【課題】比誘電率が高くリーク電流の少ない絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、前記ゲート電極に所定の電圧を印加することによりソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層を有し、前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁層と、を備え、前記ゲート絶縁層は、アルカリ土類金属の中から選ばれた１または２種類以上の元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの中から選ばれた１または２種類以上の元素とを含むアモルファス複合金属酸化物絶縁膜により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】エッチングによりソース・ドレイン電極を形成しても、有機半導体層が損傷を受けることなく、良好なオン／オフ比を示す有機半導体装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１と、前記基板上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２及び基板１上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成されたｐ型有機半導体層４と、有機半導体層４上に形成された保護層５と、保護層５上に形成されたソース電極８及びドレイン電極９と、を有する半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＭＺｎＯ系半導体膜を有する薄膜トランジスタ基板のドレイン電流のＯＮ／ＯＦＦ比を大きくすることができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、ゲート電極１３、ゲート絶縁膜１４、ＩｎＭＺｎＯ（ＭはＧａ，Ａｌ，Ｆｅのうち少なくとも１種）系半導体膜１５、ソース電極１６ｓ及びドレイン電極１６ｄが形成された薄膜トランジスタ基板１の製造方法であって、所定パターンのＩｎＭＺｎＯ系半導体膜１５を形成する工程と、ＩｎＭＺｎＯ系半導体膜１５を覆う少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物及び金属酸窒化物のいずれかからなる保護膜１７を設ける工程と、保護膜１７を覆うアルミニウム、チタン及びモリブデンのいずれかからなる金属膜１８を設ける工程と、金属膜１８を設けた後に熱処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】細い線状の微細な薄膜パターンが精度良く安定して形成することができる薄膜パ
ターン形成基板、デバイスの製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】基板表面に薄膜パターンが形成された基板Ｐであって、この基板Ｐは、機能
液Ｌを注入することができる液体注入部Ａ２と、機能液Ｌが流動するように接続して配置
された液体流動部Ａ１とが設けられている。これら、液体注入部Ａ２と液体流動部Ａ１と
の線幅において、液体注入部Ａ２の幅ｄが、液体流動部Ａ１の線幅ｂの２倍以下であり、
機能液Ｌの直径より大きい構成である。 （もっと読む）

【課題】凹凸のあるスルーホール部分であっても、層間絶縁膜の上下の導電層間で良好な電気的な接続が得られる、版を用いた印刷法による薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供すること。
【解決手段】版に形成された画素電極パターンのスルーホールに対向する位置に保持されたインクの量を、画素電極パターンのスルーホールに対向する位置以外の部分に保持されたインクの量よりも多くすることによって、凹凸のあるスルーホール部分であっても、層間絶縁膜の上下の導電層間で良好な電気的な接続が得られる、版を用いた印刷法による薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】基板とめっき層との密着性に優れた積層体、その製造方法、積層体を備える薄膜トランジスタ、積層体を備えるプリント配線基板を提供する。
【解決手段】
積層体１では、基板２上にシリカ層３および有機層４を介し、めっき層５が形成されている。シリカ層３はポリシラザンを前駆体として形成されているので、基板２との密着性が良好で、上面に無数の微細な凹凸が存在するシリカ層３が形成される。有機層４は、シリカ層３の上面の凹凸によって発現するアンカー効果により、シリカ層３と強固に結合する。また、有機層４の上面には、シリカ層３の上面の無数の微細な凹凸を反映して凹凸が形成されるので、めっき層５と有機層４とは、化学的もしくは電気的な結合に加え、アンカー効果により強固に結合される。よって、シリカ層３および有機層４を介して基板２上に形成されるめっき層５の基板２に対する密着性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】着色がなく、硬度の高い透明導電膜を提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電膜は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳと、ポリビニルアルコールと、を含有する材料で構成されており、波長４５０ｎｍでの吸光度Ｔ１と波長７５０ｎｍでの吸光度Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が０．９〜１．１であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構造を最適化してリソグラフィー工程を削減することで、工程時間の短縮および製造コストの削減が可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタＴｒを有するものである。この半導体装置１９-1は、ソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄの端縁と共に、これらの電極間におけるゲート絶縁膜５部分を露出する第１開口９-1を有する隔壁層９を有しており、第１開口９-1内に有機半導体層１１が設けられている。このような構成において、隔壁層９には、ゲート絶縁膜５に設けた開口５ａと一致する第２開口９-2を設けた。これによりゲート絶縁膜５の開口５ａを形成する際のマスクとして隔壁層９を用いることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物を用いたマスクパターンを用いることなくＴＦＴ及びそれを用いた表示装置を製造することを目的とする。
【解決手段】ロールツーロール方式により加工処理を行う表示装置の製造方法であって、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第１の液滴吐出手段により、可撓性を有する基板上に開口部を有する絶縁性樹脂膜を形成し、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第２の液滴吐出手段により、開口部にゲート電極を形成し、プラズマの噴出口が一軸方向に複数個配列したノズル体を備えた被膜形成手段により、ゲート電極および絶縁性樹脂膜上にゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線を高精細化しても断線が生じ難い、信頼性の高い配線回路を実現する。
【解決手段】配線構造１は、ゲート電極１７・１７ｂ・１７ｃが配された基板９上に配される半導体層１０と、ゲート電極１７・１７ｂ・１７ｃ及び半導体層１０が配された基板９上に配された第２層間絶縁膜１３と、第２層間絶縁膜１３上に配される配線１８とを備え、第２層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホール１５内で、半導体層１０と、配線１８とが電気的に接続され、第２層間絶縁膜１３は感光性樹脂材料からなり、さらに、コンタクトホール１５内には導電性微粒子１６が充填されており、導電性微粒子１６によって、半導体層１０と、配線１８とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法による有機半導体層のパターン形成を歩留まり良く達成することができる有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜よりも表面自由エネルギーの高いソース電極、該ゲート絶縁膜よりも表面自由エネルギーの高いドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、有機半導体を第一の溶媒に溶解し、インクジェット法で滴下することで、該ソース電極と該ドレイン電極と該ゲート絶縁膜と、あるいは該ソース電極と該ドレイン電極と接触する島状有機半導体層を形成する段階と、該有機半導体を可溶な第二の溶媒をインクジェット法で該島状有機半導体層に滴下し、該ソース電極と該ドレインン電極と該ゲート絶縁膜と接触する島状有機半導体層を形成する段階を含み、第二の溶媒は第一の溶媒より表面張力が低く、かつ、第二の溶媒は第一の溶媒より沸点が低い、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法が適用でき、簡便に微細なパターンの形成が可能で、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を提供する。
【解決手段】積層構造体１は、臨界表面張力が大きい高表面エネルギー部３と臨界表面張力が小さい低表面エネルギー部４を有する濡れ性変化層２と、高表面エネルギー部３に形成されている導電層５と、低表面エネルギー部４に形成されている半導体層６と、を有し、濡れ性変化層２は、エネルギーの付与により臨界表面張力が変化する、側鎖に疎水性基を有する高分子材料を含み、高分子材料は、ポリイミドを含む。 （もっと読む）

【課題】マイクロコンタクトプリント法を利用し、簡便に、安定して微細なパターンを有する有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】マスク７を介して、基板５にエネルギーを付与することにより、相対的に、臨界表面張力の大きな高表面自由エネルギー部５ａと臨界表面張力の小さな低表面自由エネルギー部５ｂとを形成する。マイクロコンタクトプリント法を用いて臨界表面張力の大きな高表面自由エネルギー部５ａにインク３を付着させる。高表面自由エネルギー部５ａでは、スタンプ１からインク３が転写されやすく、低表面自由エネルギー部５ｂでは、表面自由エネルギーが小さいためにスタンプ１からインク３が転写されにくくなるため、有機ＴＦＴ素子の製造において、電極パターンの微細化や、電極層の厚膜化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】基材上に設けられた銅ナノ粒子を含む印刷層を、低温かつ短時間で焼成処理して、平滑な半導体層を形成してなる半導体基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】基材上に、銅ナノ粒子を含む塗布液をパターン状に印刷して印刷層を形成した後、この印刷層を焼成処理してパターン状の半導体層を形成する半導体基板の製造方法であって、酸素を含む雰囲気下、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに前記印刷層を晒すことにより、該印刷層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】シロキサンポリマーと下地との密着を高めることができる絶縁膜及び当該絶縁膜を備えた半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】この薄膜トランジスタ１０は、基板１２を備え、その基板１２の上面には、ソース電極１５及びドレイン電極１６が、所定のチャネル長の離間幅をもって各々設けられている。また、ソース電極１５及びドレイン電極１６の間を埋めるように、半導体層１７が形成され、当該半導体層１７上には、ゲート絶縁膜１３が設けられている。ゲート絶縁膜１３上には、ゲート電極１１が設けられている。また、基板１２、ソース電極１５、ドレイン電極１６、ゲート絶縁膜１３及びゲート電極１１を覆うようにポリシラザン層１９が形成されている。そして、ポリシラザン層１９の上側には、シロキサンポリマーからなる層間絶縁膜１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】導電性を損ねることなく、耐久性と密着性に優れた導電性材料、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】支持体上に、１層以上の導電性層を有し、前記支持体と前記導電性層の間に、少なくとも２種のバインダ樹脂を含む易接着層を有する導電性材料。前記導電性層は好ましくはＰＥＤＯＴとＰＳＳを含有し、前記支持体は好ましくはＰＥＴで形成され、前記易接着層は、ポリウレタン樹脂及びアクリル樹脂を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】インクジェットにより短時間に配線の形成が可能な積層構造体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上において、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上において導電性材料により形成された導電層とを有し、導電層は、インクジェットヘッドにより導電性材料を含む液体を吐出することにより形成されるものであって、インクジェットヘッドの副走査方向に延びたパターンの導電層となる高表面エネルギー領域には、前記インクジェットヘッドの主走査方向に延設された高表面エネルギー領域の液滴供給領域が形成されていることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の上部と下部との導電体の間の導通をバンプにより十分に確保することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置を提供する。
【解決方法】バンプと、バンプにより貫通される絶縁層とを含む薄膜トランジスタにおいて、バンプがフッ素化合物を含み、絶縁層が塗布法で形成され、バンプのフッ素含有量が、０．０１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であり、バンプが凹版印刷法またはスクリーン印刷法で形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】導電性ポリマーの凝集が起こらず、光耐久性、透明性及び導電性に優れた導電性膜を形成し得る導電性ポリマー組成物、導電性ポリマー材料、及び導電性ポリマー材料の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の導電性ポリマー組成物は、導電性ポリマーと、３価のリン化合物とを含む。前記３価のリン化合物としては、下記一般式（I）〜（IV）で表される化合物が好適である。一般式（Ｉ）〜（IV）中、Ｒ^１〜Ｒ^１２は各々独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。本発明の導電性ポリマー材料は、前記導電性ポリマー組成物を用いて形成された層を備える、又は導電性ポリマーを含む層と３価のリン化合物を含む層を別層として備える。
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【課題】塗布印刷法の適応のみによって形状精度良好に目的パターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に樹脂パターン９を印刷形成する。樹脂パターン９上からフッ素系材料を供給することにより、樹脂パターン９の開口９ａ底部をフッ素系材料で覆った撥水性パターン１１を形成する。樹脂パターン９を除去することにより、撥水性パターン１１に開口窓１１ａを形成する。撥水性パターン１１の開口窓１１ａ内に半導体材料（パターン形成材料）を供給することにより、目的パターンとして半導体層１３を形成する。 （もっと読む）