ＲＩＥのごときエッチング対象のデバイスそのものが発熱するようなエッチング伴ってデバイスを製造する際に、エッチング精度を高精度とするとともに、製造コストを抑制させることができるようにした、デバイスの製造方法である。
フェノール系樹脂を主成分とした感光性樹脂をデバイス面上に塗布する塗布工程と、該感光性樹脂が塗布されたデバイス面について、所望のパターンで露光することにより、上記パターンを該感光性樹脂の塗布面に転写する転写工程と、上記パターンが転写されたデバイスについて現像処理を施す現像工程と、該現像処理によって現像された該感光性樹脂のパターンをマスクパターンとして、該デバイス面についてエッチングを行なうエッチング工程と、をそなえて構成する。
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【課題】本発明は、有機材料による電気光学効果を利用して、低電圧駆動で光変調する有機導波路型光変調器及び光通信システムに関する。
【解決手段】有機導波路型光変調器１は、電気光学効果を有する有機材料をコア層に持つ光導波路４に、外部から制御された信号を電極６、７に印加して当該信号に応じた電界を発生させて、光導波路４への入射光を電界によって屈折率を変化させて出射光の位相を変化させるに際して、光導波路４と電極６、７を略同一平面に配置している。したがって、電界を効率よく電気光学効果の有機材料に印加することができ、低電圧で駆動して適切に光を変調させることができる。 （もっと読む）

電界吸収変調型ファブリーペローレーザ及びその製作方法が開示される。一態様において、光源(10)は、多モードレーザ光を生成するように動作可能なファブリーペロー(FP)レーザ(14)、通過するレーザ光を選択的に吸収及び伝達するように構成された電界吸収型光変調器(EAM)(18)、及び光アイソレータ(16)を含む。光アイソレータ(16)は、FPレーザ(14)とEAM(18)との間の光路上にある。光アイソレータ(16)は、FPレーザ(14)からEAM(18)までの光路に沿って進むレーザ光を伝達するように構成される。
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【課題】環境温度が変化しても消光比が劣化しないマッハツェンダ型光変調器を提供すること。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、該基板１に形成された二つの干渉腕光導波路２３、２３’をもつマッハツェンダ型光導波路２と、該二つの干渉腕光導波路２３、２３’の温度を一定にする温度制御体１４、１４、１６、１６’と、を有することを特徴とするマッハツェンダ型光変調器。
環境温度が変化しても二つの干渉腕光導波路の温度又は温度変動が温度制御体で一定にされるので、動作点が変動し消光比が劣化することがない。 （もっと読む）

【課題】 ランタンで修飾されたチタン酸ジルコニウム鉛（ＰＬＺＴ）の層を形成する方法等を提供する。
【解決手段】 ＰＬＺＴの層を形成する方法は、（ａ）材料の層を形成するために、鉛の原子、ランタンの原子、ジルコニウムの原子、チタンの原子、及び一つ以上のジオールの化合物を含む溶液で基体を被覆するステップ、（ｂ）第一の時間周期の間に室温より上の且つ４００℃以下の温度まで該材料の層を加熱するステップ、及び（ｃ）その後、続いて第二の時間周期の間に酸素が豊富な雰囲気で５００℃以上の温度まで該材料の層を加熱するステップを含む。 （もっと読む）

半導体量子井戸素子及びその製造方法を開示する。一態様では、素子は、半導体層（40-52）を含む量子井戸構造（38）からなり、半導体層（40-52）は交互に配置されている重い正孔と軽い正孔の価電子帯量子井戸を画定する。量子井戸のそれぞれは、障壁層の間に介在する量子井戸層を含む。軽い正孔の量子井戸（60、62）の一つの障壁層として機能する半導体層の一つは、重い正孔の量子井戸（54、56、58）の一つの量子井戸層としても機能する。重い正孔の量子井戸（54、56、58）の一つの障壁層として機能する他の半導体層は、軽い正孔の量子井戸（60、62）の一つの量子井戸層としても機能する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】入力光ビームを第一及び第二の光ビームに分割する光学スプリッタ１１ａ、１１ｂと、前記第一及び第二の光ビームをそれぞれ受け取り且つ伝送すべく前記光学スプリッタ１１ａ、１１ｂと接続された第一及び第二の導波路アーム９、１２であって、前記導波路アーム９、１２の各々がグループＩＶの半導体材料を備え又はグループＩＶの半導体材料の組み合わせを備えるコア領域３２を有する前記第一及び第二の導波路アーム９、１２と、前記第一及び第二の導波路アーム９、１２と接続され、前記記第一及び第二の光ビームを受け取り且つ該光ビームを合成して出力光ビームにする光コンバイナ１４ａ、１４ｂと、前記第一及び第二の導波路アーム９、１２とそれぞれ関係付けられた第一及び第二の電極構造体２０、２１と、前記第一及び第二の電極構造体２０、２１に電圧を供給する駆動回路８０とを備える、光変調器１において、前記駆動回路８０は、第一の電極構造体２０に対して第一のバイアス電圧に重ね合わせた第一の変調電圧を供給し、また、第二の電極構造体２１に対して第二のバイアス電圧に重ね合わせた第二の変調電圧を供給し得るようにされることを特徴とする、光変調器である。
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コア軸をもつ長尺のコア（１１）と、少なくとも１つの電気的に変調可能な光学特性を持ち、前記コアの少なくとも一部を覆う物質（１３）とを有するフィラメント又はファイバ（１０）である。更にコア軸に実質的に平行な方向又はコア軸のまわりで実質的に円周上に延びる方向に延在する電界を生成する電気刺激手段（１２）であって、この電界は、前記材料の光学特性の変化を電気的に誘起し、これによって、フィラメント又はファイバの視覚的外観を変化させる、電気刺激手段を有するフィラメント又はファイバである。
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【課題】共平面導波管線路は、基板と、前記基板上の中央電極ストリップと、前記中央電極ストリップの反対側に配置され、かつそれらに平行に延びている、第１および第２の電極ストリップと、前記基板上の第１および第２の光導波路であって、前記第１および第２の電極ストリップのあいだに配置され、かつそれらに平行に延びている前記光導波路を備える。前記中央電極は前記第１の光導波路の近傍に延びている少なくとも１つのＴ−レールを備える。前記第１の電極は前記第２の光導波路の近傍に延びている少なくとも１つのＴ−レールを備え、前記基板は前記光導波路間に延びているｎ⁺ 導電層を備える。前記共平面導波管線路は、さらに、第１および第２の電極ストリップの間の電気接続を備える。 （もっと読む）

０〜１０ｄＢ程度の範囲の任意の光減衰量と３０ｄＢ以上の光減衰量とが得られる小型で省電力の平面光波回路型光可変減衰器を提供する。 マッハツェンダ光干渉計回路３０の入力光導波路１ａ，１ｂと出力光導波路１ｄの少なくとも一方の光導波路１ａ，１ｂ、１ｄの長手方向の途中部に光導波路１ａ，１ｂ、１ｄと交わる方向で前記光導波路層３に形成されたスリット１２と、スリット１２内の一部に入れられた屈折率整合剤１３を光導波路１ａ，１ｂ、１ｄの伝搬光の通り道を含む位置と伝搬光の通り道から待避する位置とに移動させる整合剤移動手段１６ａ，１６ｂとを有する。 （もっと読む）

１Ｇｂ／秒を超えるスイッチング速度を達成する電気光学変調器配置は、プリエンファシス・パルスを利用して、電気光学変調器を形成するのに用いられる光導波路の屈折率の変化を加速させる。一実施形態では、変調された光出力信号の一部を用いてプリエンファシス・パルスの大きさおよび持続時間のほか変調に使用される種々の基準レベルを調整するために、フィードバック・ループが加えられ得る。シリコンベース電気光学変調器を含む自由キャリヤベースの電気光学変調器では、プリエンファシス・パルスを用いて入力信号データ値間の遷移において自由キャリヤの移動が加速される。

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