【課題】酸化物透明導電膜の上に反射電極用のＡｌ合金膜が直接接続された構造を備えた表示装置において、ＴＭＡＨ水溶液などのアルカリ現像液中での腐食が生じ難く、Ａｌ系合金膜の腐食を有効に防止することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物透明導電膜１９ａの上に反射電極用のＡｌ合金膜１９ｂが直接接続されてなる構造を備えた表示装置１１の製造方法であって、基板上に酸化物透明導電膜を形成する第１の工程と、酸化物透明導電膜上にＡｌ合金膜を形成する第２の工程と、Ａｌ合金膜を加熱する第３の工程とを包含し、Ａｌ合金膜は、Ｎｉ及び／又はＣｏを０．１〜４原子％、およびＬａ、Ｍｇなどから選択される少なくとも一種の元素を総量で０．１〜２原子％の範囲で含有するＡｌ−（Ｎｉ／Ｃｏ）−Ｘ合金からなり、Ｎｉ及び／又はＣｏ含有量に応じて、第２の工程における基板の温度および第３の工程における加熱温度を制御している。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴに適したＳＯＩ基板およびその作製方法を提供する。またＳＯＩ基板を用いて信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ＳＩＭＯＸ、ＥＬＴＲＡＮ、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔに代表される技術を用いてＳＯＩ基板を作製するにあたって、主表面（結晶面）が｛１１０｝面である単結晶半導体基板を用いる。その様なＳＯＩ基板は下地となる埋め込み絶縁層と単結晶シリコン層との密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】透明電極を構成する酸化物導電膜と直接接続された反射電極であって、約１００℃以上３００℃以下の低い熱処理を施しても、高い反射率および低い接触抵抗を有しており、しかも、ヒロックなどの欠陥を生じることのない耐熱性にも優れた反射電極を提供する。
【解決手段】基板１上に形成される反射電極２は０．１〜２原子％のＮｉ及び／又はＣｏ、並びに０．１〜２原子％のＬａなどのＸを含有する第１のＡｌ−（Ｎｉ／Ｃｏ）−Ｘ合金層２ａと、ＡｌとＯ（酸素）を含有する第２のＡｌ酸化物層２ｂとを有している。Ａｌ酸化物層は透明画素電極３と直接接続しており、Ａｌ酸化物層中のＯ原子数とＡｌ原子数との比である［Ｏ］／［Ａｌ］が、０．３０以下であり、Ａｌ酸化物層の最も薄い部分の厚みが１０ｎｍ以下である。反射電極は、Ａｌ酸化物層と前記透明画素電極とが直接接続する領域において、透明画素電極と前記基板との間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】経時変化によるトランジスタ特性の劣化を生ずることなく、製造コストの低減が可能な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
アクティブエリアにおいて、各画素に配置された表示電極２３０と、
絶縁層を介して互いに交差するように配置されたゲート線Ｇ及びソース線Ｓと、
各画素に配置されアモルファスシリコンによって形成された半導体層と、ゲート線に接続されたゲート電極と、ソース線とに接続されたソース電極と、表示電極に接続されたドレイン電極と、を有するスイッチング素子２２０と、を備え、
半導体層２２１において、ソース電極２２５及びドレイン電極２２７から露出した表面は、アモルファスシリコンを改質することによって形成された酸化シリコン及び窒化シリコンの混合膜ＭＦであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の向上、特に、遮光性の向上による光リーク電流の低減を図る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（１０Ａ，１０Ｂ）と、基材上に形成され、第１方向に延在する半導体膜（１３）と、半導体膜上にゲート絶縁膜（１５）を介して形成され、第１方向と交差する第２方向に延在するゲート電極（Ｇ）と、半導体膜の両側に前記第１方向に延在するよう形成された一対の凹部（１２）と、凹部内に配置された充填材料と、を有し、凹部の底面と半導体膜の底部の第１方向に延在する中心線（ＣＰ）との距離をＬｃと、凹部の底面間の距離をｔｃと、ｎを基材の屈折率とした場合、ｎｔｃ²＜４８８Ｌｃを満たす。本構成によれば、上記凹部（１２）により、基板側からの光の入射が制限され、光リーク電流を低減できる。さらに、凹部の深さの関数であるＬｃ等を上記式を満たすよう設定することで、光リーク電流を効果的に低減できる。 （もっと読む）

【課題】 光リークを抑制するとともに、干渉の影響を少なくする。
【解決手段】 液晶を挟んで透明基板と対向配置され反射型液晶表示装置を構成する半導体基板を含む反射型液晶表示装置用基板であって、透明基板と対向するように前記半導体基板の上方に配置された複数の反射電極（２２，２３）と、上方から複数の反射電極（２２，２３）の間隙２４を通って進入する光を上方に反射するために、半導体基板と反射電極（２２，２３）との間に配置された金属層１７と、を有し、金属層１７は間隙２４に対応する領域に凹部１９を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン膜等を接合層として用いる場合であっても、ベース基板と半導体基板との接合不良の発生を低減することを目的の一とする。又は、プロセスの増加を抑制することができるＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板と、ベース基板とを用意し、半導体基板に酸化膜を形成し、半導体基板に酸化膜を介して加速されたイオンを照射することにより、半導体基板の表面から所定の深さに剥離層を形成し、イオンを照射した後に、酸化膜上に窒素含有層を形成し、半導体基板とベース基板とを対向させ、窒素含有層の表面とベース基板の表面とを接合させ、半導体基板を加熱して剥離層を境として分離することにより、ベース基板上に酸化膜及び窒素含有層を介して単結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線の電気抵抗を低減した表示装置を提供する。
【解決手段】基板１０１の上方に形成された薄膜トランジスタと、基板の上方に形成され、基板が有する表示部の辺に沿って設けられ、フラットケーブルおよび薄膜トランジスタに電気的に接続された配線と、を有し、配線は、薄膜トランジスタのソース電極１０９またはドレイン電極１１０と同じ層に形成された第１の配線と、第１の配線の上方に絶縁膜を介して形成された第２の配線と、を有し、第１の配線は、第２の配線と並行に設けられ、絶縁膜に開けられた複数のコンタクトホールを介して第２の配線と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】表示品位に優れた液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】液晶表示パネルは、アレイ基板１と、対向基板２と、複数の分割領域Ｒ３を有した複数の画素領域Ｒ２と、液晶層３と、を備えている。液晶層３は、印加される電圧の有無により、複数の液晶分子３ｍがアレイ基板１および対向基板２の平面に対し垂直な方向に配向した第１状態、並びに複数の液晶分子が分割領域Ｒ３毎に同一の方向に配向しているとともに画素領域Ｒ２毎に複数方向に配向した第２状態の何れかの配向状態を採っている。液晶層３の厚みｄと、液晶層の液晶材料の屈折率異方性Δｎと、を乗じた値Δｎｄは、波長５５０ｎｍの光に対して４６０ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の向上した半導体装置を製造することが可能な半導体装置製造用基板を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面上にシリコンと酸素とを組成に含む絶縁膜及びシリコンと窒素とを組成に含む絶縁膜を順に積層形成し、単結晶半導体基板に分離層を形成し、シリコンと酸素とを組成に含む絶縁膜にハロゲンイオンを照射して該シリコンと酸素とを組成に含む絶縁膜にハロゲンを含ませた後、シリコンと窒素とを組成に含む絶縁膜上に絶縁膜を形成する。半導体基板及び支持基板を、半導体基板側から順に積層されたシリコンと酸素とを組成に含む絶縁膜、シリコンと窒素とを組成に含む絶縁膜、及び絶縁膜を間に挟んで重ね合わせて接合し、分離層を境として半導体基板の一部を分離させる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の作製において、貼り合わせる面に段差がある場合には、貼り合わせた際に、その段差により反対側の基板が撓み、接触面積が小さくなってしまい、所望の形状のＳＯＩ層が得られない場合がある。ＳＯＩ基板の貼り合わせる面に段差がある場合でも所望の形状のＳＯＩ基板を得ることを目的とする。
【解決手段】貼り合わせる面の段差の間に、所定の間隔でダミーパターン３０２を形成することにより、貼り合わせる基板の撓みが少なくなり、基板同士の密着性が確保され、所望のＳＯＩ層が得られるものである。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法に関し、欠陥を容易に修復することのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する第１の基板と、前記第１の基板の中央部上に配置され、行列状に配置された複数の画素と、行方向に並んだ画素を活性化する複数の走査線と、列方向に並んだ画素のうち活性化された画素に画像情報を伝達する複数の信号線とを含む表示部と、前記第１の基板の表示部外側の領域である周辺部の第１の行方向端部上に形成され、前記走査線を駆動する信号を発生する走査線駆動回路と、前記第１の基板の周辺部の第１の列方向端部上に形成され、前記信号線を駆動する信号を発生する信号線駆動回路と、前記第１の基板の周辺部の一部上に形成され、前記走査線駆動回路および前記信号線駆動回路の少なくとも一部と実質的に同じ構成を有するリペア回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に下地絶縁層が形成され、この下地絶縁層の上層側に電界効果型トランジスタが形成されている場合でも、電界効果型トランジスタを温度上昇させる原因となる熱を半導体基板に効率よく逃がすことのできる半導体装置、電気光学装置、および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】反射型液晶装置１００の素子基板１０は、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１ｓと、この半導体基板１ｓの表面に形成されたシリコン酸化膜からなる下地絶縁層１ｔと、この下地絶縁層１ｔの上層に形成された電界効果型トランジスタ３０とを備えている。ゲート電極３ｃの上層側には、シリコン窒化膜からなる放熱用絶縁膜４が形成され、下地絶縁層１ｔには、放熱用絶縁膜４を半導体基板１ｓに直接、接続させるコンタクトホール１ｕが形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＣＤドライバＩＣ１４（半導体装置）は、トランジスタ素子３１と、ＳＴＩ分離層３２と、ＬＯＣＯＳ分離層３３と、抵抗素子３４とを有する。ＬＯＣＯＳ分離層３３は、ＳＴＩ分離層３２と共に、トランジスタ素子３１を電気的に分離するために用いられる。ＬＯＣＯＳ分離層３３上には、電気抵抗を得るために用いられる抵抗素子３４が、ゲート絶縁膜３７を介して形成されている。抵抗素子３４は、例えば、ポリシリコン膜である。抵抗素子３４は、例えば、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトプラグ及び金属配線層を介して高電圧端子３９（＋１５Ｖ）と接続されている。 （もっと読む）

【課題】優れたトランジスタ特性を得ると共に、リークの発生を低減する。
【解決手段】 基板上に、半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、平面的にゲート電極を形成する領域よりも狭い領域の前記半導体層に、ソース領域又はドレイン領域とは逆導電型の不純物を導入してチャネル領域を形成する工程と、前記ゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の形成後に、前記逆導電型の不純物を前記ゲート電極と重なる領域で熱拡散させる工程と、前記チャネル領域に隣接する前記半導体層に、不純物を導入してソース領域及びドレイン領域を形成する工程とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マルチゲート構造の薄膜トランジスタを更に改良することにより、簡素な電気的構成でソース−ドレイン耐圧を向上することのできる半導体装置、半導体装置の製造方法、および当該半導体装置を用いた電気光学装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１において、マルチゲート構造の薄膜トランジスタ１０では、ドレイン側の第１のトランジスタ部１０ａの第１のチャネル領域１ｂの層厚を、ソース側の第２のトランジスタ部１０ｂの第２のチャネル領域１ｆの層厚に比して薄くし、第１のトランジスタ部１０ａの閾値電圧をディプレッション側にシフトさせてあるので、ゲート電極３ａ、３ｂに同電位を印加した場合でも、トランジスタ部１０ａ、１０ｂのコンダクタンス差が小さい。チャネル領域１ｂ、１ｂは各々、チャネルドープされているが、層厚が相違する分、不純物イオンのドーズ量を相違させてある。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れるとともに、透明性が良好な導電体を提供する。
【解決手段】Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｓ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｐ及びＢｉからなる群から選ばれる１又は２以上のドーパントが添加された酸化チタンからなる前駆体層１２’を、基板１１上に形成する工程と、前駆体層１２’を還元雰囲気下でアニールして金属酸化物層１２を形成する工程を有することを特徴とする導電体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤによりシリコン酸化膜を成膜する際に、熱酸化膜に匹敵する良好な膜質を得ることができるシリコン酸化膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】 シリコン含有ガスおよび酸素含有ガス以外に、水素ガスを処理室内に導入して、処理室内に水素を含有するプラズマを生成する工程を有し、高周波アンテナにより前記誘電体壁を介して前記処理室内に高密度の誘導結合プラズマを形成し、この高密度の誘導結合プラズマによりシリコン酸化膜を形成するとともに、プラズマ中のＨとシリコン酸化膜中のＳｉとを反応させる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、画素電極の端付近にできる等電位線の屈曲を抑えるこにより光漏れ及びディスクリネーションを低減することを課題とする。
【解決手段】複数の走査線と複数の信号線によって囲まれた領域に設けられた第１の画素電極と、複数の走査線と複数の信号線とによって囲まれた領域に設けられた第２の画素電極と、第１及び第２の画素電極の上方に設けられた対向電極を有する液晶表示装置であって、第１の画素電極と第２の画素電極には異極性の信号が入力され、第１及び第２の画素電極は、第１の画素電極の最大の面積を占める第１の面と、第１の面よりも対向電極表面との間隔が狭くなるように複数の走査線に沿って設けられた第２の面と、第２の面よりも対向電極表面との間隔が狭くなるように第２の面よりも小さい面積で設けられた第３の面とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の一部をレーザーアニール処理する際にレーザー光の反射が起こりにくいアクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１０上に、（ａ）酸化珪素膜４１、（ｂ）非晶質珪素膜４２Ａ、（ｃ）酸化珪素膜４３、（ｄ）非晶質珪素膜４４Ａを積層する。非晶質珪素膜４４Ａは、画素領域５にのみ残るようにパターニングする。次に、（ｅ）レーザー光を照射することにより、非晶質珪素膜４４Ａと、駆動回路領域６に形成された非晶質珪素膜４２Ａとを結晶化させ、移動度の高い多結晶珪素膜４２Ｐ，４４Ｐを形成する。画素領域５に形成された非晶質珪素膜４２Ａは結晶化されずに残る。こうして得られた移動度の異なる非晶質珪素膜４２Ａ及び多結晶珪素膜４２Ｐをそれぞれ画素領域５、駆動回路領域６におけるＴＦＴの半導体膜として用いる。 （もっと読む）