【課題】光変調器の小型化を図る、または、光変調器において電極に付与する電圧を低くする。
【解決手段】光変調器３は、電界により屈折率が変化する材料にて形成される板状であって、入射面３１３から入射する光を主面３１１に平行な移動方向に沿って反対側の対向面３１４へと導くベース部３１、対向面３１４に設けられ、入射する光を反射して移動方向に沿って入射面３１３へと導くミラー３６、並びに、ベース部３１の主面３１１上にて移動方向に垂直な配列方向に複数の電極要素が並ぶ電極３３を備える。光変調器３では、電極要素間に電圧を付与することにより、入射面３１３から対向面３１４へと至る光の経路の一部、および、対向面３１４から入射面３１３へと至る光の経路の一部の双方において配列方向における周期的な屈折率の変化を生じさせて光を効率よく回折させることができ、光変調器の小型化、または、電極に付与する電圧の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】光モジュールとしての特性を実現できる程度に十分な光結合系を構成することが可能な電気光学レンズを利用した光導波路及び可変光モジュールを提供する。
【解決手段】スラブ導波路光モジュール１０は、電気光学効果を有するコア層の両側にクラッド層が積層されたスラブ導波路１１における光の入射端面１１ａ及び出射端面１１ｂに、それぞれ入力側光ファイバ１３ａ、及び出力側光ファイバ１３ｂが光学的に結合されたものである。スラブ導波路１１の上面には、上部電極１５ａ，１５ｂが連設され、かつ、同下面には下部電極が設けられ、電圧の印加により、入力側薄膜レンズＲ１１ａ等が形成される。また、スラブ導波路１１の上面における入射端面１１ａと上部電極１５ａの間には、上部電極１７ａが設けられており、電圧印加によりスポットサイズ変換部Ｓ１７ａが形成される。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、挿入損失が少なく製作の歩留まりが改善された光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板の上方に配置された中心導体と接地導体からなる進行波電極と、進行波電極を伝搬する高周波電気信号の電界強度が強い領域における基板の少なくとも一部を掘り下げることにより形成した凹部により構成されるリッジ部とを具備し、リッジ部は中心導体が上方に形成された中心導体用リッジ部と、接地導体が上方に形成された接地導体用リッジ部からなり、中心導体用リッジ部に光導波路が形成されている光変調器において、凹部は、基板の上面側から下面側に向かって幅の異なる第１の凹部１３ｂと第２の凹部１４ｂから少なくともなり、第２の凹部１４ｂの幅は第１の凹部１３ｂの幅よりも狭いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で、且つ、安価に作製することができる光導波路型ＲＦ光変換器および光変調素子を提供する。
【解決手段】光導波路型ＲＦ光変換器１は、リング共振器１０および強誘電体層１３を備える。リング共振器１０は、前記光導波路に光結合するように設けられたリング状光導波路１１を含む。強誘電体層１３は、リング状光導波路１１のクラッドの一部をなすように設けられる。強誘電体層１３に外部から電界を印加すると、電界の強度に応じて強誘電体層１３の屈折率が変化するのに伴って、リング状光導波路１１の有効屈折率も変化する。有効屈折率の変化によって、リング共振器１０のフィルタ特性が短波長側または長波長側にシフトするので、光導波路型ＲＦ光変換器１を伝播する光の波長がフィルタ特性の遷移域にあれば、光の強度が変化する。このようにして、ＲＦ信号を光強度信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】装置規模や消費電力を改善してＱＡＭ信号を生成する。
【解決手段】入力光について互いに独立した多値変調を行なう多値変調部２５，２６をそなえ、該多値変調部の１つ２５は、２つの内側アーム導波路２５ａｂ，２５ａｃを有する内側マッハツェンダ導波路２５ａと、該内側マッハツェンダ導波路を伝搬する光との相互作用を与える電界を供給する２本の信号電極２５ｂ−１，２５ｂ−２と、をそなえ、該内側マッハツェンダ導波路又は該信号電極には、該内側アーム導波路と相互作用を与える電界を供給する信号電極との対が互いに入れ替えられる交差箇所が偶数個そなえられ、該交差箇所の少なくとも一つを境界とした該内側アーム導波路の光伝搬域に、分極反転領域１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】シングル駆動方式を適用したときに従来よりも低い電圧の駆動信号で位相変調を行うことの可能なマッハツェンダ型光変調器を提案する。
【解決手段】本提案に係るマッハツェンダ型光変調器は、電気光学結晶基板１００内に形成される光導波路１０１について、入力部１０２と、該入力部から分岐して伸延する複数の分岐変調部１０３，１０４と、複数の入力ポート及び複数の出力ポートを有し、その入力ポートが分岐変調部１０３，１０４につながっている干渉光カプラ部１０５と、該干渉光カプラ部の出力ポートにつながった複数の入力ポートを有すると共に複数の出力ポートを有する出力光カプラ部１０６と、を備えた光導波路とする。 （もっと読む）

【課題】 高速な応答性並びに低消費電力を実現できると共に、パッケージ内の構造を簡素化可能な電力供給経路を備える光学位相調整板を実現する。
【解決手段】 熱光学効果により透過光に対する屈折率を変化させることができる光学基板にヒータを貼り付け、その熱応答で前記透過光の光路長を調整する光学位相調整板において、
前記光学基板の面上に形成された薄膜ヒータと、
前記光学基板の面に対して直交する面に配置された、前記薄膜ヒータへの配線部材と、
前記光学基板と前記配線部材との間に配置され、直交して隣り合う第１面と第２面が金属メッキされた角型の中継部材と、
前記薄膜ヒータと略同一平面にある前記中継部材の第１面とを結合する第１ワイヤーボンディングと、
前記配線部材と略同一平面にある前記中継部材の第２面とを結合する第２ワイヤーボンディングと、
を備える。 （もっと読む）

【課題】入力された信号の劣化を防止するとともに、消費電力を低減することができる光送信器を提供する。
【解決手段】入力された送信データ列に基づいて第１変調データおよび第２変調データを算出し、第１変調データおよび第２変調データを周期Ｔで出力するＤＳＰ１と、第１変調データをアナログ信号に変換するとともに、第２変調データをＴ／２周期遅延したアナログ信号に変換するアナログ化手段と、アナログ信号に変換された第１変調データに応じて光源８からの光を変調して得られる光信号と、Ｔ／２周期遅延したアナログ信号に変換された第２変調データに応じて光源８からの光を変調して得られる光信号とを合成して、周期Ｔ／２で変化する光送信信号を生成する光変調器９とを備え、ＤＳＰ１は、光送信信号が所望の信号波形になるように第１変調データおよび第２変調データを算出する。 （もっと読む）

【課題】 光強度変調器や光スイッチ等を構成する屈折率制御可能なシリコン導波路において、従来技術に於いて困難であった、高速性、低電圧動作（高効率）、作製容易性を同時に満たす構造および作成方法を提供すること。
【解決手段】 基板表面（延在方向）の法線方向に接合界面を有するpn接合を複数個、導波路中に形成する。これにより、ドーピング濃度の変化が、基板に水平方向のみとなり、シリコン電子デバイスと同様の工程で作製が可能となり低コストの素子作製が可能となる。また、導波路内に二つ以上の接合界面を設け、屈折率変調領域の導波路に占める面積を増大させることにより、屈折率変調効率を増大させ、低電圧動作が可能となる。 （もっと読む）

【課題】
電気光学効果を有する基板の厚みが１５μｍ以下の場合でも、駆動電圧Ｖπを低減し、光損失を抑制すると共に、インピーダンス整合を図ることが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成され、厚さが１５μｍ以下の基板１と、該基板の表面から高屈折率材料を基板内にドープして形成される光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調制御するための制御電極とを有する光導波路素子において、該制御電極は、該光導波路を挟んで配置される信号電極３と接地電極４とから構成され、該信号電極の幅Ｗと該信号電極と該接地電極との間のギャップＧとの比Ｗ／Ｇが、０．７以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光変調器のマイクロ波の速度整合をはかり、光変調器の金属電極による伝搬光の吸収による光損失を防止するとともに、駆動電圧を低減する。
【解決手段】光変調器は、電気光学単結晶のＸ板またはオフセットＸ板からなり、厚さ３０μｍ以下の基板１、基板１の一方の主面１ａ上に設けられた信号電極２および接地電極３Ａ、３Ｂ、信号電極と接地電極とのギャップに形成されており、基板の主面１ａから凹んだギャップ内溝８およびギャップ内溝の底部に設けられたチャンネル型光導波路からなる変調部６Ａ、６Ｂを備えている。信号電極と接地電極に変調電圧を印加することによって、変調部を伝搬する光を変調する。 （もっと読む）

【課題】広帯域で動作し低電圧駆動が可能な光導波路デバイスを、その特性を劣化させることなく低コストに実現する。
【解決手段】光導波路デバイスは、厚さ３０μｍ以下の光導波路基板と、光導波路基板を保持し光導波路基板より誘電率が低い樹脂製の保持基板と、を有する。光導波路基板と保持基板は厚さ９μｍ以下の接着剤層によって接着されている。 （もっと読む）

【課題】広帯域で動作し低電圧駆動が可能な光導波路デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】厚さ３０μｍ以下の光導波路基板と、前記光導波路基板を保持する保持基板と、前記光導波路基板より誘電率が低く、前記光導波路基板と前記保持基板との間に介挿された低誘電率基板と、前記光導波路基板と前記低誘電率基板とを接着する厚さ９μｍ以下の接着剤層と、前記低誘電率基板を前記保持基板に固定する固定手段と、を備える （もっと読む）

【課題】電気光学効果を利用した光学素子において、消費電力の低減、電気光学応答の高速化、低電圧化、広帯域化を図ることが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光導波路コアが平板状のフォトニック結晶層１１およびその面の片側にリブ状に設けられた矩形導波路１４からなる光学素子１０において、フォトニック結晶層１１は、Ｐ極性の導電性を有するＰ型領域１１Ａと、Ｎ極性の導電性を有するＮ型領域１１Ｂとを有し、フォトニック結晶層１１の面内には、Ｐ型領域１１ＡとＮ型領域１１Ｂとを隔てる絶縁媒質からなるギャップ領域１３が、矩形導波路１４の中心線と重なる線に沿って設けられる。 （もっと読む）

【課題】小型で、駆動電圧が低く、光変調帯域が広く、特性インピーダンスについて改善された光変調デバイスを提供する。
【解決手段】基板１と、基板に形成された光導波路３０と、基板上に設けられた電極４０とを備え、光導波路は、電極に電圧を印加することにより屈折率が変化する領域である相互作用部に相互作用光導波路を含んで構成されている光変調デバイスにおいて、相互作用光導波路が、その幅方向の中心線について、基板の長手方向に関する微分係数が連続となる状態で蛇行して形成されており、電極が、蛇行して形成されている相互作用光導波路と並んで蛇行して形成されており、相互作用光導波路と電極とが並んでほぼ直線に形成されている場合と比較して相互作用部の長さが長くなっている。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で安定性を備えた状態で、より低い消費電力とされた熱光学位相シフタを提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる支持基板１０１と、支持基板１０１の上に形成された酸化シリコンからなる下部クラッド層１０２と、下部クラッド層１０２の上に形成された単結晶シリコンの細線（シリコン細線）から構成されたコア１０３と、下部クラッド層１０２およびコア１０３の上に形成された酸化シリコンからなる上部クラッド層１０４と、コア１０３の上部にあたる上部クラッド層１０４の上に配置されたヒータ層１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】
駆動電圧の増加を抑制しながら、光波の伝搬損失を低減すると共に、伝搬損失低減手段によって高周波帯域における光応答特性が劣化しないように維持した光導波路素子を提供すること。
【解決方法】
電気光学効果を有する基板と、該基板の主面に形成されたマッハツェンダー型光導波路と、該光導波路内を導波する光波を制御するための制御電極とを備えた光導波路素子において、該マッハツェンダー型光導波路は、該制御電極による光波の制御を行なう光導波路部分である作用部と、該作用部に光波を導入又は該作用部から光波を導出する光導波路部分である入出力部（２，２１，２２）とに分けられ、該制御電極が信号電極３と接地電極（３２１〜３２３）から構成され、該接地電極が該入出力部を跨いで配置される際には、該入出力部上の少なくとも一方の該接地電極に光損失低減手段を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】線形性の高い消光特性が得られるようにする。
【解決手段】第１導電型半導体クラッド層（ｎ型クラッド層）１１、半導体光吸収層１２及び第２導電型半導体クラッド層（ｐ型クラッド層）１３が順次積層されてなる層構造を有する電界吸収型半導体素子において、第１導電型半導体クラッド層１１及び第２導電型半導体クラッド層１３にそれぞれ添加されている不純物の濃度を、それぞれ半導体光吸収層１２との界面側において高くし、その界面の法線方向に濃度勾配を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】直流バイアスの変動の抑制を図り、かつ外部変調器とバイアス回路との接続部の小型化を図った外部変調器のバイアス回路を提供する。
【解決手段】直流バイアス手段は、前記外部変調器に最適な直流バイアス電圧を供給する調整電圧を設定する調整電圧設定手段と、直流バイアス電流を前記外部変調器に並列接続された終端抵抗に供給する定電流源を構成する制御用トランジスタと、前記調整電圧に基づく一定のバイアス電圧を、前記制御トランジスタに供給するバッファアンプとを有する。 （もっと読む）

【課題】光変調器において、速度整合周波数を高帯域とし、かつ変調用電極における電極損失を減少させることである。
【解決手段】光変調器は、電気光学材料からなる基板、基板上に設けられた信号電極３Ａ、３Ｂおよび接地電極２Ａ、２Ｂ、および基板に設けられた光導波路を備える。信号電極および接地電極が、それぞれ、相互作用部２ａ、２ｃ、３ａ、３ｃおよびフィードスルー部２ｂ、２ｄ、３ｂ、３ｄを備えている。相互作用部に変調電圧を印加することによって、光導波路を伝搬する光を変調する。フィードスルー部の厚さが相互作用部の厚さよりも大きい。 （もっと読む）