【課題】反射型液晶装置においては、反射電極が画素電極として用いられている。隣り合う画素電極の間には間隙が設けられている。しかし、この間隙により光利用効率が低下し、かつ滑らかな画質が得られない。そこで、間隙に入射した光を表示に利用するために、平面視にてこの間隙と重なる反射層を設ける技術が公知であるが、光の反射方向が制御されていないため、反射電極に対してほぼ垂直に入射した光のみしか有効利用できず、明るく滑らかな映像を表示できない。
【解決手段】凹形状の断面を有する反射層８を、平面視にて画素電極９の間に位置する間隙２と重なるように配置した。凹形状を有していることから、斜め方向から間隙２に入射された光も反射層８によって反射されて間隙２から射出される。そのため、明るく、かつ滑らかな映像を表示できる液晶装置１２０を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】低照度領域の感度が高いＴＦＴからなる光センサ及びこの光センサを使用した液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光センサＬＳａは、ゲート電極ＧＬａ上にゲート絶縁膜１８を介して半導体層３１が形成され、ゲート電極ＧＬａ上の半導体層３１の表面に部分的に接触するように近接配置されたソース電極ＳＬａ及びドレイン電極をＤＬａ備えるＴＦＴからなる光センサＬＳａにおいて、ソース電極ＳＬａ及びドレイン電極ＤＬａは、少なくとも半導体材料３１と接触している部分が透明導電性材料で形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反射型液晶装置について、その製造プロセスを煩雑化させることなく、各画素開口率を高める。
【解決手段】第２下地膜４４ｂをパターニングすることによって、第１穴部９２ａ、第１穴部の輪郭を規定する隔壁４６、及び凹部９３ａとを形成し、その上面にＣＶＤ法を用いて導電性及び光反射性を有するアルミニウム等の金属材料を成膜することによって、平坦化前の導電性反射材料７３ａを形成する。次に、平坦化前の導電性反射材料７３ａ上から平坦化前の導電性反射材料７３ａの表面をＣＭＰ法によって研磨することによって、第１穴部９２ａに中継層９２を形成すると共に、凹部９３ａに導電性反射膜７３を形成する。これにより、隔壁４６によって相互に隔てられた導電性反射膜７３と中継層９２との間の間隔を狭く形成すると共に、当該導電性反射膜７３と中継層９２との間の電気的な絶縁性を維持する。 （もっと読む）

【課題】反射型表示装置の製造工程を大幅に簡略化する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上方に配置された絶縁層及び画素電極を有し、画素電極は、薄膜トランジスタに電気的に接続され、表面に凹凸を有し、かつ、反射機能を有し、絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素及び有機性樹脂から選ばれた材料を積層した構造を有し、絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料及び顔料の少なくともいずれか一を含む遮光膜である表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】平坦化層が反射表示領域に選択的に形成された構成でスペーサの厚さを低くできる液晶装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００は、素子基板１０に対向して配置された対向基板３０と、素子基板１０と対向基板３０との間に配置された液晶層４０と、反射表示領域Ｒを有する複数の画素４と、隣り合う画素４同士の間に位置し素子基板１０と対向基板３０との間で間隙を保持するスペーサ４３と、素子基板１０の液晶層４０側に設けられ、画素４同士の間に位置する複数の配線と、複数の配線を覆うとともに反射表示領域Ｒに対応した領域に凹凸面を有する樹脂層２２と、樹脂層２２の凹凸面上に形成され凹凸面を反映した表面を有する反射層２４と、反射層２４の液晶層４０側に配置され凹凸面に平面的に重なる第１の領域と、スペーサ４３に平面的に重なる第２の領域と、に選択的に設けられた平坦化層２６と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸が形成された反射面上において存在する液晶層の厚さが、凹凸の形状に応じて異なることになる。従って、液晶層を通過する光に凹凸に応じた光路差が生じ、この結果、液晶層のリタデーションに起因する色づきが発生する。
【解決手段】反射層１８によって覆われた凹部１７Ｓが形成された反射表示領域Ｒは、光回折現象を呈する所謂回折光学素子（ＤＯＥ）が組み込まれた領域として機能することから、光を乱反射する領域となり表示の視角特性を改善させることができる。このとき、光回折現象を呈する凹部１７Ｓの平坦面と垂直方向への深さは、液晶層４０の厚さＤＤに比較して小さい値であることから、凹部１７Ｓが形成されている領域はおおよそ平坦とみなせる状態になる。この結果、この領域に存在する液晶層４０の厚さは実質的にほぼ一定になる。従って、液晶層のリタデーションに起因する色づきなど光学特性のズレが抑制される。 （もっと読む）

【課題】光り抜けによる表示品位の低下を抑制し、かつ、画素開口率の低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この液晶表示装置（表示装置）１００は、液晶１６を介して対向する対向基板１３およびＴＦＴ基板９と、基板間にマトリクス状に配置される画素１とを備えた液晶表示装置１００において、画素１は、４つの副画素１ａ〜１ｄを含んでいる。また、４つの副画素１ａ〜１ｄのうちの１つの副画素１ｄは、反射表示専用の副画素として構成され、４つの副画素１ａ〜１ｄのうちの残りの副画素１ａ、１ｂおよび１ｃは、透過表示専用の副画素として構成されている。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ期間内に液晶表示装置が動作中であることを報知することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板と、第２基板と、前記第１基板と第２基板との間に狭持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記第２基板が観察者側に配置される液晶表示装置であって、前記液晶表示パネルは、表示領域外の領域に指示部を有し、前記指示部は、第１電極と、第２電極と、反射層とを有し、前記第１電極と前記反射層とは、前記第１基板に形成され、スタンバイ期間内に、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加した状態Ａと、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加しない状態Ｂとを交互に繰り返すことにより、前記指示部において、前記第２基板から入射し前記反射層で反射された光を前記第２基板から出射させる明状態と、前記第２基板から入射し前記反射層で反射された光を前記第２基板から出射させない暗状態とを交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】基板が設置されたステージをＸ方向やＹ方向に移動させるレーザー照射装置は、基板が大型化した場合、比例してフットプリント（処理に必要とされる平面での面積）が格段に大きくなり、装置全体の巨大化を招く問題が生じてしまう。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、ガルバノミラーやポリゴンミラーによりレーザー光を半導体膜に照射して走査させ、さらにレーザー光照射の際は、常に半導体膜への入射角度θをある角度に一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】リバースチルトによるディスクリネーションの発生を抑制できる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、液晶層１０９を挟んで対向する第１基板３と第２基板４とを有する。液晶表示装置は、少なくとも単位画素の内の一部を、液晶層１０９を第１基板３と第２基板４との間の縦方向電界で駆動する。駆動手段１１０は、液晶を縦方向電界で駆動する部分について、液晶層１０９に画像信号に対応する電圧を印加する画像期間に先行して、液晶層１０９にしきい値電圧以上の補助電圧を印加する補助期間を設ける。 （もっと読む）

【課題】半透過液晶表示装置に採用されてモノセルギャップを具現できる表示基板を提供する。
【解決手段】表示基板はベース基板、絶縁層、第１画素電極、及び第２画素電極を含み、ベース基板は透過領域と反射領域を有する画素領域が複数個定義され、絶縁層は、ベース基板の上部に形成され、透過領域に対応してエンボスパターンを有し、第１画素電極はエンボスパターンの絶縁層上に形成された第１透明電極及び反射領域に対応してベース基板の上部に形成された第１反射電極を含み、第２画素電極はエンボスパターンの絶縁層上に形成された第２透明電極及び反射領域に対応してベース基板の上部に形成された第２反射電極を含む。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の駆動方法、アレイ基板、アレイ基板の製造方法、及びアレイ基板を有する液晶表示装置の提供。
【解決手段】第１及び第２ブースティング信号によってデータ信号の電圧をそれぞれ第１及び第２画素電圧にブースティングして透過電極及び反射電極に印加することにより、透過電極上の液晶層を透過する第１光のリターデーション量と反射電極上の液晶層に入射して反射電極によって反射される第２光の液晶層によるリターデーション量とが実質的に同じになるように制御する。半透過液晶表示装置に液晶層のセルギャップをモノセルギャップにすることができるので、装置の歩留まりが向上される。 （もっと読む）

【課題】表示板およびこれを含む液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【解決手段】表示板は、互いに分離されている第１副画素電極、第２副画素電極および第３副画素電極を含む画素電極と、第１副画素電極、第２画素電極にそれぞれ接続されている第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタと、第１薄膜トランジスタおよび第２薄膜トランジスタと接続されているゲート線と、ゲート線と電気絶縁状態で交差し、第１薄膜トランジスタおよび第２薄膜トランジスタと接続されているデータ線、およびゲートラインに平行であり、第１副画素電極を横切って延長される第１維持電極線ラインとを含み、第１薄膜トランジスタまたは第２薄膜トランジスタのドレーン電極は第３副画素電極と重複する。 （もっと読む）

【課題】ＰＳＡ技術を用いて反射電極上の液晶分子のプレチルト方位が安定に規定された液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素は、誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含む液晶層４２と、液晶層を介して互いに対向する画素電極１４および対向電極２４と、垂直配向膜３２ａ、３２ｂと、垂直配向膜の液晶層側の表面のそれぞれに形成された紫外線重合体から構成された一対の配向維持層３４ａ、３４ｂとを有する。画素電極は可視光を反射する反射電極１４Ｒを有し、反射電極は紫外線を透過し、反射電極の液晶層側にも配向維持層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】反射層の凹凸面上に平坦化層を介して電極を形成する構成を有し、コンタクトホール内の断線を抑えかつ開口率が大きな液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】素子基板１０の液晶層４０側には、ＴＦＴ素子２０と、少なくとも反射表示領域Ｒに凹凸面を有する樹脂層２２と、樹脂層２２を貫通するコンタクトホール２２ａと、樹脂層２２の凹凸面を反映した表面を有する導電膜からなり、コンタクトホール２２ａを介してＴＦＴ素子２０に電気的に接続された反射層２４と、少なくとも反射層２４を覆う平坦化層２６と、画素４の領域外に位置しており、平坦化層２６を貫通するコンタクトホール２６ａと、平坦化層２６上に設けられ、コンタクトホール２６ａを介して反射層２４に電気的に接続された画素電極１６と、を備え、コンタクトホール２２ａとコンタクトホール２６ａとは、互いに平面的に重ならないように配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素電極の間隙に入射した漏れ光が画素電極の裏面や遮光膜の表面に対して小さい角度で入射した場合においても、従来よりも遮光性を向上させることが可能な液晶表示素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１、半導体基板１の上方に配置された遮光膜６、及び遮光膜６の上方に第１の間隙を有して配置された画素電極７を有する駆動基板３０と、駆動基板３０の上方に第２の間隙を有して配置され、画素電極７と対向する透明電極４２を有する透明基板４０と、第２の間隙に充填された液晶ＬＣと、を備え、第１の間隙には、所定の屈折率を有する第１の絶縁層４と、所定の屈折率とは異なる屈折率を有する第２の絶縁層２０とが、画素電極７及び遮光膜６の各表面に沿う方向に交互に配置されている構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、明るい反射表示が可能な液晶表示素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による液晶表示素子は、ガラス基板１３とガラス基板１との間に液晶層２を挟持するように配置された、少なくとも反射表示部を有する液晶表示素子であって、反射表示部は、ガラス基板１３の液晶層２側の主面上に形成された対向電極７と、対向電極７を覆うようにガラス基板１３の主面上に形成された絶縁膜５と、絶縁膜５上に離散状に形成された画素電極３とを備え、画素電極３は、一部または全部が金属膜からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工数の増大をもたらすことなく、さらなるコントラストの向上を図ることができる液晶表示装置の提供。
【解決手段】液晶側の基板面の各画素領域に、薄膜トランジスタのドレインを通じて信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じさせる対向電極ＣＴを備え、画素領域は反射画素部ＲＲと透過画素部ＴＲを有し、画素電極は薄膜トランジスタを被って形成される保護膜ＰＡＳ２の上面において、反射画素部に形成された凹凸面を被って形成される面状の金属電極ＰＸ１と、金属電極をも被って透過画素部に形成された面状の透明電極ＰＸ２とで構成され、対向電極は、一方の電極をも被って形成された絶縁膜ＩＮの上面に、一方の電極と重畳して並設された複数の線状の電極として構成され、透明電極は塗布により形成される透明導電膜で形成されている。 （もっと読む）

【課題】点欠陥修復等の際、液晶層に安定した気泡を一時的に発生させることができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、半透過型の画素を有する液晶表示装置であって、画素は、少なくとも第１方向に整列配置された画素配列により配列され、各画素は、透過部１に対応する広ギャップ部と、反射部２に対応する狭ギャップ部とを備え、第１方向に隣接する画素間に於いて、広ギャップ部の位置と狭ギャップ部の位置とが逆である。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタに対する光の入射を防止しながら光電変換素子への光の入射を可能とすることができ、かつ、ＩＴＯ膜を用いる場合でも、ＩＴＯ膜が熱劣化を起こすことのない電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置において、対向基板２０の側とは反対側から入射した光を変調して画像を表示するとともに、かかる光を光電変換素子４０に入射させる。電界効果型トランジスタ３０の下層側には、下地絶縁膜７０を介して平面視で重なる遮光性導電膜２が形成され、かかる遮光性導電膜２は、光電変換素子４０の光電変換用下電極としても機能する。光電変換用上電極８ａはＩＴＯ膜であるが、半導体層１ａへの熱処理が終了した後にＩＴＯ膜を形成する。 （もっと読む）