃ）として乳酸ブチルを含む感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像可能で、高感度であり、現像スカムを生じることなくパターンが得られ、かつ金属上でパターン加工を行った場合でも下地金属を腐食しないポリイミド膜を形成することのできる感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ）アルカリ可溶性ポリイミドおよび／またはアルカリ可溶性ポリイミド前駆体、（ｂ）不飽和結合含有化合物および（ｃ）光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物であって、（ｃ）光重合開始剤が１つのフェニル基は置換されているトリフェニルビイミダゾール化合物および／またはカルバゾール基を有するオキシム化合物を含有する感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜との密着性に優れ、絶縁膜との界面における凹凸が小さい導電性層を任意の固体表面に容易に形成しうるプリント配線板用として好適な積層体、及び、それを用いて形成した基板上に、絶縁膜との密着性に優れた高精細の配線を有するプリント配線板を提供する。
【解決手段】支持体上に、少なくとも（Ａ）反応性の高分子前駆体層、（Ｂ）絶縁性樹脂組成物層及び、（Ｃ）露光により分解する化合物を含有する反応性高分子組成物層を有することを特徴とするプリント配線板用に好適な積層体である。（Ａ）高分子前駆体層には、重合性化合物を、（Ｂ）絶縁膜には重合開始剤を、それぞれ含有することが好ましい。この積層体の表面にグラフトポリマーを生成させた後、そこに導電性層を設けることで、プリント配線板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】クエンチング機能を有しつつ、組成物の経時安定性が良好であり、とりわけ、保管中の経時変化による感度異常（所定の感度よりの変化）を防止することのできる感光性樹脂組成物及び当該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】シロキサン系又はシルセスキオキサン系等のケイ素含有高分子化合物を主成分とする基材樹脂を用いたレジスト組成物において、窒素系化合物の代わりに、特定のスルホニウム化合物をクエンチャーとして用いる。 （もっと読む）

【課題】高信頼性が要求される半導体装置でも十分使用できる高い伸度を有するポジ型感光性樹脂前駆体組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）一般式（１）および／または（２）で表される構造単位を主成分とするポリマー、（ｂ）キノンジアジド化合物、（ｃ）溶剤を含有するポジ型感光性樹脂前駆体組成物。


（式中、ＸおよびＹは加熱により−Ｘ−Ｙ−結合を形成しうる有機基を示す。） （もっと読む）

【課題】１回のコーティング工程で厚い層を形成するのに用いることができる感光性組成物の供給が望まれている。厚い層の正確な画像形成を可能にする感光性組成物の供給が望まれている。
【解決手段】厚いフォトレジスト層を１回のコーティング適用で堆積させるのに好適なフォトレジスト組成物および方法が提供される。かかるフォトレジスト層はチップスケールのパッケージング、例えば、金属バンプの形成における使用に特に好適である。 （もっと読む）

【課題】ＫｒＦ等のエキシマレーザー光、極端紫外線（ＥＵＶ）、電子線、Ｘ線等の放射線に感応するレジスト材料用基材及び感放射線性組成物を提供することにある。本発明の他の目的は、金属触媒を使用することなくかつ簡単な製造工程で、高感度、高解像度、高耐熱性、高エッチング耐性かつ溶剤可溶性の非高分子系感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】特定の構造を有するポリフェノール系有機化合物を含むレジスト材料用基材、ならびに、該基材および酸発生剤を含む感放射線性組成物。
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【課題】クエンチング機能を十分に有しつつ、組成物の経時安定性が良好であり、とりわけ、保管中の経時変化による感度異常を防止することのできる感光性樹脂組成物及び当該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】シロキサン系又はシルセスキオキサン系等のケイ素含有高分子化合物を主成分とする基材樹脂を用いたレジスト組成物において、ポリアミンをクエンチャーとして用いる。 （もっと読む）

【課題】 本発明はフォトレジスト組成物及び前記フォトレジスト組成物を用いた薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト組成物はノボラック樹脂及びアクリル樹脂を含む混合樹脂１００重量部及びナフトキノンジアゾスルホン酸エステル１０〜５０重量部を含む。前記ノボラック樹脂の重量平均分子量は３００００以上であり前記アクリル樹脂の重量平均分子量は２００００以上である。前記アクリル樹脂の含量は全体混合樹脂の１〜１５重量％である。前記フォトレジスト組成物は薄膜トランジスタ基板の製造工程のパターン形成の際、リフローによるプロファイルの角度変化を最小化し、パターンの構造の安定性及び残膜厚さ均一性を向上させることで配線のショート及びオープン不良を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】解像度及び密着性に優れ、かつ良好なレジスト形状、耐薬品性の良好な、アルカリ性水溶液によって現像しうる、感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いた感光性樹脂積層体とその使用方法を提供する。
【解決手段】（ａ）α，β−不飽和カルボキシル基含有単量体を共重合成分として含む、酸当量で１００〜６００、重量平均分子量が５０００〜５０００００の熱可塑性共重合体：２０〜９０質量％、（ｂ）少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマー：５〜７５質量％、および（ｃ）光重合開始剤：０．０１〜３０質量％を含有し、かつ、（ｂ）少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマーが２種の特定の化合物を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト層の下層に、高反射率界面が存在した場合でも、現像後におけるフォトレジストの断面形状を損なうことなく、高アスペクト比で形成可能な干渉露光法によるフォトレジストパターン、その形成方法、それらを用いた光学部品を提供する。
【解決手段】基板上に高反射界面を含む単層または多層構造を有し、その上層に反射防止層を介して設けられたフォトレジスト層に、干渉露光法による露光を施し、現像を経て形成された干渉露光法によるフォトレジストパターンがつぎのような構成を有している。
前記反射防止層が、前記露光に用いられる光源波長における該反射防止層の屈折率をｎ、消衰係数をｋとし、これらｎとｋとによる複素屈折率をｎ−ｉｋとするとき、
前記消衰係数ｋが０．３以上、１以下とされ、膜厚が５０ｎｍ以上とされている。 （もっと読む）

基板上に、放射線感知性の中間層を堆積させることと、この中間層上に、薄膜を堆積させることと、この薄膜を堆積させる前に、もしくは後に、前記中間層内で化学反応を始めさせるように、パターニングされた放射線でこの中間層を露光することと、前記基板上に、パターニングされた薄膜と、パターニングされた中間層とを残すように、この中間層のパターニングされた放射線で規定された部分と、対応する薄膜部分とを取り除くこととを具備する、薄膜をパターニングする方法。
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