液晶装置の製造方法
【課題】共通電極や画素電極と金属の電極端子との間の接続抵抗の増加を抑制する。
【解決手段】製造方法は、パッシベーション層（２１０）、平坦化膜（２１１）及び反射膜（２１２）を形成する工程と、共通電極端子上に形成されたパッシベーション層を除去することで第１コンタクトホール（３１１）を形成する工程と、第１コンタクトホールに透過表示用共通電極（１１−１）を形成する工程と、絶縁層（２１３）を形成する工程と、反射表示用ソース電極端子及び透過表示用ソース電極端子の夫々の上に形成されたパッシベーション層及び絶縁層を除去することで、第２コンタクトホール（３１３）及び第３コンタクトホール（３１２）を形成する工程と、第２コンタクトホールに反射表示用画素電極（９ａ−２）を形成すると共に、第３コンタクトホールに透過表示用画素電極（９ａ−１）を形成する工程とを備える。
【解決手段】製造方法は、パッシベーション層（２１０）、平坦化膜（２１１）及び反射膜（２１２）を形成する工程と、共通電極端子上に形成されたパッシベーション層を除去することで第１コンタクトホール（３１１）を形成する工程と、第１コンタクトホールに透過表示用共通電極（１１−１）を形成する工程と、絶縁層（２１３）を形成する工程と、反射表示用ソース電極端子及び透過表示用ソース電極端子の夫々の上に形成されたパッシベーション層及び絶縁層を除去することで、第２コンタクトホール（３１３）及び第３コンタクトホール（３１２）を形成する工程と、第２コンタクトホールに反射表示用画素電極（９ａ−２）を形成すると共に、第３コンタクトホールに透過表示用画素電極（９ａ−１）を形成する工程とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置を製造するための製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
一対の基板間に電気光学物質として液晶を挟持してなる液晶装置では、例えば一対の基板間において液晶を所定の配向状態としておき、例えば画像表示領域に形成された画素部毎に、液晶に所定の電圧を印加することにより、液晶における配向や秩序を変化させて、光を変調することにより階調表示を行う。
【０００３】
このような液晶装置として、１つの画素内に反射表示領域と透過表示領域とが設けられる半透過反射型の液晶装置が知られている（例えば、特許文献１等参照）。半透過反射型の液晶装置は、バックライトが不要になるがゆえに低消費電力化・薄型化・軽量化が達成できる反射型の液晶装置の利点と、バックライトを光源としているがゆえに周囲の光が暗い場合でも視認性がよいという透過型の液晶装置の利点とを併せ持つ液晶装置として知られている。
【０００４】
他方で、このような液晶装置として、ＴＦＴアレイ基板側に画素電極及び共通電極の夫々を設け且つ液晶に印加する電界の方向を基板にほぼ平行な方向とする、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式或いはＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式等の横電界駆動方式を採用した液晶装置が知られている（例えば、特許文献１等参照）。横電界駆動方式は、相対向する一対の基板の夫々に形成された画素電極及び対向電極間に介在する液晶に縦電界を印加する、ＴＮ（Twisted Nematic）駆動方式等の縦電界駆動方式に比べて視角特性に優れていることから注目されている。
【０００５】
このような液晶装置は、例えば、以下のような工程を経て製造される。まず、低温ポリシリコンプロセス等を用いて、ＴＦＴアレイ基板上にポリシリコンアイランドが形成される。その後、ゲート絶縁膜及びゲート電極が形成されると共に、ポリシリコンアイランドに対してドーピング処理が行われることでＴＦＴが形成される。その後、層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介してＴＦＴのソース端子及びドレイン端子並びに共通電圧線と電気的に接続されるソース電極端子、ドレイン電極端子及び共通電極端子が形成される。その後、ＳｉＮｘ等を含むパッシベーション層が形成され、パッシベーション層を貫通してソース電極端子及び共通電極端子に到達するコンタクトホールが形成される。その後、パッシベーション層を貫通するコンタクトホールに対応する位置に開口を有する平坦化膜が形成され、反射表示領域に反射膜が形成され、共通電極端子に到達するコンタクトホールに共通電極が形成される。その後、保持容量層が形成され、ソース電極端子に到達するコンタクトホール上に形成された保持容量層が除去され、共通電極端子に到達するコンタクトホールに画素電極が形成される。
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１６５０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような製造方法では、共通電極が形成されるコンタクトホールは、パッシベーション層が形成された後にすぐに形成されるのが一般的である。このため、実際に共通電極が形成されるまでの間に、平坦化膜や反射膜等が形成される工程に影響を受けて、コンタクトホールには酸化膜等の余分な層が形成されてしまいかねない。このため、共通電極と共通電極端子との間の接続抵抗が相対的に高くなってしまうという技術的な問題点がある。
【０００８】
また、画素電極が形成されるコンタクトホールも、パッシベーション層が形成された後にすぐに形成される。このため、実際に画素電極が形成されるまでの間に、平坦化膜や反射膜や保持容量層等が形成される工程に影響を受けて、コンタクトホールには酸化物等の余分な層が形成されてしまいかねない。このため、画素電極とソース電極端子との間の接続抵抗が相対的に高くなってしまうという技術的な問題点がある。
【０００９】
本発明は、例えば上述した従来の問題点に鑑みなされたものであり、例えば共通電極や画素電極と金属の電極端子との間の接続抵抗の増加を抑制することができる液晶装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層を挟持すると共に、反射表示を行う反射表示領域及び透過表示を行う透過表示領域を備える液晶装置の製造方法であって、(i)前記反射表示領域の前記液晶層に画像信号を印加する反射表示用画素電極に接続される反射表示用ソース電極端子を、前記一対の基板のうちの一方の基板上の前記反射表示領域に形成すると共に、(ii)前記透過表示領域の前記液晶層に共通電圧を印加する透過表示用共通電極に接続される共通電極端子及び前記透過表示領域の前記液晶層に画像信号を印加する透過表示用画素電極に接続される透過表示用ソース電極端子の夫々を、前記一方の基板上の前記透過表示領域に形成する工程と、前記反射表示用ソース電極端子、前記共通電極端子及び前記透過表示用ソース電極端子を覆うパッシベーション層を形成する工程と、前記反射表示用ソース電極端子、前記共通電極端子及び前記透過表示用ソース電極端子に対応する位置に開口を有する平坦化膜を、前記パッシベーション層上に形成する工程と、前記反射表示領域に入射する光を反射するための反射膜を、前記反射表示領域の前記平坦化膜上に形成する工程と、前記共通電極端子上に形成された前記パッシベーション層を除去することで、前記共通電極端子に到達する第１コンタクトホールを形成する工程と、前記透過表示領域の前記平坦化膜上及び前記第１コンタクトホールに、前記透過表示用共通電極を形成する工程と、前記透過表示領域において保持容量を構成する絶縁層を形成する工程と、前記反射表示用ソース電極端子及び前記透過表示用ソース電極端子の夫々の上に形成された前記パッシベーション層及び前記絶縁層を除去することで、前記反射表示用ソース電極端子に到達する第２コンタクトホール及び前記透過表示用ソース電極端子に到達する第３コンタクトホールを形成する工程と、前記反射表示領域の前記平坦化膜上及び前記第２コンタクトホールに、前記反射表示用画素電極を形成すると共に、前記透過表示領域の前記平坦化膜上及び前記第３コンタクトホールに、前記透過表示用画素電極を形成する工程とを備える。
【００１１】
本発明の製造方法によれば、透過表示を行う透過表示領域と反射表示を行う反射表示領域の夫々が各画素部に設けられる半透過反射型の液晶装置を製造することができる。このため、本発明の液晶装置の製造方法により製造される液晶装置によれば、透過表示領域においては、例えば一対の基板のうちの一方の基板（例えば、後述のＴＦＴアレイ基板）側から入射する光が液晶層及び一対の基板のうちの他方の基板（例えば、後述の対向基板）を透過して観察者に視認される。その一方で、反射表示領域においては、例えば他方の基板側から入射した光が液晶層を透過した後に反射され且つ再度液晶層及び他方の基板を透過して観察者に視認される。
【００１２】
加えて、本発明の液晶装置の製造方法により製造される液晶装置は、少なくとも透過表示領域においては、例えば横電界を用いて液晶層に含まれる液晶分子を駆動させることが好ましい。尚、「横電界」とは、一対の基板の表面に沿った方向の電界（典型的には、一対の基板の表面に対して平行な或いは概ね平行と同視し得る電界）を示す趣旨である。加えて、本発明では、透過表示領域に形成される共通電極と透過表示用画素電極との間に絶縁層が積層されることが好ましい。つまり、本発明では、共通電極と絶縁層と透過表示用画素電極とが、一対の基板の法線方向に沿って積層構造を形成するように一方の基板上に形成されていることが好ましい。つまり、本発明の液晶装置の製造方法により製造される液晶装置は、例えばＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式等の横電界駆動方式を採用していることが好ましい。
【００１３】
以下、このような液晶装置を製造するための本発明の製造方法について説明を進める。
【００１４】
まず、反射表示用ソース電極端子が反射表示領域に形成される。反射表示用ソース電極端子は、ＴＦＴ等の画素スイッチング素子やデータ線等を介して供給される画像信号を反射表示領域の液晶層に対して印加するための反射表示用画素電極に電気的に接続される電極端子（或いは、配線ないしは引き出し電極）である。従って、反射表示領域においては、反射表示用ソース電極端子から供給される画像信号に応じた電位を有する反射表示用画素電極と、一対の基板のうちの他方の基板上の反射表示領域に形成される対向電極との間の電位差に応じた電界が液晶層に印加されることで画像表示が行われる。
【００１５】
この工程と同時に又は並行して、共通電極端子及び透過表示用ソース電極端子が透過表示領域に形成される。共通電極端子は、透過表示領域に形成されると共に透過表表示領域の液晶層に対して共通電圧を印加するための透過表示用共通電極に電気的に接続される電極端子（或いは、配線ないしは引き出し電極）である。また、透過表示用ソース電極端子は、ＴＦＴ等の画素スイッチング素子やデータ線等を介して供給される画像信号を透過表示領域の液晶層に対して印加するための透過表示用画素電極に電気的に接続される電極端子（或いは、配線ないしは引き出し電極）である。従って、透過表示領域においては、透過表示用ソース電極端子から供給される画像信号に応じた電位を有する透過表示用画素電極と、共通電極端子から供給される共通電圧に応じた電位を有する透過表示用共通電極との間の電位差に応じた電界が液晶層に印加されることで画像表示が行われる。
【００１６】
続いて、反射表示用ソース電極端子、共通電極端子及び透過表示用ソース電極端子を覆うパッシベーション層が、一方の基板上に形成される。パッシベーション層は、いわゆる保護膜である。
【００１７】
続いて、反射表示用ソース電極端子、共通電極端子及び透過表示用ソース電極端子に対応する位置に開口を有する平坦化膜が、パッシベーション層上に形成される。平坦化膜は、積層構造の表面の平坦化を実現するための膜である。
【００１８】
続いて、反射膜が、反射表示領域の平坦化膜上に形成される。反射膜は、例えば他方の基板側から液晶装置（より具体的には、液晶装置内の反射表示領域）に入射する光を再び他方の基板側へ反射させるための膜であって、例えば金属膜等を含んで構成されている。この反射膜が形成されることで、反射表示領域における反射表示が実現される。
【００１９】
続いて、共通電極端子上に形成されたパッシベーション層が除去される。その結果、パッシベーション層を貫通して共通電極端子に到達する第１コンタクトホールが形成される。
【００２０】
その後、第１コンタクトホールに、透過表示用共通電極が形成される。より具体的には、例えば第１コンタクトホールの側面及び底面を覆うように又は第１コンタクトホールを埋めるように、透過表示用共通電極が形成される。このとき、製造工程の関係上、透過表示領域に形成されている平坦化膜上にも、透過表示用共通電極が形成されてもよい。
【００２１】
続いて、透過表示用共通電極が形成された一対の基板上に、絶縁層が形成される。絶縁層は、透過表示領域における液晶層に印加される電界を維持するための保持容量として機能したり、或いは各種電極端子や電気配線等の絶縁を維持する。
【００２２】
続いて、反射表示用ソース透過表示用共通電極が形成される上に形成されたパッシベーション層及び絶縁層を除去することで、パッシベーション層及び絶縁層を貫通して反射表示用ソース透過表示用共通電極が形成されるに到達する第２コンタクトホールが形成される。この工程と同時に又は並行して、透過表示用ソース透過表示用共通電極が形成される上に形成されたパッシベーション層及び絶縁層を除去することで、パッシベーション層及び絶縁層を貫通して透過表示用ソース透過表示用共通電極が形成されるに到達する第３コンタクトホールが形成される。
【００２３】
その後、第２コンタクトホールに、反射表示用画素電極が形成される。より具体的には、例えば第２コンタクトホールの側面及び底面を覆うように又は第２コンタクトホールを埋めるように、反射表示用画素電極が形成される。このとき、製造工程の関係上、反射表示領域に形成されている平坦化膜上にも、反射表示用画素電極が形成されてもよい。この工程と同時に又は並行して、第３コンタクトホールに、透過表示用画素電極が形成される。より具体的には、例えば第３コンタクトホールの側面及び底面を覆うように又は第３コンタクトホールを埋めるように、透過表示用画素電極が形成される。このとき、製造工程の関係上、透過表示領域に形成されている平坦化膜上にも、透過表示用画素電極が形成されてもよい。
【００２４】
その後は、上述した各種層及び各種電極の積層構造が形成された一方の基板と、カラーフィルタやブラックマトリクス等が形成された他方の基板とを貼り合わせると共に、それら一対の基板の間に液晶層を封入することで、液晶装置が製造される。
【００２５】
ここで、一般的な液晶装置の製造方法では、パッシベーション層を形成した後にすぐ、パッシベーション層を貫通して共通電極端子に到達する第１コンタクトホールが形成される。そして、第１コンタクトホールが形成された後には、平坦化膜及び反射膜が形成され、その後、第１コンタクトホールに透過表示用共通電極が形成される。従って、平坦化膜や反射膜等が形成される工程に影響を受けて、第１コンタクトホールに実際に透過表示用共通電極が形成されるまでの間に、第１コンタクトホールには酸化膜等の余分な層が形成されてしまいかねない。これは、透過表示用共通電極と共通電極端子との間の接続抵抗が相対的に高くなってしまうという技術的な問題点につながりかねない。しかるに、本発明によれば、パッシベーション層を形成した後にすぐ、パッシベーション層を貫通して共通電極端子に到達する第１コンタクトホールが形成されることはない。具体的には、本発明によれば、第１コンタクトホールは、平坦化膜及び反射膜が形成された後であって且つ実際に透過表示用共通電極が形成される前に（より好ましくは、実際に透過表示用共通電極が形成される直前に）形成される。このため、平坦化膜や反射膜等が形成される工程に影響を受けて第１コンタクトホールに酸化膜等の余分な層が形成されてしまうという不都合は好適に排除又は抑制される。従って、透過表示用共通電極と共通電極端子との間の接続抵抗の相対的な増加を好適に抑制することができる。
【００２６】
同様に、一般的な液晶装置の製造方法では、パッシベーション層を形成した後にすぐ、パッシベーション層を貫通して反射表示用ソース電極端子に到達する第２コンタクトホール及びパッシベーション層を貫通して透過表示用ソース電極端子に到達する第３コンタクトホールが形成される。そして、第２コンタクトホール及び第３コンタクトホールが形成された後には、平坦化膜や反射膜や絶縁層等が形成され、その後、第２コンタクトホールに反射表示用画素電極が形成され且つ第３コンタクトホールに透過表示用画素電極が形成される。従って、平坦化膜や反射膜や絶縁層等が形成される工程に影響を受けて、第２コンタクトホールや第３コンタクトホールに実際に反射表示用画素電極や透過表示用画素電極が形成されるまでの間に、第２コンタクトホール及び第３コンタクトホールには酸化膜等の余分な層が形成されてしまいかねない。これは、反射表示用画素電極と反射表示用ソース電極端子との間の接続抵抗及び透過表示用画素電極と透過表示用ソース電極端子との間の接続抵抗が相対的に高くなってしまうという技術的な問題点につながりかねない。しかるに、本発明によれば、パッシベーション層を形成した後にすぐ、パッシベーション層を貫通して反射表示用ソース電極端子に到達する第２コンタクトホール及びパッシベーション層を貫通して透過表示用ソース電極端子に到達する第３コンタクトホールが形成されることはない。具体的には、本発明によれば、第２コンタクトホール及び第３コンタクトホールは、平坦化膜や反射膜や絶縁層等が形成された後であって且つ実際に反射表示用画素電極及び透過表示用画素電極が形成される前に（より好ましくは、実際に反射表示用画素電極及び透過表示用画素電極が形成される直前に）形成される。このため、平坦化膜や反射膜や絶縁層等が形成される工程に影響を受けて第２コンタクトホール及び第３コンタクトホールに酸化膜等の余分な層が形成されてしまうという不都合は好適に排除又は抑制される。従って、反射表示用画素電極と反射表示用ソース電極端子との間の接続抵抗及び透過表示用画素電極と透過表示用ソース電極端子との間の接続抵抗の相対的な増加を好適に抑制することができる。
【００２７】
このように、本発明の液晶装置の製造方法によれば、共通電極（つまり、透過表示用共通電極）や画素電極（つまり、透過表示用画素電極及び反射表示用画素電極）と金属の電極端子（つまり、透過表示用ソース電極端子、透過表示用共通電極端子及び反射表示用ソース電極端子）との間の接続抵抗の増加を抑制することができる。
【００２８】
本発明の液晶装置の製造方法の一の態様では、前記第１コンタクトホールを形成する工程は、前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを形成する工程に先立って行われる。
【００２９】
この態様によれば、上述したように、透過表示用共通電極と共通電極端子との間の接続抵抗の相対的な増加を好適に抑制することができると共に、反射表示用画素電極と反射表示用ソース電極端子との間の接続抵抗及び透過表示用画素電極と透過表示用ソース電極端子との間の接続抵抗の相対的な増加を好適に抑制することができる。
【００３０】
本発明の液晶装置の製造方法の他の態様では、前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを形成する工程において、前記パッシベーション層及び前記絶縁層は一括にて除去される。
【００３１】
この態様によれば、パッシベーション層及び絶縁層を一括で除去することができるため、上述した各種効果を好適に享受することができる。
【００３２】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から更に明らかにされよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づいて説明する。
【００３４】
（１）液晶装置の基本構成
先ず、本実施形態に係る液晶装置の構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００３５】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、本発明に係る「一方の基板」の一例としてのＴＦＴアレイ基板１０と本発明における「他方の基板」の一例としての対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置する枠状或いは額縁状のシール領域に設けられたシール材５２により互いに貼り合わされている。
【００３６】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のスペーサが散布されている。
【００３７】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。但し、データ線駆動回路１０１は、シール領域よりも内側に、データ線駆動回路１０１が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられていてもよい。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００３８】
ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０と反対側の面には、偏光板１３が積層されている。同様に、対向基板２０の液晶層５０と反対側の面には、偏光板２４が積層されている。ここで、偏光板１３の透過軸の方向と偏光板２４の透過軸の方向とは互いに直交していることが好ましい。例えば、偏光板１３の透過軸の方向は平面視４５°（図１に示す角度参照。以下同じ）であり、偏光板２４の透過軸の方向は平面視１３５°であることが好ましい。
【００３９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）１１６や、走査線Ｙ１からＹｎ（但し、ｎは１以上の整数）や、データ線Ｘ１からＸｍ（但し、ｍは１以上の整数）等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。加えて、本実施形態の液晶装置１００は、透過表示領域１５０と反射表示領域１６０とが各画素部７０中に形成された半透過反射型の液晶装置である（詳細は、図３を参照しながら後述する）。このため、画像表示領域１０ａ中の透過表示領域１５０においては、ＴＦＴアレイ基板１０上に画素スイッチング用のＴＦＴ１１６や、走査線Ｙ１からＹｎや、データ線Ｘ１からＸｍ等が形成され、更にその上に共通電極１１−１、保持容量層２１３及び画素電極９ａ−１がこの順に形成されている。他方で、画像表示領域１０ａ中の反射表示領域１６０においては、ＴＦＴアレイ基板１０上に画素電極９ａ−２が形成されると共に、対向基板２０上に対向電極１１−２が形成されている。つまり、本実施形態の液晶装置１００は、ＦＦＳ（Field Fringe Switching）方式により液晶分子を駆動する透過表示領域１５０と、縦電界駆動方式（より好適には、ＥＣＢモード）により液晶分子を駆動する反射表示領域１６０とが各画素部７０中に形成された半透過反射型の液晶装置である。
【００４０】
画素電極９ａ−１及び９ａ−２上（言い換えれば、画素電極９ａ−１及び９ａ−２等の構成要素が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上）には、不図示の配向膜が積層されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、不図示のカラーフィルタと、ブラックマトリクス２３とが形成されている。ブラックマトリクス２３は、例えばクロムや酸化クロム等の遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。また、対向基板２０上には、上述したように対向電極１１−２も形成されている。そして、カラーフィルタやブラックマトリクス２３や対向電極１１−２上に不図示の配向膜が形成されている。このとき、ＴＦＴアレイ基板１０上及び対向基板２０の夫々に形成される配向膜８に対してラビング処理が施されているが、ラビングの方向は、偏光板１３の透過軸の方向又は偏光板２４の透過軸の方向に沿った方向であることが好ましい。例えば、ラビングの方向は、偏光板２４の透過軸の方向である平面視１３５°（または偏光板１３の透過軸の方向である平面視４５°に沿った方向）であることが好ましい。
【００４１】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶分子５０ａを含んでおり、これら一対の配向膜８間で、所定の配向状態をとる。
【００４２】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００４３】
（２）液晶装置の詳細な構成
続いて、図３を参照して、本実施形態に係る液晶装置１００の要部の構成について説明する。ここに、図３は、画素部７０のより詳細な構成を概念的に示す断面図である。
【００４４】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、例えばＳｉＯ２やＳｉＮｘ等のバッファ層２０１と、データ線Ｘｋ（但し、ｋは、１≦ｊ≦ｍを満たす整数）及び走査線Ｙｊ（但し、ｊは、１≦ｊ≦ｎを満たす整数）の交点付近に形成される画素スイッチング用の２つのＴＦＴ１１６と、ゲート絶縁膜２０２と、共通電圧が供給される共通電圧供給線ＣＯＭと、２つのＴＦＴ１１６に対応すると共に各ＴＦＴ１１６のチャネル領域１１６ｂ上に設けられる２つのゲート電極２０３と、ゲート電極２０３と電気的に接続される走査線Ｙｊと、保持容量電極端子２０４と、本発明における「共通電極端子」の一具体例を構成すると共に共通電圧供給線ＣＯＭに電気的に接続される共通電極端子２０５と、本発明における「透過表示用ソース電極端子」の一具体例を構成すると共に透過表示領域１５０に設けられるＴＦＴ１１６のソース領域１１６ａに電気的に接続される透過表示用ソース電極端子２０６と、透過表示領域１５０及び反射表示領域１６０の夫々に設けられるＴＦＴ１１６のドレイン領域１１６ｃに電気的に接続されるドレイン電極端子２０７と、本発明における「反射表示用ソース電極端子」の一具体例を構成すると共に反射表示領域１６０に設けられるＴＦＴ１１６のソース領域１１６ａに電気的に接続される反射表示用ソース電極端子２０８と、層間絶縁膜２０９と、パッシベーション層２１０と、平坦化膜２１１とが積層されている。また、対向基板２０上には、カラーフィルタ２５と、ブラックマトリクス２３と、オーバーコート層２６とが積層されている。
【００４５】
また、図３は、１つの画素部７０を示しているが、１つの画素部７０は、透過表示領域１５０と、反射表示領域１６０とを備えている。このような画素部７０は、ＴＦＴアレイ基板１０の中央を占める画像表示領域１０ａに、マトリクス状に複数配列されている。
【００４６】
透過表示領域１５０においては、ＴＦＴアレイ基板１０上には、本発明における「透過表示用画素電極」の一具体例を構成すると共に透過表示用ソース電極端子２０６に電気的に接続される画素電極９ａ−１と、本発明における「絶縁層」の一具体例を構成する保持容量層２１３と、本発明における「透過表示用共通電極」の一具体例を構成すると共に共通電極端子２０５に電気的に接続される共通電極１１−１とがこの順に積層されている。尚、画素電極９ａ−１は、１つの画素部７０毎に設けられると共に、その内側に形成された複数のスリットを備えることが好ましい。他方で、共通電極１１−１は、１つの画素部７０毎に設けられてもよいし、或いは複数の画素部７０に共通した平面視略ベタ状の形状を有していてもよい。また、透過表示領域１５０における液晶層５０のレタデーションは、例えばλ／２に設定されている。
【００４７】
また、反射表示領域１６０においては、ＴＦＴアレイ基板１０上には、反射膜２１２と、保持容量層２１３と、本発明における「反射表示用画素電極」の一具体例を構成すると共に反射表示用ソース電極端子２０８に電気的に接続される画素電極９ａ−２とがこの順に積層されている。また、反射表示領域１６０においては、対向基板２０上には更に、反射表示領域１６０におけるセルギャップを調整する（具体的には、例えば、反射表示領域１６０における液晶層５０のレタデーションをλ／４とする）ための段差層２７と、対向電極１１−２とがこの順に積層されている。
【００４８】
本実施形態の液晶装置１００は、以下のように動作する。まず、走査線駆動回路１０４から走査線Ｙｊにハイレベルの走査信号を供給することで、走査線Ｙｊに接続されたゲート電極２０３に対応する全てのＴＦＴ１１６をオン状態にして、走査線Ｙｊに係る全ての画素部７０を選択する。また、走査線Ｙｊに係る画素部７０の選択に同期して、データ線駆動回路１０１からデータ線（つまり、ドレイン電極端子２０７）に、画像信号が供給される。これにより、走査線駆動回路１０４で選択した全ての画素部７０に、データ線駆動回路１０１からデータ線、ドレイン電極端子２０７及びＴＦＴ１１６を介して画像信号が供給され、この画像信号に基づく書込電圧が、透過表示用ソース電極端子２０６を介して画素電極９ａ−１に書き込まれると共に反射表示用ソース電極端子２０８を介して画素電極９ａ−２に書き込まれる。これにより、画素電極９ａ−１と共通電極１１−１との間及び画素電極９ａ−２と対向電極１１−２との間に電位差が生じて、駆動電圧が液晶に印加される。その結果、液晶は、当該電界に応じて駆動されることによって、即ち、当該電界に応じて分子集合の配向や秩序が変化することによって、光を変調し、階調表示が行われる。このとき、保持容量層２１３の存在により、保持された画像信号のリークが防止されている。
【００４９】
このとき、透過表示領域７１の共通電極１１−１に供給される共通電圧と、反射表示領域７２の対向電極１１−２に供給される共通電圧とが逆極性となるように、共通電極１１−１及び対向電極１１−２に対して共通電圧を供給することが好ましい。この場合、画素電極９ａ−１及び画素電極９ａ−２に電圧が供給されない場合には、透過表示領域７１における液晶層５０には電界は印加されず且つ反射表示領域７２における液晶層５０には電界が印加されることになる。
【００５０】
このような電界が印加されるとき、各画素部７０の透過表示領域１５０及び反射表示領域１６０の夫々においては、以下のような態様で画像表示が行われる。尚、以下の説明は、偏光板１３の透過軸の方向が平面視４５°（図１に示す角度参照。以下同じ）であり、偏光板２４の透過軸の方向が平面視１３５°であり、配向膜８のラビングの方向が、偏光板２４の透過軸の方向である平面視１３５°であり、透過表示領域１５０の液晶層５０のレタデーションがλ／２であり、且つ反射表示領域１６０の液晶層５０のレタデーションがλ／４である場合の例について説明する。しかしながら、その他の場合であっても以下に示す動作と同様の動作で、液晶装置１００が駆動することは言うまでもない。
【００５１】
まず、透過表示領域１５０における駆動の態様について説明する。画素電極９ａ−１と共通電極１１−１との間の電位差がゼロである場合には、液晶層５０に含まれる液晶分子の配向状態は初期状態のまま維持される。具体的には、配向膜８のラビングの方向に沿って液晶分子の長軸方向が配列すると共に液晶分子の長軸方向がＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して略水平に配列する状態（つまり、液晶分子の長軸方向が平面視１３５°の方向に沿って配列する状態）が維持されている。このとき、ＴＦＴアレイ基板１０の側から、偏光板１３に対してバックライト光等が入射する。この場合、偏光板１３の存在によって、入射するバックライト光のうち平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分のみが液晶装置１００内部に入射する。その後、液晶分子の配向状態が初期状態のまま維持されているため、平面視４５°の方向に振動する直線偏光は液晶層５０をそのまま透過する。ここで、対向基板２０側の偏光板２４の透過軸が平面視１３５°であるため、平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分は偏光板２４において吸収される。その結果、バックライト光が液晶装置１００の外部へ出射しない。これにより、液晶装置１００では黒表示が行われる。
【００５２】
他方で、画素電極９ａ−１と共通電極１１−１との間の電位差がゼロでない場合には、以下のように液晶装置１００は駆動する。画素電極９ａ−１と共通電極１１−１との間の電位差がゼロでない場合には、画素電極９ａと共通電極１１との間には、ＴＦＴアレイ基板１０に平行な又は概ね平行な方向の電界が生ずる。このため、液晶層５０には、ＴＦＴアレイ基板１０に平行な又は概ね平行な方向の電界が印加される。その結果、液晶層５０に含まれる液晶分子は、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に水平な面内において回転する。このとき、ＴＦＴアレイ基板１０の側から、偏光板１３に対してバックライト光等が入射する。この場合、偏光板１３の存在によって、入射するバックライト光のうち平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分のみが液晶装置１００内部に入射する。その後、平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分が液晶層５０に入射するが、液晶層５０のレタデーションがλ／２であるため、この直線偏光成分は、液晶層５０のねじれによって旋光され、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分が大部分を占める楕円偏光となる。その後、液晶層５０を透過してきた楕円偏光は、偏光板２４の透過軸の方向に振動する直線偏光（つまり、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光）のみが液晶装置１００の外部に出射する。これにより、液晶装置１００では白表示が行われる。
【００５３】
続いて、反射表示領域１６０における駆動の態様について説明する。画素電極９ａ−２と対向電極１１−２との間の電位差がゼロでない場合には、以下のように液晶装置１００は駆動する。画素電極９ａ−２と対向電極１１−２との間の電位差がゼロでない場合には、画素電極９ａ−２と対向電極１１−２との間には、ＴＦＴアレイ基板１０に平行な又は概ね平行な方向の電界が生ずる。このため、液晶層５０には、ＴＦＴアレイ基板１０に平行な又は概ね平行な方向の電界が印加される。その結果、液晶層５０に含まれる液晶分子は、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に水平な面内において回転する。このとき、対向基板２０の側から、偏光板２４に対して外光等が入射する。この場合、偏光板２４の存在によって、入射する外光のうち平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分のみが液晶装置１００内部に入射する。その後、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分が液晶層５０に入射するが、液晶層５０のレタデーションがλ／４であるため、この直線偏光成分は液晶層５０を透過することで右回りの楕円偏光（又は、左回りの楕円偏光）になる。その後、右回りの楕円偏光（又は、左回りの楕円偏光）は、反射膜２１２において反射されることで、回転方向が反転した左回りの楕円偏光（又は、右回りの楕円偏光）になる。その後、回転方向が反転した左回りの楕円偏光（又は、右回りの楕円偏光）が再度液晶層５０に入射するが、この楕円偏光成分は液晶層５０を透過することで平面視４５°の方向に振動する直線偏光になる。ここで、対向基板２０側の偏光板２４の透過軸が平面視１３５°であるため、平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分は偏光板２４において吸収される。その結果、バックライト光が液晶装置１００の外部へ出射しない。これにより、液晶装置１００では黒表示が行われる。
【００５４】
他方で、画素電極９ａ−２と対向電極１１−２との間の電位差がゼロである場合には、以下のように液晶装置１００は駆動する。画素電極９ａ−２と対向電極１１−２との間の電位差がゼロである場合には、液晶層５０に含まれる液晶分子の配向状態は初期状態のまま維持される。具体的には、配向膜８のラビングの方向に沿って液晶分子の長軸方向が配列すると共に液晶分子の長軸方向がＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して略水平に配列する状態（つまり、液晶分子５０ａの長軸方向が平面視１３５°の方向に沿って配列する状態）が維持されている。このとき、対向基板２０の側から、偏光板２４に対して外光等が入射する。この場合、偏光板２４の存在によって、入射する外光のうち平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分のみが液晶装置１００内部に入射する。その後、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分が液晶層５０に入射するが、この直線偏光成分は液晶層５０をそのまま透過し、反射膜２１２において反射され、再度液晶層５０をそのまま透過する。このため、この直線偏光（つまり、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分）は、偏光板２４を透過する。これにより、液晶装置１００では白表示が行われる。
【００５５】
（３）液晶装置の製造方法
続いて、図４から図１９を参照して、本実施形態に係る液晶装置１００の製造方法について説明する。ここに、図４から図１２は夫々、本実施形態に係る液晶装置１００の製造方法における一工程を示す断面図であり、図１３及び図１４は、本実施形態に係る液晶装置１００の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図であり、図１５は、本実施形態に係る液晶装置１００の製造方法における一工程を示す断面図であり、図１６から図１９は、本実施形態に係る液晶装置１００の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【００５６】
図４に示すように、ガラス基板等のＴＦＴアレイ基板１０が用意される。ＴＦＴアレイ基板１０に対しては、まず、例えば希フッ酸（ＤＨＦ）等を用いた洗浄が行われる。その後、ＴＦＴアレイ基板１０上に、バッファ層２０１が形成される。尚、バッファ層２０１は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）と窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）とを積層させることで形成される。
【００５７】
続いて、図５に示すように、バッファ層２０１上に、アモルファスシリコン層３０１が形成される。ここでは、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、アモルファスシリコン層３０１が形成される。
【００５８】
その後、図６に示すように、アモルファスシリコン層３０１が形成されたＴＦＴアレイ基板１０に対して、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法及びＥＬＡ（Excimer Laser Annealing）法を用いた脱水素処理を行うことでアモルファスシリコン層３０１を結晶化させる。その結果、アモルファスシリコン層３０１からポリシリコン層３０２が形成される。
【００５９】
その後、図７に示すように、ポリシリコン層３０２が形成されたＴＦＴアレイ基板１０に対してフォトリソグラフィーを用いたパターニングを行った後にドライエッチングを行うことで、ＴＦＴ１１６の大きさと概ね同一の大きさを有するポリシリコンアイランド３０３が形成される。
【００６０】
続いて、図８に示すように、ポリシリコンアイランド３０２を覆うように、バッファ層２０１上にゲート絶縁膜２０２が形成される。ここでは、必要に応じてＴＦＴアレイ基板１０を洗浄した後に、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、ゲート絶縁膜２０２が形成される。尚、ゲート絶縁膜２０２は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）と窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）とを積層させることで形成される。更に、図８に示すように、ポリシリコンアイランド３０３のうちのゲート領域に対応するゲート絶縁膜２０２上に、ゲート電極２０３が形成される。このとき、同時に、共通電圧供給配線ＣＯＭや、走査線Ｙｊや、保持容量線２０４が形成されてもよい。
【００６１】
その後、ゲート電極２０３をマスクとして用いたパターニングやフォトリソグラフィーを用いたパターニングによってポリシリコンアイランド３０３に対してボロンイオンやリンイオン等をドーピングすることで、図９に示すように、ソース領域１１６ａ、チャネル領域１１６ｂ及びドレイン領域１１６ｃを有するＴＦＴ１１６が形成される。
【００６２】
続いて、図１０に示すように、ゲート電極２０３や、共通電圧供給配線ＣＯＭや、走査線Ｙｊや、保持容量線２０４を覆うように、ゲート絶縁膜２０２上に層間絶縁膜２０９が形成される。尚、層間絶縁膜２０９は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）とを積層させることで形成される。
【００６３】
続いて、図１１に示すように、層間絶縁膜２０９を貫通して共通電圧供給線ＣＯＭに到達するコンタクトホールが形成されると共に、当該コンタクトホールに共通電極端子２０５が形成される。この動作と同時に又は並行して、ゲート絶縁膜２０２及び層間絶縁膜２０９の夫々を貫通して透過表示領域１５０中のＴＦＴ１１６のソース領域１１６ａに到達するコンタクトホールが形成されると共に、当該コンタクトホールに透過表示用ソース電極端子２０６が形成される。この動作と同時に又は並行して、ゲート絶縁膜２０２及び層間絶縁膜２０９の夫々を貫通して透過表示領域１５０中のＴＦＴ１１６のドレイン領域１１６ｃ及び反射表示領域１６０中のＴＦＴ１１６のドレイン領域１１６ｃに到達する２つのコンタクトホールが形成されると共に、当該２つのコンタクトホールにドレイン電極端子２０７が形成される。この動作と同時に又は並行して、ゲート絶縁膜２０２及び層間絶縁膜２０９の夫々を貫通して反射表示領域１６０中のＴＦＴ１１６のソース領域１１６ａに到達するコンタクトホールが形成されると共に、当該コンタクトホールに反射表示用ソース電極端子２０８が形成される。尚、コンタクトホールは、例えば、フォトリソグラフィーによるパターニング（つまり、コンタクトホールの形状に応じたパターニング）を行った後にウェットエッチングを行うことで形成される。また、各配線は、例えば蒸着法やスパッタリング法を行うことで形成される。
【００６４】
続いて、図１２に示すように、共通電極端子２０５、透過表示用ソース電極端子２０６、ドレイン電極端子２０７及び反射表示用ソース電極端子２０８を覆うように、層間絶縁膜２０９上にパッシベーション層２１０が形成される。尚、パッシベーション層２１０は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成される。
【００６５】
ここで、以降の説明では、本実施形態に係る製造方法の特徴を明確に示すために、本実施形態に係る製造方法に加えて、比較例に係る製造方法の工程を参照しながら説明を進める。
【００６６】
図１３（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、パッシベーション層２１０が形成された後には、平坦化膜２１１が形成される。平坦化膜２１１は、共通電極端子２０５、透過表示用ソース電極端子２０６及び反射表示用ソース電極端子２０８が形成されている領域に開口を有するように形成される。また、反射表示領域１６０においては、反射特性を高めるために、表面が凹凸形状の表面を有している平坦化膜２１１が形成される。このような表面が凹凸形状の表面を有している平坦化膜２１１は、ハーフ露光を用いることで比較的容易に形成することができる。
【００６７】
他方で、図１３（ｂ）に示すように、比較例に係る製造方法においては、パッシベーション層２１０が形成された後には、まず、パッシベーション層２１０を貫通して共通電極端子２０５、透過表示用ソース電極端子２０６及び反射表示用ソース電極端子２０８の夫々に到達する３つのコンタクトホール３１１、３１２及び３１３が形成される。その後、図１３（ｂ）に示すように、平坦化膜２１１が形成される。比較例に係る製造方法により形成される平坦化膜２１１も、本実施形態に係る製造方法により形成される平坦化膜２１１と同様に、共通電極端子２０５、透過表示用ソース電極端子２０６及び反射表示用ソース電極端子２０８が形成されている領域に開口を有し且つ反射表示領域１６０においては、表面が凹凸形状の表面を有している。
【００６８】
続いて、図１４（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、反射表示領域１６０の平坦化膜２１１上に、高い反射率を有する金属膜等の反射膜２１２が形成される。尚、反射膜２１２は、例えば蒸着法やスパッタリング法を行うことで形成され、フォトリソグラフィーとウェットエッチングによるパターニングにより反射表示領域に形成される。また、図１４（ｂ）に示すように、比較例に係る製造方法においても、本実施形態に係る製造方法と同様に、反射表示領域１６０の平坦化膜２１１上に、高い反射率を有する金属膜等の反射膜２１２が形成される。
【００６９】
続いて、図１５に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、反射膜２１２を形成した後に、パッシベーション層２１０を貫通して共通電極端子２０５に到達するコンタクトホール３１１が形成される。尚、比較例に係る製造方法においては、パッシベーション層２１０が形成された直後の段階で、パッシベーション層２１０を貫通して共通電極端子２０５に到達するコンタクトホール３１１が既に形成されている。
【００７０】
続いて、図１６（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、コンタクトホール３１１を介して共通電極端子２０５と電気的に接続されるように、コンタクトホール３１１の底面及び側面並びに透過表示領域１５０の平坦化膜２１１上に共通電極１１−１が形成される。尚、図１６（ｂ）に示すように、比較例に係る製造方法においても、本実施形態に係る製造方法と同様に、コンタクトホール３１１を介して共通電極端子２０５と電気的に接続されるように、コンタクトホール３１１の底面及び側面並びに透過表示領域１５０の平坦化膜２１１上に共通電極１１−１が形成される。
【００７１】
続いて、図１７（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、共通電極１１−１及び反射膜２１２を覆うように、平坦化膜２１２上に保持容量層２１３が形成される。この保持容量層２１３は、平坦化膜２１２が有する開口の底面及び側面にも形成される。尚、図１７（ｂ）に示すように、比較例に係る製造方法においても、本実施形態に係る製造方法と同様に、共通電極１１−１及び反射膜２１２を覆うように、平坦化膜２１２上に保持容量層２１３が形成される。この保持容量層２１３は、平坦化膜２１２が有する開口の底面及び側面にも形成される。
【００７２】
続いて、図１８（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、保持容量層２１３及びパッシベーション層２１０を貫通して透過表示用ソース電極端子２０６に到達するコンタクトホール３１２並びに保持容量層２１３及びパッシベーション層２１０を貫通して反射表示用ソース電極端子２０８に到達するコンタクトホール３１３が形成される。つまり、保持容量層２１３及びパッシベーション層２１０を一括して除去することで、コンタクトホール３１２及び３１３が形成される。
【００７３】
他方で、図１８（ｂ）に示すように、比較例に係る製造方法においては、パッシベーション層２１０を貫通するコンタクトホールは既に形成されているため、保持容量層２１３を貫通して透過表示用ソース電極端子２０６に到達するコンタクトホール３１２及び保持容量層２１３を貫通して反射表示用ソース電極端子２０８に到達するコンタクトホール３１３が形成される。つまり、保持容量層２１３によって埋められてしまったコンタクトホール３１２及び３１３に対して、保持容量層２１３のみの除去が行われる。
【００７４】
続いて、図１９（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、コンタクトホール３１２を介して透過表示用ソース電極端子２０６と電気的に接続されるように、コンタクトホール３１２の底面及び側面並びに透過表示領域１５０の保持容量層２１３上に画素電極９ａ−１が形成されると共に、コンタクトホール３１３を介して反射表示用ソース電極端子２０８と電気的に接続されるように、コンタクトホール３１３の底面及び側面並びに反射表示領域１６０の保持容量層２１３上に画素電極９ａ−２が形成される。尚、図１９（ｂ）に示すように、比較例に係る製造方法においても、本実施形態に係る製造方法と同様に、コンタクトホール３１２を介して透過表示用ソース電極端子２０６と電気的に接続されるように、コンタクトホール３１２の底面及び側面並びに透過表示領域１５０の保持容量層２１３上に画素電極９ａ−１が形成されると共に、コンタクトホール３１３を介して反射表示用ソース電極端子２０８と電気的に接続されるように、コンタクトホール３１３の底面及び側面並びに反射表示領域１６０の保持容量層２１３上に画素電極９ａ−２が形成される。
【００７５】
その後、カラーフィルタ２５やブラックマトリクス２５やオーバーコート層２６や段差層２７や対向電極１１−２等が形成された対向基板２０と、図４から図１９に示す工程を経て製造されたＴＦＴアレイ基板１０とを貼り合わせると共に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０を封入することで、液晶装置１００が製造される。
【００７６】
ここで、比較例に係る液晶装置の製造方法では、パッシベーション層２１０を形成した後にすぐ、パッシベーション層２１０を貫通して共通電極端子２０５に到達するコンタクトホール３１１が形成される。そして、コンタクトホール３１１が形成された後には、平坦化膜２１１及び反射膜２１２が形成され、その後、コンタクトホール３１１に共通電極１１−１が形成される。従って、平坦化膜２１１や反射膜２１２等が形成される工程に影響を受けて、コンタクトホール３１１に実際に共通電極１１−１が形成されるまでの間に、コンタクトホール３１１の表面には酸化膜等の余分な層が形成されてしまいかねない。これは、共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗が相対的に高くなってしまうという技術的な問題点につながりかねない。しかるに、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、パッシベーション層２１０を形成した後にすぐ、パッシベーション層２１０を貫通して共通電極端子２０５に到達するコンタクトホール３１１が形成されることはない。具体的には、本実施形態によれば、コンタクトホール３１１は、平坦化膜２１１及び反射膜２１２が形成された後であって且つ実際に共通電極１１−１が形成される前に（より好ましくは、実際に共通電極１１−１が形成される直前に）形成される。このため、平坦化膜２１１や反射膜２１２等が形成される工程に影響を受けてコンタクトホール３１１の表面に酸化膜等の余分な層が形成されてしまうという不都合は好適に排除又は抑制される。従って、共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗の相対的な増加を好適に抑制することができる。
【００７７】
また同様に、比較例に係る液晶装置の製造方法では、パッシベーション層２１０を形成した後にすぐ、パッシベーション層２１０を貫通して透過表示用ソース電極端子２０６に到達するコンタクトホール３１２及びパッシベーション層２１０を貫通して反射表示用ソース電極端子２０８に到達するコンタクトホール３１３が形成される。そして、コンタクトホール３１２及びコンタクトホール３１３が形成された後には、平坦化膜２１１や反射膜２１２や保持容量層２１３等が形成され、その後、コンタクトホール３１２に画素電極９ａ−１が形成され且つコンタクトホール３１３に画素電極９ａ−２が形成される。従って、平坦化膜２１１や反射膜２１２や保持容量層２１３等が形成される工程に影響を受けて、コンタクトホール３１２やコンタクトホール３１３に実際に画素電極９ａ−１や画素電極９ａ−２が形成されるまでの間に、コンタクトホール３１２及びコンタクトホール３１３の表面には酸化膜等の余分な層が形成されてしまいかねない。これは、画素電極９ａ−１と透過表示用ソース電極端子２０６との間の接続抵抗及び画素電極９ａ−２と反射表示用ソース電極端子２０８との間の接続抵抗が相対的に高くなってしまうという技術的な問題点につながりかねない。しかるに、本実施形態によれば、パッシベーション層２１０を形成した後にすぐ、パッシベーション層２１０を貫通して透過表示用ソース電極端子２０６に到達するコンタクトホール３１２及びパッシベーション層２１０を貫通して反射表示用ソース電極端子２０８に到達するコンタクトホール３１３が形成されることはない。具体的には、本実施形態によれば、コンタクトホール３１２及びコンタクトホール３１３は、平坦化膜２１１や反射膜２１２や保持容量層２１３等が形成された後であって且つ実際に画素電極９ａ−１及び画素電極９ａ−２が形成される前に（より好ましくは、実際に画素電極９ａ−１及び画素電極９ａ−２が形成される直前に）形成される。このため、平坦化膜２１１や反射膜２１２や保持容量層２１３等が形成される工程に影響を受けてコンタクトホール３１２及びコンタクトホール３１３の表面に酸化膜等の余分な層が形成されてしまうという不都合は好適に排除又は抑制される。従って、画素電極９ａ−１と透過表示用ソース電極端子２０６との間の接続抵抗及び画素電極９ａ−２と反射表示用ソース電極端子２０８との間の接続抵抗の相対的な増加を好適に抑制することができる。
【００７８】
ここで、図２０を参照して、本実施形態に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗と、比較例に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗とを比較して説明する。ここに、図２０は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗及び比較例に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗を示すグラフである。尚、図２０では、共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗に着目しているが、画素電極９ａ−１と透過表示用ソース電極端子２０６との間の接続抵抗及び画素電極９ａ−２と反射表示用ソース電極端子２０８との間の接続抵抗についても同様である。
【００７９】
図２０に示すように、比較例に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗が、概ね数百オーム程度となっている一方で、本実施形態に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗は、概ね十数オームから数十オーム程度である。このように、本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗（更には、画素電極９ａ−１と透過表示用ソース電極端子２０６との間の接続抵抗及び画素電極９ａ−２と反射表示用ソース電極端子２０８との間の接続抵抗）の増加を好適に抑制することができる。
【００８０】
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう液晶装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】画素部のより詳細な構成を概念的に示す断面図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図５】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図７】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図８】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図９】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１０】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１１】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１２】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１３】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１４】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１５】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１６】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１７】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１８】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１９】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図２０】本実施形態に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極と共通電極端子との間の接続抵抗及び比較例に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極と共通電極端子との間の接続抵抗を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８２】
９ａ−１…画素電極、９ａ−２…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１−１…共通電極、１１−２…対向電極、２０…対向基板、２４…偏光板、５０…液晶層、５０ａ…液晶分子、７０…画素部、１５０…透過表示領域、１６０…反射表示領域、１００…液晶装置、１１６…ＴＦＴ、２０５…共通電極端子、２０６…透過表示用ソース電極端子、２０８…反射表示用ソース電極端子、２１０…パッシベーション層、２１１…平坦化膜、２１２…反射膜、２１３…保持容量層、３１１…コンタクトホール、３１２…コンタクトホール、３１３…コンタクトホール
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置を製造するための製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
一対の基板間に電気光学物質として液晶を挟持してなる液晶装置では、例えば一対の基板間において液晶を所定の配向状態としておき、例えば画像表示領域に形成された画素部毎に、液晶に所定の電圧を印加することにより、液晶における配向や秩序を変化させて、光を変調することにより階調表示を行う。
【０００３】
このような液晶装置として、１つの画素内に反射表示領域と透過表示領域とが設けられる半透過反射型の液晶装置が知られている（例えば、特許文献１等参照）。半透過反射型の液晶装置は、バックライトが不要になるがゆえに低消費電力化・薄型化・軽量化が達成できる反射型の液晶装置の利点と、バックライトを光源としているがゆえに周囲の光が暗い場合でも視認性がよいという透過型の液晶装置の利点とを併せ持つ液晶装置として知られている。
【０００４】
他方で、このような液晶装置として、ＴＦＴアレイ基板側に画素電極及び共通電極の夫々を設け且つ液晶に印加する電界の方向を基板にほぼ平行な方向とする、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式或いはＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式等の横電界駆動方式を採用した液晶装置が知られている（例えば、特許文献１等参照）。横電界駆動方式は、相対向する一対の基板の夫々に形成された画素電極及び対向電極間に介在する液晶に縦電界を印加する、ＴＮ（Twisted Nematic）駆動方式等の縦電界駆動方式に比べて視角特性に優れていることから注目されている。
【０００５】
このような液晶装置は、例えば、以下のような工程を経て製造される。まず、低温ポリシリコンプロセス等を用いて、ＴＦＴアレイ基板上にポリシリコンアイランドが形成される。その後、ゲート絶縁膜及びゲート電極が形成されると共に、ポリシリコンアイランドに対してドーピング処理が行われることでＴＦＴが形成される。その後、層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介してＴＦＴのソース端子及びドレイン端子並びに共通電圧線と電気的に接続されるソース電極端子、ドレイン電極端子及び共通電極端子が形成される。その後、ＳｉＮｘ等を含むパッシベーション層が形成され、パッシベーション層を貫通してソース電極端子及び共通電極端子に到達するコンタクトホールが形成される。その後、パッシベーション層を貫通するコンタクトホールに対応する位置に開口を有する平坦化膜が形成され、反射表示領域に反射膜が形成され、共通電極端子に到達するコンタクトホールに共通電極が形成される。その後、保持容量層が形成され、ソース電極端子に到達するコンタクトホール上に形成された保持容量層が除去され、共通電極端子に到達するコンタクトホールに画素電極が形成される。
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１６５０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような製造方法では、共通電極が形成されるコンタクトホールは、パッシベーション層が形成された後にすぐに形成されるのが一般的である。このため、実際に共通電極が形成されるまでの間に、平坦化膜や反射膜等が形成される工程に影響を受けて、コンタクトホールには酸化膜等の余分な層が形成されてしまいかねない。このため、共通電極と共通電極端子との間の接続抵抗が相対的に高くなってしまうという技術的な問題点がある。
【０００８】
また、画素電極が形成されるコンタクトホールも、パッシベーション層が形成された後にすぐに形成される。このため、実際に画素電極が形成されるまでの間に、平坦化膜や反射膜や保持容量層等が形成される工程に影響を受けて、コンタクトホールには酸化物等の余分な層が形成されてしまいかねない。このため、画素電極とソース電極端子との間の接続抵抗が相対的に高くなってしまうという技術的な問題点がある。
【０００９】
本発明は、例えば上述した従来の問題点に鑑みなされたものであり、例えば共通電極や画素電極と金属の電極端子との間の接続抵抗の増加を抑制することができる液晶装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層を挟持すると共に、反射表示を行う反射表示領域及び透過表示を行う透過表示領域を備える液晶装置の製造方法であって、(i)前記反射表示領域の前記液晶層に画像信号を印加する反射表示用画素電極に接続される反射表示用ソース電極端子を、前記一対の基板のうちの一方の基板上の前記反射表示領域に形成すると共に、(ii)前記透過表示領域の前記液晶層に共通電圧を印加する透過表示用共通電極に接続される共通電極端子及び前記透過表示領域の前記液晶層に画像信号を印加する透過表示用画素電極に接続される透過表示用ソース電極端子の夫々を、前記一方の基板上の前記透過表示領域に形成する工程と、前記反射表示用ソース電極端子、前記共通電極端子及び前記透過表示用ソース電極端子を覆うパッシベーション層を形成する工程と、前記反射表示用ソース電極端子、前記共通電極端子及び前記透過表示用ソース電極端子に対応する位置に開口を有する平坦化膜を、前記パッシベーション層上に形成する工程と、前記反射表示領域に入射する光を反射するための反射膜を、前記反射表示領域の前記平坦化膜上に形成する工程と、前記共通電極端子上に形成された前記パッシベーション層を除去することで、前記共通電極端子に到達する第１コンタクトホールを形成する工程と、前記透過表示領域の前記平坦化膜上及び前記第１コンタクトホールに、前記透過表示用共通電極を形成する工程と、前記透過表示領域において保持容量を構成する絶縁層を形成する工程と、前記反射表示用ソース電極端子及び前記透過表示用ソース電極端子の夫々の上に形成された前記パッシベーション層及び前記絶縁層を除去することで、前記反射表示用ソース電極端子に到達する第２コンタクトホール及び前記透過表示用ソース電極端子に到達する第３コンタクトホールを形成する工程と、前記反射表示領域の前記平坦化膜上及び前記第２コンタクトホールに、前記反射表示用画素電極を形成すると共に、前記透過表示領域の前記平坦化膜上及び前記第３コンタクトホールに、前記透過表示用画素電極を形成する工程とを備える。
【００１１】
本発明の製造方法によれば、透過表示を行う透過表示領域と反射表示を行う反射表示領域の夫々が各画素部に設けられる半透過反射型の液晶装置を製造することができる。このため、本発明の液晶装置の製造方法により製造される液晶装置によれば、透過表示領域においては、例えば一対の基板のうちの一方の基板（例えば、後述のＴＦＴアレイ基板）側から入射する光が液晶層及び一対の基板のうちの他方の基板（例えば、後述の対向基板）を透過して観察者に視認される。その一方で、反射表示領域においては、例えば他方の基板側から入射した光が液晶層を透過した後に反射され且つ再度液晶層及び他方の基板を透過して観察者に視認される。
【００１２】
加えて、本発明の液晶装置の製造方法により製造される液晶装置は、少なくとも透過表示領域においては、例えば横電界を用いて液晶層に含まれる液晶分子を駆動させることが好ましい。尚、「横電界」とは、一対の基板の表面に沿った方向の電界（典型的には、一対の基板の表面に対して平行な或いは概ね平行と同視し得る電界）を示す趣旨である。加えて、本発明では、透過表示領域に形成される共通電極と透過表示用画素電極との間に絶縁層が積層されることが好ましい。つまり、本発明では、共通電極と絶縁層と透過表示用画素電極とが、一対の基板の法線方向に沿って積層構造を形成するように一方の基板上に形成されていることが好ましい。つまり、本発明の液晶装置の製造方法により製造される液晶装置は、例えばＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式等の横電界駆動方式を採用していることが好ましい。
【００１３】
以下、このような液晶装置を製造するための本発明の製造方法について説明を進める。
【００１４】
まず、反射表示用ソース電極端子が反射表示領域に形成される。反射表示用ソース電極端子は、ＴＦＴ等の画素スイッチング素子やデータ線等を介して供給される画像信号を反射表示領域の液晶層に対して印加するための反射表示用画素電極に電気的に接続される電極端子（或いは、配線ないしは引き出し電極）である。従って、反射表示領域においては、反射表示用ソース電極端子から供給される画像信号に応じた電位を有する反射表示用画素電極と、一対の基板のうちの他方の基板上の反射表示領域に形成される対向電極との間の電位差に応じた電界が液晶層に印加されることで画像表示が行われる。
【００１５】
この工程と同時に又は並行して、共通電極端子及び透過表示用ソース電極端子が透過表示領域に形成される。共通電極端子は、透過表示領域に形成されると共に透過表表示領域の液晶層に対して共通電圧を印加するための透過表示用共通電極に電気的に接続される電極端子（或いは、配線ないしは引き出し電極）である。また、透過表示用ソース電極端子は、ＴＦＴ等の画素スイッチング素子やデータ線等を介して供給される画像信号を透過表示領域の液晶層に対して印加するための透過表示用画素電極に電気的に接続される電極端子（或いは、配線ないしは引き出し電極）である。従って、透過表示領域においては、透過表示用ソース電極端子から供給される画像信号に応じた電位を有する透過表示用画素電極と、共通電極端子から供給される共通電圧に応じた電位を有する透過表示用共通電極との間の電位差に応じた電界が液晶層に印加されることで画像表示が行われる。
【００１６】
続いて、反射表示用ソース電極端子、共通電極端子及び透過表示用ソース電極端子を覆うパッシベーション層が、一方の基板上に形成される。パッシベーション層は、いわゆる保護膜である。
【００１７】
続いて、反射表示用ソース電極端子、共通電極端子及び透過表示用ソース電極端子に対応する位置に開口を有する平坦化膜が、パッシベーション層上に形成される。平坦化膜は、積層構造の表面の平坦化を実現するための膜である。
【００１８】
続いて、反射膜が、反射表示領域の平坦化膜上に形成される。反射膜は、例えば他方の基板側から液晶装置（より具体的には、液晶装置内の反射表示領域）に入射する光を再び他方の基板側へ反射させるための膜であって、例えば金属膜等を含んで構成されている。この反射膜が形成されることで、反射表示領域における反射表示が実現される。
【００１９】
続いて、共通電極端子上に形成されたパッシベーション層が除去される。その結果、パッシベーション層を貫通して共通電極端子に到達する第１コンタクトホールが形成される。
【００２０】
その後、第１コンタクトホールに、透過表示用共通電極が形成される。より具体的には、例えば第１コンタクトホールの側面及び底面を覆うように又は第１コンタクトホールを埋めるように、透過表示用共通電極が形成される。このとき、製造工程の関係上、透過表示領域に形成されている平坦化膜上にも、透過表示用共通電極が形成されてもよい。
【００２１】
続いて、透過表示用共通電極が形成された一対の基板上に、絶縁層が形成される。絶縁層は、透過表示領域における液晶層に印加される電界を維持するための保持容量として機能したり、或いは各種電極端子や電気配線等の絶縁を維持する。
【００２２】
続いて、反射表示用ソース透過表示用共通電極が形成される上に形成されたパッシベーション層及び絶縁層を除去することで、パッシベーション層及び絶縁層を貫通して反射表示用ソース透過表示用共通電極が形成されるに到達する第２コンタクトホールが形成される。この工程と同時に又は並行して、透過表示用ソース透過表示用共通電極が形成される上に形成されたパッシベーション層及び絶縁層を除去することで、パッシベーション層及び絶縁層を貫通して透過表示用ソース透過表示用共通電極が形成されるに到達する第３コンタクトホールが形成される。
【００２３】
その後、第２コンタクトホールに、反射表示用画素電極が形成される。より具体的には、例えば第２コンタクトホールの側面及び底面を覆うように又は第２コンタクトホールを埋めるように、反射表示用画素電極が形成される。このとき、製造工程の関係上、反射表示領域に形成されている平坦化膜上にも、反射表示用画素電極が形成されてもよい。この工程と同時に又は並行して、第３コンタクトホールに、透過表示用画素電極が形成される。より具体的には、例えば第３コンタクトホールの側面及び底面を覆うように又は第３コンタクトホールを埋めるように、透過表示用画素電極が形成される。このとき、製造工程の関係上、透過表示領域に形成されている平坦化膜上にも、透過表示用画素電極が形成されてもよい。
【００２４】
その後は、上述した各種層及び各種電極の積層構造が形成された一方の基板と、カラーフィルタやブラックマトリクス等が形成された他方の基板とを貼り合わせると共に、それら一対の基板の間に液晶層を封入することで、液晶装置が製造される。
【００２５】
ここで、一般的な液晶装置の製造方法では、パッシベーション層を形成した後にすぐ、パッシベーション層を貫通して共通電極端子に到達する第１コンタクトホールが形成される。そして、第１コンタクトホールが形成された後には、平坦化膜及び反射膜が形成され、その後、第１コンタクトホールに透過表示用共通電極が形成される。従って、平坦化膜や反射膜等が形成される工程に影響を受けて、第１コンタクトホールに実際に透過表示用共通電極が形成されるまでの間に、第１コンタクトホールには酸化膜等の余分な層が形成されてしまいかねない。これは、透過表示用共通電極と共通電極端子との間の接続抵抗が相対的に高くなってしまうという技術的な問題点につながりかねない。しかるに、本発明によれば、パッシベーション層を形成した後にすぐ、パッシベーション層を貫通して共通電極端子に到達する第１コンタクトホールが形成されることはない。具体的には、本発明によれば、第１コンタクトホールは、平坦化膜及び反射膜が形成された後であって且つ実際に透過表示用共通電極が形成される前に（より好ましくは、実際に透過表示用共通電極が形成される直前に）形成される。このため、平坦化膜や反射膜等が形成される工程に影響を受けて第１コンタクトホールに酸化膜等の余分な層が形成されてしまうという不都合は好適に排除又は抑制される。従って、透過表示用共通電極と共通電極端子との間の接続抵抗の相対的な増加を好適に抑制することができる。
【００２６】
同様に、一般的な液晶装置の製造方法では、パッシベーション層を形成した後にすぐ、パッシベーション層を貫通して反射表示用ソース電極端子に到達する第２コンタクトホール及びパッシベーション層を貫通して透過表示用ソース電極端子に到達する第３コンタクトホールが形成される。そして、第２コンタクトホール及び第３コンタクトホールが形成された後には、平坦化膜や反射膜や絶縁層等が形成され、その後、第２コンタクトホールに反射表示用画素電極が形成され且つ第３コンタクトホールに透過表示用画素電極が形成される。従って、平坦化膜や反射膜や絶縁層等が形成される工程に影響を受けて、第２コンタクトホールや第３コンタクトホールに実際に反射表示用画素電極や透過表示用画素電極が形成されるまでの間に、第２コンタクトホール及び第３コンタクトホールには酸化膜等の余分な層が形成されてしまいかねない。これは、反射表示用画素電極と反射表示用ソース電極端子との間の接続抵抗及び透過表示用画素電極と透過表示用ソース電極端子との間の接続抵抗が相対的に高くなってしまうという技術的な問題点につながりかねない。しかるに、本発明によれば、パッシベーション層を形成した後にすぐ、パッシベーション層を貫通して反射表示用ソース電極端子に到達する第２コンタクトホール及びパッシベーション層を貫通して透過表示用ソース電極端子に到達する第３コンタクトホールが形成されることはない。具体的には、本発明によれば、第２コンタクトホール及び第３コンタクトホールは、平坦化膜や反射膜や絶縁層等が形成された後であって且つ実際に反射表示用画素電極及び透過表示用画素電極が形成される前に（より好ましくは、実際に反射表示用画素電極及び透過表示用画素電極が形成される直前に）形成される。このため、平坦化膜や反射膜や絶縁層等が形成される工程に影響を受けて第２コンタクトホール及び第３コンタクトホールに酸化膜等の余分な層が形成されてしまうという不都合は好適に排除又は抑制される。従って、反射表示用画素電極と反射表示用ソース電極端子との間の接続抵抗及び透過表示用画素電極と透過表示用ソース電極端子との間の接続抵抗の相対的な増加を好適に抑制することができる。
【００２７】
このように、本発明の液晶装置の製造方法によれば、共通電極（つまり、透過表示用共通電極）や画素電極（つまり、透過表示用画素電極及び反射表示用画素電極）と金属の電極端子（つまり、透過表示用ソース電極端子、透過表示用共通電極端子及び反射表示用ソース電極端子）との間の接続抵抗の増加を抑制することができる。
【００２８】
本発明の液晶装置の製造方法の一の態様では、前記第１コンタクトホールを形成する工程は、前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを形成する工程に先立って行われる。
【００２９】
この態様によれば、上述したように、透過表示用共通電極と共通電極端子との間の接続抵抗の相対的な増加を好適に抑制することができると共に、反射表示用画素電極と反射表示用ソース電極端子との間の接続抵抗及び透過表示用画素電極と透過表示用ソース電極端子との間の接続抵抗の相対的な増加を好適に抑制することができる。
【００３０】
本発明の液晶装置の製造方法の他の態様では、前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを形成する工程において、前記パッシベーション層及び前記絶縁層は一括にて除去される。
【００３１】
この態様によれば、パッシベーション層及び絶縁層を一括で除去することができるため、上述した各種効果を好適に享受することができる。
【００３２】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から更に明らかにされよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づいて説明する。
【００３４】
（１）液晶装置の基本構成
先ず、本実施形態に係る液晶装置の構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００３５】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、本発明に係る「一方の基板」の一例としてのＴＦＴアレイ基板１０と本発明における「他方の基板」の一例としての対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置する枠状或いは額縁状のシール領域に設けられたシール材５２により互いに貼り合わされている。
【００３６】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のスペーサが散布されている。
【００３７】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。但し、データ線駆動回路１０１は、シール領域よりも内側に、データ線駆動回路１０１が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられていてもよい。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００３８】
ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０と反対側の面には、偏光板１３が積層されている。同様に、対向基板２０の液晶層５０と反対側の面には、偏光板２４が積層されている。ここで、偏光板１３の透過軸の方向と偏光板２４の透過軸の方向とは互いに直交していることが好ましい。例えば、偏光板１３の透過軸の方向は平面視４５°（図１に示す角度参照。以下同じ）であり、偏光板２４の透過軸の方向は平面視１３５°であることが好ましい。
【００３９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）１１６や、走査線Ｙ１からＹｎ（但し、ｎは１以上の整数）や、データ線Ｘ１からＸｍ（但し、ｍは１以上の整数）等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。加えて、本実施形態の液晶装置１００は、透過表示領域１５０と反射表示領域１６０とが各画素部７０中に形成された半透過反射型の液晶装置である（詳細は、図３を参照しながら後述する）。このため、画像表示領域１０ａ中の透過表示領域１５０においては、ＴＦＴアレイ基板１０上に画素スイッチング用のＴＦＴ１１６や、走査線Ｙ１からＹｎや、データ線Ｘ１からＸｍ等が形成され、更にその上に共通電極１１−１、保持容量層２１３及び画素電極９ａ−１がこの順に形成されている。他方で、画像表示領域１０ａ中の反射表示領域１６０においては、ＴＦＴアレイ基板１０上に画素電極９ａ−２が形成されると共に、対向基板２０上に対向電極１１−２が形成されている。つまり、本実施形態の液晶装置１００は、ＦＦＳ（Field Fringe Switching）方式により液晶分子を駆動する透過表示領域１５０と、縦電界駆動方式（より好適には、ＥＣＢモード）により液晶分子を駆動する反射表示領域１６０とが各画素部７０中に形成された半透過反射型の液晶装置である。
【００４０】
画素電極９ａ−１及び９ａ−２上（言い換えれば、画素電極９ａ−１及び９ａ−２等の構成要素が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上）には、不図示の配向膜が積層されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、不図示のカラーフィルタと、ブラックマトリクス２３とが形成されている。ブラックマトリクス２３は、例えばクロムや酸化クロム等の遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。また、対向基板２０上には、上述したように対向電極１１−２も形成されている。そして、カラーフィルタやブラックマトリクス２３や対向電極１１−２上に不図示の配向膜が形成されている。このとき、ＴＦＴアレイ基板１０上及び対向基板２０の夫々に形成される配向膜８に対してラビング処理が施されているが、ラビングの方向は、偏光板１３の透過軸の方向又は偏光板２４の透過軸の方向に沿った方向であることが好ましい。例えば、ラビングの方向は、偏光板２４の透過軸の方向である平面視１３５°（または偏光板１３の透過軸の方向である平面視４５°に沿った方向）であることが好ましい。
【００４１】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶分子５０ａを含んでおり、これら一対の配向膜８間で、所定の配向状態をとる。
【００４２】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００４３】
（２）液晶装置の詳細な構成
続いて、図３を参照して、本実施形態に係る液晶装置１００の要部の構成について説明する。ここに、図３は、画素部７０のより詳細な構成を概念的に示す断面図である。
【００４４】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、例えばＳｉＯ２やＳｉＮｘ等のバッファ層２０１と、データ線Ｘｋ（但し、ｋは、１≦ｊ≦ｍを満たす整数）及び走査線Ｙｊ（但し、ｊは、１≦ｊ≦ｎを満たす整数）の交点付近に形成される画素スイッチング用の２つのＴＦＴ１１６と、ゲート絶縁膜２０２と、共通電圧が供給される共通電圧供給線ＣＯＭと、２つのＴＦＴ１１６に対応すると共に各ＴＦＴ１１６のチャネル領域１１６ｂ上に設けられる２つのゲート電極２０３と、ゲート電極２０３と電気的に接続される走査線Ｙｊと、保持容量電極端子２０４と、本発明における「共通電極端子」の一具体例を構成すると共に共通電圧供給線ＣＯＭに電気的に接続される共通電極端子２０５と、本発明における「透過表示用ソース電極端子」の一具体例を構成すると共に透過表示領域１５０に設けられるＴＦＴ１１６のソース領域１１６ａに電気的に接続される透過表示用ソース電極端子２０６と、透過表示領域１５０及び反射表示領域１６０の夫々に設けられるＴＦＴ１１６のドレイン領域１１６ｃに電気的に接続されるドレイン電極端子２０７と、本発明における「反射表示用ソース電極端子」の一具体例を構成すると共に反射表示領域１６０に設けられるＴＦＴ１１６のソース領域１１６ａに電気的に接続される反射表示用ソース電極端子２０８と、層間絶縁膜２０９と、パッシベーション層２１０と、平坦化膜２１１とが積層されている。また、対向基板２０上には、カラーフィルタ２５と、ブラックマトリクス２３と、オーバーコート層２６とが積層されている。
【００４５】
また、図３は、１つの画素部７０を示しているが、１つの画素部７０は、透過表示領域１５０と、反射表示領域１６０とを備えている。このような画素部７０は、ＴＦＴアレイ基板１０の中央を占める画像表示領域１０ａに、マトリクス状に複数配列されている。
【００４６】
透過表示領域１５０においては、ＴＦＴアレイ基板１０上には、本発明における「透過表示用画素電極」の一具体例を構成すると共に透過表示用ソース電極端子２０６に電気的に接続される画素電極９ａ−１と、本発明における「絶縁層」の一具体例を構成する保持容量層２１３と、本発明における「透過表示用共通電極」の一具体例を構成すると共に共通電極端子２０５に電気的に接続される共通電極１１−１とがこの順に積層されている。尚、画素電極９ａ−１は、１つの画素部７０毎に設けられると共に、その内側に形成された複数のスリットを備えることが好ましい。他方で、共通電極１１−１は、１つの画素部７０毎に設けられてもよいし、或いは複数の画素部７０に共通した平面視略ベタ状の形状を有していてもよい。また、透過表示領域１５０における液晶層５０のレタデーションは、例えばλ／２に設定されている。
【００４７】
また、反射表示領域１６０においては、ＴＦＴアレイ基板１０上には、反射膜２１２と、保持容量層２１３と、本発明における「反射表示用画素電極」の一具体例を構成すると共に反射表示用ソース電極端子２０８に電気的に接続される画素電極９ａ−２とがこの順に積層されている。また、反射表示領域１６０においては、対向基板２０上には更に、反射表示領域１６０におけるセルギャップを調整する（具体的には、例えば、反射表示領域１６０における液晶層５０のレタデーションをλ／４とする）ための段差層２７と、対向電極１１−２とがこの順に積層されている。
【００４８】
本実施形態の液晶装置１００は、以下のように動作する。まず、走査線駆動回路１０４から走査線Ｙｊにハイレベルの走査信号を供給することで、走査線Ｙｊに接続されたゲート電極２０３に対応する全てのＴＦＴ１１６をオン状態にして、走査線Ｙｊに係る全ての画素部７０を選択する。また、走査線Ｙｊに係る画素部７０の選択に同期して、データ線駆動回路１０１からデータ線（つまり、ドレイン電極端子２０７）に、画像信号が供給される。これにより、走査線駆動回路１０４で選択した全ての画素部７０に、データ線駆動回路１０１からデータ線、ドレイン電極端子２０７及びＴＦＴ１１６を介して画像信号が供給され、この画像信号に基づく書込電圧が、透過表示用ソース電極端子２０６を介して画素電極９ａ−１に書き込まれると共に反射表示用ソース電極端子２０８を介して画素電極９ａ−２に書き込まれる。これにより、画素電極９ａ−１と共通電極１１−１との間及び画素電極９ａ−２と対向電極１１−２との間に電位差が生じて、駆動電圧が液晶に印加される。その結果、液晶は、当該電界に応じて駆動されることによって、即ち、当該電界に応じて分子集合の配向や秩序が変化することによって、光を変調し、階調表示が行われる。このとき、保持容量層２１３の存在により、保持された画像信号のリークが防止されている。
【００４９】
このとき、透過表示領域７１の共通電極１１−１に供給される共通電圧と、反射表示領域７２の対向電極１１−２に供給される共通電圧とが逆極性となるように、共通電極１１−１及び対向電極１１−２に対して共通電圧を供給することが好ましい。この場合、画素電極９ａ−１及び画素電極９ａ−２に電圧が供給されない場合には、透過表示領域７１における液晶層５０には電界は印加されず且つ反射表示領域７２における液晶層５０には電界が印加されることになる。
【００５０】
このような電界が印加されるとき、各画素部７０の透過表示領域１５０及び反射表示領域１６０の夫々においては、以下のような態様で画像表示が行われる。尚、以下の説明は、偏光板１３の透過軸の方向が平面視４５°（図１に示す角度参照。以下同じ）であり、偏光板２４の透過軸の方向が平面視１３５°であり、配向膜８のラビングの方向が、偏光板２４の透過軸の方向である平面視１３５°であり、透過表示領域１５０の液晶層５０のレタデーションがλ／２であり、且つ反射表示領域１６０の液晶層５０のレタデーションがλ／４である場合の例について説明する。しかしながら、その他の場合であっても以下に示す動作と同様の動作で、液晶装置１００が駆動することは言うまでもない。
【００５１】
まず、透過表示領域１５０における駆動の態様について説明する。画素電極９ａ−１と共通電極１１−１との間の電位差がゼロである場合には、液晶層５０に含まれる液晶分子の配向状態は初期状態のまま維持される。具体的には、配向膜８のラビングの方向に沿って液晶分子の長軸方向が配列すると共に液晶分子の長軸方向がＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して略水平に配列する状態（つまり、液晶分子の長軸方向が平面視１３５°の方向に沿って配列する状態）が維持されている。このとき、ＴＦＴアレイ基板１０の側から、偏光板１３に対してバックライト光等が入射する。この場合、偏光板１３の存在によって、入射するバックライト光のうち平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分のみが液晶装置１００内部に入射する。その後、液晶分子の配向状態が初期状態のまま維持されているため、平面視４５°の方向に振動する直線偏光は液晶層５０をそのまま透過する。ここで、対向基板２０側の偏光板２４の透過軸が平面視１３５°であるため、平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分は偏光板２４において吸収される。その結果、バックライト光が液晶装置１００の外部へ出射しない。これにより、液晶装置１００では黒表示が行われる。
【００５２】
他方で、画素電極９ａ−１と共通電極１１−１との間の電位差がゼロでない場合には、以下のように液晶装置１００は駆動する。画素電極９ａ−１と共通電極１１−１との間の電位差がゼロでない場合には、画素電極９ａと共通電極１１との間には、ＴＦＴアレイ基板１０に平行な又は概ね平行な方向の電界が生ずる。このため、液晶層５０には、ＴＦＴアレイ基板１０に平行な又は概ね平行な方向の電界が印加される。その結果、液晶層５０に含まれる液晶分子は、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に水平な面内において回転する。このとき、ＴＦＴアレイ基板１０の側から、偏光板１３に対してバックライト光等が入射する。この場合、偏光板１３の存在によって、入射するバックライト光のうち平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分のみが液晶装置１００内部に入射する。その後、平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分が液晶層５０に入射するが、液晶層５０のレタデーションがλ／２であるため、この直線偏光成分は、液晶層５０のねじれによって旋光され、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分が大部分を占める楕円偏光となる。その後、液晶層５０を透過してきた楕円偏光は、偏光板２４の透過軸の方向に振動する直線偏光（つまり、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光）のみが液晶装置１００の外部に出射する。これにより、液晶装置１００では白表示が行われる。
【００５３】
続いて、反射表示領域１６０における駆動の態様について説明する。画素電極９ａ−２と対向電極１１−２との間の電位差がゼロでない場合には、以下のように液晶装置１００は駆動する。画素電極９ａ−２と対向電極１１−２との間の電位差がゼロでない場合には、画素電極９ａ−２と対向電極１１−２との間には、ＴＦＴアレイ基板１０に平行な又は概ね平行な方向の電界が生ずる。このため、液晶層５０には、ＴＦＴアレイ基板１０に平行な又は概ね平行な方向の電界が印加される。その結果、液晶層５０に含まれる液晶分子は、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に水平な面内において回転する。このとき、対向基板２０の側から、偏光板２４に対して外光等が入射する。この場合、偏光板２４の存在によって、入射する外光のうち平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分のみが液晶装置１００内部に入射する。その後、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分が液晶層５０に入射するが、液晶層５０のレタデーションがλ／４であるため、この直線偏光成分は液晶層５０を透過することで右回りの楕円偏光（又は、左回りの楕円偏光）になる。その後、右回りの楕円偏光（又は、左回りの楕円偏光）は、反射膜２１２において反射されることで、回転方向が反転した左回りの楕円偏光（又は、右回りの楕円偏光）になる。その後、回転方向が反転した左回りの楕円偏光（又は、右回りの楕円偏光）が再度液晶層５０に入射するが、この楕円偏光成分は液晶層５０を透過することで平面視４５°の方向に振動する直線偏光になる。ここで、対向基板２０側の偏光板２４の透過軸が平面視１３５°であるため、平面視４５°の方向に振動する直線偏光成分は偏光板２４において吸収される。その結果、バックライト光が液晶装置１００の外部へ出射しない。これにより、液晶装置１００では黒表示が行われる。
【００５４】
他方で、画素電極９ａ−２と対向電極１１−２との間の電位差がゼロである場合には、以下のように液晶装置１００は駆動する。画素電極９ａ−２と対向電極１１−２との間の電位差がゼロである場合には、液晶層５０に含まれる液晶分子の配向状態は初期状態のまま維持される。具体的には、配向膜８のラビングの方向に沿って液晶分子の長軸方向が配列すると共に液晶分子の長軸方向がＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して略水平に配列する状態（つまり、液晶分子５０ａの長軸方向が平面視１３５°の方向に沿って配列する状態）が維持されている。このとき、対向基板２０の側から、偏光板２４に対して外光等が入射する。この場合、偏光板２４の存在によって、入射する外光のうち平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分のみが液晶装置１００内部に入射する。その後、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分が液晶層５０に入射するが、この直線偏光成分は液晶層５０をそのまま透過し、反射膜２１２において反射され、再度液晶層５０をそのまま透過する。このため、この直線偏光（つまり、平面視１３５°の方向に振動する直線偏光成分）は、偏光板２４を透過する。これにより、液晶装置１００では白表示が行われる。
【００５５】
（３）液晶装置の製造方法
続いて、図４から図１９を参照して、本実施形態に係る液晶装置１００の製造方法について説明する。ここに、図４から図１２は夫々、本実施形態に係る液晶装置１００の製造方法における一工程を示す断面図であり、図１３及び図１４は、本実施形態に係る液晶装置１００の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図であり、図１５は、本実施形態に係る液晶装置１００の製造方法における一工程を示す断面図であり、図１６から図１９は、本実施形態に係る液晶装置１００の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【００５６】
図４に示すように、ガラス基板等のＴＦＴアレイ基板１０が用意される。ＴＦＴアレイ基板１０に対しては、まず、例えば希フッ酸（ＤＨＦ）等を用いた洗浄が行われる。その後、ＴＦＴアレイ基板１０上に、バッファ層２０１が形成される。尚、バッファ層２０１は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）と窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）とを積層させることで形成される。
【００５７】
続いて、図５に示すように、バッファ層２０１上に、アモルファスシリコン層３０１が形成される。ここでは、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、アモルファスシリコン層３０１が形成される。
【００５８】
その後、図６に示すように、アモルファスシリコン層３０１が形成されたＴＦＴアレイ基板１０に対して、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法及びＥＬＡ（Excimer Laser Annealing）法を用いた脱水素処理を行うことでアモルファスシリコン層３０１を結晶化させる。その結果、アモルファスシリコン層３０１からポリシリコン層３０２が形成される。
【００５９】
その後、図７に示すように、ポリシリコン層３０２が形成されたＴＦＴアレイ基板１０に対してフォトリソグラフィーを用いたパターニングを行った後にドライエッチングを行うことで、ＴＦＴ１１６の大きさと概ね同一の大きさを有するポリシリコンアイランド３０３が形成される。
【００６０】
続いて、図８に示すように、ポリシリコンアイランド３０２を覆うように、バッファ層２０１上にゲート絶縁膜２０２が形成される。ここでは、必要に応じてＴＦＴアレイ基板１０を洗浄した後に、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、ゲート絶縁膜２０２が形成される。尚、ゲート絶縁膜２０２は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）と窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）とを積層させることで形成される。更に、図８に示すように、ポリシリコンアイランド３０３のうちのゲート領域に対応するゲート絶縁膜２０２上に、ゲート電極２０３が形成される。このとき、同時に、共通電圧供給配線ＣＯＭや、走査線Ｙｊや、保持容量線２０４が形成されてもよい。
【００６１】
その後、ゲート電極２０３をマスクとして用いたパターニングやフォトリソグラフィーを用いたパターニングによってポリシリコンアイランド３０３に対してボロンイオンやリンイオン等をドーピングすることで、図９に示すように、ソース領域１１６ａ、チャネル領域１１６ｂ及びドレイン領域１１６ｃを有するＴＦＴ１１６が形成される。
【００６２】
続いて、図１０に示すように、ゲート電極２０３や、共通電圧供給配線ＣＯＭや、走査線Ｙｊや、保持容量線２０４を覆うように、ゲート絶縁膜２０２上に層間絶縁膜２０９が形成される。尚、層間絶縁膜２０９は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）とを積層させることで形成される。
【００６３】
続いて、図１１に示すように、層間絶縁膜２０９を貫通して共通電圧供給線ＣＯＭに到達するコンタクトホールが形成されると共に、当該コンタクトホールに共通電極端子２０５が形成される。この動作と同時に又は並行して、ゲート絶縁膜２０２及び層間絶縁膜２０９の夫々を貫通して透過表示領域１５０中のＴＦＴ１１６のソース領域１１６ａに到達するコンタクトホールが形成されると共に、当該コンタクトホールに透過表示用ソース電極端子２０６が形成される。この動作と同時に又は並行して、ゲート絶縁膜２０２及び層間絶縁膜２０９の夫々を貫通して透過表示領域１５０中のＴＦＴ１１６のドレイン領域１１６ｃ及び反射表示領域１６０中のＴＦＴ１１６のドレイン領域１１６ｃに到達する２つのコンタクトホールが形成されると共に、当該２つのコンタクトホールにドレイン電極端子２０７が形成される。この動作と同時に又は並行して、ゲート絶縁膜２０２及び層間絶縁膜２０９の夫々を貫通して反射表示領域１６０中のＴＦＴ１１６のソース領域１１６ａに到達するコンタクトホールが形成されると共に、当該コンタクトホールに反射表示用ソース電極端子２０８が形成される。尚、コンタクトホールは、例えば、フォトリソグラフィーによるパターニング（つまり、コンタクトホールの形状に応じたパターニング）を行った後にウェットエッチングを行うことで形成される。また、各配線は、例えば蒸着法やスパッタリング法を行うことで形成される。
【００６４】
続いて、図１２に示すように、共通電極端子２０５、透過表示用ソース電極端子２０６、ドレイン電極端子２０７及び反射表示用ソース電極端子２０８を覆うように、層間絶縁膜２０９上にパッシベーション層２１０が形成される。尚、パッシベーション層２１０は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成される。
【００６５】
ここで、以降の説明では、本実施形態に係る製造方法の特徴を明確に示すために、本実施形態に係る製造方法に加えて、比較例に係る製造方法の工程を参照しながら説明を進める。
【００６６】
図１３（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、パッシベーション層２１０が形成された後には、平坦化膜２１１が形成される。平坦化膜２１１は、共通電極端子２０５、透過表示用ソース電極端子２０６及び反射表示用ソース電極端子２０８が形成されている領域に開口を有するように形成される。また、反射表示領域１６０においては、反射特性を高めるために、表面が凹凸形状の表面を有している平坦化膜２１１が形成される。このような表面が凹凸形状の表面を有している平坦化膜２１１は、ハーフ露光を用いることで比較的容易に形成することができる。
【００６７】
他方で、図１３（ｂ）に示すように、比較例に係る製造方法においては、パッシベーション層２１０が形成された後には、まず、パッシベーション層２１０を貫通して共通電極端子２０５、透過表示用ソース電極端子２０６及び反射表示用ソース電極端子２０８の夫々に到達する３つのコンタクトホール３１１、３１２及び３１３が形成される。その後、図１３（ｂ）に示すように、平坦化膜２１１が形成される。比較例に係る製造方法により形成される平坦化膜２１１も、本実施形態に係る製造方法により形成される平坦化膜２１１と同様に、共通電極端子２０５、透過表示用ソース電極端子２０６及び反射表示用ソース電極端子２０８が形成されている領域に開口を有し且つ反射表示領域１６０においては、表面が凹凸形状の表面を有している。
【００６８】
続いて、図１４（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、反射表示領域１６０の平坦化膜２１１上に、高い反射率を有する金属膜等の反射膜２１２が形成される。尚、反射膜２１２は、例えば蒸着法やスパッタリング法を行うことで形成され、フォトリソグラフィーとウェットエッチングによるパターニングにより反射表示領域に形成される。また、図１４（ｂ）に示すように、比較例に係る製造方法においても、本実施形態に係る製造方法と同様に、反射表示領域１６０の平坦化膜２１１上に、高い反射率を有する金属膜等の反射膜２１２が形成される。
【００６９】
続いて、図１５に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、反射膜２１２を形成した後に、パッシベーション層２１０を貫通して共通電極端子２０５に到達するコンタクトホール３１１が形成される。尚、比較例に係る製造方法においては、パッシベーション層２１０が形成された直後の段階で、パッシベーション層２１０を貫通して共通電極端子２０５に到達するコンタクトホール３１１が既に形成されている。
【００７０】
続いて、図１６（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、コンタクトホール３１１を介して共通電極端子２０５と電気的に接続されるように、コンタクトホール３１１の底面及び側面並びに透過表示領域１５０の平坦化膜２１１上に共通電極１１−１が形成される。尚、図１６（ｂ）に示すように、比較例に係る製造方法においても、本実施形態に係る製造方法と同様に、コンタクトホール３１１を介して共通電極端子２０５と電気的に接続されるように、コンタクトホール３１１の底面及び側面並びに透過表示領域１５０の平坦化膜２１１上に共通電極１１−１が形成される。
【００７１】
続いて、図１７（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、共通電極１１−１及び反射膜２１２を覆うように、平坦化膜２１２上に保持容量層２１３が形成される。この保持容量層２１３は、平坦化膜２１２が有する開口の底面及び側面にも形成される。尚、図１７（ｂ）に示すように、比較例に係る製造方法においても、本実施形態に係る製造方法と同様に、共通電極１１−１及び反射膜２１２を覆うように、平坦化膜２１２上に保持容量層２１３が形成される。この保持容量層２１３は、平坦化膜２１２が有する開口の底面及び側面にも形成される。
【００７２】
続いて、図１８（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、保持容量層２１３及びパッシベーション層２１０を貫通して透過表示用ソース電極端子２０６に到達するコンタクトホール３１２並びに保持容量層２１３及びパッシベーション層２１０を貫通して反射表示用ソース電極端子２０８に到達するコンタクトホール３１３が形成される。つまり、保持容量層２１３及びパッシベーション層２１０を一括して除去することで、コンタクトホール３１２及び３１３が形成される。
【００７３】
他方で、図１８（ｂ）に示すように、比較例に係る製造方法においては、パッシベーション層２１０を貫通するコンタクトホールは既に形成されているため、保持容量層２１３を貫通して透過表示用ソース電極端子２０６に到達するコンタクトホール３１２及び保持容量層２１３を貫通して反射表示用ソース電極端子２０８に到達するコンタクトホール３１３が形成される。つまり、保持容量層２１３によって埋められてしまったコンタクトホール３１２及び３１３に対して、保持容量層２１３のみの除去が行われる。
【００７４】
続いて、図１９（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法においては、コンタクトホール３１２を介して透過表示用ソース電極端子２０６と電気的に接続されるように、コンタクトホール３１２の底面及び側面並びに透過表示領域１５０の保持容量層２１３上に画素電極９ａ−１が形成されると共に、コンタクトホール３１３を介して反射表示用ソース電極端子２０８と電気的に接続されるように、コンタクトホール３１３の底面及び側面並びに反射表示領域１６０の保持容量層２１３上に画素電極９ａ−２が形成される。尚、図１９（ｂ）に示すように、比較例に係る製造方法においても、本実施形態に係る製造方法と同様に、コンタクトホール３１２を介して透過表示用ソース電極端子２０６と電気的に接続されるように、コンタクトホール３１２の底面及び側面並びに透過表示領域１５０の保持容量層２１３上に画素電極９ａ−１が形成されると共に、コンタクトホール３１３を介して反射表示用ソース電極端子２０８と電気的に接続されるように、コンタクトホール３１３の底面及び側面並びに反射表示領域１６０の保持容量層２１３上に画素電極９ａ−２が形成される。
【００７５】
その後、カラーフィルタ２５やブラックマトリクス２５やオーバーコート層２６や段差層２７や対向電極１１−２等が形成された対向基板２０と、図４から図１９に示す工程を経て製造されたＴＦＴアレイ基板１０とを貼り合わせると共に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０を封入することで、液晶装置１００が製造される。
【００７６】
ここで、比較例に係る液晶装置の製造方法では、パッシベーション層２１０を形成した後にすぐ、パッシベーション層２１０を貫通して共通電極端子２０５に到達するコンタクトホール３１１が形成される。そして、コンタクトホール３１１が形成された後には、平坦化膜２１１及び反射膜２１２が形成され、その後、コンタクトホール３１１に共通電極１１−１が形成される。従って、平坦化膜２１１や反射膜２１２等が形成される工程に影響を受けて、コンタクトホール３１１に実際に共通電極１１−１が形成されるまでの間に、コンタクトホール３１１の表面には酸化膜等の余分な層が形成されてしまいかねない。これは、共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗が相対的に高くなってしまうという技術的な問題点につながりかねない。しかるに、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、パッシベーション層２１０を形成した後にすぐ、パッシベーション層２１０を貫通して共通電極端子２０５に到達するコンタクトホール３１１が形成されることはない。具体的には、本実施形態によれば、コンタクトホール３１１は、平坦化膜２１１及び反射膜２１２が形成された後であって且つ実際に共通電極１１−１が形成される前に（より好ましくは、実際に共通電極１１−１が形成される直前に）形成される。このため、平坦化膜２１１や反射膜２１２等が形成される工程に影響を受けてコンタクトホール３１１の表面に酸化膜等の余分な層が形成されてしまうという不都合は好適に排除又は抑制される。従って、共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗の相対的な増加を好適に抑制することができる。
【００７７】
また同様に、比較例に係る液晶装置の製造方法では、パッシベーション層２１０を形成した後にすぐ、パッシベーション層２１０を貫通して透過表示用ソース電極端子２０６に到達するコンタクトホール３１２及びパッシベーション層２１０を貫通して反射表示用ソース電極端子２０８に到達するコンタクトホール３１３が形成される。そして、コンタクトホール３１２及びコンタクトホール３１３が形成された後には、平坦化膜２１１や反射膜２１２や保持容量層２１３等が形成され、その後、コンタクトホール３１２に画素電極９ａ−１が形成され且つコンタクトホール３１３に画素電極９ａ−２が形成される。従って、平坦化膜２１１や反射膜２１２や保持容量層２１３等が形成される工程に影響を受けて、コンタクトホール３１２やコンタクトホール３１３に実際に画素電極９ａ−１や画素電極９ａ−２が形成されるまでの間に、コンタクトホール３１２及びコンタクトホール３１３の表面には酸化膜等の余分な層が形成されてしまいかねない。これは、画素電極９ａ−１と透過表示用ソース電極端子２０６との間の接続抵抗及び画素電極９ａ−２と反射表示用ソース電極端子２０８との間の接続抵抗が相対的に高くなってしまうという技術的な問題点につながりかねない。しかるに、本実施形態によれば、パッシベーション層２１０を形成した後にすぐ、パッシベーション層２１０を貫通して透過表示用ソース電極端子２０６に到達するコンタクトホール３１２及びパッシベーション層２１０を貫通して反射表示用ソース電極端子２０８に到達するコンタクトホール３１３が形成されることはない。具体的には、本実施形態によれば、コンタクトホール３１２及びコンタクトホール３１３は、平坦化膜２１１や反射膜２１２や保持容量層２１３等が形成された後であって且つ実際に画素電極９ａ−１及び画素電極９ａ−２が形成される前に（より好ましくは、実際に画素電極９ａ−１及び画素電極９ａ−２が形成される直前に）形成される。このため、平坦化膜２１１や反射膜２１２や保持容量層２１３等が形成される工程に影響を受けてコンタクトホール３１２及びコンタクトホール３１３の表面に酸化膜等の余分な層が形成されてしまうという不都合は好適に排除又は抑制される。従って、画素電極９ａ−１と透過表示用ソース電極端子２０６との間の接続抵抗及び画素電極９ａ−２と反射表示用ソース電極端子２０８との間の接続抵抗の相対的な増加を好適に抑制することができる。
【００７８】
ここで、図２０を参照して、本実施形態に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗と、比較例に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗とを比較して説明する。ここに、図２０は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗及び比較例に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗を示すグラフである。尚、図２０では、共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗に着目しているが、画素電極９ａ−１と透過表示用ソース電極端子２０６との間の接続抵抗及び画素電極９ａ−２と反射表示用ソース電極端子２０８との間の接続抵抗についても同様である。
【００７９】
図２０に示すように、比較例に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗が、概ね数百オーム程度となっている一方で、本実施形態に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗は、概ね十数オームから数十オーム程度である。このように、本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、共通電極１１−１と共通電極端子２０５との間の接続抵抗（更には、画素電極９ａ−１と透過表示用ソース電極端子２０６との間の接続抵抗及び画素電極９ａ−２と反射表示用ソース電極端子２０８との間の接続抵抗）の増加を好適に抑制することができる。
【００８０】
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう液晶装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】画素部のより詳細な構成を概念的に示す断面図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図５】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図７】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図８】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図９】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１０】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１１】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１２】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１３】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１４】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１５】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１６】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１７】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１８】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１９】本実施形態に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図及び比較例に係る液晶装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図２０】本実施形態に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極と共通電極端子との間の接続抵抗及び比較例に係る液晶装置の製造方法により実現される共通電極と共通電極端子との間の接続抵抗を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８２】
９ａ−１…画素電極、９ａ−２…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１−１…共通電極、１１−２…対向電極、２０…対向基板、２４…偏光板、５０…液晶層、５０ａ…液晶分子、７０…画素部、１５０…透過表示領域、１６０…反射表示領域、１００…液晶装置、１１６…ＴＦＴ、２０５…共通電極端子、２０６…透過表示用ソース電極端子、２０８…反射表示用ソース電極端子、２１０…パッシベーション層、２１１…平坦化膜、２１２…反射膜、２１３…保持容量層、３１１…コンタクトホール、３１２…コンタクトホール、３１３…コンタクトホール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を挟持すると共に、反射表示を行う反射表示領域及び透過表示を行う透過表示領域を備える液晶装置の製造方法であって、
(i)前記反射表示領域の前記液晶層に画像信号を印加する反射表示用画素電極に接続される反射表示用ソース電極端子を、前記一対の基板のうちの一方の基板上の前記反射表示領域に形成すると共に、(ii)前記透過表示領域の前記液晶層に共通電圧を印加する透過表示用共通電極に接続される共通電極端子及び前記透過表示領域の前記液晶層に画像信号を印加する透過表示用画素電極に接続される透過表示用ソース電極端子の夫々を、前記一方の基板上の前記透過表示領域に形成する工程と、
前記反射表示用ソース電極端子、前記共通電極端子及び前記透過表示用ソース電極端子を覆うパッシベーション層を形成する工程と、
前記反射表示用ソース電極端子、前記共通電極端子及び前記透過表示用ソース電極端子に対応する位置に開口を有する平坦化膜を、前記パッシベーション層上に形成する工程と、
前記反射表示領域に入射する光を反射するための反射膜を、前記反射表示領域の前記平坦化膜上に形成する工程と、
前記共通電極端子上に形成された前記パッシベーション層を除去することで、前記共通電極端子に到達する第１コンタクトホールを形成する工程と、
前記透過表示領域の前記平坦化膜上および前記第１コンタクトホールに、前記透過表示用共通電極を形成する工程と、
前記透過表示領域において保持容量を構成する絶縁層を形成する工程と、
前記反射表示用ソース電極端子及び前記透過表示用ソース電極端子の夫々の上に形成された前記パッシベーション層及び前記絶縁層を除去することで、前記反射表示用ソース電極端子に到達する第２コンタクトホール及び前記透過表示用ソース電極端子に到達する第３コンタクトホールを形成する工程と、
前記反射表示領域の前記平坦化膜上および前記第２コンタクトホールに、前記反射表示用画素電極を形成すると共に、前記透過表示領域の前記平坦化膜上および前記第３コンタクトホールに、前記透過表示用画素電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１コンタクトホールを形成する工程は、前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを形成する工程に先立って行われることを特徴とする請求項１に記載の
液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを形成する工程において、前記パッシベーション層及び前記絶縁層は一括にて除去されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を挟持すると共に、反射表示を行う反射表示領域及び透過表示を行う透過表示領域を備える液晶装置の製造方法であって、
(i)前記反射表示領域の前記液晶層に画像信号を印加する反射表示用画素電極に接続される反射表示用ソース電極端子を、前記一対の基板のうちの一方の基板上の前記反射表示領域に形成すると共に、(ii)前記透過表示領域の前記液晶層に共通電圧を印加する透過表示用共通電極に接続される共通電極端子及び前記透過表示領域の前記液晶層に画像信号を印加する透過表示用画素電極に接続される透過表示用ソース電極端子の夫々を、前記一方の基板上の前記透過表示領域に形成する工程と、
前記反射表示用ソース電極端子、前記共通電極端子及び前記透過表示用ソース電極端子を覆うパッシベーション層を形成する工程と、
前記反射表示用ソース電極端子、前記共通電極端子及び前記透過表示用ソース電極端子に対応する位置に開口を有する平坦化膜を、前記パッシベーション層上に形成する工程と、
前記反射表示領域に入射する光を反射するための反射膜を、前記反射表示領域の前記平坦化膜上に形成する工程と、
前記共通電極端子上に形成された前記パッシベーション層を除去することで、前記共通電極端子に到達する第１コンタクトホールを形成する工程と、
前記透過表示領域の前記平坦化膜上および前記第１コンタクトホールに、前記透過表示用共通電極を形成する工程と、
前記透過表示領域において保持容量を構成する絶縁層を形成する工程と、
前記反射表示用ソース電極端子及び前記透過表示用ソース電極端子の夫々の上に形成された前記パッシベーション層及び前記絶縁層を除去することで、前記反射表示用ソース電極端子に到達する第２コンタクトホール及び前記透過表示用ソース電極端子に到達する第３コンタクトホールを形成する工程と、
前記反射表示領域の前記平坦化膜上および前記第２コンタクトホールに、前記反射表示用画素電極を形成すると共に、前記透過表示領域の前記平坦化膜上および前記第３コンタクトホールに、前記透過表示用画素電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１コンタクトホールを形成する工程は、前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを形成する工程に先立って行われることを特徴とする請求項１に記載の
液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを形成する工程において、前記パッシベーション層及び前記絶縁層は一括にて除去されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【公開番号】特開２０１０−１６９７８６（Ｐ２０１０−１６９７８６Ａ）
【公開日】平成２２年８月５日（２０１０．８．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１０６３３（Ｐ２００９−１０６３３）
【出願日】平成２１年１月２１日（２００９．１．２１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月５日（２０１０．８．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月２１日（２００９．１．２１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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