【課題】マイクロ波と光波との速度整合やマイクロ波のインピーダンス整合が実現でき、しかも、駆動電圧の低減が可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板１と、該薄板に形成された光導波路２と、該光導波路を通過する光を制御するための制御電極とを有する光制御素子において、該制御電極は、該薄板を挟むように配置された第１電極と第２電極とからなり、該第１電極は、少なくとも信号電極４と接地電極５（５１）とからなるコプレーナ型の電極を有し、該第２電極は、少なくとも接地電極５４を有すると共に、第１電極の信号電極と協働して該光導波路に電界を印加するよう構成され、かつ該第１電極の信号電極は、少なくとも１つの信号線路が途中で２つ以上に分岐される分岐信号線路を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

光学干渉計とともに電子吸収を使用して光信号を変調するための方法および装置について記載する。信号を分割して複数の光学モードになるように変調し、ＥＡＭを用いてこれらのモードのうちの少なくとも１つのモードを変調した後に、これらのモードを干渉結合させることにより、従来の方法よりも振幅が小さい変調器駆動信号を用いて位相シフト・キーイング変調を実現することができる。本発明を使用すると、所与の駆動電圧でＡＳＫの消光比性能を著しく改善することができ、あるいは大幅に低い駆動電圧で所望の消光比を実現することもできる。したがって、消光比と帯域幅の間のトレードオフ関係を克服することにより、ＥＡＭの電子光学的帯域幅を改善することができる。さらに、本発明を使用して、はるかに低い駆動電圧でＱＰＳＫやＱＡＭなどの他の変調フォーマットを生成することができ、それにより変調用の高速駆動電子装置のコストおよび消費電力が低減する。
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【課題】同一基板上に形成された２つの光変調器を曲がり折り返し導波路により接続した構成において、信号電極を伝搬する電気信号の損失を減らすことのできる光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の光変調器は、同一基板１０上で折り返し導波路２７によりタンデム接続された２つのＭＺ型光変調器について、光出力ポートＰｏｕｔ側のＭＺ型光導波路部２０Ｂの長手方向に対して、光入力ポートＰｉｎ側のＭＺ型光導波路２０Ａの長手方向を斜めに配置し、曲がり折り返し導波路２７の曲率半径Ｒｒを光入出力ポート間隔ＩＮＴの半分よりも大きくすることで、入力側のＭＺ型光導波路２０Ａに対応した信号電極３１Ａのフィーダ部３１Ｆの長さを短くする。
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【課題】光導波路を伝播する光を変調するための変調信号が印加される信号電極と、変調信号の動作点を制御するためのバイアス電圧が印加されるバイアス電極を備える光変調器において、バイアス電圧の低電圧化を可能とする。
【解決手段】電気光学効果を有する基板とバイアス電極との間に設けるバッファ層において、バイアス電極の下の基板に光導波路が存在しない領域においてはバッファ層を設けずバイアス電極を基板の表面上に直接形成する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ高速で変調が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、光導波路３と、基板の一方の面側に形成され、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる進行波電極４とを有し、進行波電極が、高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための相互作用部と、少なくとも外部回路から相互作用部に高周波電気信号を印加するための入力用フィードスルー部を具備する光変調器において、進行波電極には進行波電極の基本モードが伝搬し、光導波路の長手方向にほぼ垂直となる基板の断面の最も長くなる辺の長さと基板の断面の最も短くなる辺の長さの比をほぼ２倍以上に大きく、最も短くなる辺の長さとこの方向における高周波電気信号の等価屈折率の積が０．４ｍｍより大きく、かつ１５ｍｍよりも小さくなるように、基板の最も短くなる辺の長さを設定する。 （もっと読む）

シリコンベースの光変調器構造は、関連部分の構造の屈折率を変え、それによって、デバイスの性能に所望のされない変化を取扱うための正確な調整を提供する、１又はそれ以上の別個の局在化加温素子を含んでいる。加温は例えばシリコンベースの抵抗、ケイ化物抵抗、順バイアスＰＮ接合等のような熱光学デバイスであり、これらの構造のいずれもシリコンベースの光変調器に簡単に取り込まれうる。ＤＣ電圧のこれらの構造のいずれかへの印加は熱を生成し、次いで導波領域に伝達する。導波領域の局所温度の増加は、順次、領域内の屈折率を増加する。印加ＤＣ電圧の制御は、屈折率の制御となる。 （もっと読む）

誘電性媒質内に分布された部分的に結合された複数の光学的共振器（３０５、３１０）と、これら光学的共振器を通過した光（３２５）をブラッグ回折により回折するようにこれら光学的共振器内に音波を入射させるために誘電性媒質の表面に取り付けられている少なくとも１つの音響トランスデューサ（３１５）を有している音響光学モジュールが提供される。この音響光学モジュールは、特に、横波の音波が発生され、この音波がこの音響光学モジュールを通過する偏光された光信号とほぼ平行な方向にこの音響光学モジュールを通過する、改良された調整可能な光学フィルタに適用された。この音響光学モジュールは、また、改良された光学的周波数シフタに適用された。
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【課題】電気光学効果を有する基板に一対の光導波路および電極を形成した導波路型光デバイスについて、駆動電圧を低減する。
【解決手段】本発明は、例えば、Ｚ−カットのＬＮ基板１を用いたマッハツェンダ型のＬＮ変調器について、ＬＮ基板１の表面にエッチング部１Ａを形成して段差を設け、その段差部分にマッハツェンダ干渉計の一対の分岐導波路１３Ａ，１３Ｂが位置するように光導波路１０を形成することで、基板面の垂直方向について、各分岐導波路１３Ａ，１３Ｂの間に高低差をつける。これにより、一方の分岐導波路１３Ｂの上方に設けた信号電極２１から他方の分岐導波路１３Ａの上方に設けた接地電極２２に向かう電気力線が分散し難くなり、低い駆動電圧で所望の電気光学効果を得ることが可能になる。
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【課題】減衰量の温度依存性や波長依存性、及び駆動電流を低減し、光伝送装置に容易に適用可能な磁気光学結晶を用いた小型な光可変減衰器を提供する。
【解決手段】光可変減衰器は、ヨーク８２及びコイル８４で構成される電磁石８０と、磁気光学結晶２０とを備える。磁気光学結晶２０は、ヨーク８２のギャップ中に隙間なく挿入されている。従って、ヨーク８２で発生した磁界を外部に洩れることなく効率良く磁気光学結晶２０に供給することができ、その結果、磁気光学結晶２０に強い磁場を均一に印加することができる。よって、磁気光学結晶２０とヨーク８２との間に隙間がある構成に比べて、コイル８４に供給する電流を低減でき、電磁石８０の駆動電力を低減できる。 （もっと読む）

【課題】部品点数を最小にし、装置部門もしくは顧客環境における汎用性の向上、そして、消費電力の低減化を実現する電界吸収型光変調器等を提供する。
【解決手段】発光部１０１と変調部１０２を有し、１つまたは複数有する正電源のうちの１つにより第１の正電圧がかかり中間電位を有する電界吸収型光変調器１００において、前記正電源のうちの１つにより、前記発光部１０１に対して前記第１の正電圧よりも高い第２の正電圧がかかり順バイアスで印加して当該発光部１０１を駆動してＬＤ素子１０３よりレーザ発光し、前記変調部１０２に対して前記第１の正電圧よりも低い第３の正電圧がかかり逆バイアスで印加して当該変調部１０２を駆動して変調素子１０４の変調により光の吸収率を変化させ光信号の出力のＯＮ／ＯＦＦを制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶内部の電界分布が一様となるようにして、良好な電気光学特性を得る。
【解決手段】電気光学結晶４０を用いた電気光学素子において、電気光学結晶４０に電界を印加するための陽極４２ａおよび陰極４２ｂを備え、陽極４２ａの電気光学結晶４０との接触面積は、陰極４２ｂの電気光学結晶４０との接触面積より狭い。具体的には、陽極４２ａの幅は、陰極４２ｂの幅より狭く、陰極４２ｂの幅を、陽極４２ａおよび陰極４２ｂの間隔より広くする。 （もっと読む）

【課題】低周波数から高周波数まで広帯域にわたって高効率な変調を施すことが可能であり、キャリア電力と信号電力の比率を任意に調整することが可能な光変調器を提供する。
【解決手段】第１ＳＳＢ変調部１０３ａにおいて、サブマッハツェンダー導波路でＲＦキャリア周波数ｆ_ｍの変調を行うとともにメインマッハツェンダー導波路で位相差−π／２を付与し、第２ＳＳＢ変調部１０３ｂにおいて、サブマッハツェンダー導波路でデータ信号による変調を行うとともにメインマッハツェンダー導波路で位相差π／２を付与する。この場合、２つのＳＳＢ変調部からの出力光は互いに反対の単一側波帯を有する。 （もっと読む）

【課題】 電気光学素子を利用した光デバイスは、高速な応答性などにより、産業上の利用価値は大きい。従来の技術では部品点数が多くデバイスサイズが大きい、駆動電圧が大きいなどの問題があり、使用部品点数の低減、デバイスの小型化、駆動電圧の低減が課題であった。
【解決手段】 本発明の光デバイスは、多芯フェルール３により固定された入力ファイバ１、出力ファイバ２１および２２と、コリメートレンズ４１，４２，４３、光を反射する反射素子１１から構成される反射構造とし、さらに、集光レンズ９と電気光学素子１０を備え、該電気光学素子１０は該集光レンズ９の集光点付近に設置される。該電気光学素子１０の電極は、電極間距離が集光部に近いほど小さくなるような構成とする。 （もっと読む）

【課題】消光比や光挿入損失を保持しつつ、光導波路デバイスの小型化や駆動電圧の低減を可能とするような光導波路デバイスを提供することである。
【解決手段】光導波路デバイスは、電気光学材料からなる基板本体、光導波路９、および光導波路９に電圧を印加するための接地電極および信号電極を備えている。光導波路９が、入射部９ａ、出射部９ｋ、および入射部９ａと出射部９ｋとの間に設けられており、接地電極および信号電極と相互作用する相互作用部１０を備えている。入射部９ａの長さａが出射部９ｋの長さｂより短い。 （もっと読む）

【課題】変調帯域を確保し、駆動電圧を低減化し、光変調装置の高速・高性能化を図る。
【解決手段】電気光学効果を有する結晶基板上に形成された光導波路１１と、光導波路１１の近傍に形成された信号電極１２と、信号電極１２の両側に形成された接地電極１３と、から構成され、信号電極１２の特性インピーダンスＺ０の範囲をマイクロ波の反射が一定値以下となるように定め、光とマイクロ波の位相を整合した場合に、信号電極１２と接地電極１３のギャップが５０μｍ以上、かつ信号電極１２の作用長Ｌが５０ｍｍ以上で、４０Ｇｂ／ｓ以上の光変調を行う。 （もっと読む）

【課題】 低電圧で動作させることができ、複雑な駆動回路を必要とせず、高効率であり、光ファイバー等との結合損失が小さい電気光学デバイスを提供する。
【解決手段】 主光導波路３と、主光導波路から分岐された第１，第２の光導波路４，５とが形成されている電気光学基板２と、電気光学基板２の上面において、第１，第２の光導波路の少なくとも一部において、各光導波路の少なくとも一部を覆うように設けられた第１，第２の上部電極９，１０と、第１，第２の上部電極９，１０と対向するように第１，第２の光導波路４，５の下面側に設けられた第１，第２の下部電極７，８とを備え、第１の上部電極９と、第２の下部電極８とが同電位に、第２の上部電極１０と第１の下部電極７とが同電位に接続され、第１，第２の上部電極９，１０が、異なる電位に接続されるように構成されている、電気光学デバイス１。 （もっと読む）

【課題】 高速で駆動電圧が低く、かつＤＣバイアス電圧が小さい光変調器を提供する。
【解決手段】 電気光学効果を有する基板１と、基板１に形成された光を導波するための光導波路３と、基板１の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号とバイアス電圧を印加する中心導体４ａ及び接地導体４ｂ、４ｃからなる進行波電極４と、中心導体４ａに外部電気回路から高周波電気信号を印加するための芯線７を具備するコネクタ部６とを有し、進行波電極４に高周波電気信号とバイアスを印加することにより光導波路３を伝搬する光の位相を変調する領域である相互作用部２５が具備されている光変調器において、少なくとも中心導体２１ａを形成した展開基板２０を高周波電気信号が入力されるコネクタ部６の芯線７の近傍に設け、光の位相を変調するための相互作用部２５の長さを、展開基板２０を用いない場合より長くする。 （もっと読む）

【課題】キャリアを注入するための効率的な電流伝導経路を提供し、デバイスの作動帯域幅を強化し、電力消費を低減する。
【解決手段】二酸化シリコン層（３０４）と、埋込ケイ化物層（３０６）と、接点層（３０８）と、シリコン表面層（３１０）とをこの順に含む光学デバイス（３００）。表面層（３１０）は選択的にエッチングされ露出リブ（３１２）が形成される。リブ（３１２）の上面はドープされそれに沿って細長い電極（３１４）が形成される。表面層（３１０）は、リブ（３１２）から離れた領域において接点層（３０８）まで選択的にエッチングされ、接点層（３０８）との電気的接続を行うためのバイアチャネル（３１６ａ、３１６ｂ）が形成される。リブ（３１２）は放射線が伝播する導波路を形成する。電荷をリブ（３１２）内へ注して、放射線の大部分が伝播するリブ（３１２）の中心領域（３２４）に屈折率変化を誘起する。 （もっと読む）

【課題】 消費電量を低減し、損失を抑制可能な熱光学光変調器および光回路を提供すること。
【解決手段】 石英系材料からなるコア３と、コア３上に形成された、コア３よりも屈折率が高く、コア３よりも屈折率温度係数が大きい材料からなるコア４と、コア３とコア４とを接続するスポットサイズ変換器としてのテーパー部５と、コア４に温度を加えるようにクラッド２上に形成されたヒータ６とを備える。 （もっと読む）

【課題】偏波依存性があり高い電気光学定数を有する材料を用いて光偏向素子を形成することで駆動電圧の低減および偏向角の増大を図り、かつ、偏向角の偏波依存性によって生じる損失を減少させることのできる光スイッチを提供する。
【解決手段】本発明の光スイッチは、光入力部１０の入力チャネル導波路に与えられた光を、スラブ型光導波路部４０の前後に配置した第１および第２光偏向部３０，５０で対称に偏向させることで光出力部７０の所望の出力チャネル導波路に導くものであり、第１および第２光偏向部３０，５０が、プリズム型電極を形成した入力側上部電極部３２，５２および出力側上部電極部３３，５３の間に１／２波長板３５，５５を有し、スラブ型光導波路部４０も中央に１／２波長板４１を有する。
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