【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ８８１は、リーク電流が小さいため、画素８８０内の容量素子を設ける必要がなくなる。または容量素子を小さくすることができ、たとえば液晶容量よりも小さくすることができる。これらによって、画素８８０の開口率を向上することができる。前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図る。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層１０４ａ、１０４ｂを薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層１０３は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層１０５ａまたはドレイン電極層１０５ｂの材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板と、該絶縁体基板上に設けられた酸化物半導体膜と、を有し、該酸化物半導体膜にチャネルが形成されるトランジスタを有する半導体装置である。加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板は、絶縁体基板の少なくとも酸化物半導体膜が設けられる側に、酸素イオン注入を行うことで作製することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に含まれる水素、窒素および炭素などの不純物は酸化物半導体膜の半導体特性を低下させる要因となる。例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素および窒素は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのしきい値電圧をマイナス方向へシフトさせてしまう要因となる。また、酸化物半導体膜に含まれる窒素、炭素および希ガスは、酸化物半導体膜中に結晶領域が生成されることを阻害する。そこで、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することで、高い信頼性を有するトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制すること。また、温度などの外部因子による表示の劣化を抑制すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、酸化物半導体層を高純度化することで、トランジスタの室温におけるオフ電流値を１０ａＡ／μｍ以下且つ８５℃におけるオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制することが可能になる。また、上述したようにトランジスタは、８５℃という高温においてもオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、温度などの外部因子による液晶表示装置の表示の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルな基板を用いても、高い精度で薄膜トランジスタを形成することができる薄膜トランジスタの製造装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に薄膜トランジスタを製造する製造装置であり、基板に関する基板情報を取得する取得部と、取得部で得られた基板に関する基板情報に基づいて、基板の伸縮強度が高い方向を特定し、伸縮強度が高い方向と薄膜トランジスタのチャネル領域を挟んでソース電極およびドレイン電極が配置される配置方向とが直交するように薄膜トランジスタを形成する向きを設定する設定部とを有する。 （もっと読む）

【課題】 狭額縁化を図ることができ、ちらつきの発生を抑制することができる、表示品位に優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置のアレイ基板１は、複数の信号線、複数の走査線Ｇ、複数の画素、第１駆動回路及び第２駆動回路を有している。複数の画素は、薄膜トランジスタをそれぞれ有している。表示領域は、行方向Ｘに分割された複数の分割領域を有している。奇数行の複数の走査線Ｇに接続された複数の画素の薄膜トランジスタのチャネル面積ＣＳは、第１駆動回路に最も近い分割領域で最も小さく、第１駆動回路から遠い分割領域になるにつれて次第に大きくなる。偶数行の複数の走査線に接続された複数の画素の薄膜トランジスタのチャネル面積ＣＳは、第２駆動回路に最も近い分割領域で最も小さく、第２駆動回路から遠い分割領域になるにつれて次第に大きくなる。 （もっと読む）

【課題】トランジスターを備えた高精細な画素を有する電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の画素Ｐは、第１方向（Ｘ方向）に延在する走査線３ａと、走査線３ａに交差する第２方向（Ｙ方向）に延在するデータ線６ａと、走査線３ａおよびデータ線６ａに電気的に接続された薄膜トランジスター３０と、を備え、薄膜トランジスター３０は、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部に平面的に重なるように配置され、Ｘ方向に延在するドレイン領域３０ａ５と、Ｙ方向に延在するソース領域３０ａ１と、Ｘ方向に延在する第１延在部とＹ方向に延在する第２延在部とを含むチャネル領域３０ａ３と、を有する半導体層３０ａと、チャネル領域３０ａ３に対向するゲート電極部３０ｇと、を有する。 （もっと読む）

【課題】本願発明で開示する発明は、従来と比較して、さらに結晶成長に要する熱処理時間を短縮してプロセス簡略化を図る。
【解決手段】
一つの活性層２０４を挟んで二つの触媒元素導入領域２０１、２０２を配置して結晶化を行い、触媒元素導入領域２０１からの結晶成長と、触媒元素導入領域２０２からの結晶成長とがぶつかる境界部２０５をソース領域またはドレイン領域となる領域２０４ｂに形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の提供する
【解決手段】第１の基板と対向する第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に介在する液晶分子を含む液晶層と、第１の基板の上に位置するゲート線と、ゲート線と交差するデータ線と、ゲート線およびデータ線に接続されている第１の薄膜トランジスタおよび第２の薄膜トランジスタと、ゲート線および第２の薄膜トランジスタに接続されている第３の薄膜トランジスタと、第３の薄膜トランジスタに接続されている基準電圧線と、第１の薄膜トランジスタに接続されている第１の副画素電極と、第２の薄膜トランジスタに接続されている第２の副画素電極とを有する画素電極とを備える液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の材料膜（六方晶の結晶構造を有する膜）を形成し、第１の材料膜を核として、六方晶の結晶構造を有する第２の材料膜（結晶性酸化物半導体膜）を形成し、第１の材料膜と第２の材料膜の積層を形成する。第１の材料膜としては、ウルツ鉱型結晶構造を有する材料膜（例えば窒化ガリウム、或いは窒化アルミニウム）、或いはコランダム型結晶構造を有する材料膜（α−Ａｌ_２Ｏ_３、α−Ｇａ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｔｉ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、或いはα−Ｆｅ_２Ｏ_３）を用いる。 （もっと読む）

【課題】光の検出精度を向上させる。
【解決手段】ライトユニットと、表示回路と、Ｙ個（Ｙは２以上の自然数）の光検出回路と、を具備する入出力装置の駆動方法であって、Ｙ個の光検出回路のそれぞれに同じ光検出制御信号を入力し、表示選択信号により設定されるフレーム期間において、Ｚ個の発光ダイオードを順次切り替えて発光させることでライトユニットを点灯させることを含み、ライトユニットの点灯状態を切り替える周期より長い周期で、ライトユニットが点灯状態である期間に、Ｙ個の光検出回路に入射する光の照度に応じたＹ個のデータを生成する。 （もっと読む）

【課題】外光の影響を抑制する。
【解決手段】入射する光の照度に応じてデータ信号を生成する光検出回路と、前記光検出回路に重畳するライトユニットと、を具備する光検出装置であって、前記ライトユニットの状態を点灯状態にして前記光検出回路により第１のデータ信号を生成し、前記ライトユニットの状態を消灯状態にして前記光検出回路により第２のデータ信号を生成し、前記第１のデータ信号及び前記第２のデータ信号を比較することにより、比較した２つのデータ信号の差分データである差分データ信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の低い半導体装置などを提供することを課題とする。または、正確な表示を行う半導体装置などを提供することを課題とする。または、視野角の広い表示装置などを提供することを課題とする。または、画面の焼き付きを低減した表示装置などを提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、酸化物半導体（ＯＳ：オキサイドセミコンダクター）を有するトランジスタ、特に、酸化物半導体を有する薄膜ＭＯＳトランジスタを用いて、回路を構成する。その酸化物半導体は、実質的に真性な半導体となっている。そのため、非常にオフ電流が低い。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減する。
【解決手段】画素部を含み、第１の動作モードのときに選択信号を出力し、第２の動作モードのときに選択信号の出力が停止する選択信号出力回路と、入力された画像信号をもとに画素データ信号を生成して出力する画素データ信号出力回路と、冷陰極管を備え、画素部に光を射出するバックライトユニットと、を具備し、画素部は、第１の動作モードのときに、ゲート電極に選択信号が入力され、ソース電極及びドレイン電極の一方に画素データ信号が入力され、第２の動作モードのときにオフ状態を維持するトランジスタと、トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される第１の電極及び第２の電極により電圧が印加される複数の液晶分子を有する液晶と、を備え、トランジスタは、チャネルが形成され、キャリア濃度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満である酸化物半導体層を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、ゲート絶縁層を酸化ガリウム膜として、酸化物半導体層と接する構成とする。また、酸化物半導体層の上下を挟むように酸化ガリウム膜を配置することによって信頼性の向上を実現する。また、ゲート絶縁層は、酸化ガリウム膜と酸化ハフニウム膜の積層構造としてもよい。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物、及び（Ｂ）溶媒としてフッ素原子を有する有機化合物、を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】半導体装置が、絶縁膜と、絶縁膜上において該絶縁膜と接する第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜と一部が接する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜と一部が接する第２の金属酸化物膜と、第２の金属酸化物膜上において該第２の金属酸化物膜と接するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの閾値電圧を調整する。
【解決手段】薄膜トランジスタの作製に際して、処理室内に半導体材料ガスを導入し、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層上に前記処理室内で半導体膜を形成し、前記処理室内の前記半導体材料ガスを排気し、前記処理室内に希ガスを導入し、前記処理室内で前記半導体膜にプラズマ処理を行い、前記半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、前記半導体膜と前記不純物半導体膜を島状に加工して半導体積層体を形成し、前記半導体積層体が有する不純物半導体層に接してソース電極及びドレイン電極を形成し、前記半導体膜の形成と前記希ガスプラズマ処理は、好ましくは前記処理室内の圧力及び温度を変化させずに行い、前記処理室内のガス種のみを異ならせる。希ガスとしてはアルゴンが好ましく、前記半導体膜には希ガス元素を２．５×１０^１８ｃｍ^−３以上含ませることが好ましい。 （もっと読む）