【課題】レイヤにおいて微小形状をエッチングする方法が提供される。
【解決手段】レイヤ上にポリマー材料のアンダーレイヤが形成される。アンダーレイヤ上にトップイメージレイヤが形成される。トップイメージレイヤがパターン付けされた照射に曝露される。トップイメージレイヤにおいてパターンが現像される。パターンがトップイメージレイヤからアンダーレイヤへ還元性ドライエッチングで転写される。レイヤがアンダーレイヤを通してエッチングされ、トップイメージレイヤは完全に除去され、アンダーレイヤは、レイヤをエッチングするあいだ、パターンをアンダーレイヤからレイヤへ転写するためのパターンマスクとして用いられる。 （もっと読む）

フォトパターン形成性塗布材料がこれまでに用いられなかった波長で半導体素子構造体の形成に用いられことを可能とするキャップ層。該フォトパターン形成性塗布材料を半導体基板へ層として塗布する。該キャップ層及びフォトレジスト層がそれぞれ該フォトパターン形成性層上に形成される。該キャップ層は放射線を吸収または反射し、そして該フォトパターン形成性層を該フォトレジスト層のパターン化に用いられた第1波長の放射線から保護する。該フォトパターン形成性塗布材料は第2波長の放射線に露光されると二酸化ケイ素系材料へ変換される。 （もっと読む）

本発明は、有機溶剤としてベンジルアルコールまたはその誘導体を含んでなるレジスト組成物を提供するものである。本発明は、レジストを除去するための、ベンジルアルコールまたはその誘導体を含んでなる有機溶剤も提供する。本発明のレジスト組成物は、ＵＶ光で照射することにより、照射部分と非照射部分との間の溶解度の差を利用する、微小パターンを形成するためのリソグラフィー法に使用し、薄膜を塗布した時の被膜厚の均質性を大幅に改良する。さらに、本発明の有機溶剤は、微小回路形成工程の際に感光性材料と接触するデバイスを、デバイスから感光性材料を除去することにより、洗浄するのに使用することができる。本有機溶剤は、感光性材料が塗布されている基材の好ましくない部分上に残留する感光性材料を除去することもできる。 （もっと読む）

【課題】処理容器の内側面を簡単かつ効果的に洗浄できるようにし、メンテナンス性や信頼性を向上させる。
【解決手段】回転カップ６０を洗浄するときは、基板Ｇの入っていない空のカップ本体６８に蓋体７０を被せた状態で、駆動部６６の回転駆動によりスピンチャック６２と回転カップ６０を適当な回転速度でスピン回転させる。そして、切換弁９０において回転支持軸６４側のポート９０ａを洗浄液供給源８８側のポート９０ｃに切り換えて、洗浄液供給源８８からの洗浄液を回転支持軸６４の流体通路６４ａを介してスピンチャック６２の流体通路９２に送り、スピンチャック６２の裏面側の洗浄液吐出口９４より回転カップ６０の内側面に向けて洗浄液を吐出させる。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像度、寸法制御性等の諸性能に優れたアルカリ水溶液を用いて現像するポジ型パタン形成材料およびそれを遮光膜として機能させる露光用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】放射線照射により酸を生じる化合物およびカルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を有するバインダ樹脂、１分子中に少なくとも２個以上のビニルエーテル基を有する化合物、および窒素含有樹脂結合剤を酸触媒付加反応させて得られる組成物を少なくとも含むパタン形成材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の表面にさらに微細なパターンを形成することができる微細レジストパターン、微細パターンの形成方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板６上に、特定の元素を含む特定のガスに接触して特定の元素と結合し所定のエッチングガスに対する耐性が強化される性質を有するレジスト層９を形成する工程と、レジスト層９に第一の露光１０を行い、第一の露光領域９ｂと第一の非露光領域９ａとを形成する工程と、第一の露光領域９ｂに対して第二の露光１１を行い、第二の露光領域９ｃと第三の露光領域９ｄとを形成する工程と、レジスト層９を特定のガスにさらして第三の露光領域９ｄのみを特定の元素と結合させる工程と、第二の露光領域９ｃと第一の非露光領域９ａとをエッチングにより除去し第三の露光領域９ｅからなるレジストパターンを形成する工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性のみならず耐環境性にも優れた配線を実現し、ひいては当該配線を内装した半導体装置や配線基板等の信頼性の向上に寄与することを目的とする。
【解決手段】 絶縁層１１，１３に形成されたビア・ホールを介して下層の導体層１２に電気的に導通するように絶縁層１３と下層の導体層１２とを覆って形成された金属薄膜１４上に形成された配線層１７の表面を、耐環境性に優れた材料からなる被覆層１８で覆うように構成する。この被覆層１８を構成する耐環境性に優れた材料としては、好適には、ニッケル／金、ニッケル／パラジウム、又はニッケル／パラジウム／金が用いられる。 （もっと読む）

【課題】サ−マルフロ−の影響によるレジストマ−クの変形を抑制し、位置合わせ精度の向上するレジストマ−ク及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間膜、例えば二酸化シリコン膜520が、下地マ−ク510aとして働く開口部を有する下地膜、例えばポリシリコン膜510の上に形成される。層間膜の上には、レジストマ−ク530、540が形成されている。このレジストマ−クは、第1のパタ−ン540と第2のパタ−ン530からなる。両パタ−ンは、所定形状の枠からなる。第2のパタ−ンは、第1の枠の内側に離間して形成され、かつ、内側から外側に向かう方向の幅が第1のパタ−ンの寸法より小さい。露光により形成されたレジストパタ−ンとウエハとの絶対的な位置関係の確認は、レジストマ−クと、下地マ−ク510とのずれ量を重ね合わせ精度測定機により測定することにより行う。 （もっと読む）

【課題】 シリル化プロセスを用いて微細なパターンの形成を可能とし、しかもシリル化部表面に形成されるＳｉＯ_x 層の除去を支障なく行うことのできる、半導体装置の製造方法が提供が望まれている。
【解決手段】 下地基板２０上の被パターニング層２３上にレジスト層２４を形成し、次にレジスト層２４の所定箇所を露光し、次いでこの露光工程後のレジスト層２４における未露光部分をシリル化する。続いて、露光した箇所のレジスト層２４をドライ現像によって除去し、シリル化された部分に対応した積層パターン３０を得る。次いで、積層パターン３０からその表層部に形成されたＳｉＯ_x層２９を除去してレジストパターン３２を形成する。その後、レジストパターン３２をマスクにして被パターニング層２３をエッチングする。 （もっと読む）