【課題】 本発明は、反射型マスクブランクスの基板に形成したアライメントマークが発塵源となることを防止し、前記アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法、並びに、反射型マスクブランクスの検査方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 前記アライメントマークの底部に丸みをつけて、垂直な側壁部分と、丸みを有する底部とを有する凹型のアライメントマークとするにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】極めて平坦度が高く、かつ、微小欠陥（凹状欠陥、凸状欠陥）を低減したマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド２１，１１が貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤２０と下定盤１０との間に、複数のガラス基板を挟持し、ガラス基板に上定盤側２０より研磨液を供給しながら、ガラス基板の両主表面を両面研磨する。ガラス基板の形状は四角形で、そのコーナー部においてノッチマークを少なとも１以上有する。ガラス基板の上記両面研磨は、ノッチマークが形成されていない一方の主表面を上定盤２０側にセットして行う。 （もっと読む）

【課題】ブランクマスクの欠陥等に起因する測定値の誤り発生を招くこと無しに、ブランクマスクの所望領域の表面粗さを迅速に測定する。
【解決手段】露光用マスクを作製するためのブランクマスクの表面粗さを測定するマスク表面粗さ測定方法であって、ブランクマスクに測定光を入射させ、該マスクによる暗視野像を取得する光学系を用い、該マスク上の任意領域の暗視野像を取得する第１のステップと、任意領域内の注目位置における暗視野像の像強度が予め定めておいたしきい値未満の場合に、該注目位置の周辺領域の像強度と予め定めておいた関係式とを用いて表面粗さを求める第２のステップと、任意領域の全ての点において第２のステップを繰り返し、得られた表面粗さを平均化する第３のステップと、第３のステップで得られた平均値を、任意領域の表面粗さとして出力する第４のステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光リソグラフィ用マスクの位相欠陥を簡便に救済する技術を提供する。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用マスクの製造に用いるマスクブランクの位相欠陥検査工程で位相欠陥が検出された場合、前記位相欠陥が凹欠陥か凸欠陥かを判定し、前記位相欠陥の凹凸に応じて、前記ＥＵＶリソグラフィ用マスクの前記位相欠陥を含む部位を局所的にデフォーカスさせて露光を行うことにより、ＥＵＶリソグラフィ用マスクの位相欠陥を修正することなく、半導体ウエハへの回路パターンの異常転写を抑制する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置の製造において、上面が平坦な終端構造とリセス状のアライメントマークとを少ないマスク数で形成すると共に、アライメントマークのリセスの深さを最適化する。
【解決手段】ハーフトーン露光法を用いて、ＳｉＣエピタキシャル層２に達する第１の開口部１２ａとＳｉＣエピタキシャル層２に達しない第２の開口部とを有するレジストパターン１１を、ＳｉＣエピタキシャル層２上に形成する。エッチングにより、第１の開口部１２ａに露出したＳｉＣエピタキシャル層２にリセス状のアライメントマーク９を形成すると同時に第２の開口部１２ｂをＳｉＣエピタキシャル層２に到達させる。その後、イオン注入により、第２の開口部１２ｂに露出したＳｉＣエピタキシャル層２に、終端領域８を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング対象が透光性を有し、且つパターンが微細である場合であってもエッチング処理の終点検出の精度を向上させることができる基板の製造装置および基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る基板の製造装置は、処理容器と、前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給部と、前記処理容器の内部を排気する排気部と、前記処理容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記処理容器の内部に設けられ基板を載置する載置部と、前記載置部に載置された前記基板の前記載置部に対峙する側の面に検出光を入射させ、前記基板からの反射光に基づいてエッチング処理の終点を検出する終点検出部と、を備えている。そして、前記終点検出部は、前記基板の前記面に対して垂直な方向から前記検出光を入射させ、前記基板の透光性を有する材料から形成された部分における前記エッチング処理の終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電子線レジスト組成物の高精度な感度管理をするための感度検査方法を用いた、高精度に管理されたレジスト組成物の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 レジスト組成物用材料と溶剤からなるレジスト組成物原体を調製し、該レジスト組成物原体を一部採取し、該採取したレジスト組成物原体を用いて試験用基板上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜にパターン照射を含むパターン形成処理を行ってレジストパターンを形成し、形成された該レジストパターンのサイズと前記パターン照射時の照射エネルギー量に基づいて前記レジスト組成物原体の感度を検定した後、該感度検定結果を基に前記レジスト組成物原体に加える追加材料の量を調整して前記レジスト組成物原体の感度調整を行う化学増幅型レジスト組成物の製造方法において、前記パターン照射を電子線ビーム照射により行うことを特徴とする化学増幅型レジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大型サイズの基板であっても、なお且つ複数種類の基板サイズに対しても、いずれも欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜する際に用いるスパッタリング装置であって、少なくとも一つ以上の成膜チャンバと、成膜チャンバ内に配置される複数のスパッタリングカソード７と、複数のスパッタリングカソード７と対向配置され、成膜中、基板が一定位置に配置されるように基板を保持する基板保持手段９５と、スパッタリングガスを、複数のスパッタリングカソード７間を通過して基板表面の近傍に供給するスパッタリングガス供給手段９とを備える。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によって形成する成膜方法において、従来より均一な膜厚を形成する。
【解決手段】基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法であって、スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを１軸の圧延方向に圧延したものであり、前記薄膜が、前記基板を被成膜面の中心を通る回転軸で回転させながら成膜され、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面が、前記基板の被成膜面と対向し、かつ前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記基板の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置される、成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ハーフトーン型の位相シフト反射型マスクを製造する場合のような、吸収体パターンの膜厚に対する厳しい精度の要求を満たすことのできる反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 吸収層をパターン状にエッチング加工して吸収体パターンを形成する工程の後に、形成された吸収体パターンの膜厚を測定し、この測定で得られる膜厚と所望の膜厚との差分に基づいて、さらに前記吸収体パターンを全面エッチングして、前記吸収体パターンの膜厚を所望の膜厚範囲に調整することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の一面または両面にシリコーンコーティング層を形成させることにより、反射率を低めるとともに透過率を増加させ、解像度及び回路具現の工程能力が向上されたフォトマスクを提供する。
【解決手段】本発明によるフォトマスク１００は、ガラス基板１１０と、ガラス基板１１０上の一面に遮光膜として形成されたクロム層１２０と、クロム層１２０の一面に反射膜として形成されたシリコーンコーティング層１３０を含んで形成される。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上に所望の回路パターンを形成する。
【解決手段】基板１０１上に設けられかつ露光光を反射する反射層１０２と、反射層１０２上に設けられかつ露光光を吸収する吸収層１０４とを有し、マスク面上に斜入射する露光光を反射して露光を行う光反射型フォトマスクの製造方法であって、吸収層１０４にマスクパターンを形成する工程と、吸収層１０４に形成されたマスクパターンの寸法を測定する工程と、前記測定結果に基づいて、吸収層１０４の膜厚を変化させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、転写パターンに損傷を及ぼす危険性を解消しつつ、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部のオーバー露光を抑制できる遮光領域を有する反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 遮光領域における反射層に段差を形成し、段差上面からの反射光と、段差底面からの反射光との間に位相差を生じさて、遮光領域から放射される反射光全体の強度を低減することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】密着露光装置に使用してもグレイスケールの発現するバイナリータイプのフォトマスクを提供することである。
【解決手段】基板４上のレジスト３に密着させてパターン露光に用いるバイナリーグレイトーンフォトマスク１であって、フォトマスクの遮光層２は、波長がλである露光光の解像限界以下の複数の開口部７を内部に含む全体としては解像限界以上の開口部領域と解像限界以上の単純な開口部８とを有しており、且つ前記開口部領域を囲む遮光層２上と単純な開口部８を囲む遮光層２上にスペーサが形成されていることを特徴とするバイナリーグレイトーンフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】半透光膜がエッチングされてしまうことをより確実に防ぐ。
【解決手段】遮光部は、半透光膜、エッチングストッパ膜、及び遮光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、半透光部は、半透光膜が透明基板上に形成されてなり、透光部は、透明基板が露出してなり、エッチングストッパ膜は、半透光膜の表面粗さの１．５倍以上の膜厚を有している。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、静電チャックと反射型マスクとの間に異物を挟んでしまった場合であっても、反射型マスクが歪んでしまうことを防止して、高いパターン転写精度を実現し、さらに、静電チャックおよび反射型マスクの双方の損傷を防止することができる反射型マスクブランクス、反射型マスク、反射型マスクブランクスの製造方法、および、反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 異物に対して軟らかい材料からなり、厚みのある導電層を反射型マスクの裏面に形成することで、静電チャックへの吸着時に、異物を前記導電層内部に取り込むことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】露光装置のマスクステージにチャックした後の平坦度が良好なマスクブランク用基板。
【解決手段】マスクステージにチャックされる側の主表面における外周端面から内側２ｍｍの領域を除いた方形の領域１６０の平坦度が０．６μｍ以下であり、前記領域１６０は、マスクパターンを形成するための方形領域であるパターンエリア１４０を含み、前記領域１６０のコーナー部における形状は、基板主表面の中心を通り基板の四隅の頂点を結ぶ対角方向における基板主表面の形状を測定したときに、前記基板主表面における外周端面から内側１５ｍｍの領域を除いた内側方形領域１７０のコーナー１８０における高さを基準としたときの外周端面から内側１０ｍｍの領域を除いた外側方形領域（この場合、パターンエリア１４０と同じ）のコーナー１９０における高さが、−０．０２μｍ以上０．０５μｍ以下であることを特徴とするマスクブランク用基板。 （もっと読む）

【課題】微小立体形状の寸法に依存せずに微小立体形状の高さを揃えて形成することができる高精度のフォトマスク得る。
【解決手段】遮光領域で囲まれた微小立体形状領域のパターンが形成されたフォトマスクであって、前記微小立体形状領域の寸法Ｄが、フォトマスクのパターンを被露光基板に投影する投影レンズの開口比ＮＡと露光光の波長λに関する境界寸法Ｒ＝λ／ＮＡに関して、前記寸法Ｄが前記境界寸法Ｒの２倍以下の前記微小立体形状領域の光透過率を、前記寸法Ｄが前記境界寸法Ｒの３倍以上の微小立体形状領域の光透過率よりも小さくしたフォトマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、吸収体層のエッチング後の工程検査で、ハードマスク層を除去することなく欠陥検査することを可能にし、さらに、この工程検査で黒欠陥が見つかった場合でも、複雑な工程を要することなく、容易に欠陥修正が可能なＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス、反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 吸収体層エッチング後のハードマスク層表面とバッファ層表面との段差を、欠陥検査に使用する検査光の１／４波長の奇数倍の大きさに調整し、検査光を垂直に照射した際の、ハードマスク層表面からの反射光と、バッファ層表面からの反射光の位相差によるエッジ遮光効果を利用して欠陥検査を行うことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＴａとＮを含有する材料からなる極端紫外線吸収膜を有する基板を用い、前記極端紫外線吸収膜に対して炭素（Ｃ）を含むガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、前記極端紫外線吸収膜にパターンを形成する工程を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、前記工程でのプラズマエッチングの終点を高精度に検出する。
【解決手段】酸窒化タンタル（ＴａＯＮ）からなる低反射膜１６および窒化タンタル（ＴａＮ）からなる極端紫外線吸収膜１５にパターンを形成するためのプラズマエッチング工程で、プラズマエッチング中に発生する光を分光し、エッチング反応生成物であるシアン（ＣＮ）に起因する３８８ｎｍを含む範囲の波長の発光強度を測定し、その強度変化からプラズマエッチングの終点を検出してプラズマエッチングを終了する。 （もっと読む）