【課題】 ＡｒＦ露光光を用いた光透過型リソグラフィにおいて、表面反射率および裏面反射率が低減された、さらなる微細化に対応可能なマスクブランクを提供する。
【解決手段】 合成石英からなる基板１１上に、スパッタリングターゲットにＴａを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ）の混合ガス雰囲気で、ＤＣマグネトロンスパッタにより、ＴａＮ（膜組成比 Ｔａ：８４．０原子％，Ｎ：１６．０原子％）からなる遮光層１２を４３ｎｍの膜厚で成膜する。次に、遮光層１２が成膜された基板１１を枚葉式ＲＦスパッタ装置内に設置し、遮光層１２の上に、ＴａＳｉＯ混合焼結ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気で、ＲＦマグネトロンスパッタにより、ＴａＳｉＯ（膜組成比 Ｔａ：２７．４原子％，Ｓｉ：５．９原子％，Ｏ：６６．７原子％）からなる表面反射防止層１３を１２ｎｍの膜厚で成膜する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィでの露光に使用することに伴う遮光膜の劣化を抑制することにより、ウエハーへの解像不良を抑制するフォトマスクとその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板の表面に遮光膜を備えたフォトマスクにつき、遮光部を形成している金属膜の表面を不動態化したものとする。不動態化は酸化処理によって行うのが好ましく、例えば、ＨＮＯ_３処理か又はオゾン水処理のいずれかが好適である。金属遮光膜の表面の不動態化処理により酸化皮膜を生成させることで、ＡｒＦにより発生するオゾンとＡｒＦエネルギーによる影響で生じるＣｒＯ_３への変化を妨げ、遮光膜の劣化を抑制し、フォトマスクをより長期間安定的に使用できるようになる。 （もっと読む）

【課題】 エッチング率が異なる多数の反射膜を効果的にパターニングして精度を向上させることができるレーザ反射型マスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 レーザビームの反射領域に所定の深さの反射膜埋め込み溝が形成されているベース基板の上部に、反射率差を有する反射膜を順次繰返して積層し、化学機械研磨工程や、レーザビームの照射またはエッチング液によるリフトオフ工程を通じて、反射膜埋め込み溝に埋め込まれた部分を除いた残りの領域に積層された反射膜を除去し、溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成することにより、マスクの製造工程を容易にすると共に、正確なパターンを形成することができるレーザ反射型マスク及びその製造方法に関する。また、ベース基板の上部に犠牲膜を形成するステップと、ベース基板におけるレーザビームの反射領域と予定された領域に対するエッチング工程を通じて、犠牲膜及びベース基板をリセスして犠牲膜パターン及び所定の深さの反射膜埋め込み溝を形成するステップと、犠牲膜パターン及び反射膜埋め込み溝が形成されたベース基板の上部に、反射率の異なる第１の反射膜と第２の反射膜を、反射膜埋め込み溝が完全に埋め込まれるまで交互に繰返して積層するステップと、ベース基板の底面方向からベース基板にレーザビームを照射し、犠牲膜パターンと犠牲膜パターンの上部に積層された第１及び第２の反射膜を除去するレーザリフトオフ工程を通じて、反射膜埋め込み溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成するステップと、ベース基板の上部に残留する犠牲膜パターンを除去するステップと、を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程において、レジストパターンの形状制御を正確に行い、再現性や安定性を向上させることができる多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】透光部、遮光部及び露光光の一部を透過する半透光部を含む所定の転写パターンを有し、エッチング加工がなされる被転写体上に形成されたレジスト膜に対して所定のパターンを転写させ、レジスト膜をエッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなす多階調フォトマスクの製造方法において、レジスト膜に使用するレジストの露光光に対するレジスト特性を把握する工程と、レジスト特性に基づいて半透光部の露光光に対する実効透過率を決定する工程と、実効透過率に基づいて少なくとも透明基板上に形成された遮光膜をパターニングすることにより半透光部を形成する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】微細かつ高精度な露光パターンを形成することが可能な位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスクを提供する
【解決手段】本発明の一形態に係る位相シフトマスク１は、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域のいずれかの光に対して１８０°の位相差をもたせることが可能な位相シフト層１３Ｐ１を有する。これにより、上記波長領域の光を露光光として用いることで、位相の反転作用により光強度が最小となる領域を形成して、露光パターンをより鮮明にすることができる。位相シフト層１３Ｐは、４０％以上９０％以下の窒化性ガス及び１０％以上３５％以下の酸化性ガスを含む混合ガスの雰囲気下、クロム系材料のターゲットをスパッタすることで形成される。 （もっと読む）

本発明は、基板（Ｓ）及び層構成体を備え、層構成体がそれぞれ個別層の少なくとも２つの周期（Ｐ_２、Ｐ_３）の周期的配列からなる複数の層サブシステム（Ｐ’’、Ｐ’’’）を備え、周期（Ｐ_２、Ｐ_３）が高屈折率層（Ｈ’’、Ｈ’’’）及び低屈折率層（Ｌ’’、Ｌ’’’）に関して異なる材料から構成される２つの個別層を含み、各サブシステム（Ｐ’’、Ｐ’’’）内で、隣接する層サブシステムの周期の厚さから逸脱した一定の厚さ（ｄ_２、ｄ_３）を有する、ＥＵＶ波長域用のミラー（１ａ；１ｂ；１ｃ）に関する。ミラーは、基板（Ｓ）から２番目に遠い層サブシステム（Ｐ’’）が有する周期（Ｐ_２）の配列が、基板（Ｓ）から最も遠い層サブシステム（Ｐ’’’）の第１高屈折率層（Ｈ’’’）が基板から２番目に遠い層サブシステム（Ｐ’’）の最終高屈折率層（Ｈ’’）の直後に続くように、且つ／又は基板（Ｓ）から最も遠い層サブシステム（Ｐ’’’）が基板（Ｓ）から２番目に遠い層サブシステム（Ｐ’’）の周期（Ｐ_２）の数（Ｎ_２）よりも多い周期（Ｐ_３）の数（Ｎ_３）を有するようになっていることを特徴とする。本発明はさらに、上記ミラー（１ａ；１ｂ；１ｃ）を備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ、及び当該投影対物レンズを備える投影露光装置に関する。 （もっと読む）

【課題】少ない半透光膜の膜数と少ない描画回数で製造できる５階調フォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上１４に、遮光部１２、透光部１１及び第1半透光部１３Ａと第２半透光部１３Ｂと第３半透光部１３Ｃからなるマスクパターンを有する５階調フォトマスクである。遮光部１１は少なくとも透明基板上１４に形成された遮光膜により形成され、透光部１１は露出した透明基板１４により形成され、第1半透光部１３Ａ、第２半透光部１３Ｂ及び第３半透光部１３Ｃは、透明基板上１４に形成された膜固有の露光光透過率の異なる第１半透光膜１６と第２半透光膜１７、及び第１半透光膜１６と第２半透光膜１７の積層膜のうちのそれぞれいずれかにより形成され、第1半透光部１３Ａ、第２半透光部１３Ｂ及び第３半透光部１３Ｃのうち２つは同一の実効透過率を有する線幅が異なるパターンである。 （もっと読む）

【課題】効率的に膜応力の低減が可能であるフォトマスクブランクの製造方法
等を提供する。
【解決手段】透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有
するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成する
ための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてス
パッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱す
る工程をと有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面が清浄な状態となされたマスクブランクス、または、転写マスクを製造することができるマスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法を提供し、また、ＡｒＦエキシマレーザ光以上の量子エネルギを有する露光光を用いる場合において好適なマスクブランクス、または、転写マスクを製造することができるマスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法を提供する。さらに、化学増幅型レジスト膜が成膜されたマスクブランクスの好適な製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の薄膜２，３をスパッタリング法により成膜した後、この薄膜２，３の表面に電磁波を照射することによりこの薄膜２，３の表面に付着した有機物質を分解し、薄膜２，３の表面に純水を供給して湿式洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半透明領域間の透過率差が小さい場合であっても、透過率差が精度良く調整された半透明領域を容易に形成することができる階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上に直接形成され、遮光膜形成材料からなる遮光膜と、上記透明基板上に形成され、半透明膜形成材料からなる半透明膜と、上記半透明膜上に直接形成された透過率調整層形成材料からなる透過率調整層と、を有する階調マスクであって、上記透明基板からなる透過領域と、上記透明基板および上記遮光膜を少なくとも含む遮光領域と、上記透明基板および上記半透明膜からなる第１半透明領域と、上記透明基板、上記半透明膜および上記透過率調整層からなる第２半透明領域とを備え、上記透過率調整層の波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内の平均透過率が６０％以上であることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】遮光材料を大量に含有する場合であっても露光により高感度で硬化し、且つ保存安定性及びセーフライト適性に優れたフォトマスクブランクス、及び、該フォトマスクブランクスを用いて作製された、高解像度で画像形成が可能であり、画像エッジ部の直線性の高いフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される増感色素と、（Ｂ）重合開始剤と、（Ｃ）エチレン性不飽和結合を有する化合物と、（Ｄ）バインダーポリマーと、（Ｅ）遮光材料と、を含む感光性組成物層を有するフォトマスクブランクス。一般式（Ｉ）中、ＡはＳ原子又はＮＲ⁷を表し、Ｙは隣接するＡ及び炭素原子と共同して色素の塩基性核を形成する非金属原子団を表し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶はそれぞれ独立に水素原子又は非金属原子からなる１価の基を表し、Ｒ⁷はアルキル基又はアリール基を表す。
（もっと読む）

【課題】本発明は、高感度で、解像度に優れたパターンを形成しうるフォトマスクブランクス、及び前記本発明のフォトマスクブランクスを用いてなり、細線等の微細パターンを有するものであっても、遮光膜の膜強度とマスク洗浄の溶剤に対する溶剤耐性に優れたフォトマスクを提供する
【解決手段】基板上に、（Ａ）下記一般式（ａ）で表される化合物と、（Ｂ）重合開始剤と、（Ｃ）エチレン性不飽和結合を有する化合物と、（Ｄ）バインダーポリマーと、（Ｅ）遮光材料と、を含む感光性組成物層を備えるフォトマスクブランクスである。


前記一般式（ａ）中、Ｒ^１〜Ｒ^６は、各々独立に、水素原子または１価の置換基を表す。
（もっと読む）

【課題】高感度であり、保存安定性及びセーフライト適性に優れたフォトマスクブランクス、並びに、解像度が高く、画像エッジ部の直線性に優れたフォトマスクの提供。
【解決手段】基板上に、（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される増感色素と、（Ｂ）重合開始剤と、（Ｃ）エチレン性不飽和化合物と、（Ｄ）バインダーポリマーと、（Ｅ）遮光材料と、を含有する感光性組成物層を有するフォトマスクブランクス。一般式（Ｉ）中、Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、−ＣＲ^１１Ｒ^１２−、又は−ＮＲ^１３−を表す。但し、Ｘ^１及びＸ^２の少なくとも一方は、酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ^１３−である。Ｙは、酸素原子、硫黄原子又は＝ＮＲ^１４を表す。Ｒ^１〜Ｒ^１４は、それぞれ独立に水素原子又は一価の非金属原子団を表す。Ｒ^１〜Ｒ^１４は、それぞれ互いに結合して脂肪族性又は芳香族性の環を形成していてもよい。
【化１】
（もっと読む）

【課題】少ないドーズ量でＥＵＶ光の反射率を低下させたパターンを形成できるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】極端紫外光を反射可能な多層反射膜１２を有する基板１０における多層反射膜１２の面上に、極端紫外光の吸収係数が高く、かつ、多層反射膜１２の最表面層と混合されることによりエッチング速度が低下する高吸収膜１４を形成する成膜工程と、高吸収膜１４に対してイオンビーム２０を照射して少なくとも前記最表面層と高吸収膜１４との間に前記最表面層と高吸収膜１４とが混合された第二混合層３２と第一混合層３１を生じさせるミキシング工程と、前記ミキシング工程に続いてエッチングによって第二混合層３２を除く高吸収膜１４の成分を除去して多層反射膜１２の最表面層および第二混合層３２を露出させるエッチング工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】露光による膜劣化を抑制するために遮光膜の酸化を制御して、透過部を形成する基板に存在する硫酸等のＨＡＺＥ発生要因物質を露光により凝集させない、環境に由来するアンモニア等との結合を防ぎ長寿命化を図るフォトマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透過部である基板を準備し、基板上に遮光部である遮光膜を形成し、遮光膜の表面に有機シリコーンを吸着させ、オゾン等活性種が共存する雰囲気下で所望の波長で照射することでＳｉＯ_２化することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】遮光材料を大量に含有する場合であっても、露光により高感度で硬化し、細線の太りが抑制された高解像度の画像を形成しうるフォトマスクブランクス、及び、該フォトマスクブランクスを用いて作製された、高解像度な遮光層を有するフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に、（Ａ）重合開始剤、（Ｂ）エチレン性不飽和結合を有する化合物、（Ｃ）バインダーポリマー、及び、（Ｄ）遮光材料、を含む感光性組成物層を有し、透明基板日の感光性組成物層を有しない面に反射防止層を備えるフォトマスクブランクスであり、該反射防止層は水溶性ポリマーを含有し、波長４０５ｎｍにおける分光濃度が１．５以上３．０以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】パターンの解像度が高く、かつ、低露光の露光量を精密に制御することができる濃度分布マスクを得る。
【解決手段】微小網点図形の厚さが、透過光の位相を、１８０度を中心として１７０度以上１９０度以下位相シフトする厚さであり、前記微小網点図形の透過率が１％以上１０％以下であり、前記微小網点図形を透過する光量と前記微小網点図形間の微小間隙を通過する光量を同じ値にして光を相殺させた遮光領域を形成した濃度分布マスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク表面の成長性異物を確実に低減させるフォトマスクの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】フォトマスクにおいて、透光性基板１の主表面上にＣｒを含有する遮光膜の形成及びパターニング実施することにより遮光膜パターン２ａを形成し、その後に、当該遮光膜パターン２ａに含有されるＣｒについてＣｒイオン低減処理を実施することで、成長性異物の発生の主要因であるＣｒイオンを低減させることができ、成長性異物の発生を抑制することができることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マスクに紫外線を照射することにより、洗浄時におけるマスクパターンのクリティカルディメンジョンの損失を抑える方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、石英基板上に主としてＭｏＳｉ又はＭｏＳｉＯ又はＭｏＳｉＯＮ又はＭｏＳｉＮを含むＭｏＳｉ系のモリブデンシリサイド膜とクロム系の遮光膜でパターンを形成したハーフトーン型位相シフトマスクに対し、超クリーンな空気又は窒素と酸素を含む混合気体又は酸素を含む気体を供給しながら、波長が１２６〜２２２ｎｍの紫外線エキシマ光を照射して側表面を不動態化させることで、マスクを繰り返し洗浄してもパターンの寸法幅（クリティカルディメンジョン）の損失を抑えることを特徴とするマスクのクリティカルディメンジョン保持方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】ｉ線〜ｇ線の波長帯域に亘る透過率変化量を抑制しながら所望の透過率に調整できるＦＰＤ用大型多階調フォトマスクブランク及びフォトマスク並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、露光光のｉ線〜ｇ線の波長帯域に対する透過率スペクトルが互いに異なる２以上の半透光膜の積層膜からなる半透光膜と、露光光を遮光する遮光膜をこの順で有し、前記半透光膜と前記遮光膜にそれぞれパターニングが施される。 （もっと読む）