【課題】銅又は銅合金の上でも変色を起こさない硬化膜を与える感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いてパターンを形成する硬化レリーフパターンの製造方法並びに半導体装置の提供。
【解決手段】（Ａ）ポリイミド前駆体であるポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリオキサゾール前駆体となり得るポリヒドロキシアミド、ポリアミノアミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾイミダゾール、ポリベンズチアゾールから成る群より選ばれる少なくとも一種の樹脂：１００質量部、（Ｂ）プリン誘導体：該（Ａ）樹脂１００質量部を基準として０．０１〜１０質量部、並びに（Ｃ）感光剤：該（Ａ）樹脂１００質量部を基準として１〜５０質量部を含む感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】剥離性能に優れたレジスト剥離剤の提供及び剥離性能に優れたレジスト剥離剤を選別するためのレジスト剥離剤の評価方法を提供する。
【解決手段】炭酸エチレン、炭酸プロピレン又は炭酸エチレンと炭酸プロピレンの混合物に、８０容量％以下となる量のエチレングリコール及び／又はプロピレングリコールを添加したレジスト剥離剤、レジスト剥離剤を選別するための評価方法は、基板表面にネガ型レジストを塗布し、プリベーグ、露光を行ったレジスト被膜試料を作成する工程と、前記レジスト被膜試料とレジスト剥離剤を接触させてレジスト被膜の除去速度を計測する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像によるネガ型レジストパターンの形成方法として最適なパターン形成方法、及び該プロセスで使用されるケイ素含有膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ａ−１）、下記一般式（Ａ−２−１）、及び下記一般式（Ａ−２−２）で表される反応性化合物及び／又はこれらの加水分解物、縮合物、加水分解縮合物の各々からなる群から選ばれる各々の１種以上の化合物、からなる混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、（Ｒ^２）_ｍ２（ＯＲ^３）_{（３−ｍ２）}Ｓｉ−Ｒ^１−Ｓｉ（Ｒ^４）_ｍ４（ＯＲ^５）_{（３−ｍ４）}（Ａ−１）Ｒ^１１_ｍ１１Ｒ^１２_ｍ１２Ｒ^１３_ｍ１３Ｓｉ（ＯＲ^１４）_{（４−ｍ１１−ｍ１２−ｍ１３）}（Ａ−２−１）Ｕ（ＯＲ^２１）_ｍ２１（ＯＲ^２２）_ｍ２２（Ｏ）_{ｍ２３／２}（Ａ−２−２）（Ｂ）有機溶剤を含む組成物によるケイ素含有膜上に、有機溶剤現像のフォトレジストでネガ型パターンを得る。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー用共重合体の、パターン形成における性能を、パターンを形成せずに評価する方法を提供する。
【解決手段】下記工程（１）〜（３）を含むリソグラフィー用共重合体の評価方法。
（１）リソグラフィー用共重合体と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含むリソグラフィー組成物を用いて、基材上に薄膜を形成する工程。
（２）前記薄膜を露光した後、現像する工程。
（３）現像後、現像処理した薄膜の表面状態を評価する工程。 （もっと読む）

【課題】形成した樹脂パターンを熱処理した後であっても矩形又は矩形に近い樹脂パターンを製造できる樹脂パターン製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも工程（１）〜（６）をこの順に含むことを特徴とする樹脂パターン製造方法。
（１）感光性樹脂組成物を基板上に塗布する塗布工程
（２）塗布された感光性樹脂組成物から溶剤を除去する溶剤除去工程
（３）溶剤が除去された感光性樹脂組成物を活性光線によりパターン状に露光する露光工程
（４）露光された感光性樹脂組成物を水性現像液により現像する現像工程
（５）現像された感光性樹脂組成物の表面とプラズマ化したガスから生じるイオン及び／又はラジカルとを接触させプラズマ処理を行うプラズマ処理工程
（６）プラズマ処理を行った感光性樹脂組成物を熱処理する熱処理工程 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含有する現像液を用いた現像処理において、処理時間の短縮化を可能にして、処理能力を向上させることができる現像処理方法及び現像処理装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後の基板に有機溶剤を含有する現像液を供給して現像を行う現像処理方法において、基板を回転させながら（ステップＳ１）、現像液供給ノズルから基板の中心部に現像液を供給して液膜を形成する液膜形成工程（ステップＡ）と、現像液供給ノズルから基板への現像液の供給を停止すると共に、現像液の液膜を乾燥させない状態で基板を回転させながら、基板上のレジスト膜を現像する現像工程（ステップＢ）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのＬＷＲを改善できるレジストパターン改善化材料、並びに該レジストパターン改善化材料を用いたレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法、及び該半導体装置の製造方法により製造された半導体装置の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される塩化ベンザルコニウムと、水とを含有するレジストパターン改善化材料である。


ただし、前記一般式（１）中、ｎは、８〜１８の整数を表す。 （もっと読む）

【解決手段】マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドミウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属とβジケトン類との錯体と、水、アルコール類、エステル類、エーテル類等から選ばれる１種以上を溶剤として含むレジスト材料。
【効果】本発明のレジスト材料は、解像性とエッジラフネスが良好な特性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＢ、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料とすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のダブルパターニング技術に適用される反転材料として特に適した組成物を提供する。
【解決手段】表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に埋め込む組成物であって、少なくともアリールオキシシラン原料の加水分解縮合物と、溶媒として芳香族化合物を有することを特徴とする間隙埋め込み用組成物。 （もっと読む）

【解決手段】マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドミウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数１〜２０の１〜４価のカルボン酸塩と、水、アルコール類、エステル類、エーテル類等から選ばれる１種以上を溶剤として含むレジスト材料。
【効果】解像性とエッジラフネスが良好な特性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＢ、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料とすることができる。 （もっと読む）

【課題】有機溶媒の混合物を含むフォトレジスト現像剤組成物の提供。
【解決手段】特定の組み合わせの有機現像剤のネガティブトーン現像を用いたフォトリソグラフィパターンを形成する方法により、個々の現像剤の良くない特性を回避するかもしくは最小限にしつつ、優れたリソグラフィ性能を提供できる。 （もっと読む）

【課題】形成したパターンをベークした後であっても矩形又は矩形に近いプロファイルが形成可能なエッチングレジスト用感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（成分Ａ）カルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位（ａ１）と、エポキシ基及び／又はオキセタニル基を有するモノマー単位（ａ２）とを有する重合体、（成分Ｂ）光酸発生剤、並びに、（成分Ｃ）溶剤、を含むことを特徴とするエッチングレジスト用感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュードに優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する繰り返し単位を、樹脂中の全繰り返し単位に対して６５モル％以上有し、かつ下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位を有する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含む、パターン形成方法。
（もっと読む）

【課題】ネガティブトーン（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｔｏｎｅ）現像プロセスを用いて微細パターンの形成に有用なフォトレジスト組成物およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）および（ＩＩＩ）の単位を含む第１のポリマー；


下記一般式（ＩＶ）および（Ｖ）の単位を含む第２のポリマー；


並びに光酸発生剤を含むフォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】フォトスピード、限界寸法（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｅｍｅｎｓｉｏｎ；ＣＤ）均一性、ネガティブトーン現像剤（ＮＴＤ）中での溶解速度、及び、パターン忠実度に優れた、フォトレジスト組成物、フォトレジスト組成物の層を含むコーティングされた基体及びフォトリソグラフィパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）式（Ｉ）、（ＩＩ）および（ＩＩＩ）：


の単位を含む第１のポリマー；（Ｂ）（メタ）アクリル酸Ｃ３〜Ｃ７アルキルホモポリマーもしくはコポリマーである第２のポリマー；並びに（Ｂ）光酸発生剤；を含むフォトレジスト組成物、及びフォトレジスト層の未露光領域が現像剤によって除去されて、フォトリソグラフィパターンを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュード及び耐ドライエッチング性能に優れたネガ型パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する繰り返し単位を、樹脂中の全繰り返し単位に対して６５モル％以上有し、かつ下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、ネガ型パターンを形成する工程を含む、ネガ型パターン形成方法。
（もっと読む）

【課題】孤立コンタクトホールパターンを形成する際の焦点深度マージン（ＤＯＦ）に優れたレジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びネガ型パターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ−ａ）又は（Ｉ−ｂ）により表される繰り返し単位（ａ）及び（メタ）アクリル酸の三級アルコールとのエステルから誘導される繰り返し単位（ｂ）を含み、アルコール性ヒドロキシル基を備えた繰り返し単位を実質的に含まない樹脂（Ａ）と、特定のトリフェニルスルホニウム塩化合物（Ｂ）とを含有するレジスト組成物。
（もっと読む）

【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と、半導体装置と、露光装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜２の上に下層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に露光光を照射することにより酸を発生させる。ベーク処理を施すことによって下層レジスト膜３ｂが形成される。現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜３ｂを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料を塗布し、同様の露光処理と現像処理を施すことにより、架橋した中間層レジスト膜４ｂを残して、未架橋の中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 （もっと読む）

【課題】他のレジストパターンへの影響、及び、塗布欠陥を低減できるレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を、有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物であって、前記有機溶剤（Ｓ）が、プロピレングリコールエーテル（但し、プロピレングリコールアルキルエーテルの場合、アルキル基の炭素数は３以上）、及び、炭素数３以上の水酸基を有するアルカンから選ばれる１種以上の溶剤（Ｓ１）と、プロピレングリコールアルキルエーテルカルボキシレート（Ｓ２）と、酢酸アルキルエステル及びジアルキルエーテルから選ばれる1種以上の溶剤（Ｓ３）とを含有することを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】リンス液を用いずに、かつ有機現像処理の時間差の影響を受けずに回路パターンの微細線幅の安定化及びスループットの向上を図れるようにした有機現像処理方法及び有機現像処理装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後のウエハＷの表面に現像液を供給して現像を行う現像処理において、ウエハＷの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液を吐出する現像ノズル３０と、ウエハＷの表面全域に現像停止及び乾燥用のＮ２ガスを吐出するガスノズル４０と、を具備する。現像ノズル３０からウエハＷの表面全域に現像液を吐出してウエハＷの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液の液膜を形成した後、ガスノズル４０からウエハＷの表面全域にＮ２ガスを吐出して、現像の停止を行うと共に、現像液を除去してウエハＷの乾燥を行う。 （もっと読む）