【課題】従来のポジ型レジスト材料と同等か若しくはこれを上回るほど高感度、高解像度であるとともに、特に高反射基板上でのパターン形状が良好で、定在波の発生が軽減され、エッジラフネスが少ない特性を示すポジ型レジスト材料を提供する。
【解決手段】少なくとも、ベース樹脂に含まれる高分子化合物が、波長２４８nmの光において吸収のある酸不安定基を有する繰り返し単位を含むものであり、且つ、該繰り返し単位が、前記ベース樹脂に含まれる全ての高分子化合物の繰り返し単位中、１％〜１０％の割合で含まれるものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン耐熱性、アウトガスの低減、表面荒れの低減を満足するネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(Ａ) アルカリ可溶性樹脂、
(Ｂ)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び
（Ｃ）酸の作用により反応して、炭素数３以上のアルコール又は炭素数７以上のカルボン酸の脱離を伴ってアルカリ可溶性樹脂に架橋を形成する架橋剤
を含有するネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 薄膜においてレジストパターンの寸法変化の小さいレジストパターンを形成でき、薄膜インプランテーションプロセス用として好適な薄膜インプランテーションプロセス用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）と、放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、放射線吸収能を有する化合物（Ｃ）とを含有し、前記樹脂成分（Ａ）が、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ１）と、前記構成単位（ａ１）の水酸基の水素原子が酸解離性溶解抑制基で置換されてなる構成単位（ａ２）とを有し、前記酸解離性溶解抑制基が、下記一般式（ＩＩ）で表される酸解離性溶解抑制基（ＩＩ）を主成分として含有することを特徴とする薄膜インプランテーションプロセス用ポジ型レジスト組成物。
【化１】
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【解決手段】 式（１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物と光酸発生剤と架橋剤とを含むネガ型レジスト組成物。
【化１】


（Ｘはアルキル基又はアルコキシ基、Ｒ¹、Ｒ²はＨ、ＯＨ、アルキル基、置換可アルコキシ基又はハロゲン原子、Ｒ³、Ｒ⁴はＨ又はＣＨ₃、ｎは１〜４の正の整数、ｍ、ｋは１〜５の正の整数、ｐ、ｑ、ｒは正数。）
【効果】 本発明は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高感度で高解像性を有し、優れたエッチング耐性を示すネガ型レジスト材料を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は高感度なネガ型感光性樹脂組成物を用いて配向制御用突起を形成し、さらにこの配向制御用突起を有する基板を用いて製作した液晶表示装置を、長時間にわたり電圧を印加した状態に置いたときに生ずる焼きつきを抑えることを課題とする。
【解決手段】対向する基板との間で液晶を挟持する液晶表示装置を構成する、少なくとも配向制御用突起を有する基板において、該配向制御用突起が、少なくともポリビニルフェノールと、酸の作用により反応する架橋剤と、３６５ｎｍおよび／または４０５ｎｍの波長の光で分解し酸を発生する光酸発生剤とからなるネガ型感光性樹脂組成物により形成されるものとする。 （もっと読む）

ボトル経時安定性が良好な化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を提供する。ノボラック樹脂またはヒドロキシスチレン系樹脂に架橋剤を反応させて酸の存在下でアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する性質を有するアルカリ難溶性あるいは不溶性の樹脂として、これを（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物とともに有機溶剤に溶解して、酸成分の含有量が１０ｐｐｍ以下の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物とする。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ表示素子の劣化現象であるシュリンク（ダークエリア）の発生を抑制し得る、上面の端縁部が丸みを帯びた有機ＥＬ表示素子用絶縁膜の形成に用いられる感放射線性樹脂組成物、それを用いて得られた有機ＥＬ表示素子の絶縁膜及び有機ＥＬ表示素子を提供する。
【解決手段】（ａ）アルカリ溶解性樹脂、（ｂ）光酸発生剤及び（ｃ）架橋剤を含む、有機ＥＬ表示素子の絶縁膜形成用ネガ型感放射線性樹脂組成物、この組成物を用いて形成された有機ＥＬ表示素子の絶縁膜、及び該絶縁膜を有する有機ＥＬ表示素子である。 （もっと読む）

【課題】 ディフェクトを抑制でき、かつ感度、解像性等のリソグラフィー特性にも優れた電子線又はＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （α−メチル）ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ１１）を含むアルカリ可溶性の構成単位（ａ１）と、下記一般式（ＩＩ）で表される酸解離性溶解抑制基（ＩＩ）および／または特定の鎖状の酸解離性溶解抑制基（ＩＩＩ）を含む酸解離性溶解抑制基を有する構成単位（ａ２）とを有する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、フェノール性水酸基を有しかつ酸解離性溶解抑制基を有さない質量平均分子量が２５０〜１０００のフェノール化合物（Ｃ）とを含む電子線又はＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物。
【化１】
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【課題】 高解像度、露光余裕度、小さい疎密寸法差、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、さらに優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。
【解決手段】 少なくとも、下記一般式（１）で示される共重合による繰り返し単位を含んでなる、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物、該高分子化合物をベース樹脂として含むポジ型レジスト材料、該高分子化合物を基板上に塗布する工程を含んでなるパターン形成方法を提供する。
【化１】
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【課題】 寸法制御性に優れたフォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 アルカリ可溶性の構成単位（ａ１）と、酸解離性溶解抑制基を有する構成単位（ａ２）とを有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有し、前記構成単位（ａ１）が、（α−メチル）ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ１１）を有し、前記構成単位（ａ２）が、下記一般式（ＩＩ）で表される酸解離性溶解抑制基（ＩＩ）と、鎖状第３級アルコキシカルボニル基、鎖状第３級アルキル基、および鎖状第３級アルコキシカルボニルアルキル基からなる群から選択される少なくとも１種の酸解離性溶解抑制基（ＩＩＩ）とを有するフォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物。
【化１】
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【課題】 レジスト調製時の溶解性、現像時のレジスト膜密着性の特性を高めるだけでなく、レジスト安定性を向上させ、安全性にも優れたレジスト組成物を提供する。
【解決手段】 レジスト成分と有機溶剤を含むレジスト組成物であって、該有機溶剤が、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート等からなる群より選択された少なくとも１種のジプロピレングリコール誘導体であり且つ該ジプロピレングリコール誘導体の下記式（１）〜（４）
【化１】


（式中、Ｒ¹はアルキル基又はアリール基、Ｒ²は水素原子、アルキル基、アリール基、アセチル基又はプロピオニル基、Ｒ^2'は水素原子、アセチル基又はプロピオニル基を示す）
で表される構造異性体のうち式（１）で表される構造異性体の含有率が３０重量％以上１００重量％未満の構造異性体混合物であるレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】 寸法制御性に優れたポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （α−メチル）ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ１１）と、アルコール性水酸基を有する（α−低級アルキル）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１２）と、構成単位（ａ１１）の水酸基の水素原子が酸解離性溶解抑制基で置換されてなる構成単位（ａ２１）および／または構成単位（ａ１２）のアルコール性水酸基の水素原子が酸解離性溶解抑制基で置換されてなる構成単位（ａ２２）を有し、下記一般式（ＩＩ）で表される酸解離性溶解抑制基（ＩＩ）と、特定の鎖状の酸解離性溶解抑制基（ＩＩＩ）とを含む酸解離性溶解抑制基を有する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含むポジ型レジスト組成物。
【化１】
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【課題】解像度、電気絶縁性、熱衝撃性、密着性等の諸特性に優れた硬化物を形成可能なポジ型感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物を提供する。
【解決手段】（Ａ）（Ａ１）下記一般式（１）で示される構造単位１０〜９９モル％、および（Ａ２）下記一般式（２）で示される構造単位９０〜１モル％からなる共重合体、（Ｂ）キノンジアジド基を有する化合物、（Ｃ）（Ｃ１）メチロール基および／またはアルコキシメチル基含有芳香族化合物（但し、アミノ基を含有する芳香族化合物を除く。）、（Ｃ２）芳香族アルデヒド化合物、（Ｃ３）脂肪族アルデヒド化合物からなる群から選ばれる少なくとも１つの化合物、（Ｄ）溶剤、ならびに（Ｅ）密着助剤を含有するポジ型感光性絶縁樹脂組成物、ならびにその硬化物。
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【課題】解像度、電気絶縁性、熱衝撃性、密着性等の諸特性に優れた硬化物を形成可能なポジ型感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）（Ａ１）下記一般式（１）で示される構造単位１０〜９９モル％、および（Ａ２）下記一般式（２）で示される構造単位９０〜１モル％からなる共重合体、（Ｂ）キノンジアジド基を有する化合物、（Ｃ）（Ｃ１）アルキルエーテル化されたアミノ基含有化合物、および／または、（Ｃ２）エポキシ基含有化合物、（Ｄ）溶剤、ならびに（Ｅ）密着助剤を含有することを特徴とするポジ型感光性絶縁樹脂組成物、ならびにその硬化物。


（ＲａおよびＲｃは炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基またはアリール基を、ＲｂおよびＲｄは水素原子またはメチル基を表し、ｎは０〜３の整数、ｍは１〜３の整数である。） （もっと読む）

【課題】アセタールおよび脂環式基を含む樹脂を含有する化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物が提供される。
【解決手段】本発明は、ｉ）１以上のフォト酸不安定性アセタール基および１以上の脂環式基を含む１以上の置換基を含む１以上の樹脂；およびｉｉ）１以上のフォト酸発生化合物を含むフォトレジスト組成物に関する。本発明のフォトレジストは、とりわけ向上されたリソグラフィー特性を示すことができる。本発明の好ましいフォトレジストは、１以上のフォト酸発生化合物と、１以上のフォト酸不安定性アセタール基および１以上の脂環式基（例えばアダマンチル）を含む１以上のフェノール樹脂とを含む。 （もっと読む）

高感度で、しかも安価な光酸発生剤を使用でき、近紫外露光および弱アルカリ現像が可能で、高解像度であり、スルホールのある基板にも対応できるポジ型感光性レジスト組成物を提供する。
４−（１−メチルエテニル）フェノールおよび／または４−エテニルフェノールに由来する第１構成単位と、（メタ）アクリル酸エステル類に由来する第２構成単位と、（メタ）アクリル酸アルコキシアルキルエステル類に由来する第３構成単位とを含んでなる酸感応性共重合体からなるポジ型感光性レジスト組成物である。 （もっと読む）

【課題】
広い波長領域の活性放射線に対して優れた感度を示し、解像度などに優れた感放射線性樹脂組成物、ならびに該組成物を用いてバンプまたは配線などの厚膜のメッキ造形物を精度よく形成することができるメッキ造形物の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明に係る感放射線性樹脂組成物は、
（Ａ）特定のアントラセン構造を有する化合物０．１〜２０重量部、
（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物０．１〜２０重量部、および
（Ｃ）樹脂１００重量部
を含有し、波長３００〜４５０ｎｍの放射線に感度を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 解像性能の向上、感度の向上、焦点深度余裕（プロセスマージン）の向上と共に、レジストパターンを形成するときの現像残りを解消することができる。
【解決手段】 フェノール性水酸基を側鎖に有する繰り返し単位（Ａ１）と、酸解離性基を有する繰り返し単位（Ａ２）とを含み、繰り返し単位（Ａ１）は、下記式（１）で表される単量体を共重合させた後、酸を用いて加水分解することにより得られ、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算重量平均分子量が３，０００〜１０，０００である。


Ｒ¹は水素原子あるいはメチル基を表し、Ｒ²およびＲ³は、炭素数１〜４の飽和炭化水素基、あるいはＲ²とＲ³とが互いに連結して炭素数３〜７の環状エーテル形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた濾過特性を有し、レジスト塗布膜上の欠陥の数を大幅に低減できるだけでなく、経時によるレジスト液の変質によるレジスト塗布膜上の欠陥も大幅に低減でき、長期保存安定性を有する半導体塗布膜用溶液を提供する。
【解決手段】粗樹脂（１）を４０〜９０℃で活性炭と接触させ、その後珪藻土類及び／又はシリカゲル類と接触させることにより得られる処理済樹脂（１）を含むことを特徴とする半導体塗布膜用溶液。該半導体塗布膜用溶液が化学増幅型レジスト組成物であり、処理済樹脂（１）とともに、酸発生剤及び溶媒を含む前記記載の半導体塗布膜用溶液。 （もっと読む）

【課題】赤外線レーザにより直接製版でき、高感度で、かつ高湿環境下でも保存安定性に優れたネガ型感光性樹脂組成物及びこれを用いた平版印刷用原版を提供する。
【解決手段】 少なくともポリマー骨格の主鎖として下記一般式（１）の構造単位または側鎖として下記一般式（２）の構造単位を有し、かつフェノール性水酸基を有するポリマー、或いは、少なくともポリマー骨格の主鎖として下記一般式（１）の構造単位または側鎖として下記一般式（２）の構造単位を有するポリマーと、フェノール性水酸基を有するポリマーと、のポリマー混合物、を含有することを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物、およびこれを用いた平版印刷用原版。


〔Ａｒ：置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環。Ｘ，Ｘ² ：単結合、２価の連結基。Ｙ：特定の部分構造を有する２価の連結基。Ｚ：１価の末端基。〕 （もっと読む）