【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マスク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶にかかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】タッチされた位置を正確に感知できる表示装置が供給される。
【解決手段】表示装置は、表示パネル、複数のセンサ回路及び検出回路を含む。表示パネルは映像を表示する複数の画素を含み、複数のセンサ回路の各々は少なくとも２つ以上の相違なる外部信号をセンシングしてセンシング信号を出力する複数のセンサ、スキャンライン、キャパシタ、スイッチング素子及び読出しラインを含む。検出回路はセンシング信号を受信して外部信号が供給されていた位置を検出する。したがって、本発明はスイッチング素子及び配線の数を減らすことができ回路が単純になり、タッチされた位置をより正確にセンシングできる。 （もっと読む）

【課題】複数のドメインを有する単位画素が形成される液晶表示パネル及びこれを製造する光学マスクを提供する。
【解決手段】単位画素を含む液晶表示パネルであって、上記単位画素は、第１の配向膜を有する第１の基板と、上記第１の配向膜から離隔し対向する第２の配向膜を有する第２の基板と、上記第１の配向膜と上記第２の配向膜間に介在する液晶層と、隣接した複数のドメインと、上記隣接した複数のドメイン間を定義するドメイン境界領域と、上記ドメイン境界領域に隣接する正常輝度領域とを有し、上記ドメイン境界領域内の上記第１の配向膜又は上記第２の配向膜のプレチルト角は、上記正常輝度領域内の上記第１の配向膜又は上記第２の配向膜のプレチルト角より大きい。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】遮光層の端部で回折した光が半導体層に照射されＴＦＴ特性の変動を引き起こしているため、この光の照射を防止する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第３の遮光層１０８の端部で回折した光１１７を完全に遮光するため、半導体層１０３をゲート電極１０４と第２の遮光部１０６とで覆うことによって、回折した光の照射を防止し、ＴＦＴ特性の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】複数の視点に画像を表示可能な画像表示装置において、画素開口部に配置された構造物に起因する問題を抑制し、高開口率を実現する。
【解決手段】第１と第２の視点用の画像を表示するサブ画素を含む表示単位が配列された表示素子と、サブ画素Ｐからの光を異なる方向に振り分ける光学手段とを有し、隣接画素対は、データ線Ｄとゲート線Ｇと蓄積容量電極で囲まれた領域を開口部と定義した場合に、１本のデータ線を挟んで配置された２つのサブ画素からなる隣接画素対を基本単位として構成される。隣接画素対４ＰＡＩＲは隣接して配置される。２つのサブ画素がそれぞれ有するスイッチング手段は、２つのサブ画素に挟まれたデータ線Ｄに接続され、異なるゲート線Ｇによって制御される。Ｋ本の蓄積容量線ＣＳは、サブ画素の第１の方向へ幅をＫ＋１等分に分割する仮想線を仮定した場合に、開口部において仮想線のうち少なくとも1本を跨って配置される。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１絶縁基板の上方に配置された共通電極と、共通電極を覆う絶縁膜と、絶縁膜の上に配置され共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された複数の画素電極と、画素電極の各々を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、第２絶縁基板の第１基板と対向する内面において画素電極の間の直上に配置されたブラックマトリクスと、画素電極の各々の直上に配置されたカラーフィルタと、カラーフィルタの第１基板側に配置された第２配向膜と、を備えた第２基板と、第１基板と第２基板との間に保持されるとともに画素電極の間の直上に位置する第１領域と画素電極の直上に位置する第２領域とを含む液晶層と、を備え、液晶層の屈折率異方性をΔｎとし液晶層の厚みをｄとし液晶層の位相差値をΔｎ・ｄで定義したとき、第１領域の位相差値は第２領域の位相差値よりも小さい液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】高い応答速度が要求される画像の表示にも対応しつつ、高透過率で低消費電力の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置のＴＦＴ基板２３０は、第１フィルタ領域に対応する領域の画素電極である第１画素電極２３７と、第２フィルタ領域に対応する領域の画素電極である第２画素電極２３８と、階調電圧を供給するデータ信号線２３２及び２３３と、データ信号線２３２及びと第１画素電極２３７及び第２画素電極２３８とをそれぞれ導通させるスイッチである第１画素トランジスタ２３５及び第２画素トランジスタ２３６と、を備え、液晶表示装置は、明るい画面表示を行なうことを優先する輝度優先モードと、画面の書換時の液晶組成物の応答を優先する応答速度優先モードとを有し、応答速度優先モードでは、第２画素電極２３８に印加される電圧が輝度優先モードと異なる。 （もっと読む）

【課題】補助容量電極を薄膜トランジスタに重ねる構造とした場合であっても、光リーク電流の発生を抑制することができる液晶表示素子を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ８の上層側に補助容量電極１１が前記薄膜トランジスタ８と重なるように配置された液晶表示素子であって、前記補助容量電極１１は、光を吸収する光吸収層２６と、前記光吸収層２６の上層側に成膜された遮光性を有した金属層２７と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】額縁領域を縮小すると共に信頼性を高める。
【解決手段】液晶表示装置１は、第１基板１１に対向して配置された第２基板１２と、第１基板１１と第２基板１２との間にシール材１３に囲まれて封入された液晶層１４とを備えている。そして、第２基板１２における第１基板１１側の表面には、第２電極３２が形成され、第１基板１１には、第２電極３２の一部に対向して配置され、導電部材を介して第２電極３２に電気的に接続された第１電極３１が複数形成され、第１電極３１は、主電極３１ａと、第１基板１１表面の法線方向から見て、主電極３１ａよりも面積が小さい少なくとも１つの副電極３１ｃとを有している。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 アクティブエリアに配置された画素電極と、アクティブエリアとこのアクティブエリアを囲むシールエリアとの間の中間エリアにおいてアクティブエリア側に配置された第１柱状スペーサ及びシールエリア側に配置された第２柱状スペーサと、を備えた第１基板と、中間エリアに延在した周辺遮光層と、中間エリアにおいて第１柱状スペーサの直上で周辺遮光層に積層され帯状または島状に形成された第１幅の第１カラーフィルタ及び第２柱状スペーサの直上で周辺遮光層に積層され帯状または島状に形成された第１幅とは異なる第２幅の第２カラーフィルタと、第１及び第２カラーフィルタに積層されたオーバーコート層と、を備えた第２基板と、シールエリアに配置され、第１基板と第２基板とを貼り合わせる閉ループ状のシール材と、第１基板と第２基板との間に保持された液晶層と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】 マルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置の開口率を向上するための技術を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、垂直配向処理が施されている第１基板および第２基板と、第１基板と第２基板の間に介在している液晶層と、第２基板に設けられており、画素領域を確定している複数のゲート線およびデータ線と、第１基板に設けられており互いに略平行に伸びている第１調整手段と、第１基板に設けられており互いに略平行に伸びている第２調整手段とを備えている。第１調整手段と第２調整手段は、電圧が印加されたときに液晶分子が配向する方向を画素領域における位置に応じて変化するように調整する。そして、第１調整手段と第２調整手段は交互に配置されており、その間隔が２５マイクロメートル以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透過表示のコントラスト比及び開口率が高く、画素の微細化にも対応できる半透過型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第一基板と、液晶層と、第二基板とをこの順に有する液晶表示装置であって、上記第一基板は、幹部と、上記幹部から分岐した複数の枝部とを備える画素電極を有し、上記液晶表示装置は、枝部とスリットとが交互に配置された領域を含む表示領域を有し、上記表示領域は、上記反射領域及び透過領域を含み、上記反射領域において、上記第一基板は、上記画素電極下に反射膜を有し、上記第二基板は、上記液晶層の側にλ／４位相差層を有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】結晶性半導体膜を備え、光リーク電流の発生が抑制され、トランジスタ特性が良好なＴＦＴを提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板１００において、結晶性半導体膜５はソース電極１２側及び／又はドレイン電極１３側がＴＦＴ１０８の外側でかつゲート電極２の外側の領域に引き出されており、ソース電極１２又はソース配線１１０と結晶性半導体膜５との接触部ＳＣとゲート電極２との間、及び／又は、ドレイン電極１３と結晶性半導体膜５との接触部ＤＣとゲート電極２との間に、ゲート電極２と同層の金属遮光膜３を備えている。結晶性半導体膜５のソース電極１２又はソース配線１１０と結晶性半導体膜５との接触部ＳＣとゲート電極２との間、及び／又は、ドレイン電極１３と結晶性半導体膜５との接触部ＤＣとゲート電極２との間に、ｎ型不純物が導入された不純物導入領域を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】垂直配向液晶に付随するディスクリネーションを軽減し、明るく応答性の良い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板上に形成され、遮光性顔料を樹脂に分散した遮光層からなる、複数の開口部を有するブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクスを備える透明基板上に形成された透明導電膜と、前記透明導電膜上の、前記複数の開口部により区分された画素領域に形成された複数色の着色画素とを具備する垂直配向液晶表示装置用カラーフィルタ基板。 （もっと読む）

【課題】垂直配向液晶に付随するディスクリネーションを軽減し、明るく応答性の良い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板上に、ブラックマトリクス、透明導電膜、及び樹脂層を形成してなる液晶表示装置用電極基板において、前記ブラックマトリクスは、遮光性顔料を樹脂に分散した遮光層からなり、かつ複数の開口部を有し、前記樹脂層は、前記ブラックマトリクス及び透明導電膜を備える透明基板上に形成され、前記ブラックマトリクスの上方において凸部を形成し、前記ブラックマトリクスの開口部中心を通る領域に凹部を形成することを特徴とする液晶表示装置用基板。 （もっと読む）

【課題】インプリントリソグラフィ工程でレジストパターンの不良を防止して、モールドの寿命を向上させることができるレジスト組成物、これを利用したレジストパターン形成方法、これを利用したアレイ基板の製造方法、及び、これを利用して製造されたアレイ基板を提供する。
【解決手段】ＵＶ硬化性樹脂及び添加剤を含んで、前記ＵＶ硬化性樹脂及び前記ＵＶ硬化性樹脂と接触するベース層間に化学的結合を誘導する接着増進剤を含むことを特徴とするレジスト組成物である。 （もっと読む）

【課題】マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型または透過型の表示装置における画素開口率を改善する。
【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極１６７をソース配線１３７と一部重なるように配置し、ＴＦＴはＴＦＴのチャネル形成領域と重なるゲート配線１６６によって遮光することによって、高い画素開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 （もっと読む）