【課題】歩留まり低下要因を回避するようにレイアウトパターンを分配する、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、ダブルパターニングを用いた半導体装置の製造方法であって、ダブルパターニングで用いる複数枚のマスクを準備する工程を備える。また、上記複数枚のマスクを用いてダブルパターニングを行なう工程を備える。複数枚のマスクを準備する工程は、複数枚のマスクのそれぞれを用いる露光工程の特性に応じて、レイアウトパターンＬＰ１〜ＬＰ４のサイズを考慮して、レイアウトパターン群ＬＰＧ１を複数枚のマスクに分配する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング用フォトマスクの欠陥判定及び欠陥影響度を検証するフォトマスクの検査方法及びフォトマスクの検査装置を提供する。
【解決手段】複数のフォトマスクを使って描画パターンを形成するためのフォトマスク群の検査方法であって、複数のフォトマスクについてフォトマスク画像を取得するフォトマスク画像取得工程と、フォトマスク画像を重ね合わせ、重ね合わせ画像を取得する画像重ね合わせ工程と、重ね合わせ画像から描画パターンへの影響を検査する検査工程と、を備えることを特徴とするフォトマスク群の検査方法。 （もっと読む）

【課題】多重露光に使用される複数の原版のパターンのデータの生成に有利な技術を提供する。
【解決手段】光源からの光を用いて原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置において、複数回露光を行うことで１つの層のパターンを基板に形成する多重露光に使用される複数の原版のそれぞれのパターンのデータをコンピュータによって生成する生成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】微細なレジストパターンを形成することができる露光方法を提供すること。
【解決手段】光透過領域が遮光部Ａ０，Ｂ０，Ｃ０を介して隣接して形成され、隣接した光透過領域を透過するそれぞれの光の位相差がφ≠πとなる位相シフトマスクを用いて、基板上のレジストに第１のフォーカス位置で露光を行う第１の露光ステップと、第１の露光ステップの後、レジストに位相シフトマスクを用いて第１のフォーカス位置と異なる第２のフォーカス位置で露光を行う第２の露光ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ステッパのショットサイズを越えて連なるストライプ状パターンをステッパにより露光焼き付けを行う際に、形成するストライプ状パターンの幅の寸法のばらつきを低減する。
【解決手段】ショットパターン幅いっぱいに伸びる、先端が段階的に先細りとなったくさび型となっている端部を有するストライブ状のマスクパターン５を備えるショットパターンを、ショットパターン幅の１／ｎピッチで送ってショット露光を行い、ｎ回重ねた露光を行うことにより、形成したストライプ状パターンに途切れ、くびれ、および太りが生じるのを防ぎ、ストライプ状パターンの寸法のばらつきを低減する。 （もっと読む）

ＩＣ層のパターン形成のために多重マスク及び多重マスク層が使用される。第１のマスク層に１以上の細線パターンを形成するためにＲＥＴが使用される。次に細線パターンの一部は、マスクを利用して、除去されるか又は除去部分に指定される。この除去／指定作業は、細線図形と粗大図形を含む少なくとも１つのレイアウト図形を備えた所望のレイアウトへの利用とレイアウト図形の微小寸法に沿った方向のみのレイアウト図形の拡張を含む。次に、別のマスクが使用されて、第１のマスク層の上に形成された第２のマスク層内に粗大図形が形成される。粗大図形は、細線図形の微小寸法に対して直角の方向のみに行われる収縮／拡張操作を利用して所望レイアウトから得られる。ＩＣ層は、パターン形成された第1及び第２のマスク層によって形成された複合マスクを使用してパターン形成される。 （もっと読む）

【課題】図形演算をより高速化できるパターンシミュレート方法を提供する。
【解決手段】ショットを示す複数の露光領域17を図形演算することで露光領域パターンを形成する。露光領域パターンから、光が複数回当たる多重露光領域19を抽出する。複数の多重露光領域19中に位置する全体パターン中のパターン形状が同一である場合には、一の多重露光領域19に対応するレチクルデータのみを図形演算をし、その結果を他の多重露光領域19に反映する。図形演算の対象となる多重露光領域19を減らすことができ、演算時間を短縮して図形演算をより高速化できる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを介して露光を繰り返し行うことに基づいて連続的にパターンを形成する際に、前後の露光領域の境界部に信頼性よくパターンを形成することができるネガレジスト用のフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板４２と、その中央主要部Ｍに配置され、垂直軸から相互に逆方向に傾いて配置された複数の第１ラインパターン６２と第２ラインパターン６４とが交差して構成されるメッシュ状パターン６０と、透明基板４２上の右端部Ｐ１に第１ラインパターン６２が延在して形成された第１延出ラインパターン６２ａと、透明基板４２上の左端部Ｐ２に第２ラインパターン６４が延在して形成された第２延出ラインパターン６４ａとを含む。レジストの露光領域Ｅ１の右端部Ｐ１にフォトマスク４０の左端部Ｐ２が重なるように順次露光される。フォトマスクはシールド材の導電パターン層の形成に好適に使用される。 （もっと読む）

【課題】
ハーフショットでの重ね合わせ精度を改善する。
【解決手段】
照明手段を制御して原版の第１領域を有効領域として基板の第１ショット領域を露光させ、前記第１領域における前記第１ショット領域との重畳領域が前記第１領域の半分となるように前記基板ステージを移動させ、前記照明手段を制御してアライメントマークを含む前記重畳領域内の一部の領域を有効領域として前記第１ショット領域を露光させ、前記照明手段を制御して前記第１領域のうち前記重畳領域以外の領域を有効領域として前記基板の第２ショット領域を露光させる制御手段、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いフォトマスクの重ね合わせ精度を要求されるフォトマスクに好適な基板セットを提供すること。
【解決手段】本発明の基板セットは、露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクを作製するためのマスクブランクで使用される基板を複数枚セットとしたマスクブランク用基板セットであって、複数枚セットで用いられる基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状が中央で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなるような凸形状であり、前記主表面の中央部を含む１４２ｍｍ角の領域における平坦度が０．３μｍ以下であり、基準基板の基準主表面に対してフィティングを行ったときの差が４０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの画面中央部に継ぎ部領域を設けるフォトマスクの、左ランダム領域及び右ランダム領域の遮光部間に間隔を設けても発生する配向制御突起の欠けを解消したフォトマスクを提供する。
【解決手段】１）左ランダム領域１２Ｌとパターン領域１２と右ランダム領域１２Ｒからなり、２）パターン領域にはマスクパターン３２が一様な配列をなし、右ランダム領域には右ランダムに、左ランダム領域には左ランダムに設けられ、右ランダムと左ランダムのマスクパターンは相まって、一様な配列となる相補関係にあり、３）右ランダム領域及び左ランダム領域の、マスクパターンが設けられていない各画素領域３１には遮光部３３が設けられ、遮光部が隣接した際の遮光部間には遮光部が延長して設ける。 （もっと読む）

【目的】パターンの重ね合わせ誤差を低減させる描画装置および描画方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の描画装置１００は、電子ビームを用いて、パターン１２をマスク基板１０に、パターン１２を相補するパターン１４をマスク基板２０に描画する描画部と、マスク基板１０に描画されたパターン１２の位置ずれ量をパターン１４の描画位置に加算する加算部と、を備え、描画部は、パターン１２の位置ずれ量が加算されたマスク基板２０上の描画位置にパターン１４を描画することを特徴とする。本発明によれば、両パターンの重ね合わせ誤差を低減することができる。よって、隣り合うパターン同士の接触を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングにより回路パターンを基板上に形成する場合において、回路パターンの線幅を均一にするとともに、アンダーエッチング及びオーバーエッチングの発生を防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の部分パターン１０ａと第１のダミーパターン１２ａとが形成された第１のパターン領域を有する第１のレチクルを用いて、第１の部分パターン１０ａと第１のダミーパターン１２ａとを基板１４上に転写する工程と、第２の部分パターン１０ｂと第２のダミーパターン１２ｂとが形成された第２のパターン領域を有する第２のレチクルを用いて、第２の部分パターン１０ｂと第２のダミーパターン１０ｂとを基板１４上に転写する工程とを有し、第１のパターン領域と第２のパターン領域とは、パターン占有率が互いにほぼ等しくなっている。 （もっと読む）

【課題】分割露光における表示領域でのショットの継ぎ目の位置を発見しやすく、パターンの継ぎ目検査に要する時間の低減を図ること。
【解決手段】本発明は、複数の露光領域に分割して形成される駆動素子形成領域１０と、駆動素子形成領域１０内に設けられ、隣接する露光領域の境界となる位置に両露光領域の露光ずれを判別するマークとを有する駆動基板１である。また、このマークを、矩形から成る露光領域の隅部近傍に配置したり、矩形から成る露光領域において互いに隣接する４つの露光領域の各隅部近傍に設けるものでもある。また、本発明は、素子形成領域を分割露光によって形成するための一露光分に対応した露光パターン領域と、露光パターン領域における分割露光の継ぎ目部分に設けられるマークとを有するマスクである。 （もっと読む）

【課題】帯電効果によるビーム位置ずれ量分布を精度良く算出することが可能な荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】パターン密度分布ρ(x,y)と、このパターン密度分布ρ(x,y)を用いて算出したドーズ量分布D(x,y)とを乗算して照射量分布E(x,y)を算出する（Ｓ１０４）。照射量分布E(x,y)とかぶり広がり分布を記述する関数g(x,y)とを用いてかぶり電子量分布F(x,y,σ)を算出する（Ｓ１０６）。照射量分布E(x,y)とかぶり電子量分布F(x,y,σ)を用いて、照射域及び非照射域の帯電量分布C(x,y)を算出する（Ｓ１０８）。帯電量分布C(x,y)と、帯電量を位置ずれ誤差に変換する応答関数r(x,y)とを用いて、位置ずれ量分布p(x,y)を算出する（Ｓ１１０）。 （もっと読む）

【課題】多重露光後の最終パターン上での寸法精度を改善することが可能なフォトマスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】このフォトマスクの製造方法は、パターンを形成するのに用いられる第１及び第２のフォトマスクのうち前記第１のフォトマスクを、対応する設計データに基づいて第１のマスクパターンを描画して製造し、前記第１のフォトマスクの前記第１のマスクパターンの位置誤差を測定し、前記第１のマスクパターンの位置誤差から系統的位置誤差を算出する算出し、前記第２のフォトマスクに対応する設計データに基づいて、前記系統的位置誤差が反映された座標系を基準に第２のマスクパターンを描画して前記第２のフォトマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】 １つの領域を複数の露光領域に分割して露光するステップを複数回行って製造したＴＦＴ基板を有する液晶表示装置における画質むらの発生を抑制する。
【解決手段】 絶縁基板の表面のうちのあらかじめ定められた１つの領域に対して、成膜された感光性材料の膜を露光するステップおよび露光した前記感光性材料の膜を現像するステップを有する露光／現像工程を複数回行う表示装置の製造方法であって、それぞれの前記露光するステップは、前記１つの領域を、互いに重畳する部分がなく、かつ、他の前記露光するステップのうちの少なくとも１回の前記露光するステップにおける前記露光領域の境界線と一致しない境界線により複数の露光領域に分割し、それぞれの露光領域を個別に露光することで前記１つの領域全体を露光する表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】容易に高い精度のパターニングを行うことができる半導体装置の製造方法及びフォトマスクの設計方法を提供する。
【解決手段】設計レイアウト情報から、対象物のパターンの端部を検出する（ステップＳ１１）。第１のレチクルのデータの作成のために、Ｙ方向において並ぶ対象物のパターン、先端部及び突合部を結合する（ステップＳ１２）。ステップＳ１２により得られた結合体を遮光部とするレチクルのデータを作成する（ステップＳ１３）。また、第２のレチクルのデータの作成のために、Ｘ方向において隣り合うパターンの端部に位置する先端部及び突合部同士を結合する（ステップＳ１４）。Ｘ方向において隣り合うパターン間の隙間の中央部にＹ方向に延びる部位を設け、互いに等しいＸ座標を含む先端部等をＹ方向において結合する（ステップＳ１５）。ステップＳ１５により得られた結合体を開口部とするレチクルのデータを作成する（ステップＳ１６）。 （もっと読む）

【課題】基板パターンの複数回のシミュレーションを要する場合の処理時間を短縮できるとともに、処理のデータ量を低減できるパターンシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】シミュレートしたシミュレーションパターン13nに修正がある場合には、仮のレチクルデータ15を修正した仮の修正レチクルデータ17を作成する。仮の修正レチクルデータ17と、仮のレチクルデータ15との差分を計算する。差分が発生した差分発生領域18，19を計算する。差分発生領域18，19内の差分の部分のみ演算して作成した変更差分パターン25を、シミュレーションパターン13nの差分発生領域18，19のパターンと入れ換えて新たなシミュレーションパターン13n+1を作成する。修正により変更したパターンだけの演算で済み、基板パターンの複数回のシミュレーションを要する場合でも処理時間を大幅に短縮できるとともに、処理のデータ量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】複数の投影光学系を用いてマスクパターンの拡大像を物体上に形成する場合に、各投影光学系による投影像を正確に繋ぎ合わせて、良好にパターン転写を行う。
【解決手段】マスクＭＡ上の点ａからの光束をプレートＰＴ上の点Ａに導き、マスクＭＡの拡大像をプレートＰＴ上に形成する第１投影光学系ＰＬ１と、マスクＭＡ上の点ｂからの光束をプレートＰＴ上の点Ｂに導き、マスクＭＡの拡大像をプレートＰＴ上に形成する第２投影光学系ＰＬ２とを備え、点ａのプレートＰＴ上への直交投影点ａ’と点Ａとを結ぶ第１線分と、点ｂのプレートＰＴ上への直交投影点ｂ’と点Ｂとを結ぶ第２線分とを、非走査方向から見て重ねた。 （もっと読む）