【解決手段】透明基板上に光を吸収する膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造において、光を吸収する膜を形成した後に、該光を吸収する膜に閃光ランプ光を照射するフォトマスクブランクの製造方法であって、基板を５０〜３００℃に加熱し、照射する閃光ランプ光のエネルギー密度を、閃光ランプ光の照射により上記光を吸収する膜の膜応力が０ＭＰａとなるエネルギー量を中心値とする±５Ｊ／ｃｍ²の範囲とし、累積照射時間を１ｓｅｃ以下として照射することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
【効果】反り量を所定の範囲に自在に制御して最適化したフォトマスクブランク及びフォトマスクが得られる。 （もっと読む）

【課題】半透光部のパターンの形状が微細化しても、被転写体上のレジストパターンの寸法制御が容易となり、線幅精度を向上させることができる多階調フォトマスク及びパターン転写方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透明基板上に半透光膜及び遮光膜を有し、前記半透光膜及び前記遮光膜のパターンにより遮光部、透光部、及び半透光部が形成された多階調フォトマスクであって、前記多階調フォトマスクは、平面視において、前記遮光部１１間に挟まれた半透光部を有し、前記半透光部は、第１透過率を持つ第１半透光領域１２と、前記遮光部１１と前記第１半透光領域１２との間に設けられ、前記第１透過率よりも高い第２透過率を持つ第２半透光領域１３と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスクパターンを形成するための薄膜の欠陥発生を抑えた高品質のマスクブランクを、高い歩留まりで製造することのできるマスクブランクの製造方法と、前記マスクブランクの薄膜をパターニングして製造する転写マスクの製造方法、並びに前記マスクブランクの製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】シリコンを含有するスパッタリングターゲット１４であって、ターゲットの硬度が、ビッカース硬さで９００ＨＶ以上であるスパッタリングターゲットを用いて、基板１上にマスクパターンを形成するための薄膜をスパッタリング法で形成し、欠陥発生を抑えた高品位のマスクブランクを製造し、さらに、薄膜をパターニングすることで転写マスクを製造した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マスクに貼り付ける為の粘着剤の表面が平坦なペリクルを得ることを課題とする。
【解決手段】ペリクルフレームを保持せず、ペリクルフレームの自重で粘着剤を平坦に成型することにより、ペリクルフレームの歪みの影響が排除され、平坦な粘着剤層を成型することができる。 （もっと読む）

【課題】真空紫外光を用いて高精細かつ複雑なパターン状に、正確に機能性層が分解除去されたパターン形成体を、高感度で製造する。
【解決手段】真空紫外光を照射することにより分解可能な機能性材料の機能性層１ｂを有するパターン形成用基板１を用い、機能性層上にメタルマスク１０を配置する工程と、反応性ガスの存在下で、メタルマスクを介して機能性層の表面に真空紫外光を照射して、機能性層の一部をパターン状に除去する工程とを有するパターン形成体の製造方法であって、メタルマスクが、金属薄板からなり、開口部１２を有するメタルマスク本体１１と、開口部を架橋するように形成されたブリッジ部分１３とを有し、かつ、機能性層上に配置された際に、機能性層とブリッジ部分との間に反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、ブリッジ部分が形成されていることを特徴とする、パターン形成体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザー露光用フォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクに関し、半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の世代、特にｈｐ３２−２２ｎｍ世代に必要な遮光層の薄膜化（ひいては遮光膜、転写パターンの薄膜化）を目的とする。
【解決手段】透光性基板上に、モリブデンの含有量が２０原子％超、４０原子％以下であるモリブデンシリサイド金属からなり、層の厚さが４０ｎｍ未満である遮光層１２と、遮光層１２に接して形成され、酸素、窒素のうち少なくとも一方を含むモリブデンシリサイド化合物からなる反射防止層１３と、遮光層１２の下に接して形成される低反射層１１とからなる遮光膜１０を備える
ことを特徴とするフォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】真空紫外光を用いて浮島パターン状に真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を高感度で製造する。
【解決手段】パターン形成用基板１０１のパターン形成面上にメタルマスクを配置し、反応性ガスの存在下において上記メタルマスクを介して上記パターン形成面に真空紫外光を照射することにより、上記パターン形成面がパターン状に真空紫外光照射処理する方法に用いられる真空紫外光用メタルマスク１０であって、金属薄板からなり、開口部を有するメタルマスク本体１と、上記メタルマスク本体の開口部内に配置された浮島部分２と、上記浮島部分およびメタルマスク本体を接続するブリッジ部分３とを有し、かつ、上記パターン形成用基板上に配置された際に、上記パターン形成面とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分を形成する。 （もっと読む）

【課題】遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減する。その結果、レジスト膜の薄膜化（３００ｎｍ以下）が可能となり、パターンの解像性、パターン精度（ＣＤ精度）を向上できる。更に、ドライエッチング時間の短縮化により、断面形状の良好な遮光膜のパターンが形成することができるフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランクにおいて、前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターン３ａをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、前記遮光膜は、前記ドライエッチング処理において、前記レジストとの選択比が１を超える材料で構成した。 （もっと読む）

【課題】基材との密着性に優れた金属粒子含有膜を備え、種々の波長に対する遮光性に優れる遮光部材の作製方法を提供すること。
【解決手段】（ａ）露光によりラジカルを発生しうる基材上に、ラジカル重合可能な不飽和部位と金属イオン又は金属塩を吸着する部位とを有する化合物を接触させた後、露光を行うことにより、前記基材上に直接結合したポリマーを生成させてポリマー層を形成する工程と、（ｂ）該ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、（ｃ）該金属イオン又は金属塩中の金属イオンを還元して、体積平均粒径が５ｎｍ以上５００ｎｍ以下の金属粒子を析出させる工程と、を有することを特徴とする遮光部材の作製方法。 （もっと読む）

【課題】極めて微細なパターンを形成できるフォトマスクブランク及びそのフォトマスクブランクに微細パターンを形成したフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に少なくとも２層からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、前記遮光膜は、タンタル窒化物を主成分とし、キセノンを含む材料からなる遮光層と、該遮光層の上面に積層されるタンタル酸化物を主成分とし、アルゴンを含む材料からなる反射防止層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光波長の短波長化や露光光の透過率の高透過率化に対応し、高い加工精度を有するハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】位相シフトマスク１０は、１４０ｎｍから２００ｎｍの露光光波長範囲で使用されるものであり、位相シフター部５は、金属を１０原子％以下含有する、金属、珪素、酸素、及び窒素を主構成要素とする膜と、前記膜と透明基板との間に形成されたエッチングストッパー膜とからなり、前記位相シフター部５は、前記露光光波長における透過率が３〜４０％であり、前記エッチングストッパー膜は、前記露光光波長における透過率を調整する機能を有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。 （もっと読む）

【課題】高感度で形成することができ、金属を多量に含有してなる、膜厚あたりの吸光度が高いポリマー膜を備えた遮光材料、その製造方法、及び、該遮光材料を用いたフォトマスク材料を提供する。
【解決手段】支持体上に、金属イオン吸着基と重合性基とを有するポリマーと金属イオン吸着基を有するモノマーとを含有する組成物にエネルギー付与することで生成したポリマー膜と、該ポリマー膜に吸着した金属イオンを還元して得られる金属とを有することを特徴とする遮光材料。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク面に非垂直入射する露光光成分などに起因して生じるパターン解像度の低下を抑制すること。
【解決手段】フォトマスクの遮光性膜１２は、その側面により反射される露光光が透光部側へと全反射するような光学膜となっている。つまり、フォトマスクの表面に角度θで入射した露光光の透明基板１１中での光路上に遮光性膜１２の側面があった場合にも、当該露光光成分は遮光性膜１２の側面で透光部側へと全反射され、遮光性膜１２によって遮蔽されることなく露光に寄与することとなる。このような全反射を得るためには、フォトマスクへの露光光の入射角をθ、透光部の屈折率をｎ_ｔとしたとき、ｎ_ｆ＜ｎ_ｔ・ｓｉｎ（π／２−ｓｉｎ^−１（ｓｉｎθ／ｎ_ｔ））の条件を満足する屈折率ｎ_ｆの遮光性膜１２を用いることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、ａ）透明な支持体を用意するステップと；ｂ）カラーマスクをその透明な支持体の第１の側に形成するステップと；ｃ）可視光に対して感受性のある堆積阻害材料を含む第１の層を適用するステップと；ｄ）カラーマスクを通して第１の層を可視光に露光して第１のパターンを形成し、堆積阻害材料を現像して堆積阻害材料が実質的にない選択された領域をもたらすことによって、堆積阻害材料を含む第１の層をパターニングするステップと；ｅ）透明な支持体の上に機能性材料からなる第２の層を堆積させるステップを含み、機能性材料の第２の層を、透明な支持体上で堆積阻害材料のない選択された領域にだけ実質的に堆積させる、構造体を形成する方法に関する。
（もっと読む）

【課題】高感度で経時安定性に優れた感光性組成物、それを用いた高密度に機能性材料を保持しうるポリマー層を備えた積層体、高密度に金属粒子が存在し、且つ、支持体に対する密着性に優れた画像様の金属膜を備えた遮光材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）光重合開始剤と、（Ｂ）下記一般式（１）で表される架橋性ポリマーを含むことを特徴とする感光性組成物である。一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^４は水素原子、又はアルキル基を示す。Ａは、カルボキシル基等の酸基を含む置換基を示し、Ｂは、カルボキシル基等酸基のアンモニウム塩から選択される部分構造を含む置換基を示し、Ｃは、架橋性基を含む置換基を示し、Ｄはアルキル基等である。ｗ、ｘ、ｙ、及びｚは表示された構造単位のモル比を表す。
（もっと読む）

【課題】パターン転写時の露光装置に高ＮＡの露光方法を利用した場合の焦点深度による影響に対応でき、デバイス上にハーフピッチ４５ｎｍ以下の高精度の微細パターンを形成するのに好適な遮光膜を備えたフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランク１０であって、前記遮光膜２は、金属と珪素（Ｓｉ）を含み、該金属の含有量が、金属と珪素（Ｓｉ）との合計に対し６原子％未満である。また、このフォトマスクブランク１０における上記遮光膜２をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半透明領域および透過領域が隣接している領域で光の干渉による露光不良パターンが生じ難い階調マスクおよびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上にパターン状に形成された半透明膜とを有し、上記透明基板が露出した透過領域および上記透明基板上に上記半透明膜が設けられた半透明領域を有し、上記透過領域および上記半透明領域が隣接するパターンを有する階調マスクであって、この階調マスクを用いて露光する際の光強度分布のシミュレーションを行った場合に、上記透過領域および上記半透明領域の境界から５μｍ以内の距離の領域で、上記透過領域から上記半透明領域に向けて光強度が単調に減少し、光強度分布に変曲点をもたないものであることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】高密度に金属粒子が存在し、且つ、支持体に対する密着性に優れた画像様の金属膜を備えた薄層金属膜材料を提供すること。
【解決手段】本発明の薄層金属膜材料は、支持体と、該支持体上に重合性基を有するカップリング剤を用いて形成された中間層と、該中間層に対し、架橋性基を有する化合物を含む組成物を接触させた後、該組成物に画像様にエネルギーを付与して生成した、該中間層表面に直接結合してなるポリマーからなる画像様のポリマー層と、該画像様のポリマー層中に含有される金属粒子と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの額縁部の透明導電膜からの電圧リーク防止用の絶縁膜を透明導電膜上に形成する際に、工数を増やさず絶縁膜を形成するフォトマスク、電圧リーク防止したカラーフィルタの製造方法。
【解決手段】周辺駆動回路６２と対向するカラーフィルタ上の部位に設ける電圧リーク防止用の絶縁膜５７に対応したフォトマスク上にハーフトーン部３２を有すること。透明導電膜５４が形成されたガラス基板５０上に、フォトレジスト塗膜２０を設け、露光・現像によりフォトスペーサーを形成する工程を具備し、前記フォトマスクを用い周辺駆動回路と対向する部位に絶縁膜５７をフォトスペーサーＰｓの高さより低く、フォトスペーサーの形成と同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】微細なマスクパターンの形成を阻害することなく、露光時の蓄熱に起因したメンブレンの歪みや位置ずれ等の発生を抑止ないしは解消することを可能とした、荷電粒子線露光用マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】上側のシリコンウエハ２００と下側のシリコンウエハ１００とを重ね合わせてなる２段構造を備え、前記下側のシリコンウエハ１００の表側には転写用パターンを形成し、前記上側のシリコンウエハ２００の表側には前記下側のシリコンウエハ１００の表側に形成したパターンを左右反転または上下反転させた転写用パターンを形成し、前記上側のシリコンウエハ２００の表側と前記下側のシリコンウエハ１００の表側とを、当該両シリコンウエハ１００、２００の転写用パターン３、６同士が合致するように貼り合せる。 （もっと読む）