【課題】従来の、電気光学効果を利用した光導波路素子では導波路と同一平面に電界を制御する電極を配置するため、このために制御効率にロスが発生していた。
【解決手段】第１の光学基板１０１と第２の基板１０２とを接合してなり、第１の光学基板１０１はリッジ型導波路を有し、この導波路のリッジ頂部に電極１０４、および第１の光学基板１０１のリッジ頂部とは反対側に電極１０７を備えたもので、これにより導波光１０８に直接電界を印加できることでリッジ高さ方向の電界制御効率の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、可変光アッテネータなどの磁気光学光部品に関し、小型で低消費電力の磁気光学光部品を提供することを目的とする。
【解決手段】±Ｘ方向に並列配置された光ファイバ対（３１ａ，３２ａ）〜（３１ｄ，３２ｄ）と、光ファイバ３１ａ〜３１ｄからの光がそれぞれ透過する複数の光透過領域と、光入出射面に平行でない方向の磁化により構成される磁区Ａと、磁区Ａの磁化方向とは逆向きの方向の磁化により構成される磁区Ｂと、磁区Ａ及び磁区Ｂの境界となる磁壁とを備えたファラデー回転子２０と、ファラデー回転子２０に所定の磁界を印加する１つの永久磁石５５と、光ファイバ対（３１ａ，３２ａ）〜（３１ｄ，３２ｄ）に対応してそれぞれ配置され、ファラデー回転子２０に可変磁界を印加して複数の光透過領域近傍での磁壁の位置をそれぞれ可変とする電磁石５１ａ〜５１ｄとを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 クラッドの厚みもさほど厚くなく、高アスペクト比の加工を必要とせずに、所望の応答速度を実現できる低消費電力の熱光学位相変調器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に堆積されたクラッド層の中にコアを有し、コアの真上のオーバークラッド上に薄膜ヒータを配した熱光学位相変調器において、ヒータから加えられた熱が基板に散逸するのを防ぐために、クラッド層のうち、ヒータとコアを含む部分を断熱溝で囲むとともに、この断熱溝で囲まれたクラッド層の一部を基板から離れた中空構造として、ヒータとコアを含む部分と基板との接触面積を減らす。加えて、この中空構造を支えるためにクラッドと基板とが接触する連結部分をヒータから離れた片側に設けてオーバハング状態にし、その連結部分の断面積を他のクラッドの断面積よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】歪が導入された量子井戸層を活性層とする半導体レーザあるいは電界吸収型変調器においてバンド構造、特にΔEcとΔEvが独立に調整することができないため、レーザ特性、或いは変調特性の適正化に限界が生じていた。
【解決手段】n型InP基板1上に、n型InGaAlAs-GRIN-SCH層3、MQW層4、p型InGaAlAs-GRIN-SCH層5、ｐ型InAlAs電子ストップ層6等を順次積層し、MQW層4がInGaAlAsの歪井戸層とInGaAlAsSbで構成され井戸層とは符号が逆の歪を有する障壁層から構成される。 （もっと読む）

電気光学結晶（１）の対向する一対の側面（１ａ、１ｂ）に、溝（３ａ、３ｂ）を各底面の距離が所定の距離以下になるべく各々の底面が互いに近接するように形成し、この溝（３ａ、３ｂ）をほぼ完全に埋めるように各溝内に一対の電極（５ａ、５ｂ）を形成する。
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【課題】基板に形成され分岐された導波路のうち一方を分極反転させ、その上側に形成される中央電極で二つに分岐された導波路を同時に制御することによって、低電圧駆動が可能であり、チャープ（Ｃｈｉｒｐ）による信号歪みのない特性を具現することができる対称構造を有する低電圧型光変調器を提供する。
【解決手段】基板と、基板上面から内側に入力部と、入力部から分岐した一対の第１及び第２分岐部と、第１及び第２分岐部が結合される出力部よりなる光導波路と、光導波路の第１と第２分岐部との間を基準にして基板の一領域に分極反転されている分極反転領域と、光導波路の第１及び第２分岐部の側面の基板がエッチングされ形成された第１ないし第３凹溝と、基板の上面に形成されたバッファ層と、第１及び第３凹溝である光導波路の第１及び第２分岐部の上側のバッファ層の上部に形成された中央電極と、中央電極と独立しており、第１及び第３凹溝の側面上側のバッファ層の上部にそれぞれ形成された第１及び第２側面電極を含んでなされる。 （もっと読む）

【課題】 駆動電流が小さく、高速で動作可能な光強度変調器を提供すること。
【解決手段】 基板５上には、３ｄＢカプラ１８と、３ｄＢカプラ１８に連結された、第１の光導波路１９および第２の光導波路２０と、第１の光導波路１９および第２の光導波路に連結された３ｄＢカプラ２４とを備える。第１光導波路１９は、二次の電気光学効果を有し、基板５よりも高い誘電率を有する材料からなるコアを含む導波路である。該導波路にプラス電極２１およびマイナス電極２２を設け、プラス電極２１およびマイナス電極２２は、コアの幅Ｗよりも広い間隔Ｌ_１で第１の光導波路１９中の光の進行する方向に沿って配置され、かつコアに対して上記方向に電界を印加するように第１の光導波路１９上に配置されている。 （もっと読む）

単純な構成で、低駆動電圧、偏波無依存かつ高速の光スイッチ、光変調器および波長可変フィルタを提供する。本発明に係る光スイッチは、入力側に設けられた３ｄＢカップラ（１６）と出力側に設けられた３ｄＢカップラ（１７）と入力側３ｄＢカップラ及び出力側３ｄＢカップラを接続する２本の光導波路とを備えている。また、２本の光導波路の一方又は両方に電界を印加する位相変調部（１８）を備える。少なくとも２本の光導波路は、ＫＴａ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３（０＜ｘ＜１）及びＫ_１−ｙＬｉ_ｙＴａ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、又はＫＴａ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３若しくはＫ_１−ｙＬｉ_ｙＴａ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３からなる組成の結晶材料である。
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本発明は、主として光通信システムや光情報処理システムにおいて用いられる半導体光変調器に関する。 本発明は、ＳＩ−ＩｎＰ基板（１１）上に順次、ｎ−ＩｎＰクラッド層（１２）と、光導波層（１３）と、ＳＩ−ＩｎＰクラッド層（１４）と、ｎ−ＩｎＰクラッド層（１５）とが積層され、ｎ−ＩｎＰクラッド層（１５）に接続された電極（１６）と、ｎ−ＩｎＰクラッド層（１２）に接続されたグランド電極（１７）とから電圧を印加することを特徴とする。 本発明は、特に低電圧で動作すると共に導波損失の小さい半導体位相変調器又は半導体マッハツェンダ型光変調器として適用することができる。
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【課題】実質的に低損失であり電圧低下を改善する、電気光学ニオブ酸リチウム基板を有する変調器を提供する。
【解決手段】本基板は、その表面に沿って延びる第１、第２および第３のリッジを有する。第１および第２のリッジに沿って第１および第２の導波路が延びている。ＲＦ電極が第１の導波路の上を延び、第１のセクションを含むスロット付きの第２の電極が第２の導波路の上を延びている。かかるスロット付き電極の第２のセクションが、第３のリッジ上を第１のセクションに平行し隣接して延びている。要約すると、本発明は、スロットがスロット付き電極間の基板内に形成されたスロット付き接地電極を提供する。 （もっと読む）

【課題】 電気光学定数の高い電気光学薄膜素子を得る。
【解決手段】 Ｚカットの電気光学単結晶基板上に、面内方向の格子定数は前記基板と同じであるが、面直方向の格子定数は前記基板よりも大きいニオブ酸リチウム単結晶薄膜が成膜されている電気光学薄膜素子、あるいはＸカットの電気光学単結晶基板上に、面内方向の格子定数は前記基板と同じであるが、面直方向の格子定数は前記基板よりも小さいニオブ酸リチウム単結晶薄膜が成膜されている電気光学薄膜素子である。Ｚカット基板とニオブ酸リチウム単結晶薄膜との格子歪みは、＋０．１％以上、Ｘカット基板とニオブ酸リチウム単結晶薄膜との格子歪みは、−０．１％以下とすることが好ましい。 （もっと読む）

複数のマッハツェンダ型光変調器からなる光変調器（例えばＲＺ光変調器）において、コンパクト化を図りながら、低駆動電圧を実現できるようにすべく、光変調器を、電気光学効果を有する基板（４）と、基板上に形成される光導波路（５）と、光導波路の近傍に形成される電極（６），（２２），（３２）とを含む複数のマッハツェンダ型光変調器（２），（３）を備えるものとし、複数のマッハツェンダ型光変調器が、基板上に並列に配置され、多段接続されるように構成する。
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【解決手段】２、３の例として挙げれば、１つの熱光学装置が、１つのヒータを用いて、１つの光スイッチ、１つのマッハ‐ツェンダ干渉計、あるいは、１つの可変光減衰器などの１つの光素子の調整を行うことが可能となる。実施形態によっては、光芯材とクラッド材とを１つの基板上に含む１つのクラッドコアを画定し、１つのヒータの３つの側部に上記クラッドコアをカバーすることにより、加熱効率と電力効率とに起因して生じる複数の偏光依存損失の改善が可能となるものもありうる。
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【課題】 駆動電流が小さく、高速で動作可能な光位相変調器を提供すること。
【解決手段】 基板５上に、二次の電気光学効果を有し、基板よりも高い誘電率を有する材料からなるクラッド６および導波路コア７を含む導波路を備える。クラッド６上には、＋電極８電極および−電極１０が、電極片９ａおよび電極片１１ｂの間隔が、導波路コア７の幅よりも広い間隔で導波路中の光の進行する方向に沿って配置され、かつ導波路コア７に対して上記方向に電界を印加するようにクラッド６上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 断熱溝構造を有する光導波路と薄膜ヒータによって構成され、熱光学効果を利用した光の位相シフタにおいてより低い消費電力およびより高密度な回路を提供するための構成を最適化することを目的とする。
【解決手段】 基板１上に配置されるクラッド層２およびコア層３によって形成される埋め込み型光導波路３２，３３と、その上面に形成される薄膜ヒータ３５，３６及び光導波路３２，３３の側面に断熱溝３７を形成して構成される導波路型熱光学位相シフタにおいて、前記断熱溝３７の光導波方向の長さが前記薄膜ヒータ３５，３６の長さよりも長いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光導波路コア、及び光導波路コアに光学的に結合されたクラッディングを備えた導波路デバイスを提供する。クラッディングは、光学的機能領域を含み、この光学的機能領域は、該領域に印加される制御信号に応答して変化するように構成された屈折率を有する。光学的機能領域の屈折率は、光導波路コアの屈折率よりも小さい。本発明の一実施形態によれば、光学的機能領域は、カー効果媒体である。
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（ａ）電気光学ポリマーコアおよび（ｂ）少なくとも一つの追加のポリマークラッドまたはポリマーバッファークラッドを含む電気光学導波路デバイスを開示する。いくつかの態様は、電気光学ポリマーコア（３５）、該電気光学ポリマーコアに近接している第一ポリマークラッド（４０）、該第一ポリマークラッドに近接している第一ポリマーバッファークラッド（５０）、および該電気光学ポリマーコアに近接している第二ポリマークラッド（４５）を含む。別の態様は、電気光学ポリマーコアおよびポリマーバッファークラッド（５５）を含む。別の態様では、ポリマーバッファークラッドは、有機的に改質されたゾルゲルを含む。さらに、ポリマー導波路デバイスを製造する方法を開示する。
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【課題】 クラッドとなるガラス膜の表面に対して研磨をしなくても、ガラス膜表面が平坦になるようにする。
【解決手段】 シリコン基板２１の表面の全面に、溝状の凹部２２を周期的に形成する。このシリコン基板２１の表面に、クラッドとなるガラス膜２３を堆積する。このとき、凹部２２の周期を最適に設定すると、ガラス膜２３を堆積するだけで、その表面のガラス面が平坦になる。このようなガラス堆積基板２０に対して、更に光回路の形成、オーバークラッドの堆積、薄膜ヒータの形成を順次することにより、熱光学位相変調器や熱光学光強度変調器を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機材料による電気光学効果を利用して、低電圧駆動で光変調する有機導波路型光変調器及び光通信システムに関する。
【解決手段】有機導波路型光変調器１は、電気光学効果を有する有機材料をコア層に持つ光導波路４に、外部から制御された信号を電極６、７に印加して当該信号に応じた電界を発生させて、光導波路４への入射光を電界によって屈折率を変化させて出射光の位相を変化させるに際して、光導波路４と電極６、７を略同一平面に配置している。したがって、電界を効率よく電気光学効果の有機材料に印加することができ、低電圧で駆動して適切に光を変調させることができる。 （もっと読む）

本発明は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）型の基板内にリッジとして形成された導波路と活性領域とを有する光信号を制御するように設計されたオプトエレクトロニクス部品に関し、該活性領域はＮ＋型にドープまたはＰ＋型にドープ（δドープ）された複数の非常に薄いシリコン層から成り、Ｎ＋ドープ領域とＰ＋ドープ領域との間に配置されており、これらＮ＋ドープ領域とＰ＋ドープ領域はＰＩＮダイオードを形成し、該活性領域の両側にある２つの電極に接続され、該部品の分極を可能にしている。本発明はオプトエレクトロニクス部品の作製方法にも関する。本発明は更に、オプトエレクトロニクススイッチの作製のためのオプトエレクトロニクス部品の使用およびオプトエレクトロニクス変調器の作成のためのオプトエレクトロニクス部品の使用にも関する。
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