【課題】ドライエッチング耐性の高い微細パターンを形成させるための組成物の提供。
【解決手段】シラザン結合を有する繰り返し単位を含んでなる樹脂と、溶剤とを含んでなる微細パターン形成用組成物とそれを用いた微細パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】低酸拡散性と高い溶解コントラストを両立すると共に、発生酸やクエンチャーなどによるケミカルフレアを抑制することにより、ホールパターンやトレンチパターンのＤＯＦと真円性もしくはＬＷＲを改善したポジ型レジスト組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）高エネルギー線に感応した結果、側鎖にスルホン酸ジフロロメチル構造の酸を発生する繰り返し単位（ａ１）と、酸不安定繰り返し単位（ａ２）とを有し、酸によってアルカリ溶解性が変化する高分子化合物、及び（Ｂ）下記一般式（２）で示されるスルホン酸オニウム塩を共に含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
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【課題】ダブルパターニング法により良好なパターンを得ることができるレジストパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】（１）〜（１１）の工程；（１）第１のレジスト膜を得る工程（２）プリベークする工程（３）露光処理する工程（４）ポストエクスポージャーベークする工程（５）現像して第１のレジストパターンを得る工程（６）第１のレジストパターンを光に対して不活性化させる工程、或いは、アルカリ現像液又は第２のレジスト組成物に対して不溶化させる工程（７）第１のレジストパターンの上に、第２のレジスト組成物を、３００〜３０００ｒｐｍの回転数でスピンコートし、乾燥して第２のレジスト膜を得る工程（８）プリベークする工程（９）露光処理する工程（１０）ポストエクスポージャーベークする工程（１１）現像して第２のレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体１上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する１つ又は複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターン２を形成する工程（１）と、ポジ型レジストパターン２が形成された支持体１上に、前記ポジ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤（Ｓ）を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜６を形成する工程（２）と、パターン反転用膜６を、ポジ型レジストパターン２を溶解する有機溶剤現像液を用いて現像することにより、ポジ型レジストパターン２を除去してレジストパターンを形成する工程（３）と、を含むパターン形成方法であって、工程（３）の現像時において、パターン反転用膜６の前記有機溶剤現像液に対する溶解度は、ポジ型レジストパターン２の前記有機溶剤現像液に対する溶解度よりも小さいことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、化学増幅型レジスト組成物により膜厚が２００ｎｍ以上の膜を形成し、該膜を露光、現像するパターン形成方法において、膜の抜け性を向上させ、現像後に発生する基板上での残渣を低減すると共に、残渣欠陥の低減及び解像度にも優れたネガ型パターン形成方法、及び該ネガ型パターン形成方法により形成されるレジストパターンを提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物により膜厚が２００ｎｍ以上の膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液で現像する工程、を含むネガ型パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 膨潤率に優れたポジ型感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 樹脂（Ａ）および感放射線酸発生剤（Ｂ）を含み、樹脂（Ａ）の少なくとも１種が、一般式（１）で表される、酸解離性基により保護された酸基を有する構造単位（Ａ１）を含み、かつ、架橋性基を含む、ポジ型感光性樹脂組成物。
一般式（１）
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【課題】 ラフネス特性、フォーカス余裕度、ブリッジ欠陥性能、及び、感度の露光後加熱（ＰＥＢ）温度依存性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた第１繰り返し単位を含み且つ酸の作用により有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する第１化合物と、溶剤と、フッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含み、塩基性を有するか又は酸の作用により塩基性が増大する第２化合物とを含有している。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィーのための信頼性があり、かつ便利なフォトレジストおよび画像化法を提供する。液浸リソグラフィー処理ならびに非液浸画像化用をはじめとするフォトレジスト上に適用されるオーバーコーティング層組成物を提供する。
【解決手段】基体上のフォトレジスト組成物層、該フォトレジスト層上の、１以上の親水性基を含むコポリマー樹脂を含む有機組成物を含む、コーティングされた基体。 （もっと読む）

【課題】フェイルセーフ機構等の作動により動作が停止した場合であっても、基板上の現像液を除去することが可能な現像装置およびこれを備える塗布現像処理システムを提供する。
【解決手段】開示される現像装置は、基板を搬送する搬送機構と、前記搬送機構により搬送される前記基板に現像液を供給する現像液供給部と、前記現像液供給部に対し、前記搬送機構により搬送される前記基板の搬送方向の下流側に設けられ、前記現像液が供給されて表面が前記現像液で覆われた前記基板が前記搬送機構により搬送される現像領域と、前記現像領域において、前記搬送機構が停止したときに前記現像領域に在る前記基板に対して洗浄液を供給する洗浄液供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 非環状エチレンアミン、オクチル酸及び環状アミンを含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 （もっと読む）

【課題】特には３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜としての最適なｎ、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物、並びに下記一般式（２）で示される１種以上の化合物及び／又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。


ＯＨＣ−Ｘ−ＣＨＯ（２） （もっと読む）

【課題】基板の面内で均一性高くパターンを形成することができる現像装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板の表面に現像液を供給し、前記レジストを現像するための現像液供給部と、基板上において予め設定されている特定の領域に、現像液を加熱して現像液とレジストとの反応の度合を高めるために、基板の材料の波長吸収領域を含む輻射光を照射する輻射光照射部と、基板の表面に洗浄液を供給して現像液を除去する洗浄液供給部と、を備えるように現像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤ用剥離液組成物添加剤であるメルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として用いて、水の含有量変化時にもＣｕ及びＡｌの腐食防止及びフォトレジスト剥離能力を一定に維持する水系フォトレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】（ａ）１級アルカノールアミン１〜２０重量％；（ｂ）アルコール１０〜６０重量％；（ｃ）水０．１〜５０重量％；（ｄ）極性有機溶剤５〜５０重量％；及び（ｅ）腐食防止剤０．０１〜３重量％；を含むＬＣＤ製造用フォトレジスト剥離液組成物。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＢ温度が低温であっても、感度等に優れ、ＬＷＲ、ＤＯＦ等のリソグラフィー性能が高度にバランスし、エッチング耐性をも十分に満足する化学増幅型レジスト用の感放射線性樹脂組成物、そのパターン形成方法、その重合体、及び化合物を提供する。
【解決手段】［Ａ］下記式（１）で表される構造単位（Ｉ）を有する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。
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【課題】被処理基板に供給される現像液の温度変動に起因した現像ムラ等が生じていた。
【解決手段】被処理基板６に現像液１１を供給して現像処理するレジスト現像装置１の構成として、恒温状態に制御された現像液を貯留する貯留部４と、被処理基板６を保持する保持部８と、貯留部４に貯留された現像液を流すための流路を形成するとともに、この流路に沿って流れた現像液を吐出する吐出部１４を有し、保持部８に保持された被処理基板６に向けて吐出部１４から現像液を吐出することにより、現像液を被処理基板６に供給する供給管５と、供給管５の吐出部１４から吐出する現像液が被処理基板６に到達しないように現像液を遮断する遮断部材２６と、現像液を遮断する遮断位置と前記現像液を遮断しない非遮断位置との間で遮断部材２６を移動させる移動手段（２７）とを備える。 （もっと読む）

【課題】洗浄液としてのキレート過水液の濃度変化を抑制することが可能であり、その結果、使用するキレート過水液の材料費を低減することが可能な基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１Ａは、循環路と、濃度センサ２１と、制御部２６とを備える。循環路は、キレート過水液１００を用いてガラス基板２００の洗浄を行なう洗浄槽１０と、キレート過水液１００を一時的に貯留する貯留槽１６と、これら洗浄槽１０および貯留槽１６を接続する送り管１８および戻し管１５とを含んでいる。濃度センサ２１は、キレート過水液１００の濃度を検出するためのものであり、送り管１８に設けられている。制御部２６は、濃度センサ２１によって検出された濃度情報に基づいて所定量の純水を貯留槽１６に供給することでキレート過水液１００の濃度管理を行なう。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、パターンの線幅均一性及び感度の現像時間依存性のいずれにも優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）樹脂中の全繰り返し単位に対して、アルコール性水酸基を有する繰り返し単位を３５モル％以上含有し、かつ酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含み、形成されるパターンがネガ型である、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ローディング効果により現像後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のパターンとのズレを軽減すること。
【解決手段】現像液により溶解される前記レジスト膜の反応表面に形成された複数の凹上のパターン形状における単位面積当たりの現像液の浸透流を示すフラックスを、前記パターン形状のサイズに応じて前記レジスト膜の反応表面の前記フラックスが変わることを示す関係式に従って、前記パターン形状の前記基板の面方向の長さ、および前記パターン形状の前記基板の厚さ方向の長さに基づき求め、前記フラックスに基づき、前記レジスト膜の反応表面の現像液の濃度を求め、前記複数のパターン形状が形成されている前記レジスト膜に対して前記マスクパターンが描画されて現像された場合、前記レジストに形成されるレジストパターンの形状を前記現像液の濃度に基づき求めることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線照射の高エネルギー線に感応して酸を発生する特定の構造の繰り返し単位と酸不安定単位を有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する高分子化合物（Ａ）、特定の構造のスルホニウム塩（Ｂ）を共に含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明は、酸拡散の抑制と溶解コントラスト向上を両立し、かつケミカルフレア耐性を高めることにより、微細パターン、特にトレンチ（溝）パターンやホール（穴）パターンのリソグラフィー性能（形状、ＤＯＦ、エッジラフネス）を改善させることができる。 （もっと読む）

【課題】プロセスタイムの増大や装置コストの増大を招かずに、低コストで迅速に製造できる、半導体装置用実装品の製法を提供する。
【解決手段】半導体装置に用いる実装用の２部品を準備する工程と、そのいずれかの部品の接着用面に感光性接着剤組成物を付与する工程と、その付与面を露光し現像して所定のパターンに形成する工程と、このパターン形成された接着剤付与面を用いて実装用の２部品を接着して実装品をつくる工程とを備えた半導体装置用実装品の製法において、特殊な感光性接着剤組成物と、特殊な現像液を用いるようにした。 （もっと読む）