【課題】半導体製造用マスクの評価を簡便且つ正確に行うことができ、また、精度劣化の原因を効率的に把握できる、パターン描画方法、パターン描画装置およびマスク製造方法を提供する。
【解決手段】環境要素となる、温度、磁場、気圧、振動、入力電圧、ビームドリフトおよびビーム電流密度の内少なくとも１つを測定しながら試料上にビームを照射して、パターンを描画する。このパターンには、主パターンと、主パターンの領域外に描画される第１の副パターンおよび第２の副パターンとがあり、第１の副パターンを描画する第１の描画工程の後に、主パターンを描画する第２の描画工程を行う。主パターンの描画工程では、環境要素の変化量によって主パターンの描画を停止し、第１の副パターンの近傍の所定位置に第２の副パターンを描画した後、主パターンの描画に戻る工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 平坦度の違いによる位置ずれを抑制し、ブランクス状態における位相欠陥をマスク段階で吸収体により隠すことができ、製造歩留まりの向上に寄与する。
【解決手段】 実施形態の露光用マスクの製造方法は、マスクブランクスの欠陥検査段階での欠陥座標と基板保持の平坦度情報、及びマスクブランクスのフリースタンディング状態における平坦度情報を求めておき、検査段階での平坦度情報とフリースタンディング状態での平坦度情報を基に、検査段階の欠陥座標をフリースタンディング状態の欠陥座標に座標変換する。そして、マスクブランクスにパターンを描画する際に、座標変換された欠陥座標を用い、欠陥を避けるためにブランクスの回転・ＸＹシフト量を決定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクを準備する準備工程と、上記吸収層のパターンが形成された回路パターン領域の外周に、水素またはヘリウムのイオンビームを照射し、上記多層膜の周期構造の規則性を乱して低反射部を形成し、上記基板上に上記低反射部および上記吸収層が積層された遮光領域を形成する遮光領域形成工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【目的】欠陥を吸収体パターンの領域内に包含させた描画データで欠陥が存在する基板を描画可能な装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、ＥＵＶ光の吸収体膜が形成されていると共に、光学的に読取可能なＩＤが形成された基板からＩＤを読み取る読取装置１２１と、ＩＤに対応付けされた、欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報と、描画用のパターンデータとを記憶する記憶装置１０９と、パターンデータのうちの少なくとも欠陥が含まれる領域分の部分パターンデータと、欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報とを入力し、パターニング後に吸収体膜が残る領域に欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているかどうかを検証する検証部６６と、パターニング後に吸収体膜が残る領域に欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているパターンデータに基づいて、電子ビームを用いて基板にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の薄膜をそれぞれパターニングして成る転写用パターンを備えたフォトマスクにおいて、各薄膜に対してそれぞれ歪み補正を施しつつパターンを形成し、これらのパターンを正確に重ね合わせる。
【解決手段】 透明基板上に形成した第１の薄膜にフォトリソグラフィ工程を施して第１パターンを形成する第１パターニング工程と、透明基板上に形成した第２の薄膜にフォトリソグラフィ工程を施して第２パターンを形成する第２パターニング工程と、を有し、第１パターニング工程は第１描画工程を、第２パターニング工程は第２描画工程をそれぞれ含み、第１描画工程及び第２描画工程では、同一の歪み補正の施された補正座標系を用いて行う描画を含む。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置およびプロセスで使用するために照明源およびマスクを最適化するためのツールを提供する。
【解決手段】いくつかの態様によれば、本発明は、フルチップパターンのカバーを可能にし、一方、光源およびマスク最適化で使用しようとするクリップの完全な集合３０２から重要な設計パターンの小さな集合３０６をインテリジェントに選択することによって、計算コストを低減する。最適化は、最適化された光源を得るために、これらの選択されたパターンに対してのみ実施される。次いで、最適化された光源を使用し、（たとえばＯＰＣおよび製造可能性検証３２０を使用して）フルチップに合わせてマスクを最適化し、プロセスウィンドウ性能結果が比較される（３２２）。結果が従来のフルチップＳＭＯに匹敵する場合、プロセスが終了し、そうでない場合には、繰り返して好結果に収束するように、様々な方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】
微少ミラーを２次元配列したミラーデバイスを用いたパターン描画装置において、感光剤の塗布された基体上への投影像をイメージセンサで観察・測定する際に、正確かつ精細に画像データを取得する。
【解決手段】
ミラーデバイス１０３で生成された画像パターンを感光剤の塗布された基体１０７上に投影し、この投影像を撮像光学系１０９とハーフミラー１０５と投影光学系１０６によってイメージセンサ１１０に結像させる。このとき、イメージセンサ１１０の撮像面に結像した微少ミラー像のピッチとイメージセンサ１１０の撮像画素ピッチとが整数比となるような撮像光学系１０９とする。 （もっと読む）

【課題】パターン形状やパターン精度を高めることができるグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】遮光部１と、透光部２と、グレートーン部３とを有するグレートーンマスクの製造方法であって、透明基板上に、少なくとも半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜が順次形成され、レジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、またグレートーン部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量でレジスト膜を露光する工程と、現像処理を行い、遮光部とグレートーン部とで残膜値が異なるようなレジストパターンを形成する工程と、レジストが除去された領域に露出する遮光膜をエッチングする工程と、透光部を形成すべき部分上の半透光膜と、半透光部を形成すべき部分上の遮光膜を同時に除去する工程と、レジスト膜を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】アッシング処理を要することなく単一のフォトレジストを遮光層及び半透光層のパターニングに利用するハーフトーンマスクの製造方法を提供すること
【解決手段】透光層２、半透光層３及び遮光層４がこの順で積層されたマスクブランクス１’上にフォトレジストＲを塗布し、露光することで第１のレジスト領域Ｒ１と、第２のレジスト領域Ｒ２と、第３のレジスト領域Ｒ３を形成し、第１のレジスト領域Ｒ１を現像液で除去することで、第１の遮光層領域４ａをエッチングするためのマスクを形成し、第１の遮光層領域４ａをエッチングし、半透光層領域３ａをエッチングし、第２のレジスト領域Ｒ２を現像液で除去することで、第２の遮光層領域４ｂをエッチングするためのマスクを第３のレジスト領域Ｒ３によって形成し、第２の遮光層領域４ｂをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜を形成せずとも、リソグラフィー時における下地からのハレーションの影響を除去し、所期の寸法のパターンを形成することを可能として、微細化の要請に応じた信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】半導体装置の設計段階において、活性領域の第１のデータに対して、活性領域の少なくとも一部を露出する開口を有するレジストパターンの第２のデータを作成する際に、第２のデータの第１のデータと対向する部分について、予め作成された参照データを用いて、第１のデータとの対向辺の位置を補正する。 （もっと読む）

【課題】表面に変極点のないテーパ形状を形成する。
【解決手段】単位領域５２を、各々の面積が露光装置の分解能に対応する面積より小さい面積の縦４×横４の小領域５４に区画する。また、単位領域５２は、小領域５４の各々が光透過領域５６及び遮光領域５８のいずれかに定められたパターンを有し、各々光透過領域５６及び遮光領域５８の個数が階調に対応する個数に定められている。複数の単位領域５２が、テーパ形状を有する光学素子を製造するための基材の一端から他端に向かって配列された複数の細長領域２００〜２１６の各々に、階調が連続して変化するように配列されると共に、光透過領域５６及び遮光領域５８が隣接して交互に配列されたパターンを有する単位領域５２が配列された細長領域２０８を基準として、露光量が多い側の細長領域２００〜２０７の幅を露光量が少ない側の細長領域２０８〜２１６の幅より広くしたフォトマスク。 （もっと読む）

【目的】ブランカーのチャージアップの状況変化を抑制する装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、照射サイクルに応じて、ビームＯＦＦ時間にビーム全体を遮へいする第１のアパーチャ部材２０３と、第１のアパーチャ部材２０３上に配置されたブランカー２１２と、第１のアパーチャ部材２０３下に配置されたビームを成形する第２のアパーチャ部材２０６と、成形用の偏向器２０５と、成形されたビームを試料１０１上に偏向する主副偏向器と、ＳＦを超えたショット位置に次のショットを照射するまでの所定の時間内に、ダミーショットを行なうための照射サイクルを演算するダミーショットＤｕｔｙ演算部１１４と、ダミーショット用に演算された照射サイクルに応じてブランカー２１２を制御するダミーショット用の偏向制御部１２２と、を備え、かかる所定の時間の間中、第２のアパーチャ部材２０６でビームをブランキングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】ステージ上の基板位置を高精度かつ簡易に測定可能な荷電粒子ビーム描画装置の基板位置測定方法を提供する。
【構成】基板をＸ方向およびＹ方向に移動自在なステージに載置するステップと、ステージをＸ方向に移動すると同時に、ステージのＸ方向の位置を測定し、かつ、基板の上面に対し斜めにレーザ光を照射し基板からの反射光を光位置センサで受光するステップと、ステージのＸ方向の移動時の反射光の重心位置を算出するステップと、ステージをＹ方向に移動すると同時に、ステージのＹ方向の位置を測定し、かつ、基板の上面に対し斜めにレーザ光を照射し基板からの反射光を光位置センサで受光するステップと、ステージのＹ方向の移動時の反射光の重心位置を算出するステップと、ステージの位置測定結果と、算出された重心位置から、基板の位置を算出するステップと、を備える荷電粒子ビーム描画装置の基板位置検出方法。 （もっと読む）

【課題】 装置の複雑化、および生産性の低下を防ぎつつ、高精度での露光を可能にするレチクルの製造方法を提供する。
【解決手段】
基準チャック１０１で保持した場合の基準マスクブランクス１０４の第１の面形状を計測し、露光装置のレチクルチャック１０２で保持した場合の基準マスクブランクス１１０の第２の面形状を計測し、基準チャック１０１で保持した場合の描画用マスクブランクス１０４の第３の面形状を計測する。第１の面形状と第２の面形状の差分値を算出し、差分値と第３の面形状に基づいて、レチクルチャック１０２で保持した場合の描画用マスクブランクス１０４の第４の面形状を算出し、第４の面形状に基づいて、描画用マスクブランクス１０４にパターンを描画する。 （もっと読む）

【課題】マスクに荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、額縁状のフレーム１０ａにアースピン１０ｃを垂設して成るアース体１０をマスクＷにセットして描画を行うものにおいて、マスクにその種類に応じたアース体をセットでき、且つ、スループットの低下も防止できるようにする。
【解決手段】アース体１０用のセット室９に、複数種のアース体１０を保持し、これらアース体１０のうちからマスクＷの種類に応じた１つのアース体１０を選択してマスクＷにセットするセット装置１１を設置する。セット装置１１は、複数種のアース体１０を上下方向の間隔を存して保持する上下複数段の棚部１２ａ，１２ｂを有する保持枠１２と、この保持枠１２を昇降させる昇降手段１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】スクライブラインデータの設計時に、アライメントマークや計測マークなどのスクライブライン上に配置されるマークの配置ミスを低減することができるマーク配置検査方法を提供する。
【解決手段】マークの所定角度単位の回転またはミラー反転を検出するためのベクトル情報を有し、マスクに描画されない検査目印と、マークデータと、を有するマーク種データを作成し、マスクのスクライブライン上にマーク種データを配置したマスクデータを作成し、マスクデータ内のマーク種データごとに、マスクデータに設定された基準位置からの検査目印の座標を算出し、算出した座標と検査目印のベクトル情報とを用いて、検査目印の基準位置に対する配置状態を検出し、検査目印の配置状態を、マスクにおけるマーク種データの配置状態を規定した配置チェックルールと比較して、マーク種データがスクライブライン上に正しく配置されているかを判定する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単なフォトマスク基板の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明のフォトマスク基板の作製方法は、透明基板１００の第１面１１０に第１面遮光層１１１を設ける工程と、前記第１面遮光層１１１に所定の第１面開口パターン１１２を形成する工程と、前記透明基板１００の第２面１２０に第２遮光層１２１を設ける工程と、前記第２遮光層１２１に所定の第２面開口パターン１２２を形成する工程と、前記第２面開口パターン１２２で前記透明基板１００が露出している部分にＣＧＨパターン１２３を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩやＴＦＴ−ＬＣＤ等の製造において、ＴＦＴ等の電子デバイスのパターンをより精度よく製造することができるフォトマスクの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】描画機のステージ１０上に配置された場合のフォトマスクブランク１３の表面形状の変形を高さ測定手段１２で測定し、描画データ作成手段１５により、その表面形状の変形要因の中でフォトマスクが露光装置で使用される際には無くなる変形要因に起因する描画のずれについて、設計描画データを補正して描画データを得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１面本パターンと第２面本パターンとの位置ずれを簡便に小さくすることが可能となるフォトマスク基板の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板の第１面と第２面の両方に遮光パターンが形成されるフォトマスク基板を作製する方法であって、第１面に第１面本パターンと共に第１面アライメント専用マークを露光する工程と、第２面に第２面アライメント専用マークを露光する工程と、前記第１面アライメント専用マークと前記第２面アライメント専用マークと基づいてずれ量を計算する工程と、ずれ量分を補正して基板を位置決めする工程と、第２面に第２面本パターンを露光する工程と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１面本パターンと第２面本パターンとの位置ずれを小さくする両面フォトマスク基板の作製方法。
【解決手段】電子線描画装置により両面フォトマスク基板１０の第１面に第１面本パターンと共に第１面アライメントマークを描画する工程と、第２面アライメントマーク型と重ね合わせ用アライメントマーク型とが形成されたマスター基板３０を光学観測装置により観測し、前記第２面アライメントマーク型の光学観測像の観測位置が所定位置となるように調整する工程と、前記光学観測装置により観測し、前記観測位置と、前記第１面アライメントマークとが合致するように前記両面フォトマスク基板を配置する工程と、前記マスター基板に形成された前記第２面アライメントマーク型と前記重ね合わせ用アライメントマーク型に基づいて、前記両面フォトマスク基板に第２面アライメントマークと重ね合わせ用アライメントマークとを転写露光する工程と、からなる。 （もっと読む）