【課題】高い解像力、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ）、優れたパターン形状、及び、高感度を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、架橋性ネガ型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、架橋反応によりネガ化するネガ型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程をこの順番で有する、レジストパターンの形成方法において、前記ネガ型レジスト組成物が下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有し、前記工程で形成された膜の膜厚が１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、かつ、前記アルカリ現像液中のアルカリ成分の濃度が０．５質量％〜１．１質量％である、レジストパターン形成方法。
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【課題】硬化後の膜の物性が、高温で硬化したものと遜色ない性能が得られる感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】（ａ）一般式（Ｉ）：
【化１】


（式中、Ｕ又はＶは２価の有機基を示し、Ｕ又はＶの少なくとも一方が炭素数１〜３０の脂肪族鎖状構造を含む基である。）で示される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｅ）溶解阻害剤とを含有する樹脂組成物を課題の感光性樹脂組成物として用いる。 （もっと読む）

【課題】ネガ現像において得られる親水性有機化合物で形成されるレジストパターンに適用できるだけでなく、従来のポジ現像で得られる疎水性化合物からなるレジストパターンにも適用できるレジスト下層膜形成用組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）成分：下記繰り返し単位を有するフェノール性水酸基発生可能な重合体、該重合体の加水分解物、及び前記重合体の加水分解縮合物のうち少なくとも一つ以上、及び


（Ｂ）成分：特定の加水分解性ケイ素化合物を含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物を含むものであることを特徴とするケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、未露光部における残渣の低減を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、現像液、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、酸の作用により前記高分子化合物を架橋する、２個以上のベンゼン環と４個以上のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、露光後に、炭素数７又は８のエステル系溶剤を含む現像液を用いて現像する工程をこの順番で有する、レジストパターン形成方法。
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【課題】酸化タングステン膜を水性溶液から形成させるための組成物およびそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】水溶性メタタングステン酸塩と、アニオン性ポリマー、ノニオン性ポリマー、アニオン性界面活性剤、および３級アミノ基含有ノニオン性界面活性剤から選ばれる少なくとも一種の添加剤と、水とを含んでなる酸化タングステン膜形成用組成物。画像反転三層構造、レジスト層膜、またはレジスト上層保護膜を用いたパターン形成方法において用いられる二酸化ケイ素膜形成用組成物の代わりに、前記酸化タングステン膜形成用組成物を用いてパターンを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高いパターン形成方法を提供する。
【解決手段】単糖類のヒドロキシ基の１つがメタクリルエステルとして結合し、残りのヒドロキシ基が酸不安定基で置換された（メタ）アクリレートの繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】良好なラインウィズスラフネス（Ｌｉｎｅ Ｗｉｄｔｈ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ：ＬＷＲ）を有し、かつ矩形なプロファイルを有するパターンを形成し得るパターン形成方法、それにより形成される積層レジストパターン、前記パターン形成方法に好適に用いられる有機溶剤現像用の積層膜、前記パターン形成方法に好適に用いられるレジスト組成物、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）基板上に第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて第１の膜を形成する工程、
（イ）前記第１の膜上に、前記樹脂組成物（Ｉ）とは異なる第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いて第２の膜を形成する工程、
（ウ）前記第１の膜と前記第２の膜とを有する積層膜を露光する工程、及び
（エ）前記露光された積層膜における前記第１の膜と前記第２の膜とを、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ネガ現像において得られるレジストパターンに適用できるだけでなく、ポジ現像で得られるレジストパターンにも適用できるレジスト下層膜形成用組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）一般式（１）で表される加水分解性ケイ素化合物と一般式（２）で表される加水分解性化合物とを含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、及びＲ^１_ｍ１Ｒ^２_ｍ２Ｒ^３_ｍ３Ｓｉ（ＯＲ）_{（４−ｍ１−ｍ２−ｍ３）}（１）Ｕ（ＯＲ^４）_ｍ４（ＯＲ^５）_ｍ５（２）（Ｂ）一般式（３）で表される加水分解性ケイ素化合物と一般式（４）で表される加水分解性ケイ素化合物とを含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、Ｒ^６_ｍ６Ｒ^７_ｍ７Ｒ^８_ｍ８Ｓｉ（ＯＲ^９）_{（４−ｍ６−ｍ７−ｍ８）}（３）Ｓｉ（ＯＲ^１０）_４（４）を含むケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】溝深さが深いパターンを形成するためのフロン系ガスのドライエッチングに対して高い耐性をもつ熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の熱反応型レジスト材料は、フロン系ガスを用いたドライエッチングに用いる熱反応型レジスト材料であって、主要フッ化物の沸点が２００℃以上である元素を少なくとも１種類含んでおり、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｈｆ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、及びＢｉからなる群から選ばれた元素の不完全酸化物を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の面方向における断面形状に関して整形性が良好な（変形度が低い）コンタクトホールを形成できるパターン形成方法、並びに、これを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（１）基板上に、（Ａ）化学増幅型レジスト組成物によって、レジスト膜を形成する工程、（２）露光して、ラインアンドスペースの潜像を形成する工程、（３）第１の加熱処理を行う工程、（４）第２のラインアンドスペースの潜像を、前記第１のラインアンドスペースの潜像におけるライン方向と交差するように形成する工程、（５）第２の加熱処理を行う工程、及び、（６）前記第２の加熱処理が行われたレジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像を行う工程を、この順で有するパターン形成方法、並びに、このパターン形成方法を用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】溶媒の冷却や溶解時の加熱を必要とせず、乾燥時間と溶解時間の合計の工程通過時間を短縮できるようにした、リソグラフィー用重合体溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】重合溶媒の存在下に、重合開始剤を使用して、単量体をラジカル重合させて重合反応溶液を得る重合工程と、前記重合反応溶液を重合体に対する貧溶媒と混合し、重合体を析出させて析出物を得る回収工程と、前記析出物を固形分含有量が６５〜９０質量％の範囲内となるように乾燥させて、微乾燥粉末を得る微乾燥工程と、前記微乾燥粉末を、重合体に対する良溶媒に溶解させる溶解工程とを有し、前記溶解工程において、前記微乾燥粉末の温度が０〜４５℃であり、前記良溶媒の温度が０〜４０℃である、リソグラフィー用重合体溶液を製造する。 （もっと読む）

【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル１４２に現像液を供給する現像液供給装置１９０は、現像液貯槽２０１と、現像液ノズル１４２との間に設けられた中間貯槽２０３と、現像液に直流電圧を印加する電極２０４と、電極２０４に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット２０５と、中間貯槽２０３へ洗浄液を供給する洗浄液供給管２１０と、中間貯槽２０３から洗浄液を排出する廃液管２２０と、を有している。電極２０４は、中間貯槽２０３に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ラフネス性能、露光ラチチュード、耐膜減り性能及びパターン寸法の面内均一性に優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び感活性光線性又は感放射線性膜を提供すること。
【解決方法】 （ア）シクロデキストリン骨格と酸分解性基を有する化合物（Ａ）、及び、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）露光した前記膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、感度等の基本特性を満足し、ＬＷＲ等を指標としたリソグラフィー性能に優れ、さらにパターン裾部分に残渣を生じることなく良好な矩形性のパターン形状を有するパターンを形成することができる感放射線性組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］下記式（１）で表される繰り返し単位（Ｉ）を有する重合体成分、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有する感放射線性組成物である。また、下記式（１）におけるＲ^５及びＲ^６のいずれかとＲ^４とは互いに結合して炭素数５〜２０の環構造を形成していることが好ましい。
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【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル１４２に現像液を供給する現像液供給装置１９０は、現像液貯槽２０１から現像液ノズル１４２へ現像液を供給するための現像液供給管２０２と、現像液供給管２０２に設けられ、現像液供給管２０２中の現像液に直流電圧を印加する電極２１２と、電極２１２に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット２１３と、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１６と、現像液供給管２０２に接続され、洗浄液供給源２１６から現像液供給管２０２に洗浄液を供給するための洗浄液供給管２１５と、現像液供給管２０２における電極２１３が設けられた位置を通過した洗浄液を、現像液供給管２０２から排出する廃液管２２０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】レジスト形状の制限が無く、またステップカバレッジの悪い成膜方法を用いなくても良いリフトオフ工程が行えるようにする。
【解決手段】レジスト２の上に被パターニング膜３を成膜したのち、イオン照射によって被パターニング膜３のコーナ部を選択的にエッチングすることでレジスト２を露出させるようする。そして、レジスト２を除去することで、レジスト２の上の被パターニング膜３をリフトオフさせ、被パターニング膜３をパターニングする。このようにしてリフトオフ工程を行えば、レジスト２の側面において被パターニング膜３が厚く形成されていたとしても、イオン照射によってレジスト２を露出させることができる。このため、レジスト２の側面での被パターニング膜３の厚みの制限を受けないため、あえてステップカバレッジの悪い成膜方法を用いなくても良くなり、ステップカバレッジの良い成膜方法を選択することもできる。 （もっと読む）

【課題】微細なホールパターンを低コストで確実に形成することが可能な方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るパターン形成方法は、インプリント法を用いて、第１の方向に延伸する溝パターンを有するインプリント材料層１２ａを基板上に形成する工程と、溝パターンをポジ型のレジスト材料で埋める工程と、第１の方向に直交する第２の方向に延伸する透光パターンを有するマスクを介してレジスト材料を露光する工程と、透光パターンを介して露光されたレジスト材料の部分を除去することでホールパターン１５を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、リソグラフィの解像限界以下の微細なラインパターンを本数の選択自由度を高めて形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数のラインパターン２３ａを形成する工程と、それぞれのラインパターン２３ａの側壁に側壁膜２６ａを形成し、複数のラインパターン２３ａおよび複数の側壁膜２６ａを含むパターン列５０を形成する工程と、隣り合う側壁膜２６ａ間およびパターン列５０の端の側壁膜２６ａの横の領域６０に、スペーサ膜２７ａ、２７ｂを形成する工程と、領域６０に形成されたスペーサ膜２７ｂをラインアンドスペースパターンに加工するとともに、側壁膜２６ａを除去し、ラインパターン２３ａおよびスペーサ膜２７ａ、２７ｂ１、２７ｂ２を残す工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なフォトレジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】分岐状アルキレン基もしくは脂環式基上のヒドロキシ基が酸不安定基で置換された側鎖を有するアクリル系繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】上記パターン形成方法で得られるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】ネガ型レジストのパターン形成に際し、ラフネスが小さく、レジストパターンの倒壊やブリッジ形成を招くことなく安定的に微細パターンを形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】
（ア）架橋反応によりネガ化する化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、および
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含むレジストパターン形成方法であって、前記レジスト組成物が、
（Ａ）分子量５００〜５０００の低分子量化合物、
（Ｂ）可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線およびイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的または間接的に酸を発生する酸発生剤、
（Ｃ）酸架橋剤、および
（Ｄ）溶剤
を含有することを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）