【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と半導体装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜２の上に下層レジスト膜となる感光性のポジ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に周辺露光処理と現像処理とを施すことにより、外周領域に位置する下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のポジ型のレジスト材料を塗布し、周辺露光処理と現像処理とを施すことにより、外周領域に位置する中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 （もっと読む）

【課題】基板上のレジスト膜を高精度で現像しつつ、当該レジスト膜にレジストパターンを適切に形成する。
【解決手段】現像処理装置３０は、ウェハＷを収容して処理する処理容器１１０と、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１４０と、ウェハＷ上に有機溶剤を含有する現像液を供給する現像液ノズル１６０と、ウェハＷ上にリンス液を供給するリンス液ノズル１６４と、処理容器１１０内に酢酸ブチルガスを供給する処理ガス供給部１２２と、処理容器１１０内に窒素ガスを供給するパージガス供給部１２６と、処理容器１１０内の酢酸ブチルガスの濃度を測定する濃度測定器１３０と、処理容器１１０内のガス濃度を所定の濃度に制御する濃度制御部１３１と、処理容器１１０から流出した酢酸ブチルガスを再度処理容器１１０内に供給して循環させるガス循環部１５１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング耐性及び露光ラチチュード（ＥＬ）のいずれにも優れるパターン形成方法、該パターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該パターン形成方法により形成されるレジスト膜、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）多環芳香族基を有する繰り返し単位（ａ）及び酸の作用により分解してカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位（ｂ）を有する樹脂（Ａ）、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
（イ）該膜をＡｒＦエキシマレーザーにより露光する工程、及び
（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を有するパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】パターン形成装置と塗布現像装置との間における基板の搬送スループットの向上に有利となるパターン形成装置および塗布現像装置を提供する。
【解決手段】このパターン形成装置は、隣設される塗布現像装置との間で基板の受け渡しを実施する。パターン形成装置側の第１制御部は、基板に対してパターン形成処理を開始するに際し、第１搬送ハンド３５の動作を開始させたとき、またはその後、塗布現像装置側の第２制御部に対して、新たな基板の受け渡し動作を予告する第１信号（Ｓ４１−２）を送信して予め第２搬送ハンド５２の動作を開始させ、第２搬送ハンド５２の動作中に、第２搬送ハンド５２の動作を要求する第２信号（Ｓ４１−４）を送信する。 （もっと読む）

【課題】低インパクトでの現像を可能にすると共に、現像時間の短縮及び現像精度の向上が図れ、かつ、回路パターン部に残渣するスカムの除去効果の向上が図れるようにした超音波現像処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】露光処理された基板Ｇの回路パターンＰ表面に現像液を接触例えば液盛りさせて、現像処理を行う現像処理において、現像液が接触した状態にある基板の回路パターンの近傍の該基板側面に発振面７ｂが当接される超音波振動子７Ｂと、該超音波振動子の高周波駆動電源３１とを具備する。基板表面に現像液を液盛りした後、基板の回路パターンの近傍の該基板側面に超音波振動子の発振面を当接した状態で、超音波振動子より発生する超音波振動が回路パターン上の現像液に伝播しながら現像処理を行う。 （もっと読む）

【課題】低温硬化が可能で、アルカリ水溶液現像が可能であり、十分に高い感度及び解像度で、密着性及び耐熱衝撃性に優れるレジストパターンを形成することができるポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性樹脂組成物を用いたレジストパターンの製造方法、係る方法により形成されたレジストパターンを有する半導体装置、及び半導体装置を備える電子デバイスの提供。
【解決手段】フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂と、光により酸を生成する化合物と、熱架橋剤と、炭素数４〜２０のアルキル（メタ）アクリレート単位、（メタ）アクリル酸単位及び側鎖に１級、２級、３級アミノ基を有する（メタ）アクリレート単位を有するアクリル樹脂と、を含有するポジ型感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】安価に実施可能であり、段差基板上でのパターン形成性に優れたパターン形成方法、及び該方法に使用するための感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】（ア）側鎖にラクトン環構造を有する特定のアクリル酸エステル繰り返し単位（ａ）、ならびに下記一般式（III）、（IV）及び（V）の少なくとも１つで表される少なくとも１種の繰り返し単位（ｂ）を有する樹脂（Ｐ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程と、（イ）前記膜をＫｒＦエキシマレーザーにて露光する工程と、（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて前記膜を現像し、ネガ型のパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
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【課題】ＥＵＶ用途のために、改良された（すなわち、低減された）ライン幅ラフネスを有するフォトレジストポリマーを提供する。
【解決手段】ポリマーは、酸脱保護性モノマー、塩基可溶性モノマー、ラクトン含有モノマーおよび光酸生成モノマーを含むモノマー；下記式の連鎖移動剤；並びに場合によって開始剤の重合生成物を含む：


式中、Ｚはｙ価のＣ_１−２０有機基であり、ｘは０または１であり、Ｒ^ｄは置換もしくは非置換のＣ_１−２０アルキル、Ｃ_３−２０シクロアルキル、Ｃ_６−２０アリール、またはＣ_７−２０アラルキルである。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位及び／又は酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位とオキシラン環又はオキセタン環を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像時のパターン部の意図しない溶解に起因する解像性及び矩形性の低下を防ぎ、ドライエッチング耐性に優れ、特にＫｒＦ露光に好適なパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰返し単位を有する樹脂（Ａ）、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）、及び溶剤（Ｃ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型パターンを形成する工程を有するパターン形成方法であって、樹脂（Ａ）中の全繰返し単位に対して、下記一般式（Ｉ）で表される繰返し単位の含有量が２０モル％未満で、かつ一般式（Ｉ）以外の非フェノール系芳香族基を有する繰返し単位を有する、パターン形成方法。
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【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 モルホリン・ギ酸塩を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な操作でかつ工業的に有利にTAAH含有廃液を再生処理し、高純度のTAAH水溶液を効率良く製品として回収することができるTAAH含有廃液の再生処理方法を提供する。
【解決手段】水酸化テトラアルキルアンモニウム(TAAH)含有廃液の中和工程１と、この中和工程で得られた中和処理液を、陽イオン交換膜４で陽極室５と陰極室６とに区画された電解槽２で電気分解する電解工程とを有し、電解槽の陰極室側から高純度の製品TAAH水溶液を回収するTAAH含有廃液の処理方法であり、中和処理液の濁度（JIS K0101測定法）を５０００ppm以下に管理すると共に、陽極室内を循環する陽極循環液の流速（線速度）を１．５×１０^-3〜２５×１０^-3m/秒の範囲内に維持し、また、陰極室側からTAAH濃度１５〜３０質量%の製品TAAH水溶液を回収する水酸化テトラアルキルアンモニウム含有廃液の再生処理方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト膜のパターン形成工程における膜減りを抑制すると共に、得られるパターンのＬＷＲを低減でき、露光余裕度（ＥＬ）、焦点深度（ＤＯＦ）等を指標としたリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを形成することができるパターン形成方法に用いられる現像液を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、レジストパターン形成方法に用いられ、有機溶媒含有量が８０質量％以上の現像液であって、含窒素化合物を含み、上記含窒素化合物の含有量が０．１質量％以上１０質量％以下であることを特徴とする現像液である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト膜のパターン形成工程における膜減りを抑制すると共に、得られるパターンのＬＷＲを低減でき、露光余裕度（ＥＬ）、焦点深度（ＤＯＦ）等を指標としたリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを形成することができるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）フォトレジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、（２）上記レジスト膜を露光する工程、及び（３）上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含有するネガ型現像液で現像する工程を含むパターン形成方法であって、上記フォトレジスト組成物が、［Ａ］酸の作用により解離する酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有し、この酸解離性基の解離により上記現像液に対する溶解性が減少する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有し、上記現像液が含窒素化合物を含むことを特徴とするパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路及び／又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び／又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート（特に銅エッチレート及びＴｉＷエッチレート）の低下したレジスト剥離剤及び、その使用方法の提供。
【解決手段】銅塩を添加するか、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するためのアミンを添加するか、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有し、更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、短時間でＰＥＢを行うことができ、それによりスループットの向上や、酸拡散距離を短くすることができることによる解像性の向上が達成できるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被加工基板上に波長６００〜２０００ｎｍの範囲の光を吸収する下層膜を形成し、該下層膜上にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を露光した後、波長６００〜２０００ｎｍの光を照射して加熱することでポストエクスポジュアーベーク（ＰＥＢ）を行い、その後現像によってパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】省エネルギーで効率的に廃液中の目的物質を分離濃縮することのできる濃縮方法および濃縮装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、目的物質を含有する廃液中から、上記廃液よりも高い濃度の上記目的物質を含有する液体を分離する、目的物質の濃縮方法であって、上記廃液を霧化する霧化工程と、上記霧化工程により上記廃液から生じた霧粒子を分級する分級工程とを含むことを特徴とする、目的物質の濃縮方法である。 （もっと読む）

【課題】基板に複数のホールパターンを、極微細（例えば８０ｎｍ以下）ピッチで、良好かつ容易に形成できるパターン形成方法、並びに、これを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスの提供。
【解決手段】基板に複数のホールパターンを形成するパターン形成方法であって、下記工程（１）〜（６）をこの順に有するパターン形成工程を、複数回含む。（１）基板上に化学増幅型レジスト組成物のレジスト膜を形成する工程；（２）レジスト膜を露光して、第１のラインアンドスペースの潜像を形成する工程；（３）レジスト膜を露光して、第２のラインアンドスペースの潜像を、第１の露光潜像におけるライン方向と、交差するよう形成する工程；（４）第１及び第２の潜像が形成されたレジスト膜を、有機溶剤現像を行い、ホールパターン群を形成する工程；（５）基板にエッチング処理を行い、ホールパターン群を形成する工程；（６）レジスト膜を除去する工程。 （もっと読む）

【課題】パターン寸法の微細化を達成でき、且つ、パターン均一性を向上できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターン上に被覆形成剤を塗布して被覆膜を形成する工程、前記レジストパターンの軟化点よりも低い温度で熱処理を行い、被覆膜を熱収縮させて前記レジストパターン間の間隔を狭める工程、及び前記被腹膜を除去する工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 モノメチルアミン・ギ酸塩を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 （もっと読む）