【課題】パターン微細化が進展する状況下においても、所望形状のレジストパターンの形成を確実に行えるようにする。
【解決手段】パターン描画されたレジスト膜６を現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法であって、前記レジスト膜６の現像に先立ち、当該レジスト膜６に比べてエッチング耐性が高い保護膜７を当該レジスト膜６の上面に形成する保護膜形成工程と、前記保護膜７の形成後に当該保護膜７の上から現像剤を供給することにより、前記保護膜７を浸透して前記レジスト膜６まで到達した前記現像剤による当該レジスト膜６の現像を行い、当該レジスト膜６が残るパターン部分６ａ上面に前記保護膜７を有してなる前記レジストパターンを形成する現像工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】優れたエッチング耐性、高い耐熱性等を有するレジスト下層膜を形成する。
【解決手段】一般式（１）で表されるビフェニル誘導体。


（Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環を表す。ｘ、ｚはそれぞれ独立に０又は１を表す。） （もっと読む）

【課題】無機膜上に形成するレジストパターンの形成性及びエッチング選択比に優れ、レジスト膜を薄膜化する場合においても忠実なパターン転写が可能な多層レジストプロセス用無機膜形成組成物、並びにパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］加水分解性基を有する金属錯体（Ｉ）、加水分解性基を有する金属錯体（Ｉ）の加水分解物及び加水分解性基を有する金属錯体（Ｉ）の加水分解縮合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物、並びに［Ｂ］有機溶媒を含有する多層レジストプロセス用無機膜形成組成物であって、［Ａ］化合物が、第３族元素、第４族元素及び第５族元素からなる群より選択される少なくとも１種の金属元素を含有し、かつこの金属元素の含有割合が、［Ａ］化合物に含まれる金属元素及び半金属元素の合計量に対し５０モル％以上であることを特徴とする多層レジストプロセス用無機膜形成組成物である。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性（ハガレ耐性）に優れた液浸上層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】複数のカルボキシル基を含む繰り返し単位（ａ）を有する重合体成分（Ａ）および溶剤（Ｂ）を含む液浸上層膜形成用組成物である。具体的には、複数のカルボキシル基を含む繰り返し単位が下記式（ａ１）である液浸上層膜形成用組成物である。
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【課題】レジスト剥離物とテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＡＡＨ）とを含む現像廃液を安定かつ効率的に再生処理する。
【解決手段】レジスト剥離物とＴＡＡＨとを含有する現像廃液をｐＨ８〜１２に調整した後、ＭＦ膜モジュール４で膜分離処理し、濃縮水を循環処理するに当たり、濃縮水に無機凝集剤及び／又は高分子凝集剤を添加して凝集・固液分離処理し、分離水をＭＦ膜モジュール４の一次側に返送して膜分離処理する。現像廃液を膜分離処理するに当たり、膜供給水ではなく、膜分離処理で得られた濃縮水に凝集剤を添加して凝集・固液分離処理し、得られた分離水を膜の一次側に返送して現像廃液と共に膜分離処理することにより、凝集剤使用量を低減すると共に、凝集・固液分離のための設備を小型化した上で、膜の濁質負荷を軽減し、安定かつ効率的な処理を行える。 （もっと読む）

【課題】レジスト剥離液成分含有水から効率よくレジスト剥離液を回収することができるレジスト剥離液の回収方法を提供する。
【解決手段】レジスト剥離液含有水からレジスト剥離液を回収する方法において、レジスト剥離液含有水を疎水性ゼオライトよりなる吸着材４と接触させて、レジスト剥離液及び一部の水分を該吸着材に吸着させ、次いで、該吸着材から一部の水を脱着（第１脱着塔１０における第１回脱着）させ、その後、該吸着材に対しレジスト剥離液の沸点よりも温度の高い過熱水蒸気を接触させて該吸着材から該レジスト剥離液を脱着（第２脱着塔２０における第２回脱着）させ、この第２回脱着の脱着液を蒸留して該レジスト剥離液を分取して回収することを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト剥離物とテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＡＡＨ）とを含む現像廃液を処理してレジスト成分を高度に除去した高純度のＴＡＡＨ再生液を得る。
【解決手段】レジスト剥離物とＴＡＡＨとを含有する現像廃液をｐＨ８〜１２に調整してＭＦ膜モジュール１で膜分離処理し、透過水をナノフィルトレーション（ＮＦ）膜モジュール２により膜分離処理する。ＮＦ膜として、膜表面がゼータ電位−５０ｍＶ以下に負に大きく帯電したものを用いることにより、負に帯電しているレジスト剥離物を効果的に除去して高純度のＴＡＡＨ再生液を得る。 （もっと読む）

【課題】パターン微細化が進展する状況下においても、所望形状のレジストパターンの形成を確実に行えるようにする。
【解決手段】レジスト膜に凹凸パターンを形成するパターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）と、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）で形成した前記凹凸パターンの凹状部分の底部に対してエッチングを行う除去工程（Ｓ６）と、を備えるレジストパターン形成方法において、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）の後で前記除去工程（Ｓ６）の前に、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）で形成した前記凹凸パターンの凸状部分の頂部を含む当該頂部の近傍領域に、前記除去工程（Ｓ６）での前記エッチングによる前記凹凸パターンのパターン消失を抑制する形状の保護膜を、化学的成膜処理により形成する保護膜形成工程（Ｓ５）を備える。 （もっと読む）

【課題】パターン表面に残留または再付着する異物の除去、パターン倒れ防止、及び、パターンラフネスの改善をすることができるリソグラフィ用リンス液を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、一般式（ａ）：
Ｒｆ^ａ−Ｙ （ａ）
（式中、Ｒｆ^ａは、炭素原子−炭素原子間に酸素原子が挿入された、炭素数４〜５０の直鎖又は分岐の含フッ素アルキル基である。Ｙは、−ＣＯＯＭ、−ＳＯ_３Ｍ、−ＣＯＭ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、又は、−Ｈであり、Ｍは、−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ＮＨ_４又は１価のアルカリ金属である。）で表される化合物（Ａ）、並びに、水溶性有機溶媒及び水からなる群より選択される少なくとも１種の媒体（Ｂ）からなることを特徴とするリソグラフィ用リンス液である。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜の提供。
【解決手段】（ア）下記一般式（Ｉ）で表される酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。
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【課題】所望の形状のレジストパターンを高精度に形成することができるレジストパターンの形成方法、立体構造の製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンの形成方法は、支持部１０上に、多層レジスト２０を形成する工程と、多層レジスト２０に第１の波長の第１の光による露光を施す工程と、多層レジスト２０に第１の波長と異なる第２の波長の第２の光による露光を施す工程と、露光が施された多層レジスト２０に現像処理を施すことによって、レジストパターンを形成する工程とを有し、複数のレジスト層は、第１の光による露光によって第１の現像可溶領域２３が形成される第１のレジスト層２１と、第２の光による露光によって第２の現像可溶領域２４が形成される第２のレジスト層２２とを含み、レジストパターンを形成する工程は、多層レジスト２０から第１及び第２の現像可溶領域２１，２２を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】微細かつ均一なパターンの形成に好適なパターン形成方法およびパターン形成体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、レジストパターンが形成される領域は、ハードマスク層に形成した段差の領域よりも大きくし、ハードマスクの上段部は基板表面を覆うようにハードマスク層を残存させることと、下段部は基板表面の一部が露出するようにハードマスク層へ異方性エッチングを行うことで、基板に均一なパターンを形成することが出来る。 （もっと読む）

【課題】最小線幅が１００ｎｍ以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成において、描画装置の切り替え作業に起因する描画パターンの設計からのずれを防止することを可能とする。
【解決手段】最小線幅が１００ｎｍ以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成方法において、基板３上にレジスト膜２を形成し、可変成形電子線ＥＢによりレジスト膜２に描画パターンを描画した後、レジスト膜２のレジスト非溶解部の膜減り率が２０％以下となるように、レジスト膜２にパドル現像を実施する。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、レジスト膜、及びレジスト塗布マスクブランクスを提供することにある。
【解決手段】非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基で、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物（Ａ）、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）、及び、酸の作用により前記高分子化合物（Ａ）を架橋する架橋剤（Ｃ）を含有する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程（１）、該膜を露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程（４）をこの順番で有する、レジストパターン形成方法、レジストパターン、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、レジスト膜、及びレジスト塗布マスクブランクス。 （もっと読む）

【課題】イオン注入されたレジストを除去する際に、レジスト生じた好ましくない化学的変化の影響を小さくできる方法、装置および化学物質を提供すること。
【解決手段】実施形態の方法は、炭化材料および有機材料の少なくとも一方を半導体構造から除去する方法であり、超酸種を具備する超酸組成に前記半導体構造を接触させることを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、被加工材にパターンを形成するためのマスクの選択比を向上させ、プロセスコストの低減、歩留りの向上を可能とする。
【解決手段】被加工材上に所定パターンの有機膜を形成し、所定パターンの有機膜中に金属元素を導入し、金属元素が導入された所定パターンの有機膜を用いて、被加工材をエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】パターンの微細化、特に、ＳＲＡＭのセル面積を縮小するためには、隣接ゲートの端部間距離を縮小することが重要となる。しかし、２８ｎｍテクノロジノードにおいては、ＡｒＦによる単一回露光でパターンを転写することは、一般に困難である。従って、通常、複数回の露光、エッチング等を繰り返すことによって、微細パターンを形成しているが、ゲートスタック材にＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜やメタル電極部材が使用されているため、酸化耐性やウエットエッチ耐性が低い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、メモリ領域におけるｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜およびメタル電極膜を有するゲート積層膜のパターニングにおいて、ハードマスクに対して、２枚のレジスト膜を用いて、ライン＆スペースパターンおよび隣接ゲート電極間切断領域パターンのパターニングを実行し、パターニングされたハードマスクを用いて、ゲート積層膜のエッチングを実行するものである。 （もっと読む）

【課題】パターンの微細化、特に、ＳＲＡＭのセル面積を縮小するためには、隣接ゲートの端部間距離を縮小することが重要となる。しかし、２８ｎｍテクノロジノードにおいては、ＡｒＦによる単一回露光でパターンを転写することは、一般に困難である。従って、通常、複数回の露光、エッチング等を繰り返すことによって、微細パターンを形成しているが、ゲートスタック材にＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜やメタル電極部材が使用されているため、酸化耐性やウエットエッチ耐性が低い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、メモリ領域におけるｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜およびメタル電極膜を有するゲート積層膜のパターニングにおいて、最初に、第１のレジスト膜を用いて、隣接ゲート電極間切断領域のエッチングを実行し不要になった第１のレジスト膜を除去した後、第２のレジスト膜を用いて、ライン＆スペースパターンのエッチングを実行するものである。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れ、表面粗さ、および表面欠陥を改良することができる、リソグラフィー用リンス液とそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくともスルホン酸と、アルキレンオキシ基を有する非イオン性界面活性剤と、水とを含むリソグラフィー用リンス液と、それを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 基板に溶剤を供給して、パターンマスクの荒れを改善するにあたり、高い面内均一性を確保した状態で、基板に対して溶剤蒸気を供給すること。
【解決手段】蓋体１２と基体１１とにより構成された処理チャンバ１内において、前記基体１１に設けられたステージ２１にウエハＷを載置し、このウエハＷと対向するように、溶剤が吸収された溶剤保持具３を設ける。処理チャンバ１を閉じて、ステージ２１上のウエハＷを溶剤の露点温度よりも高く、沸点よりも低い温度に加熱すると、溶剤保持具３の全面から溶剤が蒸発し、ウエハＷと溶剤保持部３との間に溶剤の飽和蒸気雰囲気が形成される。こうして、ウエハＷの表面全体がほぼ同時に溶剤の飽和蒸気雰囲気に曝されるので、基板に対して面内均一性を確保した状態で溶剤蒸気を供給することができる。 （もっと読む）