【課題】耐衝撃性および高速応答性に優れる強誘電性液晶組成物、およびそれに用いられる強誘電性液晶用応答速度向上剤を提供する。
【解決手段】フェニルピリミジン骨格を有するキラル化合物等からなる強誘電性液晶用応答速度向上剤。キラルな基としては下記の基が例示される。


（上記式（２）において、Ｒ^３３は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜４の飽和もしくは不飽和のアルキル基もしくはアルコキシアルキル基である。Ｙ^３１は、−ＣＨ_３またはフッ素原子を表す。＊印はキラル中心を示す。） （もっと読む）

【課題】無機配向膜を使用した場合の配向欠陥の発生を低減する。
【解決手段】透明電極基板の透明電極上に成膜されたＳiＯ₂膜（無機配向膜）と、画素電極基板の画素電極上に成膜されたＳiＯ₂膜（無機配向膜）のそれぞれをアンモニア処理する（ステップＳ２）。このアンモニア処理の方法としては、アンモニアガス雰囲気中に晒す方法が有効である。アンモニアガス雰囲気中に晒す場合には、密閉された容器内で無機配向膜が形成された基板をアンモニアガス雰囲気中に晒す方法が有効であり、室温条件下で１分〜６０分で効果がある。また、同様にアミンガスの雰囲気中で処理した場合でも同じ効果が得られることが分かった。アミンガスとしては、例えば炭素数が１〜３のアミンが好ましく、具体例としてはメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミンなどが例示される。 （もっと読む）

【課題】強誘電性液晶に発生した配向欠陥部を、効率良く減少させる。
【解決手段】ジグザグ欠陥部１５ｃは、各々配向膜が形成された面が離間対向するように、シール材を介して互いに貼り合わされた一対の基板１２と１３との間に挟持された強誘電性液晶１４に局所的に発生する。グザグ欠陥部１５ｃに対して配向膜が吸収可能な波長の光を照射してＳｍＡ相の相転移温度以上の温度まで加熱した後に、ＳｍＣ相の相転移温度以下の温度まで、徐々に降温させる。この降温過程で、ジグザグ欠陥部１５ｃの周辺正常部との配向規制力の相互作用によりジグザグ欠陥部１５ｃを効率良く減少させることができる。ジグザグ欠陥部１５ｃ以外は、スメクティックＣ相の相転移温度以下の温度に保持される。 （もっと読む）

【課題】高コントラストの高分子強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子を得る。
【解決手段】互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板および第２基板の各対向面にそれぞれ形成され、ラビング法によって配向処理された第１配向膜および第２配向膜と、前記第１配向膜が形成された前記第１基板と前記第２配向膜が形成された前記第２基板との間に、高分子強誘電性液晶を含む液晶材料が封入されて形成された液晶層とを備え、前記第１及び第２配向膜は、前記第１及び第２配向膜のいずれか一方の配向膜のポリイミド間スペーサー長＝他方の配向膜のポリイミド間スペーサー×２．５×ｎ（ｎは０以上の正の整数）の関係式になる異なる種類の組み合わせでなる。 （もっと読む）

【課題】高コントラストの高分子強誘電性液晶を用いた液晶表示素子及びその製造方法を得る。
【解決手段】互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板および第２基板の各対向面にそれぞれ形成され、ラビング法によって配向処理された第１配向膜および第２配向膜と、前記第１配向膜が形成された前記第１基板と前記第２配向膜が形成された前記第２基板との間に、高分子強誘電性液晶を含む液晶材料が封入されて形成された液晶層とを備え、第１基板と第２基板のラビング方向は平行でない。第１基板と第２基板に対し、それぞれのラビング軸は液晶の捩れの逆方向に持たせ、線対称である。 （もっと読む）

【課題】高コントラストの高分子強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の製造方法を得る。
【解決手段】互いに対向する第１基板および第２基板の各対向面に、ラビング法によって配向処理された第１配向膜および第２配向膜をそれぞれ形成する配向膜形成ステップと、
前記第１配向膜が形成された前記第１基板と前記第２配向膜が形成された前記第２基板との間に、高分子強誘電性液晶を含む液晶材料を封入して液晶層を形成する液晶層形成ステップと、 液晶層の形成後、ＩＳＯ温度より急冷により電界印加処理を行う電界印加処理ステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】高コントラストの高分子強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子を得る。
【解決手段】互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板および第２基板の各対向面にそれぞれ形成され、ラビング法によって配向処理された第１配向膜および第２配向膜と、前記第１配向膜が形成された前記第１基板と前記第２配向膜が形成された前記第２基板との間に、高分子強誘電性液晶を含む液晶材料が封入されて形成された液晶層とを備え、前記第１配向膜および第２配向膜は、窒素雰囲気中または大気雰囲気中で焼成温度を２３０℃〜３５０℃の範囲で焼成された。 （もっと読む）

【課題】歩留まりと耐衝撃性を向上することができる高分子強誘電性液晶を用いた液晶表示素子及びその製造方法を得る。
【解決手段】互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板および第２基板の各対向面にそれぞれ形成され、ラビング法によって配向処理された第１配向膜および第２配向膜と、前記第１基板と前記第２基板との間を一定に保つためのスペーサーと、前記第１配向膜が形成された前記第１基板と前記第２配向膜が形成された前記第２基板との間に、高分子強誘電性液晶を含む液晶材料が封入されて形成された液晶層とを備え、ラビング方向として、前記スペーサーの配列方向に対し角度を持たせた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子において、強誘電性液晶が単安定化されており、配向安定性に優れる液晶表示素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、第１基板と、上記第１基板上に形成された電極層と、上記電極層上に形成された第１配向膜と、上記第１配向膜上に形成され、反応性液晶を固定化してなる反応性液晶層とを有する反応性液晶側基板、および、第２基板と、上記第２基板上に形成された電極層と、上記電極層上に形成された第２配向膜とを有する対向基板を、上記反応性液晶側基板の反応性液晶層と上記対向基板の第２配向膜とが向かい合うように配置し、上記反応性液晶側基板および上記対向基板間に強誘電性液晶と重合性モノマーの重合物とを含む液晶層を挟持してなることを特徴とする液晶表示素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。 （もっと読む）

【課題】単安定性を示す強誘電性液晶を用いた液晶表示素子において、強誘電性液晶の自発分極の向きを制御することが可能な液晶表示素子を提供する。
【解決手段】第１基材と、第１基材上に形成された第１電極層２ａと、第１電極層上に形成された第１配向膜３ａとを有する第１配向処理基板、および、第２基材と、第２基材上に形成された第２電極層２ｂと、第２電極層上に形成された第２配向膜３ｂと、第２配向膜上に形成され、反応性液晶を固定化してなる反応性液晶層４とを有する第２配向処理基板を、第１配向膜と反応性液晶層とが対向するように配置し、第１配向膜と反応性液晶層との間に強誘電性液晶を挟持してなる液晶表示素子であって、強誘電性液晶が単安定性を示すものであり、第２電極層が負極となるように電圧を印加したときに、強誘電性液晶の分子方向が上記第１配向処理基板面に対して平行に強誘電性液晶のチルト角の約２倍変化する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子において、ジグザグ欠陥、へアピン欠陥やダブルドメイン等の配向欠陥が形成されることなく強誘電性液晶のモノドメイン配向を得ることができ、相転移点以上に昇温してもその配向を維持することができる配向安定性に優れた液晶表示素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、２枚の基板間に強誘電性液晶と重合性モノマーの重合物とを含む液晶層が狭持され、上記基板の対向面上にそれぞれ電極と光配向膜とが順次形成された液晶表示素子であって、上記光配向膜の構成材料が、光異性化反応を生じることにより上記光配向膜に異方性を付与する光異性化反応性化合物を含む光異性化型の材料であり、かつ、上記光配向膜の構成材料が、上記液晶層を挟んで互いに異なる組成であることを特徴とする液晶表示素子を提供することにより上記目的を達成するものである。 （もっと読む）

【課題】画素外領域において、初期の配向状態で白表示または黒表示のいずれかの表示が得られて、その表示の単安定性が得られる強誘電性液晶パネルを提供する。
【解決手段】強誘電性液晶パネルにおいて、第１の電極２３は、第２の電極２４より、一方向に配向方向を有する配向膜２６，２７の配向方向に対して直交方向に形成された領域が多い電極である。この配向膜２６，２７の配向方向と直交方向に形成された領域が多い第１の電極２３側にのみ、第１の電極２３を設けた第１の基板２１と配向膜２６との間に絶縁膜２５を設けた構成にする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子において、ジグザグ欠陥、へアピン欠陥やダブルドメイン等の配向欠陥が形成されることなく強誘電性液晶のモノドメイン配向を得ることができ、相転移点以上に昇温してもその配向を維持することができる配向安定性に優れた液晶表示素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、２枚の基板間に強誘電性液晶を狭持してなる液晶表示素子であって、前記基板の対向面上にそれぞれ電極と光配向膜とが順次形成されており、前記光配向膜の構成材料が前記強誘電性液晶を挟んで互いに異なる組成であることを特徴とする液晶表示素子を提供することにより上記目的を達成するものである。 （もっと読む）

【課題】 強誘電性液晶表示素子における、ＳｉＯ膜の挿入による電界降下の低減方法
【解決手段】 少なくとも片方の基板が透明な一対の基板と、前記一対の基板間で強誘電性液晶分子を配向させる配向膜と、前記配向膜と基板の密着強度を向上させるＳｉＯ膜と、無電界下でキラルスメクティックＣ相を形成する強誘電性液晶層と、前記一対の基板間で強誘電性液晶層の厚さを規制する複数のスペーサーと、前記強誘電性液晶層に対して垂直な方向に電界を発生させる電極とを有する強誘電性液晶表示素子の製造方法において、ＳｉＯ薄膜の絶縁抵抗によって生じる液晶セル内への実効電界の低下を低減する製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＴＦＴ素子などによる段差が存在する領域において光漏れを低減することができる液晶表示素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、第１基板、上記第１基板上に形成され、複数のＴＦＴ素子および上記ＴＦＴ素子に接続された画素電極を有するＴＦＴ電極層、上記ＴＦＴ電極層上に形成された反応性液晶用配向膜、および上記反応性液晶用配向膜上に形成され、反応性液晶を固定化してなる固定化液晶層を有するＴＦＴ基板と、第２基板、および上記第２基板上に形成された共通電極とを有する共通電極基板と、上記ＴＦＴ基板の上記固定化液晶層および上記共通電極基板の上記共通電極の間に形成された駆動液晶層とを有することを特徴とする液晶表示素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子であって、配向欠陥が形成されることなく強誘電性液晶のモノドメイン配向を得ることができ、配向安定性に優れた液晶表示素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、第１基板および第２基板間に単安定性を示す強誘電性液晶を挟持してなる液晶表示素子であって、電圧無印加状態にて第１配向層と第２配向層とにより規定される強誘電性液晶の自発分極の方向を基準方向とした場合、上記基準方向に対して反対方向となるような極性の電圧を１Ｖで印加し、上記電圧を印加したまま上記強誘電性液晶をカイラルスメクチック相−ネマチック相転移温度より高い温度に加温して徐冷した状態において、上記自発分極の方向が基準方向を向いているものが８０％以上であることを特徴とする液晶表示素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単安定性を示し、ＳｍＡ相を経由しない強誘電性液晶を用いた液晶表示素子において、ダブルドメイン等の配向欠陥の発生を抑制し、かつ、強誘電性液晶の自発分極の向きを制御することが可能な新規な液晶表示素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、配向処理が施されていない未配向処理層を有する第１基板と、反応性液晶を固定化してなる固定化液晶層を有する第２基板との間に強誘電性液晶が挟持されており、上記強誘電性液晶が、単安定性を示し、ＳｍＡ相を経由しない相系列を有し、さらに、上記第２電極層に負の電圧を印加したときの透過光量が、上記第２電極層に正の電圧を印加したときの透過光量よりも大きいものであることを特徴とする液晶表示素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、隔壁付近の強誘電性液晶の配向乱れを抑制することが可能な液晶表示素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、第１電極層が形成された第１基材上にストライプ状に形成された複数の隔壁と、上記第１電極層が形成された第１基材上に、上記隔壁の長手方向に対して平行および垂直の少なくともいずれか一方にストライプ状に形成された複数の凸状構造物と、上記隔壁および上記凸状構造物が形成された第１基材上に形成された重合性液晶用配向膜と、上記重合性液晶用配向膜上に形成され、重合性液晶を重合してなる重合液晶層とを有する隔壁側基板を備え、上記凸状構造物が、上記隔壁間の間隔よりも狭く、上記隔壁の最も近くに位置する隔壁側画素内の上記重合液晶層の最小膜厚と上記隔壁側画素以外の画素であり上記隔壁側画素に隣接する画素内の上記重合液晶層の最小膜厚とが均一になるような間隔で形成され、上記凸状構造物の高さが上記隔壁の高さよりも低い液晶表示素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】配線や電極等による段差に起因する配向処理むらを抑制し、配向不良の発生を低減でき、充電時間を短くできるＴＦＴ基板の提供。
【解決手段】基材２と、基材上に形成されたゲート線と、ゲート絶縁層４と、オーバーコート層６と、ソース線と、画素電極８と、基材２上に形成されゲート線に接続されたゲート電極１３、ＴＦＴ用ゲート絶縁層１４、ＴＦＴ用ゲート絶縁層上に形成された半導体層１５、ＴＦＴ用ゲート絶縁層および半導体層の上に上記オーバーコート層と連続して形成されたＴＦＴ用オーバーコート層１６、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、ソース線に接続され、半導体層にソース電極用コンタクトホールｈ１を介して接続されたソース電極１７、および、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、画素電極に接続され、半導体層に透明電極用コンタクトホールｈ２を介して接続された透明電極１８を有するＴＦＴ１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ジグザグ欠陥の修正力をより向上させるための電圧印加方法を提案する。
【解決手段】一対の基板と、前記一対の基板間で強誘電性液晶分子を垂直配向させる配向膜と、無電界下でキラルスメクチックＣ相を形成する強誘電性液晶層と、前記一対の基板間で強誘電性液晶層の厚さを規制する複数のスペーサーと、前記強誘電性液晶層に対して垂直な方向に電界を発生させる電極とを有する強誘電性液晶表示素子の製造方法において、強誘電性液晶表示素子内に強誘電性液晶を注入する際に、強誘電性液晶を等方相転移温度以上に加熱し、注入した強誘電性液晶が等方相の温度からキラルスメクチックＣ相を形成する温度以下に冷却される期間中、印加する電圧の周波数を設定することで液晶分子が実現できるコーン角以上の電圧を印加し、ジグザグ欠陥の除去効果を高めること強誘電性液晶表示素子の製造方法とする。 （もっと読む）