アクティブマトリクスアレー装置は、行列状の装置素子の配列を有する。各行導体（10）は、細長い行ライン（10a）と、該行ラインから延伸する複数の突出部（10b）とを有し、各突出部（10b）は、それぞれの装置素子の薄膜トランジスタ（11）のゲート導体を定形する部分を有する。装置は、少なくとも前記行ライン（10a）と平行な軸の周囲で変形できるように適合され、各ゲート突出部の前記部分は、前記行ライン方向に対して非垂直な方向に延伸する。この非垂直な方向により、装置の変形によって生じるTFT特性の変化が抑制される。
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【課題】液晶表示装置において広視野角、高コントラスト、高透過率又は高反射率の両立を図る。
【解決手段】画素電極２００を備える第１基板１００と共通電極３２０を備える第２基板３００との間に、液晶層４００が封入された液晶表示装置であって、１画素領域内で液晶の配向を複数領域に分割するための配向制御部５００が、各画素領域内に設けられており、この配向制御部５００は、少なくとも、電極不在部５１２と、液晶層４００に向かって突出する斜面を有する突起部５１４とが、第１又は第２基板１００，３００の少なくとも一方において同一位置に重ねて形成され構成の配向制御部５１０を持つ。電極不在部５１２による電界の制御による液晶の配向制御と突起部５１４の斜面に対する液晶の配向制御の両方で液晶を確実にかつ小さい面積で配向分割する。 （もっと読む）

【課題】 ＯＣＢ液晶表示装置の黒表示時の青味を低減する。
【解決手段】 対向電極Ｅｃｏｍを配置した対向基板１３０および画素電極Ｄｐｉｘを配置したアレイ基板１２０間にベンド配列される液晶層１４０を挟持し、前記基板の一方に赤、緑、青の各色フィルタ層を備える液晶表示セル１１において、対向電極は青色フィルタ層に対応する部分Ｅｃｏｍ（Ｂ）の膜厚ｔＢが正面反射率の分光スペクトルにおける最小値が３８０ｎｍ〜４８０ｎｍ内になるように、かつ、 １００ｎｍ＜ｔＢ≦１４０ｎｍに設定される。 （もっと読む）

アクティブマトリクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタにおける下地電極上の絶縁膜上にフォトエンボッシング材料を用いて凹凸を有する有機膜を形成し、この有機膜にドライエッチングを施して有機膜の膜厚を減少させてコンタクトホール形成領域の絶縁膜を露出させる。その後、露出した絶縁膜にドライエッチングを施してコンタクトホールを形成すると共に下地電極を露出させ、得られた構造上に反射電極を形成して、露出した下地電極と反射電極とを接続する。
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【課題】 反射面の凸凹形状を反射のし易い形状とすること。
【解決手段】 基板上に感光性を有する絶縁性樹脂を形成する工程と、前記樹脂表面に凸凹を形成するためのパターンが形成されたフォトマスクを用いて前記絶縁性樹脂を露光する工程と、露光された前記樹脂を現像する工程と、前記凸凹が形成された樹脂上に反射用の表示電極を形成する工程を備える表示用基板の製造方法において、露光工程は、前記フォトマスクの樹脂残存用パターンの周囲に樹脂の周囲に傾斜面を形成するための樹脂残存用補助パターン５３を形成したフォトマスク５を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 物理的に接着力が向上し、電気的には接触抵抗が良好な特性を有する表示素子用配線及びこれを利用した薄膜トランジスタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示素子用配線を、低融点金属の合金元素が少なくとも一つ以上合金されているＡｇ合金で形成する。液晶表示パネルにおいて、このような表示素子用配線を用いてゲート配線２２，２４，２６及びデータ配線６５，６６，６８を形成すれば、接触部で他の導電物質と連結される過程で腐食が発生して素子の特性を低下させるのを防止できる。 （もっと読む）