【課題】薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流の発生を抑制しつつ、製造方法の簡素化を図る。
【課題を解決するための手段】薄膜トランジスタは、基板（１０）上に、第１の方向に延在する凸状の段差（１２ａ）を表面に有する下地膜（１２）と、下地膜上に第１の方向に交差する第２の方向に沿って長手状に形成され、凸状の段差に対応した段差を表面に有し、凸状の段差に重なる領域において、チャネル幅方向に沿った幅寸法が局所的に狭く形成された半導体層（３０ａ）と、半導体層にゲート絶縁膜（１３）を介して対向配置されたゲート電極（３０ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用でき、さらに、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０上に走査線３ａなどの配線を形成するにあたって、ネオジウムを２ａｔｍ％未満含有するアルミニウム合金膜を用いるとともに、走査線３ａの上面および側面を酸化して表面保護膜３１ａを形成する。このため、走査線３ａは、耐ヒロック性が高いとともに、表面保護膜３１ａ、３１ｅによってアルカリ性の剥離液から保護される。 （もっと読む）

【課題】、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０ｔの製造工程では、電界効果型トランジスタ３０ｎの能動層となるシリコン膜１ｓを結晶化させた後、シリコン膜１ｓに酸素プラズマ照射ＯＰを行う酸素プラズマ照射工程と、酸素プラズマ照射工程によりシリコン膜１ｓに形成された表面酸化物１ｒを除去する表面酸化物除去工程とを行う。その後、シリコン膜１ｓをパターニングする。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置において、画素ピッチの微細化に対する要請に応じつつ、当該微細化によって得られるべき表示性能の向上を十分に享受可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ドレイン領域（１ｄ）の夫々の幅（Ｗ１）は、幅方向に沿って、チャネル領域（１ｃ）の幅（Ｗ３）より細い。加えて、ドレイン領域（１ｄ）の夫々の厚み（Ｔ１）は、チャネル領域（１ｃ）の厚み（Ｔ３）より薄い。したがって、ＴＦＴ（３０）のドレイン領域（１ｄ）の側面及び上面からなる表面の面積は、比較例に係るＴＦＴのドレイン領域の表面の面積より小さい。よって、ＴＦＴ（３０）によれば、ゲート電極（３ａ２）で遮光されないドレイン領域（１ｄ）の夫々の表面積を低減することができ、ＴＦＴ（３０）の上側から３次元的に照射される光のうちドレイン領域（１ｄ）が受ける光量を低減することが可能であり、光リーク電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の大きさばらつきを低減し、均質な半導体膜を提供することを目的の一とする。又は、均質な半導体膜を提供すると共に、低コスト化を図ることを目的の一とする。
【解決手段】非晶質半導体膜を形成したガラス基板を、結晶化に必要な温度以上の処理雰囲気内に導入することにより、処理雰囲気からの熱伝導による急速加熱を行って、非晶質半導体膜を結晶化させる。より具体的には、例えば、あらかじめ処理雰囲気の温度を結晶化に必要な温度まで上昇させた後、半導体膜が形成された基板を上記処理雰囲気に投入する。 （もっと読む）

【課題】画素に配置された電界効果型トランジスタを縮小しなくても、画素ピッチを縮めることのできる電気光学装置、並びに当該電気光学装置を備えた電子機器および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】反射型の電気光学装置１００において、第１方向Ｙで互いに隣り合う第１画素１００ａ₁および第２画素１００ａ₂において第１電界効果型トランジスタ３０₁および第２電界効果型トランジスタ３０₂を構成する第１半導体層１ａ₁および第２半導体層１ａ₂は、第２方向Ｘにずれて配置されている。このため、端部同士が並列する位置まで第１半導体層１ａ₁および第２半導体層１ａ₂を延長することができる。従って、画素ピッチを狭めても、電界効果型トランジスタ３０のソース・ドレイン間電圧が低下するなどの問題が発生しない。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射条件に起因する半導体装置の特性のばらつきを低減することを目的の一とする。又は、基板の熱収縮に起因する半導体装置の特性ばらつきを低減することを目的の一とする。
【解決手段】貼り合わせによりベース基板上に設けられた単結晶半導体層にレーザー光を照射した後、第１の熱処理を施してその特性を向上させ、単結晶半導体層に導電型を付与する不純物元素を添加した後、第１の熱処理の温度より低い温度で第２の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】液晶パネル等の電気光学装置において、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を効率よく抑制しつつ、動作の安定化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、チャネル領域、ソースドレイン領域及びＬＤＤ領域を有する半導体層（３０ａ）と、チャネル領域に対向するゲート電極（３０ｂ）と、半導体層より上層側に積層され、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広く形成された上側遮光膜（１）と、半導体層より下層側に積層され、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広く形成された下側遮光膜（１１）と、半導体層及び下側遮光膜間に積層され、少なくともＬＤＤ領域に重なる領域における膜厚よりソースドレイン領域に重なる領域における膜厚の方が小さくなるように形成された下側層間絶縁膜（１２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】表示装置の開口率を減少させることなく写真エッチング工程数を減少させる表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板は、基板１１０と、基板１１０上に形成されているゲート電極１２４及び維持用電極１２５と、ゲート電極１２４及び維持用電極１２５上に形成されているゲート絶縁膜１４０と、ゲート絶縁膜１４０上に形成されていて、チャンネル部を含む半導体１５７と、半導体１５７上に形成されているソース電極１７３及びドレイン電極１７５と、ドレイン電極１７５上に形成されていて、ドレイン電極１７５の一部を露出させる接触孔１８５を含む保護膜１８０と、保護膜１８０上に形成されていて、接触孔１８５でドレイン電極１７５と連結する画素電極１９１とを含み、接触孔１８５部分を除く画素電極１９１が、ゲート絶縁膜１４０及び保護膜１８０を間において維持用電極と重畳するように構成される。 （もっと読む）

【課題】動作性能及び信頼性を向上させた半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板の一部からなる単結晶シリコン薄膜を、単結晶シリコン基板を熱酸化して得られた第１の酸化シリコン膜上に有し、第１の酸化シリコン膜が、シリコン基板上に設けられた第２の酸化シリコン膜に貼り合わされたシリコン基板を用いる半導体装置の作製方法であって、単結晶シリコン薄膜から複数の島状シリコン層を形成し、複数の島状シリコン層の熱酸化工程後に、複数の島状シリコン層上にポリシリコンでなるゲート電極を形成し、ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、複数の島状シリコン層にソース領域及びドレイン領域を形成し、ゲート電極、ソース領域、ドレイン領域に金属膜を形成し、加熱してゲート電極、ソース領域、ドレイン領域にシリサイドを形成し、複数の島状シリコン層を覆って、層間絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】動作性能及び信頼性を大幅に向上することができる半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコン基板上に設けられた酸化シリコン膜と、単結晶シリコン基板の一部よりなりＴＦＴの活性層となる島状シリコン層を熱酸化して得られ、酸化シリコン膜に貼り合わせ界面にて貼り合わせて設けられた酸化シリコン膜と、活性層を熱酸化して設けられた他の面の酸化シリコン膜とにより取り囲まれた活性層と、活性層上に設けられたゲート電極と、を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてＡｌ系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ａｌ系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、およびフッ素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層と、ＡｌおよびＳｉを含むＡｌ−Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層を構成する窒素、炭素、およびフッ素のいずれかの元素は、前記半導体層のＳｉと結合している。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いる場合においても優れた特性のＳＯＩ基板を提供することを目的の一とする。また、このようなＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面に、エピタキシャル成長法による単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層に第１の熱酸化処理を施して第１の酸化膜を形成し、第１の酸化膜の表面に対してイオンを照射することにより、単結晶半導体層にイオンを導入し、第１の酸化膜を介して、単結晶半導体層とベース基板を貼り合わせ、熱処理を施すことにより、イオンが導入された領域において単結晶半導体層を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層の一部を残存させ、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を施して第２の酸化膜を形成した後、該第２の酸化膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】単結晶シリコン薄膜を熱酸化膜からなる第１の酸化シリコン上に有し、第１の酸化シリコンを第２の酸化シリコン上に有し、第２の酸化シリコンを表面上に有する単結晶シリコン基板を用いる半導体装置の作製方法であって、単結晶シリコン薄膜から複数の島状シリコン層を形成し、複数の島状シリコン層の側面に熱酸化により第３の酸化シリコン膜を形成し、複数の島状シリコン層上にポリシリコンでなるゲート電極を形成し、ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、複数の島状シリコン層にソース領域及びドレイン領域を形成し、ゲート電極、ソース領域、ドレイン領域に金属膜を形成し、加熱してゲート電極、ソース領域、ドレイン領域にシリサイドを形成し、複数の島状シリコン層を覆って、層間絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】画素を構成する素子として、単結晶半導体膜を用いる場合であっても、表示部の大型化及び高精細化を達成することを目的の一とする。
【解決手段】ベース基板の表面に複数の単結晶半導体基板をそれぞれ貼り合わせ、複数の単結晶半導体基板の一部をそれぞれ剥離することにより、ベース基板上に、単結晶半導体膜から構成される単結晶半導体膜設置領域を複数形成し、単結晶半導体膜設置領域に単結晶半導体膜をチャネル形成領域として用いるトランジスタを形成し、単結晶半導体膜設置領域と、単結晶半導体膜非設置領域にそれぞれ画素電極を設ける工程を含み、単結晶半導体膜非設置領域に設けられた画素電極に電気的に接続するトランジスタを単結晶半導体膜設置領域に形成された単結晶半導体膜を用いて設ける。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ技術で形成された単結晶シリコン薄膜から応力に起因する準位や欠陥を除去するための方法を提供する。
【解決手段】まずＳｍａｒｔ−ＣｕｔやＥＬＴＲＡＮといった代表的な貼り合わせＳＯＩ技術を用いて単結晶シリコン薄膜１０６を形成する。次に単結晶シリコン薄膜１０６をパターニングして島状シリコン層１０８とした後、ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で熱酸化処理を行うことで、トラップ準位や欠陥の除去された島状シリコン層１０９を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とベース基板の貼り合わせを低温で行う場合であっても、半導体基板とベース基板との接合強度を十分に向上させることを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板と、絶縁体でなるベース基板とを用意し、半導体基板上に塩素原子を含有する酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、半導体基板上の酸化膜に対してバイアス電圧を印加してプラズマ処理を行い、単結晶半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に酸化膜を介して半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置の画素における光透過率、及びＴＦＴ等の半導体素子に対する遮光性の夫々を高める。
【解決手段】第１反射膜８１ａ及び第２反射膜８１ｂは、第１斜面８０ａ及び第２斜面８０ｂの夫々を覆うように第１斜面８０ａ及び第２斜面８０ｂの夫々に形成されている。第１反射膜８１ａ及び第２反射膜８１ｂによれば、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射した入射光Ｌ１及びＬ２の夫々を画素７２ｇａ及び７２ｇｂに反射できる。加えて、第１反射膜８１ａ及び８１ｂによれば、ＴＦＴアレイ基板１０の側からＴＦＴ３０に照射される光を遮光できる。したがって、画素７２ｇの輝度を高めつつ、ＴＦＴ３０に生じる光リーク電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置の画素における光透過率、及びＴＦＴ等の半導体素子に対する遮光性の夫々を高めると共に、蓄積容量の容量値を高める。
【解決手段】第１反射膜８１ａ及び第２反射膜８１ｂは、第１斜面８０ａ及び第２斜面８０ｂの夫々を覆うように第１斜面８０ａ及び第２斜面８０ｂの夫々に形成されている。第１反射膜８１ａ及び第２反射膜８１ｂによれば、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射した入射光Ｌ１及びＬ２の夫々を画素７２ｇａ及び７２ｇｂに反射できる。加えて、第１反射膜８１ａ及び８１ｂによれば、ＴＦＴアレイ基板１０の側からＴＦＴ３０に照射される光を遮光できる。したがって、画素７２ｇの輝度を高めつつ、ＴＦＴ３０に生じる光リーク電流を低減できる。加えて、蓄積容量７０は、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して斜めに形成されているため、容量値を高めることが可能である。 （もっと読む）

【課題】熱処理において、基板の反りを抑制し、基板の局部的な温度変化によって生じる品質不良を抑制することを目的の一とする。
【解決手段】処理室と、処理室内に設けられた支持台と、支持台上に設けられ、被処理基板を支持する複数の支持体と、被処理基板を加熱する加熱手段とを設け、支持台に支持体を脱着可能な固定部を複数設け、複数の支持体を複数の固定部に選択的に取り付けることにより、複数の支持体の位置を可変可能とする。 （もっと読む）