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Fターム[2H092NA07]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 目的 (17,448) | 表示特性改善 (4,180) | 開口率の向上 (860)

Fターム[2H092NA07]に分類される特許

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【課題】 開口率が高く、且つ電界を印加したときの配向の安定性を向上させた、高コントラストで広視野角を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る液晶表示装置は、TFT基板2とCF基板3との間に負の誘電異方性を有する液晶21が封入され、TFT基板2側に、画素電極11と、画素電極11の周囲に形成されたCS電極13とを備える。画素電極11は、ITO膜から構成される透明電極であり、四隅から画素中心部に向かって形成され、且つ互いに交差しない複数のスリット17を有する。液晶21は、画素のほぼ中心に配向の中心を一致させた単一の配向状態に配列する。 (もっと読む)


【課題】 開口率及び歩留りを向上して高精細化が可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光を反射する反射電極42及び光を透過する透明電極41から成る画素電極10を設けた画素基板4と、画素電極10に対向する対向電極23を設けた対向基板5との間に液晶6を封入し、反射電極42の反射光または透明電極41の透過光により照明して画像を表示する液晶表示装置1において、画素基板4は、反射電極42の上層を形成して光を着色するとともに反射電極42上に形成される開口部43aを有する着色層43と、着色層43の上層を成して開口部43a内に連続して配されるとともに反射電極42上方の液晶6層の厚みを狭めるマルチギャップ部44とを有して、マルチギャップ部44及び着色層43の上に透明電極41を配して構成され、開口部43aの周縁よりも内側に配されるとともに透明電極41と反射電極42とを導通させるコンタクトホール44aをマルチギャップ部44に設けた。 (もっと読む)


【課題】液晶プロジェクタ装置にて用いられる液晶表示装置において、液晶表示パネルとは別に駆動用ICを設けたチップ・オン・フィルム(COF)構造の場合であっても、構成の複雑化を招くことなく、その駆動用ICを搭載するフィルム基板の接続固定強度を確保する。
【解決手段】TFT基板と対向基板との間に液晶を挟持してなる液晶表示パネル10と、前記液晶表示パネル10を支持する枠体である支持部材20と、前記液晶表示パネル10と電気的に接続されたフレキシブルなフィルム基板14と、前記液晶表示パネル10を駆動するために前記フィルム基板14上に配設された駆動用IC15とを備えて、液晶表示装置を構成する。さらには、前記支持部材20に前記フィルム基板14を固定するために固定手段16を備える。 (もっと読む)


【課題】信号線をブラックマトリクスとして利用する液晶表示装置で光漏れを十分に防止すると共に、小さな配線容量を実現すること。
【解決手段】アレイ基板ASの透明基板SUB1と層間絶縁膜ILIとの間に、画素電極PEに対応して配列すると共に、それぞれ信号線SLの両脇の領域と向き合い且つその信号線SLの正面の位置で少なくとも部分的に開口した遮光層LSを設ける。 (もっと読む)


【課題】 IPS液晶表示器の反応速度を増加させ、パネルの透過率を向上し、広視野角効果を実現して、縁部の液晶分子の配向状態が不連続との問題を改善する。
【解決手段】 本発明に係る液晶表示器は、上下基板と、その間にある液晶層と、を有する。基板表面には、複数のTFTと、映像信号線と、走査信号線と、共通線と、画素電極と、対向電極とを含み、このうち画素電極と対向電極が介在配列を構成し、且つその終点と始点が映像信号線と走査信号線が定義する画素領域の同一側辺に位置する。もう一つの基板表面には、電圧が対向電極とおなじである透明補助電極を有する。上記の構造により、本発明の液晶表示器は一部が基板平面と平行な電界成分だけでなく、画素電極上にさらに基板平面と垂直電界成分を有し、基板の透過率を改善することができる。 (もっと読む)


【課題】反射型液晶表示素子の画素間隔を10μm以下としたときに開口率が90%以上となるような高性能表示パネルを得ることが出来る反射型液晶表示素子を提供する。
【解決手段】、基板上に形成された複数のスイッチングトランジスタ19と、複数のスイッチングトランジスタ19上に形成された絶縁層16と、絶縁層16中に生成した通過孔を介して前記スイッチングトランジスタ19と接続された複数の画素電極とから構成された素子基板18が配列され、素子基板18に対向配置された共通電極14と、共通電極14と素子基板18との間に充填された液晶層15と、からなる反射型液晶表示素子において、複数の画素電極12間を所定幅以下にし、かつ複数の画素電極12と絶縁層16との間に反射膜17が形成されるものである。 (もっと読む)


【課題】液晶の配向安定性を保ちつつ、開口率および光の利用効率を改善する。
【解決手段】反射型表示装置200は、複数のスイッチング素子201tを含むアクティブスイッチ層201sと、それぞれが対応するスイッチング素子201tに接続された複数の画素電極207と、アクティブスイッチ層201sと複数の画素電極207との間に形成された反射層205と、画素電極207の観察者側に設けられ、光学特性の異なる第1状態と第2状態との間で切り替えられ得る変調層213とを備え、反射層205は、複数のスイッチング素子201tおよび複数の画素電極207と接続されていない。 (もっと読む)


TFT−LCDパネルの開口率及び透過率を向上させることができる、指紋認識素子を内装した型液晶表示装置が開示される。指紋識別基板400は、TFT基板300に取付けられる。該TFT基板は、カラーフィルタ336と薄膜トランジスタがセルフアラインされるカラーフィルタオンアレイ(COA)構造を有する。薄膜トランジスタ基板のカラーフィルタと薄膜トランジスタとのアライン不良を除去してミスアラインを減少させることができ、開口率を大きく向上させてディスプレイ特性を向上させることができる。また、ガラス基板数を減少させ、透過率が増加されることによって、指紋認識の感度を更に向上させることができる。
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【課題】本発明は、視野角及び画質を向上させることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は液晶表示装置に係り特に、COT(colorfilter on thin film transistor)構造の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
本発明は、基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と;ゲート配線及びデータ配線に連結される薄膜トランジスタと;画素領域に位置するカラーフィルターパターンと;画素領域に位置してカラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第1積層構造を有する画素電極を含む液晶表示装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、画素に設けられる補助容量の構成に関する。
【解決手段】 基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタの半導体層に接続された電極と、前記第1の層間絶縁膜及び前記半導体層に接続された電極を覆い、窒化珪素膜または酸化珪素膜を用いて形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜上に形成された有機樹脂膜と、前記第2の層間絶縁膜及び前記有機樹脂膜を介して前記半導体層に接続された電極に接続された画素電極と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


トランジスタ構造の少なくとも一部分が実質的に透明であるエンハンスメント・モード電界効果トランジスタである。該トランジスタの一変形形態は、ZnO、SnO及びInから選択された実質的に絶縁性で実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。実質的に透明な材料から構成されるゲート絶縁体層は、チャネル層/ゲート絶縁体層境界面を形成するようにチャネル層に隣接して配置される。該トランジスタの第2の変形形態は、アニーリングにより生成される実質的に絶縁性のZnO、SnO及びInから選択される実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。該トランジスタを含む装置、及び該トランジスタを作る方法も開示されている。
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【課題】2本の補助容量ラインを大きい補助容量を確保した反射型および半透過型LCDを実現する。
【解決手段】1つの画素に対応して2本の補助容量ライン26a,26bを設け、行方向の各画素はいずれか一方の容量ライン26を利用して補助容量32a,32bを形成する。そして、隣接した画素であって同一の補助容量ライン26を利用していない画素にも自画素の補助容量32を延長形成する。 (もっと読む)


【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量(Cs)を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極106と異なる層に走査線102を形成し、容量配線107が信号線109と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線107に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 (もっと読む)


【課題】高開口率かつ低消費電力の反射型および半透過型LCDを実現する。
【解決手段】第1基板40は、画素毎に設けられたスイッチ素子であるTFTを備える。TFTの能動層42と共通層であるシリコン薄膜43とゲート絶縁膜44を介して積層された第1金属層46をパターン化した補助容量ラインとにより補助容量CSCを構成する。補助容量ライン26を覆うように層間絶縁膜48および平坦化絶縁膜54が順に積層される。平坦化絶縁膜54の上に反射層56および画素電極28が設けられる。これにより、反射層56の形成された反射型領域および反射層56の形成されていない透過型領域において、補助容量ラインは画素の開口の妨げとならない。 (もっと読む)


【課題】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、画素に設けられる補助容量の構成に関する。
【解決手段】 透明導電性被膜よりなる画素電極24の周辺部を覆うように、ブラックマトリクスを兼ねた金属のコモン電極22を配置する。ここでコモン電極22は、画素の周辺部を覆うブラックマトリクスと機能し、かつ、一定の電位に保持される。したがって、画素電極24とコモン電極22とが重なった領域が補助容量25として機能する。この補助容量は、絶縁膜23を介して構成される。そこで、この補助容量25をより大きなものとするために、コモン電極22を平坦化された表面を有する絶縁層21上に形成する。かくすることにより、絶縁層23を1μm程度にまで薄くしても、コモン電極と画素電極の間のピンホール、リーク等を防止することができ、より大きな補助容量が得られる。 (もっと読む)


【課題】異物や膜残り等によるソース電極とドレイン電極との短絡、ドレイン電極やドレイン引出配線の断線及びTFT動作不良等による画素欠陥に対して、開口率を減少させることなく、点欠陥となる画素を容易かつ確実に修正することができ、液晶表示装置の歩留りを向上させることができるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】基板上に、複数本の走査信号線及びデータ信号線と、信号線の交点に設けられ、ゲート電極が走査信号線に接続され、ソース電極がデータ信号線に接続された薄膜トランジスタと、上記薄膜トランジスタのドレイン電極又はドレイン引出配線に接続された画素電極とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記アクティブマトリクス基板は、データ信号線が少なくとも部分的に複線化された構造を有し、かつ修正用接続電極を備えるアクティブマトリクス基板である。 (もっと読む)


【課題】液晶表示素子の視野角の拡大と着色現象の防止とを図ると共に、応答速度及び開口率の向上を図る。
【解決手段】画素3は、一対の基板の間で基板に実質的に平行な方向に電界を発生させる画素電極31及び対向電極32と、画素電極31及び対向電極32により区分される2つの領域S1,S2とを備えている。2つの領域S1,S2で発生する電界の方向は、隣接する領域S1,S2同士で互いに逆方向となるように構成されている。そして、液晶層は、基板の法線方向から見たときの屈折率異方性を示す遅相軸が、電界が発生していないときに、電界が発生する方向に対して垂直である一方、電界が発生するときに、基板の法線方向を軸として回転し且つ回転方向が隣接する領域S1,S2において互いに逆方向となるように構成されている。
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【課題】 画素と画素の間隔が狭くなる高精細な液晶表示装置に対してディスクリネーションに起因する表示欠陥を生じないようにし、高コントラストでかつ明るい表示を可能とした液晶装置及び投射型表示装置と電子機器の提供を目的とする。
【解決手段】 第1基板と第2基板に挟持された液晶層と、前記第2基板の前記液晶層側の面に形成された第1電極、第2電極を備え、前記第1電極と前記第2電極は前記液晶層に対し実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成された液晶装置において、液晶分子の配列の変化する方向が異なる複数の領域を前記第1電極、第2電極とで形成される画素領域内に有することを特徴とする液晶装置。 (もっと読む)


【課題】光の利用効率を向上する事が可能で、反射光の方向を容易にコントロールできる液晶光スイッチング素子及び製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】全反射により光を伝えているガラス板等の導光体101に、液晶107を接触させ、電圧を印加する事により液晶分子の方向をコントロールする事により、実効的な屈折率を変化させ、全反射条件を満たさないようにし、光をスイッチングし、かつ斜面を有する反射膜により光の方向を変えて導光体101からほぼ垂直方向に取り出す。 (もっと読む)


【課題】 絶縁基板上にグラフォエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層を能動領域に用いるトップゲート型の薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(トップゲート型にはスタガー型とコプラナー型が含まれる。)と受動領域を有する液晶表示装置などに好適な構造及び方法を提供する。
【解決手段】 基板1に形成した段差4をシードにして、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを溶解した低融点金属層6(6A)からグラフォエピタキシャル成長により単結晶シリコン層7を形成し、これを表示部−周辺駆動回路一体型のLCDなどの電気光学装置のトップゲート型MOSTFTに用いる。 (もっと読む)


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