【課題】支持基板上に高速駆動を可能とする高性能なスイッチング素子を形成できる、電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板２００の一方の面に貼着膜２１０を形成し、貼着膜２１０が形成された側を支持基板１０Ａに貼り合わせる。単結晶シリコン基板２００を弗酸とオゾン水との混合液を用いてエッチングしパターニングすることにより単結晶シリコン基板２００からなる半導体層を形成する。そして、半導体層を用いることでスイッチング素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】極めて結晶性に優れた半導体薄膜及びそれを用いた高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にプラズマＣＶＤ法によってフッ化水素酸とフッ化アンモニウムと界面活性剤の混合物に対するエッチングレートが１５０〜２００ｎｍ／ｍｉｎである二酸化珪素膜からなる下地膜を形成し、下地膜上に非晶質珪素膜を形成し、非晶質珪素膜を結晶化することによって面方位が概略｛１１１｝配向の結晶性珪素膜を形成し、結晶性珪素膜をエッチングすることによって島状半導体層を形成し、島状半導体層上にゲイト絶縁膜を形成し、ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することを防止する。
【解決手段】パターニングされた複数の導電性膜と前記導電性膜相互間に形成される層間
絶縁膜との層構造を有し、複数の走査線と複数のデータ線の交差に対応して画素が設けら
れた電気光学装置であって、前記導電性膜の凹凸によって前記層間絶縁膜に生じる段差部
分に対応する領域を含み前記導電性膜上に形成される第１の窒化膜３１と、前記第１の窒
化膜上に形成された前記層間絶縁膜上に、前記第１の窒化膜と同一の平面形状に形成され
る第２の窒化膜３２と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶パネルにおいて、ＴＦＴの下側に遮光層を設ける構成を利用して、効率良く画素部を平坦化する。
【解決手段】液晶パネル（１００）は、一対の基板間に挟持された液晶層（５０）と、ＴＦＴアレイ基板（１０）にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）とを備える。遮光層（３）は、ＴＦＴ（３０）及び容量線（３ｂ）を下側からみて重なるように配置する。遮光層（１１ａ）が形成されている領域においては遮光層上に、且つ遮光層が形成されていない領域においてはＴＦＴアレイ基板上に設けられた第１層間絶縁層（１２、１３）は、ＴＦＴ、容量線等に対向する部分が対向基板の側から見て凹状に窪んで形成されている。 （もっと読む）

【課題】一枚の基板に対する接合シートの貼り付けから検査完了までの時間を大幅に短縮し、且つ接合シートのロスの可能性を低くすることができる接合シート貼付装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板を支持する貼付ステージと、接合シートが基板に向くように、貼付ステージの上方に複数の接合シートを供給する接合シート供給装置と、貼付ステージの上方に上下動可能に設けられ、基板の一つの辺に沿った複数の貼付位置に接合シートを逐次貼り付ける貼付ヘッドと、接合シート供給装置と貼付ヘッドとが取り付けられたフレームと、を有する貼付ユニットと、貼付ユニットを基板の辺に沿って貼付方向に移送する移送装置と、及び貼付ユニットが接合シートの貼付動作を連続して行っている間に、既に貼付ユニットにより貼り付けられた接合シートの貼付状態を検査する検査装置とを有する。 （もっと読む）

【課題】金属膜の応力に起因する基板の反りを緩和して、表示不良の発生を少なくできる
電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に金属膜を形成する工程を含む電気光学装置の製造方法であっ
て、ガラス基板上に金属膜を形成した後、当該金属膜に対してパターニング処理を行う前
に、金属膜が形成されたガラス基板を加熱処理することにより、ガラス基板の反りを緩和
することを特徴とする。例えば、加熱処理温度を１５０〜３００℃の範囲内で、加熱処理
時間を５〜６０分の範囲内とすることができる。 （もっと読む）

【課題】ニッケルを用いて結晶化させた珪素膜中のニッケル元素を減少させる技術を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜中に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、前記非晶質珪素膜を結晶化させて結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜上に、保護膜を形成し、前記保護膜上に、不純物を含有する非晶質状態の珪素膜を形成し、前記基板の歪点以下の温度で加熱して、前記不純物を含有する珪素膜中に前記金属元素を拡散させ、前記保護膜をエッチングストッパーにして、前記不純物を含有する珪素膜を除去し、前記保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕに添加する添加元素が、Ｃｕ部材と接触するガス雰囲気又は固体に含まれる酸素と優先的に反応してＣｕの酸化を抑止する酸化被膜を形成することができる高導電率の配線、電極等を備える平面電子表示装置を提供する。
【解決手段】基板上にマトリックス状に交叉する電極線１７、１８と、その交点に配置された液晶画素２０と、外部の駆動回路に接続された端子電極とを有するアクティブマトリックス方式の液晶表示装置において、電極線１７、１８、電極、配線層、端子電極のうちの少なくとも一つを銅を主成分とし、基板との界面に銅に添加した添加元素の酸化物層を形成する銅合金で形成する。この添加元素は、酸化物形成自由エネルギーがＣｕより小さく、Ｃｕ中における拡散係数がＣｕの自己拡散係数より大きく、Ｃｕ中における１ａｔ．％当たりの電気抵抗上昇率が５μΩ・ｃｍ以下であり、Ｃｕ中における活量係数γが、活量係数γ＞１の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置において、画素ピッチを微細化しても、画素電極に十分な蓄積容量を付加でき、画素電極に通じるコンタクトホール径を小さくできるようにする。
【解決手段】液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上にＴＦＴ（３０）、データ線（６ａ）、走査線（３ａ）、容量線（３ｂ）及び画素電極（９ａ）を備える。画素電極及びＴＦＴ間は、バリア層（８０）を中継して二つのコンタクトホール（８ａ、８ｂ）により電気的に接続される。半導体層の一部と容量線が第１誘電体膜（２）を挟持して第１蓄積容量（７０ａ）を構成し、容量線とバリア層の一部が第２誘電体膜（８１）を挟持して第２蓄積容量（７０ｂ）を構成する。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射窓の付着物を抑制することで、照射密度の均一化を図り、これによって被処理基板上に均一な膜を形成できる電気光学装置の製造装置、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 減圧状態に維持された光照射室２内の被処理基板５にエネルギー光８を照射することにより熱処理を施す電気光学装置の製造装置１であって、光照射室２に設けられた光導入用の窓部３と、被処理基板５との間には、当該被処理基板５から放出する放出物質を付着させる防着板７が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 バンクに撥液化処理を行う際の、機能膜へのダメージを解消した膜パターンの形成方法と、これによって得られた膜パターンを備えた半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐに設けられたゲート絶縁膜２８（機能膜）上に機能液を配置して膜パターンを形成する方法である。基板Ｐにゲート絶縁膜２８を設け、ゲート絶縁膜２８上にポリシラザン液、ポリシラン液またはポリシロキサン液のいずれかを塗布し乾燥してバンク膜３１を形成する。そして、マスクＭを用いてバンク膜３１を選択的に露光し、バンク膜３１に撥液処理を施す。バンク膜３１を現像処理することでゲート絶縁膜２８を露出させ、パターン形成領域を区画するバンクを形成する。パターン形成領域に前記機能液を配置し、膜パターンを形成する。少なくとも、バンク膜３１に撥液処理を施す工程は、バンク膜３１を現像処理しバンクを形成する工程より前の工程で行う。 （もっと読む）

【課題】 例えば、ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極と半導体層とのコンタクト抵抗を低減しつつ、オフ電流の発生を抑制する。
【解決手段】 レジスト膜３０９に形成された開口部３１０を介してソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´の夫々に不純物をドープする。ここで、ソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´のうち開口部３１０に臨む領域、即ち最終的にソース電極及びドレイン電極が半導体層３０２の表面と接触する領域である接続領域３１１ａ及び３１１ｂに開口部３１０を介して選択的に不純物がドープされる。そして、レジスト膜３０９及び窒化膜３０８を除去した後、接続領域３１１ａ及び３１１ｂ、ゲート絶縁膜３０４、ゲート電極膜３０６を覆うように絶縁膜３１２を形成する。この状態で、半導体層３０２をアニール処理し、半導体層３０２におけるソース領域３０２ｂ´、ドレイン領域３０２ｃ´、接続領域３１１ａ及び３１１ｂ、並びにＬＤＤ領域３０３ａ及び３０３ｂを活性化する。 （もっと読む）

【課題】 初期的な非線形が高く、かつ、常温通電および高温通電の前後において非線形性の不可逆的な変動が発生しない非線形素子の製造方法、非線形素子、電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０の製造工程では、タンタルからなる下部電極１３の表面を陽極酸化して酸化膜１４を形成した後、上部電極１５を形成する前に、不活性雰囲気中での第１のアニール工程と、水素含有雰囲気中でのアニールにより水素原子を前記酸化膜中に導入する第２のアニール工程とを行う。その際、第１のアニール工程での最高アニール温度は３８０から４２０℃であり、第２のアニール工程での最高アニール温度は２８０から３２０℃である。 （もっと読む）

【課題】 ドリフト現象を確実に防止することのできる非線形素子の製造方法、非線形素子、電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、タンタルからなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる酸化膜１４と、この酸化膜１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。上部電極１５を形成する際、その成膜工程では、非加熱状態で成膜を開始し、酸化膜１４中の酸素欠陥の増大を防止する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、シリコンから成る半導体層と画素電極とのコンタクトを良好にする。
【解決手段】ドレイン領域２１１のコンタクトホール２１７にスパッタ法により、５ｎｍの厚さのチタン膜２１９、１２０ｎｍ厚さのＩＴＯ膜２１９ｂを成膜し、パターニングして、画素電極２１９を形成する。水素雰囲気中で、３００℃の温度で加熱処理することにより、活性層２０３の欠陥が修復されると同時に、チタン膜２１９ａが酸化されて、透光性を有する酸化チタン膜２１９ｃになる。チタン膜２１９ａはシリコンよりも酸化ポテンシャルが低く、かつＩＴＯ膜２１９ｂの主成分である酸化インジウムよりも酸化ポテンシャルが高いため、シリコンが酸化されることなく、チタン膜２１９ａのみが酸化されて、酸化チタン膜２１９ｃになるので、画素電極２１９とシリコンのコンタクト抵抗の増加を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域およびその近傍への迷光の入射を防ぐことが可能で光リーク電流の少ない薄膜トランジスタを有する薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】基板３上に設けられた配線パターン５と、配線パターン５を覆う層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７上に設けられた半導体層９と、ゲート絶縁膜１１を介して半導体層９上を横切る状態で設けられ層間絶縁膜７に形成された接続孔７ａを介して配線パターン５に接続されたゲート電極１３とを備えた薄膜半導体装置１において、ゲート電極１３は、ゲート電極１３が上部に重ねて配置された半導体層９のチャネル領域９ａを挟んだ両側において、接続孔７ａを介して配線パターン５に接続されている。 （もっと読む）

【課題】回路性能に応じて適切な構造の薄膜トランジスタを配置し、保持容量の占有面積を小さくして高性能で画像の明るい半導体装置を提供する。
【解決手段】動作速度を重視する回路とゲート絶縁耐圧を重視する回路とでゲート絶縁膜の厚さを異ならせたり、ホットキャリア対策を重視する薄膜トランジスタとオフ電流対策を重視する薄膜トランジスタとでＬＤＤ領域の形成位置を異ならせる。これにより高性能な半導体装置を実現する。また、遮光膜とその酸化物を用いて保持容量を形成することで保持容量の面積を最小限に抑え、明るい画像表示の可能な半導体装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】反射型液晶表示装置に用いられ、可視光を極めて効率よく反射する層を有する多層基板、および、その多層基板を用いた反射型液晶表示装置を、比較的簡便かつ低コストで提供する。
【解決手段】少なくとも、支持基板と、該支持基板の表面に形成されたフォトニック結晶と、該フォトニック結晶の表面に形成され半導体素子が作製される素子形成層と、を有する多層基板であって、前記フォトニック結晶は、可視光に対して屈折率の異なる２種以上の層を周期的に配列した周期構造体であり、かつ、該周期構造体は、前記可視光に対して一次元フォトニック結晶となるように、その1周期の層厚が調整されてなることを特徴とする多層基板。 （もっと読む）

【課題】容量部のリークを防止することによって歩留まりを向上させ、基板製造工程における工程短縮化が実現できる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とを有する素子基板と、該素子基板に対向配置される対向基板とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記素子基板に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に、前記画素電極の電位を保持する容量部を形成する工程と、前記容量部を規定の形状にパターニングする工程と、前記容量部上に、第２の絶縁膜を形成する工程と、積層された前記容量部と前記第２の絶縁膜とを、所定量の酸素及び窒素を用いて焼成する焼成工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）