【課題】本発明の目的は、感度を十分に満足し、かつＥＬ、ＤＯＦ、ＣＤＵ及びＭＥＥＦに優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いるレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物であって、上記感放射線性樹脂組成物が、［Ａ］酸解離性基を有する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有し、かつ上記有機溶媒で現像した場合のレジスト感度曲線から算出されるコントラスト値γが、５．０以上３０．０以下であることを特徴とするレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物である。上記有機溶媒は、炭素数３〜７のカルボン酸アルキルエステル及び炭素数３〜１０のジアルキルケトンからなる群より選択される少なくとも１種の有機溶媒であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト膜形成用の樹脂溶液から、高い除去効率で、イオン性不純物や金属不純物を除去する不純物除去方法及び不純物除去用濾過装置を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜形成用の樹脂溶液を、繊維径２０μｍ以下、密度が７０〜１１０ｇ／ｍ^２のポリオレフィン系の不織布に、放射線グラフト重合法によりイオン交換基及び／又はキレート基を１ｍeｑ／ｇ以上固定化し、層厚２０ｍｍ以上に加圧積層してなる濾過部材に透過させるフォトレジスト膜形成用の樹脂溶液から、高い除去効率で、イオン性不純物や金属不純物を除去する不純物除去方法及び不純物除去用濾過装置。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス製造における微細パターンの形成を可能にするネガティブトーン現像のための改良されたフォトリソグラフィ方法の提供。
【解決手段】フォトレジスト上塗り組成物、前記上塗り組成物でコーティングされた基体、並びにネガティブトーン現像プロセスによって電子デバイスを形成する方法。即ち（ａ）パターン形成される１以上の層を含む半導体基体と、（ｂ）前記パターン形成される１以上の層上にフォトレジスト層を形成し、（ｃ）前記フォトレジスト層上にフォトレジスト上塗り組成物をコーティングし、前記上塗り組成物は塩基性クエンチャー、ポリマーおよび有機溶媒を含んでおり、（ｄ）前記層を化学線に露光し、並びに（ｅ）前記露光された膜を有機溶媒現像剤で現像することを含む。 （もっと読む）

【課題】感度、解像性等の基本特性のみならず、ＭＥＥＦ、ＤＯＦ等を指標としたリソグラフィー性能に優れ、より良好な断面形状のパターンを形成することができるフォトレジスト組成物、及びこの組成物を用いたネガ型のレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（１）フォトレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、（２）上記レジスト膜に露光する工程、及び（３）上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒含有現像液を用いて現像する工程を含むネガ型のレジストパターン形成方法であって、上記フォトレジスト組成物が、［Ａ］下記式（１）で表される構造単位（Ｉ）を有する重合体、及び［Ｂ］酸発生体を含有する。
（もっと読む）

【課題】現像欠陥の発生を抑制できるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】パターン形成方法は、基板１上にレジストパターンとなるレジスト膜２を形成する。レジスト膜２に第１の光６を照射してレジスト膜２に対してパターン露光を行う。前記レジストパターンを形成するために、前記パターン露光を行ったレジスト膜２に対して現像を行う。前記現像を行う時における欠陥の発生を抑制するために、前記パターン露光を行った後、かつ、前記現像を行う前に、前記パターン露光を行ったレジスト膜２に第２の光１０を照射してレジスト膜２の表面に対して改質処理を行う。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、光酸発生剤と、有機溶剤と、フッ素原子を有する繰り返し単位を含有し、かつ水酸基を含有しない高分子添加剤とを含み、高分子添加剤の含有量が全高分子化合物の含有量に対して１〜３０質量％であるレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、液浸露光可能な高い後退接触角を示すと共に、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を示し、ラインパターン側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンを所望の寸法に制御すると共に、欠陥の低減をはかり得る現像処理方法及び現像処理装置を提供することである。
【解決手段】所望のパターンが露光されたレジストを現像処理するための現像処理方法であって、レジスト膜１１にデバイスパターンと共にモニタパターン３０を露光しておき、モニタパターン３０を第１の現像条件で現像し、現像されたモニタパターン３０を検査して得られる検査画像から欠陥出現リスクを定量化する。これと共に、予め取得された欠陥出現リスク情報と欠陥数、及び欠陥数と現像条件の関係から、定量化された欠陥出現リスクの際に欠陥数が許容値以下となる第２の現像条件の許容範囲を決定する。そして、第２の現像条件の中でパターン寸法が所望の値となる第３の現像条件を決定し、該決定した第３の現像条件で前記デバイスパターンの現像を行う。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ露光により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制するパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂（Ｐ）及び活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。


上記一般式（Ｉ）中、Ｒ_０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 （もっと読む）

【課題】側鎖にヘテロ原子に結合したカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）を有し、カルボン酸基を有さないポリマーを用い、かつ現像液にテトラ置換アンモニウムヒドロキシドを含む水溶液を用いてフォトレジストを形成する方法を提供する。
【解決手段】基板上に側鎖にヘテロ原子に結合したカルボニル基を有し、カルボン酸基を有さないポリマー及び光酸発生剤から成るフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、及び該フォトレジスト層を現像液で処理する現像段階から成る反応現像画像形成法であり、この現像液はテトラ置換アンモニウムヒドロキシド及び低分子アルコールを含む水溶液である。ポリマーの構造により、ポジ型又はネガ型のフォトレジストが得られる。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、基板の外周部にレジスト残渣が発生することを抑制可能な厚膜レジストの現像方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】回路素子層の上面に、厚膜レジストを形成する工程と、厚膜レジストを露光する工程と、露光後に、３０〜５０ｒｐｍの範囲内の一定の回転速度で炭化珪素基板を回転させながら、厚膜レジストの上方から現像液を供給することで、厚膜レジストの上面に現像液よりなるパドルを形成し、該パドルにより厚膜レジストを現像して、厚膜レジストに回路素子層の上面を露出する開口部を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高感度な化学増幅型レジストとして有用な新規な酸分解性をもつ重合性単量体、これを用いて重合または共重合された重合体、およびそれを用いたレジストおよびそのパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される重合性単量体、およびその重合体。


（式（１）中、Ｒ^２〜Ｒ^１４は、水素、炭化水素基。） （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液を提供する。
【解決手段】（ア）基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液。 （もっと読む）

【課題】ＫｒＦ光、電子線及びＥＵＶ光を用い、高解像かつ高エッチング耐性を有し、更に現像残渣欠陥が低減されたネガ型のパターンを形成可能なパターン形成方法、その方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び感活性光線性又は感放射線性膜を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位を含有し、且つ、芳香族基を含有する、酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する非イオン性化合物、及び、（Ｃ）溶剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、膜を形成する工程、該膜を露光する工程、露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像することによりネガ型パターンを形成する工程を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】浸漬フォトリソグラフィのための新規な組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】（ａ）基体の上にフォトレジスト組成物を適用する工程、（ｂ）適用したフォトレジスト組成物を流体組成物で処理する工程、並びに（ｃ）フォトレジスト層を、フォトレジスト組成物を活性化する放射線に浸漬露光する工程を含む、フォトレジスト組成物の処理方法。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び露光ラチチュードに優れ、パターンサイズの現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位（ａ１）を樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して２０モル％以上有する樹脂（Ｐ）、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）膜を露光する工程、及び（ウ）露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。
（もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜べりを抑制する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、を含む、パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。
（もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体ウエハＳＷ上に被加工膜１を形成し、被加工膜１上に反射防止膜２を形成し、反射防止膜２上にレジスト層３を形成してから、レジスト層３の液浸露光、現像およびリンス処理を行うことで、レジストパターン３ａが形成される。その後、レジストパターン３ａをエッチングマスクとして、反射防止膜２および被加工膜１を順次エッチングする。レジスト層３の現像工程では、レジスト層３が現像処理によって除去された部分から反射防止膜２が露出する。現像後のリンス処理を行う際に、レジスト層３から露出する反射防止膜２の表面の撥水性が、レジスト層３の表面３ｂの撥水性と同等以上である。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なネガティブパターン形成用レジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】スルホンアミド基が酸不安定基で置換された式（１）の繰り返し単位ａ１及び／又はａ２を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、露光し、有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
（もっと読む）

【課題】高い解像力、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ）、優れたパターン形状、及び、高感度を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、架橋性ネガ型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、架橋反応によりネガ化するネガ型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程をこの順番で有する、レジストパターンの形成方法において、前記ネガ型レジスト組成物が下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有し、前記工程で形成された膜の膜厚が１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、かつ、前記アルカリ現像液中のアルカリ成分の濃度が０．５質量％〜１．１質量％である、レジストパターン形成方法。
（もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトアプリケーションのリソグラフィー工程に好適に使用され、特にネガ型現像技術において、ラインエッジラフネス、スカムやマイクロブリッジ等の欠陥の発生の無い微細なレジスパターン形成方法を提供することを課題としている。

【解決手段】露光により発生した酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する感放射線性組成物を、下記条件（１）を満足するフィルターを通過させた組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光し、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法である。
条件（１）：フィルターの臨界表面張力が７０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上であり、かつ荷電修飾されていない。 （もっと読む）