【課題】アクティブ・マトリクス液晶装置の、縦クロストークによる表示品位の低下及び透過率の低下等を防止し高品位な表示を得る。
【解決手段】カラーフィルタ基板には複数の走査線が、素子基板には複数のデータ線とＴＦＤ素子及び画素電極が形成され両基板間に液晶が封入されている。また、データ線３２及びＴＦＤ素子２１はオーバーレイヤー２５に覆われており、画素電極１０は、オーバーレイヤーに形成されたコンタクトホール２５ａを通じてＴＦＤ素子と接続され、さらにデータ線と接続されている。上側基板上に形成されるオーバーレイヤーの厚さの下限値は、下記の式１及び式２に基づき規定されている。式１は、Ｖｃ＝｛Ｃ’_ＴＦＤ／（Ｃ_Ｌｃ＋Ｃ’_ＴＦＤ）｝×Ｖｄ＜Ｖ（T50）であり、式２は、Ｃｐ＝ε₀・ε_ｏｖＬ（Ｓ／ｄ）である。これにより、縦クロストークによる表示品位の低下及び透過率の低下等を防止することができ、高品位な表示を得られる。 （もっと読む）

【課題】液晶の透過率特性等を最適化し、所望の明るさの表示画像を得る。
【解決手段】カラーフィルタ基板には複数の走査線が、素子基板には複数のデータ線、画素電極及びＴＦＤ素子等が形成され両基板間に液晶が封入されている。この液晶表示装置では、特に画素電極とそれに接続されたデータ線との距離Ｄ１を、当該画素電極とそれに接続されていない方の隣接するデータ線との距離Ｄ５より大きくして寄生容量Ｃｐを小さくする。これにより、保持期間中にデータ線側から画素電極に容量比分割で与えられる電圧Ｖｌｃを小さくすることができ、液晶の透過率特性等を最適化した所望の明るさの表示画像を得ることができる。 （もっと読む）

半透過型表示装置は、デュアルギャップ構造を規定するために、絶縁層（２０）に形成された孔又は凹部（３０）を有している。孔又は凹部の少なくとも一つの側壁（７２）は共通基板の面に実質的に垂直であり、少なくとも一つの側壁（７０）は共通基板の面に垂直な面に対して傾斜している。このようにして、孔又は凹部の一部が垂直となるので、画素開口の損失がない。また、孔又は凹部の側壁の別の部分は傾斜しているので、この傾斜した側壁において良好なカバレージを得ることができる。
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本発明は、基板１１０、基板上に形成されているゲート電極１２４、基板及びゲート電極を覆っているゲート絶縁膜１４０、ゲート絶縁膜上に形成されているソース電極１７３及びドレイン電極１７５、ゲート絶縁膜、ソース電極、及びドレイン電極上に形成されている半導体層１５０、半導体層、ソース電極、ドレイン電極及びゲート絶縁膜を覆っている保護膜１８０を含み、ゲート絶縁膜及び保護膜はパリレンからなる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
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電気光学材料及びポリマー前駆体の混合物を有する光学層を備えたアクティブマトリックス型表示装置の製造方法が提供される。アクティブプレートの上部層は、行導体及び列導体の透過特性又は反射特性と前記画素電極の透過特性又は反射特性との間の相違に応じて処理され、それによって上部層を行及び列のパターン又は画素電極のパターンに応じて処理する。そして、光学層は、ポリマー前駆体を分離されたポリマー表面層へと重合するための刺激に基板の上方から曝され、それによって電気光学材料を重合物質とアクティブプレートとの間に閉じ込めて表示画素を定める。表示画素を定める閉じ込められた電気光学材料の集まりが上部層の処理工程によって定められたパターンで定められる。この方法は、液晶セルのポケット間の仕切りを自己整合手法で規定するために、既存の行及び列のパターン又は画素電極のパターンを用いる。
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電気光学ディスプレイは、基板（１００）と、該基板（１００）の実質的に１つの面に配置された非線形デバイス（１０２）と、該非線形デバイス（１０２）と接続されている画素電極（１０６）と、電気光学媒体（１１０）と、該画素電極（１０６）に対して該電気光学媒体（１１０）の反対面上の共通電極（１１２）とを備える。該ディスプレイの様々なパーツの係数は、該ディスプレイが湾曲しているとき、中立軸または中立面が該非線形デバイス（１０２）の該平面に実質的に横たわっているように調製されている。
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第１絶縁基板と；前記第１絶縁基板上に形成された第１及び第２ゲート線（１２１，１２２）と；前記第１絶縁基板上に形成された画素電極（１９０）と；第１ゲート線（１２１）と画素電極（１９０）を連結する前記第１絶縁基板上に形成された第１ＭＩＭダイオード（Ｄ１）と；第２ゲート線（１２２）と画素電極（１９０）を連結する前記第１絶縁基板上に形成された第２ＭＩＭダイオード（Ｄ２）と；前記第１絶縁基板と対向している第２絶縁基板（２１０）と；前記第２絶縁基板上に形成され第１及び第２ゲート線（１２１，１２２）と交差するデータ電極線（２７０）とを含み、前記データ電極線（２７０）は左右の画素電極（１９０）の所定個数と交互に重なるように左右交互に突出部を含む液晶ディスプレイが提供される。
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【課題】　配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】　本発明はＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Ｃｕを有する配線を設ける。また、該配線のＣｕを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】　本発明の目的は、液晶配向の不良を減少させ、開口率を高めることにある。
【解決手段】　第１絶縁基板と、第１絶縁基板上部に形成されており、ゲート電極を有するゲート線と、ゲート線を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上部に形成されている半導体層と、半導体層上部に形成されているソース電極及びドレイン電極とソース電極に連結されており、ゲート線と交差するデータ線と、有機絶縁膜からなっており、ドレイン電極を露出する第１接触孔を有する保護膜と、第１接触孔を通じてドレイン電極と連結されている画素電極と、第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、ゲート線またはデータ線と重なるブラックマトリックスと、第１絶縁基板と第２絶縁基板の間でブラックマトリックスと重なって位置し、写真エッチング工程で形成された基板スペーサとを含む液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 物理的に接着力が向上し、電気的には接触抵抗が良好な特性を有する表示素子用配線及びこれを利用した薄膜トランジスタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示素子用配線を、低融点金属の合金元素が少なくとも一つ以上合金されているＡｇ合金で形成する。液晶表示パネルにおいて、このような表示素子用配線を用いてゲート配線２２，２４，２６及びデータ配線６５，６６，６８を形成すれば、接触部で他の導電物質と連結される過程で腐食が発生して素子の特性を低下させるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、非晶質シリコン膜２ａを形成する。その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。そして、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂに対し、高周波やＹＡＧレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜２ａを多結晶シリコン膜２に変える。 （もっと読む）

【課題】 付加容量の容量値のバラツキが小さく、表示品位の優れた液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶表示装置の付加容量１０は、絶縁性基板１１上に形成された第１導電層１２と、第１導電層１２上に形成され、第１導電層１２の一部を露出する開口部１４を有する第１絶縁層１３と、少なくとも開口部１４内に位置する第１導電層１２上に形成された第２導電層１７ａと、第２導電層１７ａを覆う第２絶縁層１８と、少なくとも開口部１４内に位置する第２絶縁層１８を覆う、第３導電層１９ａとから形成されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板上にグラフォエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層を能動領域に用いるトップゲート型の薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（トップゲート型にはスタガー型とコプラナー型が含まれる。）と受動領域を有する液晶表示装置などに好適な構造及び方法を提供する。
【解決手段】 基板１に形成した段差４をシードにして、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを溶解した低融点金属層６（６Ａ）からグラフォエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、これを表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。 （もっと読む）