【課題】低温プロセスでゾルゲルガラスからなるクラッド・コア材の作製、屈折率の任意制御、光損失の極小制御が可能なポリマー光変調器の製造方法の提供。
【解決手段】下記式（１）
Ｒ^１_ｎＳｉ（ＯＲ^２）_４−ｎ （１）
で表されるシリコンアルコキシド、その加水分解・縮合物、またはこれらの混合物と、光酸発生剤とを含む硬化性組成物を調製する工程と、
該硬化性組成物を基板上に塗布・硬化し、更にパターン形成を行い、ゾルゲルガラスから形成される下部クラッド層、コア層、側部クラッド層及び上部クラッド層を形成する工程と、
上部クラッド層中に、電気光学ポリマーから形成されるコア層を、該ゾルゲルガラスから形成されるコア層の上部に接触して埋設する工程とを含み、且つ、上部クラッド層と電気光学ポリマーから形成されるコア層との接続部の一部が、導波光の進行方向に対しテーパー構造を有する、ポリマー光変調器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スピン注入型磁化反転素子の中間層におけるＭｇＯの（００１）面配向性を向上する。
【解決手段】光変調素子（スピン注入型磁化反転素子）５は、垂直磁気異方性を示す磁化固定層５１と、ＭｇＯからなる中間層５２と、垂直磁気異方性を示す磁化自由層５３とをこの順で積層したトンネル磁気抵抗型のスピン注入型磁化反転素子構造を備え、スピン注入型磁化反転素子構造の上下に設けられた一対の電極２、３を介して電流を供給されることにより磁化自由層５３の磁化方向を変化させて、入射した光をその偏光方向を変化させて出射する。ここで、磁化自由層５３は、遷移金属または遷移金属を含む合金からなる界面層５３ｂと、Ｔａ膜またはＲｕ膜からなる緩衝層５３ｃと、磁化方向が反転される磁性層である主層５３ａとをこの順で積層して構成した。 （もっと読む）

【課題】 容易にゼロチャープ変調と負チャープ変調とを行うことが可能な光半導体素子を提供する。
【解決手段】 光分波器が、第１及び第２の入力ポートと、第１及び第２の出力ポートとを含む。第１の入力ポートに信号光が入力されると、第１の出力ポートに出力される信号光と、第２の出力ポートに出力される信号光との強度が等しくなり、第２の入力ポートに信号光が入力されると、第１の出力ポートに出力される信号光の強度が、第２の出力ポートに出力される信号光の強度より大きくなる。光合波器が、第３及び第４の入力ポートと、第３及び第４の出力ポートとを含む。第１の光導波路が、第１の出力ポートと第３の入力ポートとを接続し、第２の光導波路が、第２の出力ポートと第４の入力ポートとを接続する。第１の変調電極及び第２の変調電極に印加される電圧により、第１の光導波路及び第２の光導波路の光路長が変化する。 （もっと読む）

【課題】 リブ型光導波路デバイス及びその製造方法に関し、光導波路における光閉じ込め効果を減少させることなく、単結晶コアの側面ラフネスを低減する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド上に設けられたＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（但し、０≦ｘ≦０．３）からなる単結晶コアと、前記単結晶コアの側面に拡散防止膜を介して設けられた屈折率緩和層と、前記単結晶コアの上面と前記拡散防止膜及び屈折率緩和層の露出面を覆うＳｉＯ_２からなる下部クラッド層とを有する光導波路を備え、前記屈折率緩和層の屈折率を、前記単結晶コアの屈折率より小さく且つ前記上部クラッド層の屈折率より大きくする。 （もっと読む）

【課題】消費電力増大の抑制、サイズの小型化、プロセスばらつきによる特性変動の抑制およびシステム構成の複雑化を回避可能とする電気光学変調器の提供。
【解決手段】信号光源１０１１から出力された信号光を信号光源側偏光方向調整部１０２１にて偏光方向を調整し、変調部１０３１は、ＥＯ効果により変調を与え、参照光源１０４１から出力され参照光源側偏光方向調整部１０２２で信号光と同方向に偏光を調整した参照光を信号光と干渉した強度変調光を受光部１０５１に入力する。 （もっと読む）

【課題】光の吸収損や電気信号の導波損を低減し得る半導体光素子及びマッハツェンダー型光変調素子を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子１Ａの位相制御部１０は、ｎ型下部クラッド層１３、コア層１４ａ及び１４ｂ、並びに上部クラッド層１５ａ及び１５ｂをそれぞれ含むメサ構造部１９ａ及び１９ｂを有する。メサ構造部１９ａの上部クラッド層１５ａは、コア層１４ａ上に配置された第一領域１５１ａと、第一領域１５１ａ上に並んで配置された第二領域１５２ａ及び第三領域１５３ａとを含む。メサ構造部１９ｂの上部クラッド層１５ｂは、コア層１４ｂ上に配置された第四領域１５１ｂと、第四領域１５１ｂ上に並んで配置された第五領域１５２ｂ及び第六領域１５３ｂとを含む。領域１５１ａ，１５２ａ，１５１ｂ，及び１５２ｂはｐ型半導体からなり、領域１５３ａ，１５３ｂはアンドープ半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】 電極間の光導波路が電気分離され、かつ、単純な構成で電極容量を低減可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に下部クラッド層１０２、活性層１０３、上部クラッド層１０５が前記順序で積層され、上部クラッド層１０５の一部が除去されて形成されたリッジ導波路１０７の上部クラッド層１０５上に、その方向に沿って断続的に上部電極１０９ａ、１０９ｂが配置され、上部クラッド層１０５より電気抵抗率の高い半導体の高抵抗層１０８は、上部クラッド層１０５における前記両上部電極間の領域１１３を覆うように形成され、かつリッジ導波路１０７側方に延び、高抵抗層１０８上に配置された引き出し電極１１１により上部電極１０９ａに電気的に接続されるパッド電極１１０は、高抵抗層１０８上のリッジ導波路１０７から離れた位置に配置されていることを特徴とする半導体光素子１００。 （もっと読む）

【課題】小型化および集積化した強誘電体材料による光スイッチおよび光変調器
【解決手段】単結晶のベース基板と、ベース基板の表面に形成され、ペロブスカイト構造を有し、且つ、自発分極を有する菱面体晶の強誘電体薄膜とを備える基板構造体および基板構造体を製造する製造方法を提供する。強誘電体薄膜に形成された光導波路と、光導波路に対して、ベース基板の表面と平行な方向の電界を印加する電界印加部とを更に備えてよい。電界印加部は、光導波路に印加される電界の電界方向と、強誘電体薄膜における自発分極の方向とが平行となるように、電界を発生してよい。 （もっと読む）

【課題】高精細かつ高速応答のスピン注入磁化反転素子による、光変調度を向上させた光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子５は、上下に接続された電極２，３からの電流で磁化反転層５３の磁化方向を反転させ、入射光を向きを変えて旋光させて出射する。磁化固定層５１とこれに中間層５２を挟んで積層された磁化反転層５３とは、Ｐｄ膜とＣｏ膜とを交互に積層したＣｏ／Ｐｄ多層膜とすることで強い垂直磁気異方性を有し、極カー効果により、および磁化反転層５３がカー回転角の大きいＣｏ／Ｐｄ多層膜で構成されることにより、光変調度が向上する。さらに磁化反転層５３において、Ｃｏ膜の膜厚ｔ_Cofを磁化固定層５１のＣｏ膜の膜厚ｔ_Copより厚くすることで、またはＰｄ膜の膜厚ｔ_Pdfを磁化固定層５１のＰｄ膜の膜厚ｔ_Pdpよりも薄くすることで、保磁力Ｈcfを磁化固定層５１の保磁力Ｈcpより小さくして磁化反転電流を抑える。 （もっと読む）

【課題】画素間のばらつきが少なく、応答速度の優れた磁気光学式の空間光変調器を提供する。
【解決手段】透明な基板７上に２次元配列された複数の画素４を備え、基板７側から入射した光を反射させて出射する空間光変調器１であって、画素４は、入射した光をその偏光方向を変化させて出射する光変調素子５と、その下の加熱成膜にて形成された結晶性の透明電極材料を含む下部電極３と、光変調素子５上の金属電極材料からなる上部電極２とを備える。基板７を透過して画素４に入射した光は、下部電極３をさらに透過して光変調素子５に入射し、さらに光変調素子５を透過した光は上部電極２で反射して、再び光変調素子５、下部電極３、および基板７を透過して出射する。 （もっと読む）

【課題】高速で光変調が可能であるとともにＳ／Ｎが良好であり、かつ堅牢な磁気光学素子と、それを使用した磁気光学方式の光変調器を得る。
【解決手段】基板８上に設けられた磁性材料層１１と、磁性材料層１１に積層され、磁性材料層１１との接触部以外の周囲が絶縁材料層１４で覆われた貴金属材料層１２とを有する微小構造体２からなり、微小構造体２に印加される磁界の変化により入射する直線偏光の回転方向を可変して、磁性材料層１１による磁気光学効果を貴金属材料層１２におけるプラズモンの電場増強効果により磁気光学効果を強めて高精細かつ高速で直線偏光を回転する。 （もっと読む）

【課題】高速レベル等価動作を実現し、集積性および生産性を向上させる。
【解決手段】光レベル等価器は、入力光を任意の強度に減衰させて出力する可変光減衰器１−２と、入力光を分岐させる光タップ１−６と、光タップ１−６によって分岐された光の強度を検出する光検出器１−３と、光検出器１−３で検出された光強度に応じて可変光減衰器１−２の光減衰率を制御する制御用電子回路１−４とを、ワンチップに集積した構造を有する。可変光減衰器１−２は、シリコン光導波路を用いた導波路型可変光減衰器である。 （もっと読む）

【課題】ＲＥ−ＴＭ合金を含むことで優れた磁気特性を有する垂直磁気異方性の磁気抵抗素子において、この磁気特性が維持できる磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁化固定層１１と中間層１２と磁化反転層１３とを積層して備え、磁化固定層１１および磁化反転層１３の少なくとも一方がＲＥ−ＴＭ合金を含む磁気抵抗素子１であって、上下に接続された一対の電極２，３間を絶縁するための絶縁層６が、磁気抵抗素子１に接触して配され、シリコン窒化物からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素の階調表示の可能な、磁気光学式の空間光変調器を提供する。
【解決手段】２次元配列された画素４に、平面視における面積が異なる複数の光変調素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄと、一対の電極２，３とを備える多素子空間光変調器であって、画素４に供給された電流が増大するにしたがい、面積の小さい光変調素子５ａから面積の大きい光変調素子５ｄへと磁化反転する光変調素子が増えることにより、明暗の表示を切り換えたり明暗の中間表示を行う。 （もっと読む）

【課題】強誘電体バルク中に分極反転部分を形成する技術を利用し、広範な光学用途、電子デバイス用途に使用可能な、新しいバルク素子を提供することである。
【解決手段】強誘電体バルク素子１１Ｂは、強誘電体バルクに設けられた単分域化処理部１０Ｂと、この単分域化処理部に隣接する広域分極反転部１９Ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】時間ジッタが小さいパルスレーザ光を出力できるモード同期半導体レーザを提供すること。
【解決手段】化合物半導体からなる基板上に、ささやき回廊モード共振器が外周部を有し、該外周部の内側を光が周回するように構成した化合物半導体製のささやき回廊モード共振器と、前記ささやき回廊モード共振器に直接、もしくは間接的に接続し、光増幅利得を有する化合物半導体製の光増幅部と、前記ささやき回廊モード共振器に直接、もしくは間接的に接続し、該ささやき回廊モード共振器に光を入出力する化合物半導体製の光導波路とを有し、前記ささやき回廊モード共振器と前記光増幅部と光導波路がモノリシックに集積され、モード同期によりパルスレーザ光を発振するモード同期の手段を有する。 （もっと読む）

【課題】 偏波乖離量の低減を図った遅延復調デバイスおよび遅延復調デバイスの位相調整方法を提供する。
【解決手段】遅延復調デバイス１は、長さの異なる２つのアーム導波路をそれぞれ有し、DQPSK信号が分岐されて入力される第１，第２のマッハツェンダー干渉計４，５と、各マッハツェンダー干渉計の２つのアーム導波路に配置される１／２波長板４７と、第１のマッハツェンダー干渉計４の２つのアーム導波路８，９上に、１／２波長板４７を挟んで形成された第１のヒータＡ，Ｂおよび第２のヒータＣ，Ｄと、第２のマッハツェンダー干渉計５の２つのアーム導波路１２，１３上に、１／２波長板４７を挟んで形成された第１のヒータＥ，Ｆおよび第２のヒータＧ，Ｈと、を備える。第１のヒータおよび第２のヒータを偏波乖離量調整用ヒータおよび位相トリミング用ヒータとして別々に駆動させる （もっと読む）

【課題】半導体マッハツェンダ型光回路の２つの電極間に発生するリーク電流を防止する手段を提供する。
【解決手段】光導波路を２方向に分岐する２つの分岐部と、分岐された光導波路の間を接続する第１および第２のアーム部とで形成された光回路を備え、光導波路を、第１導電型半導体からなる第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に形成されたウェル層と、ウェル層上に形成された、第１導電型とは逆型の第２導電型半導体からなる第２のクラッド層とを積層して形成し、第１および第２のアーム部の第２のクラッド層に電気的に接続する第１および第２の電極を形成した半導体マッハツェンダ型光回路において、第１および第２の電極の両側の領域の、第１および第２のアーム部と、それらの両端をそれぞれ接続する分岐部とで形成される、第１の電極から第２の電極に至るそれぞれの第２のクラッド層の電極直下を除く少なくとも一部に、第１導電型半導体からなる第３のクラッド層を形成する。 （もっと読む）

【課題】応答速度が速く、画素の微小化による高精細な光変調が可能で、素子製造プロセスにおける加熱処理による磁化固定層の磁気特性の劣化に起因する動作のばらつきを防止することができる光変調素子、この光変調素子を用いて構成される光変調器の提供。
【解決手段】磁化固定層、非磁性中間層および磁化反転層の順で積層して構成されたスピン注入磁化反転素子部と、前記スピン注入磁化反転素子部を挟む一対の電極とを有し、前記磁化反転層における磁化状態の変化に応じて、前記磁化反転層へ入射した光の偏光面に対してその反射光または透過光の偏光面の回転角を変化させる光変調素子であって、一対の電極の少なくとも一方の電極がＣｕで形成され、Ｃｕで形成された電極とスピン注入光変調素子部との間に金属からなる防御層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スピン注入磁化反転素子構造を有し、大きな磁気光学効果を示す光変調素子、この光変調素子を用いて構成される光変調器を提供する。
【解決手段】光変調素子１１は、固定磁化膜層２２と、非磁性中間膜層２３と、自由磁化膜層２４とがこの順序で積層されたスピン注入磁化反転素子構造を有し、固定磁化膜層２２と自由磁化膜層２４における磁化の方向が膜面に垂直な方向であり、自由磁化膜層２４における磁化状態を変化させることによって自由磁化膜層２４へ入射する光の偏光軸に対してその透過光または反射光の偏光軸を回転させる。自由磁化膜層２４として、コバルト（Ｃｏ）膜層７５と白金（Ｐｔ）膜層７６とが交互に積層された構造とした。 （もっと読む）