【課題】共通電極や画素電極と金属の電極端子との間の接続抵抗の増加を抑制する。
【解決手段】製造方法は、パッシベーション層（２１０）、平坦化膜（２１１）及び反射膜（２１２）を形成する工程と、共通電極端子上に形成されたパッシベーション層を除去することで第１コンタクトホール（３１１）を形成する工程と、第１コンタクトホールに透過表示用共通電極（１１−１）を形成する工程と、絶縁層（２１３）を形成する工程と、反射表示用ソース電極端子及び透過表示用ソース電極端子の夫々の上に形成されたパッシベーション層及び絶縁層を除去することで、第２コンタクトホール（３１３）及び第３コンタクトホール（３１２）を形成する工程と、第２コンタクトホールに反射表示用画素電極（９ａ−２）を形成すると共に、第３コンタクトホールに透過表示用画素電極（９ａ−１）を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置のアレイ基板及びこれの製造方法を提供する。
【解決手段】第１スイッチング素子は第１データライン１７１ａに接続され、第２スイッチング素子は第１データラインに隣接する第２データライン１７１ｂに接続される。第３スイッチング素子は第１データラインと第２データラインとの間に配置されるデータ電源ライン１７１ｃに接続される。第４スイッチング素子はゲートライン１２１と平行であり、データ電源ラインの電圧と異なる極性を有する電圧が印加されるゲート電源ライン１２５に接続される。これにより、アレイ基板の透過率、開口率、及び表示特性が向上される。第１及び第２画素電極（１９１ａ，１９１ｂ）と、第１及び第２共通電極（１９１ｃ，１９１ｄ）とに極性が異なる電圧を印加すると、アレイ基板の表面にほぼ平行な電界が生成される。 （もっと読む）

【課題】温度変化による歪みの発生の抑制された表示媒体、表示装置、及び表示媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】表示媒体１２は、表示面側（図１中、Ｘ側）から順に、基板１３、電極１５、液晶層１７、光吸収層１９、接着層１８、光導電層２０、電極２２、及び基板２４が積層された構成とされ、接着層１８の、周波数ｒａｄ／ｓでの動的粘弾性測定から求められる０℃以上６０℃以下の温度範囲における貯蔵弾性率Ｇ’が０．０１以上１００ＭＰａ以下の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、１枚のマザー基板から得られる表示パネルの枚数が多くなる構成のアレイ構成を提供し、また、マザー基板からの切断、分離後の表示装置の信頼性の向上を図る。
【解決手段】 絶縁性基板１上に、複数の表示パネル５０の一部となる複数の表示領域４０と、表示領域４０は走査配線２、信号配線６、画素電極１１を有する画素３０がマトリクス状に配置され、表示領域４０の外に共通配線８０と、外部接続端子６０とが形成されたアレイ基板１１０において、外部接続端子６０と、これに隣接する表示パネル５０の共通配線８０とを共通に接続する接続配線７０を有し、接続配線７０は絶縁性基板１の切断線１５位置に配置され、かつ、全ての接続配線７０は、アレイ基板１１０上の導電層の内、最も耐腐食性に劣る導電層よりも、耐腐食性に優れた方の導電層で形成される。 （もっと読む）

【課題】画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。
【解決手段】液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。非画素領域の入力端子パッド２６の周囲に、第１のメタル層からなる下層ダミーパターンＡと第２のメタル層からなる上層ダミーパターンＢが積み重ね形成されている。ダミーパターンＡ，Ｂ上の第３の層間絶縁膜１３の成膜表面レベルが底上げされるため、その部分での過研磨を解消できる。そのため、ＣＭＰ処理において一様の研磨レートが得られる。 （もっと読む）

【課題】反射型液晶装置等の電気光学装置において、高品質な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、単結晶シリコンからなる素子基板１０と、素子基板上に設けられた複数の反射型の画素電極９と、画素電極毎に設けられており、素子基板上に絶縁膜１２を介して配置されると共に多結晶シリコンからなる第１半導体層１ａを有する第１トランジスタ３０とを備え、これにより、チャネル領域に蓄積されるキャリアのライフタイムを短くすることができる。特に光の照射によって生じ易い、キャリアのライフタイムが長いことに起因するオフリーク電流の発生を低減或いは防止できる。 （もっと読む）

【課題】遮光部材を薄膜トランジスタ表示板に形成する場合、必要に応じて臨時に遮光部材を透明にする。
【解決手段】本発明が一実施形態による可変透明度を有する遮光部材は、重合性化合物、バインダ、及び臨界温度以下ではブラックを現わし、前記臨界温度以上では透明である熱変色物質を含む。 （もっと読む）

【課題】低いコンタクト抵抗および高い耐食性を両立したＡｌ合金膜を有する表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物導電膜とＡｌ合金膜とが直接接触しており、前記Ａｌ合金膜の接触表面に合金成分が析出して存在する表示装置であって、前記Ａｌ合金膜が、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ及びＣｏよりなる群から選ばれる元素（以下Ｘ１と称することがある）の少なくとも１種以上、且つ前記元素Ｘ１と金属間化合物を形成することのできる元素（以下Ｘ２と称することがある）の少なくとも１種以上を含み、最大径１５０ｎｍ以下のＸ１−Ｘ２又はＡｌ−Ｘ１−Ｘ２で示される金属間化合物が形成されており、前記Ａｌ合金膜の接触表面の算術平均粗さＲａが２．２ｎｍ以上２０ｎｍ以下ある。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示装置に関し、例えば１つの画素を複数のサブ画素により構成し、これら複数のサブ画素の駆動により階調を表現する方式の液晶表示装置に適用して、多ビットメモリ方式による表示装置において、面積の小さなサブ画素に起因する表示画像の品位の低下を有効に回避する。
【解決手段】本発明は、表示に供する部位４３Ａ〜４３Ｅの面積が小さなサブ画素３２ＡＡ、３２ＡＢについては、この表示に供する部位４３Ａ、４３Ｂをほぼ正方形形状により作成する。 （もっと読む）

【課題】半透過型液晶表示装置において、反射電極と透明電極とを構成する場合、２つの
レジストマスクを用いるため、コストが高い。
【解決手段】画素電極となる透明電極と反射電極を積層させる。反射電極上に半透部を有
する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジ
ストパターンを形成する。レジストパターンを用いて反射電極と透明電極とを形成する。
以上により、１つのレジストマスクを用いて、反射電極と透明電極を形成することが可能
となる。 （もっと読む）

【課題】金属膜とその表面のレジストパターンとの密着性を容易に向上させる。
【解決手段】基板１０に金属膜１１を成膜する金属膜成膜工程と、金属膜１１の表面にレジスト膜１２を成膜するレジスト膜成膜工程と、レジスト膜１２を露光する露光工程と、露光されたレジスト膜１２を現像して、レジストパターン１２ａを形成する現像工程とを備え、金属膜成膜工程では、基板１０に成膜された金属膜１１を空気雰囲気の下で焼成し、焼成された金属膜１１の表面をシランカップリング剤で処理する。 （もっと読む）

【課題】反射領域及び透過領域の双方における表示品位を向上すると共に、画素電極のエッチャントによる溶食を防止する。
【解決手段】液晶表示装置１は、透過領域１８及び反射領域１９に亘って配置され、絶縁膜３１の表面に積層された第１透明電極２１と、反射領域１９に配置され、第１透明電極２１における一部の表面に積層された反射電極２３と、透過領域１８及び反射領域１９に亘って配置され、反射電極２３の表面全体に積層されると共に、反射電極２３の外側において第１透明電極２１の表面に積層された第２透明電極２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】反射領域及び透過領域の双方における表示品位の向上を図る。
【解決手段】液晶表示装置１は、反射領域１９における絶縁膜３１の表面に積層された反射電極２３と、反射電極２３及び絶縁膜３１を覆うように、反射領域１９及び透過領域１８に亘って設けられた透明電極２０とを備え、透明電極２０は、反射領域１９における反射電極２３の表面、及び透過領域１８における絶縁膜３１の表面の少なくとも一方において、複数の透明導電膜２１，２２が互いに積層して構成され、反射領域１９における反射電極２３上の透明電極２０の厚みと、透過領域１８における絶縁膜３１上の透明電極２０の厚みとが、互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、水分などの不純物を混入させずに良好な界面特性を提供することを課題の一つとする。電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁層表面に酸素ラジカル処理を行うことを要旨とする。よってゲート絶縁層と半導体層との界面に酸素濃度のピークを有し、かつゲート絶縁層の酸素濃度は濃度勾配を有し、その酸素濃度はゲート絶縁層と半導体層との界面に近づくにつれて増加する。 （もっと読む）

【課題】金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが要因の一つである。
【解決手段】酸化物半導体膜とソース電極及びドレイン電極の間に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下のサイズの結晶粒を有し、チャネル形成領域となる酸化物半導体膜よりキャリア濃度が高い酸素欠乏酸化物半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】反射性電極の反射率を向上するとともに、液晶層に交流の電界が印加する方式を採用した場合でも焼き付きなどの不具合が発生しない電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、画素電極９ａ（反射性電極）の上層に複数層の誘電体膜（低屈折率層１８１および高屈折率層１８２）からなる第１誘電体層１８が形成されているため、画素電極９ａによる反射率が高い。また、画素電極９ａの上層に誘電体多層膜が形成されているので、共通電極２１の上層に第２誘電体層２８を形成すれば、画素電極９ａの側と共通電極２１の側との仕事関数を一致、あるいは近似させることができるので、液晶層５０を交流駆動する場合でも、液晶層５０に対称な電界がかけることができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を少ない工程で作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜上にチャネル保護層を形成した後、ｎ型の導電型を有する膜と、導電膜を成膜し、導電膜上にレジストマスクを形成する。このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ペルチェ素子を備え、画素領域の開口率を低下させることなく、より良い冷却効果が得られる電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、素子基板１０と、素子基板１０に配列された画素４と、素子基板１０の画素４の領域に設けられた光反射層２６と、素子基板１０に設けられたペルチェ効果を有するペルチェ素子５０と、を備え、ペルチェ素子５０は、光反射層２６からなる金属層と、金属層５１と、金属層５２と、光反射層２６と金属層５１との間に設けられたＰ型半導体素子５３と、光反射層２６と金属層５２との間に設けられたＮ型半導体素子５４とを含む。 （もっと読む）

【課題】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層とＩＧＺＯ半導体層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】反射型液晶装置においては、反射電極が画素電極として用いられている。隣り合う画素電極の間には間隙が設けられている。しかし、この間隙により光利用効率が低下し、かつ滑らかな画質が得られない。そこで、間隙に入射した光を表示に利用するために、平面視にてこの間隙と重なる反射層を設ける技術が公知であるが、光の反射方向が制御されていないため、反射電極に対してほぼ垂直に入射した光のみしか有効利用できず、明るく滑らかな映像を表示できない。
【解決手段】凹形状の断面を有する反射層８を、平面視にて画素電極９の間に位置する間隙２と重なるように配置した。凹形状を有していることから、斜め方向から間隙２に入射された光も反射層８によって反射されて間隙２から射出される。そのため、明るく、かつ滑らかな映像を表示できる液晶装置１２０を得ることが可能となる。 （もっと読む）