【課題】 波長に対して依存性の無いハーフトーン特性を有するハーフトーンマスクを容易に製造することが可能なハーフトーンブランクスを提供する。
【解決手段】 透明基板１上に、半透過膜２、エッチングストッパー膜３、遮光膜４が順次形成されている。エッチングストッパー膜３は、遮光膜４をエッチングする際にエッチングが半透過膜２まで進行しないようにする。遮光膜４及び半透過膜２はクロムより成る膜である。半透過膜２は、ハーフトーン露光を行うための所定の半透過特性が得られるよう遮光膜４より薄い厚さで形成されている。半透過膜２は、アルゴン５０％、炭酸ガス５０％の混合ガス雰囲気中でクロム製のターゲットをスパッタすることにより作成されている。 （もっと読む）

【課題】遮光層における開口部に補強効果のあるポーラス構造（多孔構造）を持たせ、側壁の垂直性が高く、反射による光のロスを低減することを可能にする露光マスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】露光光に対して透過性を有する基体１００と、該基体上に接して配置された遮光性領域１０２と透過性領域１０３とを備える遮光層１０１と、を有する露光マスクであって、該遮光層の透過性領域１０３は、該基体１００に対して垂直な複数の細孔１０４を有するポーラス構造であることを特徴とする露光マスク。 （もっと読む）

【課題】転写用マスクの転写パターン線幅の設計寸法と、基板上に形成された転写パターン線幅寸法との差（実寸法差）を抑え、Linearityを１０ｎｍ以下に抑えることが可能なマスクブランク及びマスクを提供する。
【解決手段】基板１２上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜１３と、この薄膜の上方に成膜された化学増幅型のレジスト膜２０を備えるマスクブランクであって、レジスト膜の化学増幅機能を阻害する物質がレジスト膜の底部からレジスト膜内へ移動することを阻止する保護膜２０を、前記薄膜とレジスト膜との間に備えている。 （もっと読む）

【課題】転写用マスクの転写パターン線幅の設計寸法と、基板上に形成された転写パターン線幅寸法との差（実寸法差）を抑え、Ｌｉｎｅａｒｉｔｙを１０ｎｍ以下に抑えることが可能なマスクブランク及びマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にマスクパターンを形成するための薄膜を成膜し、この薄膜の上方に化学増幅型のレジスト膜を成膜するマスクブランクの製造方法であって、
前記レジスト膜が成膜される薄膜上の面に存在する有機酸の総量を１μｇ／ｃｍ²以下
とし、この面の上に前記レジスト膜を成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用大型マスクにおけるウエットプロセス（レジスト剥離方法やエッチング方法、洗浄方法等）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、透過量を調整する機能を有するＭｏとＳｉを含む半透光性膜を少なくとも有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、
前記ＭｏとＳｉを含む半透光性膜は、マスクブランク及びマスクの製造工程及び使用工程で使用されるアルカリ水溶液（例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ））に１５分接触させた前後において、超高圧水銀灯から放射される少なくともｉ線からｇ線に渡る波長帯域における透過率の変化量が５％以下である、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 透過率を０％から１００％の間で制御でき、かつ、パターン形成も容易な階調マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 遮光領域を形成する遮光層に含まれる遮光成分がカーボンブラックであり、遮光成分であるカーボンブラックの量を増減することで透過率を変更することができる。遮光成分であるカーボンブラックの濃度を
増減させる方法としては異なる遮光領域ごとの膜厚を同一としたうえで遮光層に含まれるカーボンブラックの濃度を変更させることによって透過率を変更させる。 （もっと読む）

【課題】ＡＳＩＣを製造するフォトマスク群のうち、細い配線にも対応できる配線パターン層を描画することが可能となるフォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクの製造装置、配線基体および電子光学装置を提供する。
【解決手段】フォトマスクの製造方法は、エネルギー２０Ａを付与すると硬化する液体状の光透過性材料１２Ｂを光透過性の基体１０上の所定の領域１８の周囲に対して吐出して硬化させ、光透過性のバンク層１２を基体１０上に形成する。液体状の遮光性材料１４Ｂをバンク層１２によって区画される基体１０上の領域１８に対して吐出して硬化させ、遮光性の遮光性層１４を基体１０上に形成する。 （もっと読む）

【課題】従来のＴａ系材料よりも加工特性の良好な吸収体膜等を備え、転写精度の良好なパターン転写を実現できる反射型マスクブランクス及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１と、該基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜２と、多層反射膜２上の保護膜６と、バッファー層３と、露光光を吸収する吸収体膜４とを有する反射型マスクブランクス１０であって、吸収体膜４は、タンタル（Ta）を主成分とし、さらにハフニウム（Hf）またはジルコニウム（Zr）の少なくとも何れか一方の元素を含有する材料からなる。反射型マスク２０は、この反射型マスクブランクスの吸収体膜に転写パターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用のグレートーンマスクブランクを製造する場合に、検査に不合格になって半透光膜の剥離が必要になる基板の数を低減する。
【解決手段】ＦＰＤデバイスを製造するためのグレートーンマスクブランク１０の製造方法であって、透光性の基板１２を準備する準備工程と、金属シリサイドの半透光膜１４を基板上に形成する半透光膜形成工程と、半透光膜１４の透過率を調整する透過率調整工程と、透過率が調整された半透光膜１４上に遮光膜１６を形成する遮光膜形成工程とを備え、透過率調整工程は、半透光膜１４の透過率を測定し、測定された測定透過率と予め設定された設定透過率との差が、グレートーンマスクとして許容されるばらつきの範囲よりも大きく、かつ測定透過率が設定透過率の７５％以上１２５％以下である場合に、半透光膜１４に対して透過率調整を行う。 （もっと読む）

【課題】今後のＦＰＤ用大型マスクブランク及びマスクの高品質化に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】
透光性基板上に、透過量を調整する機能を有する半透光性膜、及び遮光性膜、のうちの少なくとも一方を有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、
前記半透光性膜又は遮光性膜は、金属と珪素とを含む金属シリサイド系材料からなり、かつ、前記金属シリサイド系材料からなる半透光性膜、又は前記金属シリサイド系材料からなる遮光性膜は、
前記半透光性膜又は前記遮光性膜の膜の深さ方向において、ウェットエッチングによるエッチングレートが速くなるように構成された膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、階調マスクを高精度に作製することができる階調マスクの製造方法、およびそれにより得られる高精度な階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板上に遮光膜と透過率調整機能を有する半透明膜とがこの順に積層され、上記透明基板上に上記遮光膜が設けられた遮光領域と、上記透明基板上に上記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、上記透明基板上に上記遮光膜および上記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、上記遮光領域および上記半透明領域が少なくとも一辺で接する境界部分を少なくとも有し、上記境界部分近傍にて、上記半透明膜のパターンの少なくとも一辺が上記遮光膜のパターン上に配置されており、上記遮光膜および上記半透明膜が互いに異なる種類の金属を含有することを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用大型マスクにおけるプロセス（レジスト塗布方法やエッチング方法、洗浄方法等）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、遮光性膜、及び透過量を調整する機能を有する半透光性膜、のうちのを少なくとも一方を有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、
前記遮光性膜、及び前記半透光性膜は、膜表面の二乗平均平方根粗さＲｑが２．０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、反射方式で動作する極紫外フォトリソグラフィーマスクの作製方法に関する。このマスクは、基材（４０）と、基材上に均一に堆積されたミラー構造体（４２）と、ミラー構造体上に堆積されてパターンを形成する吸収要素（５０）と、を含み、吸収要素が、ミラー構造体上に堆積された有機金属レジスト層の照射およびその後の現像により得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パーティクル起因の欠陥を低減させたフォトマスクブランクを製造する方法を提供すること。
【解決手段】最も基本的な構造のサセプタ１１は、第１および第２の透明石英部１１ａとの間に不透明石英部１１ｂを挟み込んだ３層構造を有している。不透明石英部１１ｂは例えば「泡入り石英」などの素材が用いられる。また、閃光に対する不透明度は、基板１０上に設けられた薄膜の組成や膜厚ならびに閃光処理する際の照射光エネルギなどの諸条件との関係を考慮して、適当な範囲の値となるように不透明石英部１１ｂの材料選択や厚み設定により決定される。なお、この積層構造は、互いに不透明度が異なる不透明石英部を複数積層させることとしてもよく、光透過性材料からなる層をｎ層（ｎは２以上の自然数）積層させた構造とし、これらｎ層のうちの少なくとも１層をその不透明度が他の層とは異なる構造とすることもできる。 （もっと読む）

【課題】１９０〜３００ｎｍの短波長域（特に２００ｎｍ近傍）における遮光膜の表面反射率を十分に低減させ、短波長化の傾向にある露光光源に対しても良好なパターン転写精度が得られるフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】透光性基板上にクロムを含む材料からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクの製造方法において、遮光膜は、該遮光膜の上層部に少なくとも炭素を含む反射率調整部が形成されてなり、反射率調整部は、クロムを含むターゲットを用い、少なくとも炭化水素ガスを含む雰囲気中で、１９０〜３００ｎｍの波長域における表面反射率が２０％未満となるように、スパッタリング成膜により形成する。 （もっと読む）

【課題】表面平滑性が高く露光光反射率を高められ低欠陥の多層反射膜付き基板、転写欠陥がなく多層反射膜の露光光反射率を高めた高品質の反射型マスクブランク、マスクの反射面での表面欠陥に起因するパターン欠陥の無い、パターン転写性に優れた高品質の反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１上に、下地膜６を成膜する。該下地膜６は、直入射成膜工程と斜入射成膜工程とを組み合わせて成膜する。該下地膜６上に多層反射膜２を成膜して多層反射膜付き基板３０を得る。この多層反射膜付き基板３０の多層反射膜２上に吸収体膜を形成して反射型マスクブランクとする。また、この反射型マスクブランクの吸収体膜にパターンを形成して反射型マスクを得る。 （もっと読む）

【課題】 パターニングされた遮光膜（ＭｏＳｉＯＮ）を熱処理することにより、湿式洗浄の際、洗浄液に含まれている残留イオンの位相シフトマスク内への浸透を抑制してヘイズを防止する位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】 位相シフトマスクにおいて、透明基板にパターニングした位相シフト膜としての遮光膜（ＭｏＳｉＯＮ）を熱処理して前記遮光膜（ＭｏＳｉＯＮ）の表面に酸化膜を形成させてなる。 （もっと読む）

【解決手段】 透明基板上にクロム系材料膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、上記クロム系材料膜をスパッタリングにより、ターゲットに印加する単位スパッタリング面積当たりの電力を５Ｗ／ｃｍ²以上として成膜するフォトマスクブランクの製造方法。
【効果】 基板上にクロム系材料膜を形成する場合に、スパッタリングにより膜応力の極めて低いクロム系材料膜を形成することができることから、クロム系材料膜を成膜してフォトマスクブランクを製造する前後、及びそのクロム系材料膜を加工して膜パターンを形成する前後における膜応力の変化により、反りが大きく変化することを避けることができ、精度の高い露光が可能なフォトマスクを与えるフォトマスクブランクを安定して製造することができる。 （もっと読む）

【解決手段】 透明基板上にクロム系材料膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、上記クロム系材料膜をスパッタリングにより、スパッタリング時の被スパッタリング物の温度を１００℃以下に制御して成膜するフォトマスクブランクの製造方法。
【効果】 基板上にクロム系材料膜を形成する場合に、スパッタリングにより膜応力の極めて低いクロム系材料膜を形成することができることから、クロム系材料膜を成膜してフォトマスクブランクを製造する前後、及びそのクロム系材料膜を加工して膜パターンを形成する前後における膜応力の変化により、反りが大きく変化することを避けることができ、精度の高い露光が可能なフォトマスクを与えるフォトマスクブランクを安定して製造することができる。 （もっと読む）

【課題】紫外線遮蔽膜を真空成膜装置を用いずに大面積に容易に形成することができるため、大面積のディスプレイパネル用フォトマスクを安価に製造する。
【解決手段】ガラス基板１に貴金属の有機金属化合物を主成分とするペーストを塗布して塗布膜２を形成する工程と、塗布膜２を大気雰囲気中で焼成して紫外線遮蔽膜となる膜厚が０．０８〜０．５μｍ程度の金属膜３を形成する工程と、金属膜３をパターニングする工程とを含み、真空成膜法によらずに紫外線遮蔽膜をガラス基板１に形成する。 （もっと読む）